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      IPS模式液晶顯示器件中COG Mura的改善

      2016-04-22 12:20:36尹剛李成龍陸建鋼
      工業(yè)設(shè)計(jì) 2016年3期
      關(guān)鍵詞:液晶顯示制程基板

      尹剛李成龍陸建鋼

      1 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院,上海,200000

      2 昆山龍騰光電有限公司,江蘇昆山,215300

      IPS模式液晶顯示器件中COG Mura的改善

      尹剛1、2李成龍2陸建鋼1

      1 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院,上海,200000

      2 昆山龍騰光電有限公司,江蘇昆山,215300

      COG mura作為液晶顯示器件中經(jīng)常出現(xiàn)的不良現(xiàn)象,現(xiàn)階段通過采用相對溫度較低的ACF材料得到改進(jìn),在TN液晶顯示模式中,由于其為常亮顯示模式,可自然弱化COG mura的現(xiàn)象。但是當(dāng)采用IPS的常黑模式時,COG mura的現(xiàn)象就顯得尤為明顯,同時IPS產(chǎn)品的對比度對溫度的敏感度也相對較高,COG mura就成為了其大規(guī)模量產(chǎn)所必須解決的工藝問題。本文采用新型熱平衡法,通過調(diào)節(jié)COG 壓著區(qū)溫度平衡率,解決COG mura的問題,為提高IPS液晶顯示的量產(chǎn)良率,降低器件的制備成本,做出了有益的嘗試。

      COG mura;壓著區(qū);溫度平衡

      1 引言

      IPS模式的液晶顯示器件目前是LCD 的主流產(chǎn)品,因其具有較大的視角以及豐富的色彩和良好的相應(yīng)速度得到很多用戶的青睞。實(shí)際模塊生產(chǎn)過程中,COG 制程后,出現(xiàn)大量的mura現(xiàn)象,嚴(yán)重影響顯示效果,在客戶端以及終端客戶中反饋品味效果及體驗(yàn)度下降。

      當(dāng)前傳統(tǒng)的生產(chǎn)中,大量采用降低COG制程壓著溫度的方法,減弱COG Mura的影響,而這種方法帶來的影響是,需要采用低溫參數(shù)的異方性導(dǎo)電膠(ACF)材料,而就現(xiàn)有的ACF生產(chǎn)技術(shù)而言,門檻很高。

      本次課題的研究是通過調(diào)整COG 制程中本壓著的加熱方式,擺脫ACF材料本身的溫度限制,減弱COG mura的程度,提升顯示效果。

      2 模塊生產(chǎn)過程工藝流程

      2.1 COG 制程原理

      COG(Chip on Glass)制程是將LCD 的驅(qū)動IC利用異方性導(dǎo)電膠(ACF)與LCD 驅(qū)動線路聯(lián)通,通過壓著頭(Hot head)高溫使ACF固化,從而將驅(qū)動IC固定在LCD 玻璃基板表面。

      COG工藝流程是先將ACF貼附于LCD玻璃基板表面,再將驅(qū)動IC預(yù)定位在ACF表面上,再通過熱壓頭,對驅(qū)動IC表面進(jìn)行壓著及加溫。壓力將迫使ACF內(nèi)含有的導(dǎo)電粒子將IC引腳與LCD基板上的線路導(dǎo)通;溫度將使ACF的膠材由膠狀轉(zhuǎn)化為固態(tài),從而將驅(qū)動IC固定在LCD基板表面。COG 制程工藝原理如圖1所示。

      圖1 COG 制程原理

      圖2 Bonding前后翹曲示意圖

      圖3 COG mura現(xiàn)象圖

      2.2 COG mura 產(chǎn)生原理

      2.1 中提到的COG 制程中的高溫參數(shù),使異方性導(dǎo)電膠(ACF)固化,同時也使驅(qū)動IC和LCD 玻璃基板發(fā)生脹縮。這兩種材料的膨脹量不同導(dǎo)致壓著后的形變量不同(圖2 所示),引起靠近驅(qū)動IC部分的LCD 液晶盒厚度(Cell Gap)局部不均勻(如圖3所示),進(jìn)而在顯示時出現(xiàn)對比度差異——即Mura現(xiàn)象。

      Cell Glass與Drive IC受熱膨脹差異>Cell Gap局部不均勻>COG mura,因此解決Cell Glass與Drive IC之間膨脹量的差異,即可改善COG mura現(xiàn)象。

      3 改善方案

      首先我們用以下公式模擬膨脹過程:

      XIC膨脹量=L*ΔD * △Ta

      XGlass膨脹量=L*ΔC * △Tb

      其中:L為IC與Cell Glass重疊區(qū)域長度 ΔTa:上壓頭溫度變化,ΔTb:下支撐頭溫度變化,ΔC:Cell Glass膨脹系數(shù),ΔD:Drive IC 膨脹系數(shù)要使XIC膨脹量≈XGlass膨脹量,也就是Driver IC 膨脹量與玻璃基板膨脹量相當(dāng),

      那么L *ΔD * △Ta≈ L *ΔC * △Tb,同項(xiàng)相約掉后

      調(diào)整公式為:△Ta/△Tb=ΔC/ΔD

      可以描述為IC受熱后的溫度變化量與CELL Glass受熱后的溫度變化量的比值,與玻璃基板膨脹系數(shù)和IC膨脹系數(shù)比,大致相等時,可抵消材料膨脹量,從而改善COG mura,這種方法可稱之為熱平衡法。

      從公式中可以看到ΔC和ΔD兩個材料的膨脹系數(shù),在材料選定時其比值就已經(jīng)確定了,也不再變更,在相關(guān)材料的參數(shù)說明中都會提供。因此我們只能通過調(diào)整IC溫度變化量和CELL Glass的溫度變化量(△Ta/△Tb)使兩種材料的膨脹量可達(dá)到一定平衡狀態(tài),使兩種材料形變量大致相當(dāng),從而減弱COG mura現(xiàn)象。

      4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

      基于上述3的分析設(shè)計(jì)DOE實(shí)驗(yàn),進(jìn)行驗(yàn)證

      實(shí)驗(yàn)條件:

      CELL實(shí)驗(yàn)材料的膨脹系數(shù)(ΔC)為 4.7 ;

      IC實(shí)驗(yàn)材料的膨脹系數(shù)(ΔD)為3.4 ;

      設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)條件如表1所示。

      表1 DOE實(shí)驗(yàn)條件

      采用Minitabel工程實(shí)驗(yàn)軟件進(jìn)行隨機(jī)排序進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,結(jié)果如下表2:

      表2 溫度變化與COG mura驗(yàn)證關(guān)系結(jié)果

      依據(jù)實(shí)驗(yàn)條件中可以得出IC 和 Cell Glass的膨脹系數(shù)比例為ΔC / ΔD=4.7/3.4=1.38

      實(shí)驗(yàn)結(jié)果中最佳參數(shù)組為 NO.10組實(shí)驗(yàn)條件,△Ta=155℃△Tb =110℃,△Ta/△Tb =155/110=1.4,基本與ΔC /ΔD的比值相等,此實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了我們所推導(dǎo)的理論公式,說明了熱平衡方法的可用性。

      5 結(jié)語

      采用熱平衡的方法對COG mura具有良好的改善效果,其優(yōu)點(diǎn)是避免了頻繁更換低溫的ACF 而帶來的生產(chǎn)成本的上漲,能夠在現(xiàn)有的生產(chǎn)條件下,使COG mura得到良好的改善。更重要的是熱平衡法能夠在實(shí)際中對于不同材料所使用的工藝參數(shù)提供參考值,避免頻繁的參數(shù)調(diào)整,從而節(jié)省大量的實(shí)驗(yàn)調(diào)整時間,提高生產(chǎn)效率。

      [1]張麥麗,王秀峰,牟強(qiáng),等.ITO玻璃光刻工藝的研究[J].液晶與顯示.2005(01):22-26.

      [2]方省眾,李青璇,王震,等.異構(gòu)化聚酰亞胺取向膜預(yù)傾角的研究[J].液晶與顯示.2003(01):18-20.

      [3]周艷瓊,白木.液晶顯示技術(shù)綜述[J].影像技術(shù).2002(04):10-15.

      尹剛/1981年生/男/吉林吉林人/本科/研究方向?yàn)槠桨迮c顯示專業(yè)

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