蔣琳　舒秋艷　王波

摘 要：磁控電抗器是采用飽和鐵芯電抗器串接入高壓主回路，提供感性無功。有環(huán)氧樹脂干式和油浸式供選，具有體積小、噪音小、諧波小的特點。閥控系統(tǒng)是磁控電抗器控制的核心系統(tǒng)，本文詳細的介紹了磁控電抗器的控制原理及閥控系統(tǒng)的參數(shù)選擇，對磁控電抗器的設計、選型及生產(chǎn)制作等有很重要的參考作用。

關鍵詞：磁控電抗器；閥控系統(tǒng)；控制系統(tǒng)

DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.04.249

0 引言

磁控電抗器的控制主電路（晶閘管電路）是實現(xiàn)控制器調節(jié)磁控電抗器的紐帶，在此項目中起著十分重要的作用。本章將以110kV的磁控電抗器為例，從電路的設計、晶閘管及二極管的選取、電阻電容元件的參數(shù)設計等幾個方面對其進行詳細的介紹。

1 磁控電抗器的控制原理

從磁控電抗器的原理中可以了解到，磁控電抗器的控制電壓主要取自高壓電源側，現(xiàn)以A相為例，其原理如圖1所示：

從圖1中我們可以看到，控制器發(fā)出脈沖分別接在脈沖變壓器TA1和TA2的低壓側，高壓側便產(chǎn)生脈沖經(jīng)二極管箝位后加到晶閘 管的門極與陰極之間，當晶閘管兩端承受正向電壓時，晶閘管可以導通，改變晶閘管的移相觸發(fā)角度，進而改變了磁控電抗器內(nèi)直流大小，從而改變磁控電抗器的感性容量輸出。

2 磁控電抗器閥控系統(tǒng)參數(shù)選擇

2.1 晶閘管的選取

由于串聯(lián)晶閘管的正向阻斷（或反向）特性不同，但流過相同的漏電流，因而各器件所承受的電壓是不相等的。由于每個晶閘管的正向特性不同，在同一漏電流下所承受的正向電壓也是不同的，當兩個晶閘管串聯(lián) 使用時，若外部電壓繼續(xù)升高，兩個器件 都會失去控制作用；同理，反向時，因不均壓，可能使其中一個器件先反向擊穿，另一個隨之擊穿。

為達到靜態(tài)均壓，一方面應選用通態(tài)平均電壓比較一致的器件，另一方面，需用電阻均壓，而且此均壓電阻的阻值應比任何一個晶閘管的阻斷時正、反向電阻都小得多，這樣，每個串聯(lián)晶閘管分擔的電壓主要取決于均壓電阻的分壓。

為達到動態(tài)均壓，一方面應選用載流子數(shù)量比較一致的晶閘管，或者通過實驗選取恢復電流比較一致的晶閘管；另一方面，還需用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓。由于串聯(lián)晶閘管 開通時間不一致，即使同時觸發(fā)，先開通的晶閘管壓降立即減小，另一晶閘管分擔的正向電壓隨之上升，由此可能引起某些晶閘管強行轉折；使用門極強脈沖觸發(fā)可以縮短開通時間，減小器件開通時間上的差異。在此基礎上，也應考慮按反向阻斷時的動態(tài)均壓要求來選取RC參數(shù)，解決開通過程的動態(tài)均壓問題。

由于晶閘管制造工藝的改進，器件的電壓等級不斷提高，因此要求晶閘管串聯(lián)的情況會逐步減少。

針對110kV的磁控電抗器，其接線方式為星形接線，Ua1-a3= Ua2-a4 =1%UAX =1%×110000/√3=635V，即晶閘管GA1與GA2承受的額定電壓分別為635V，因為設備最高運行電壓為126kV，所選晶閘管的額定電壓應在880～1382V之間，考慮到對整臺設備做雷電沖擊耐受電壓時，峰值要達到550kV，此時GA1與GA2所承受的電壓分別為5500V，按照晶閘管兩端承受的電壓為最高電壓的2～3倍考慮的話，所選晶閘管的電壓至少應大于11000V，而目前晶閘管廠家生產(chǎn)的晶閘管大于8000V的僅為國家重點項目±800kV直流換流站所用，其單只價格要達到25000元以上，雖然每臺設備只用6只，但其設備成本就要增加10萬元，所以此種方案不可取。這樣我們就會選擇每相用兩只晶閘管串聯(lián)使用，每只晶閘管的額定電壓6500V，既能保證正常工作時的電壓要求，同時也滿足對整臺設備的雷電沖擊耐受電壓的要求。

晶閘管的額定電流按（1.7～2.5）倍允許過載時的電流來選取。針對24000kvar、110kV的磁控電抗器，其額定電流為126A，所以選取300A的晶閘管即可滿足使用要求。這樣在這臺BKSF-24000/110的磁控電抗器中我們選用的晶閘管型號為KP 300-65、整流管的型號為ZP 300-65。

兩個晶閘管串聯(lián)使用原理如圖2所示。

2.2 阻容元件的參數(shù)設計

我們知道，晶閘管在使用過程中，保護尤其重要，它有一個重要特性參數(shù)——斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt，表明晶閘管在額定結溫和門極不導通條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率。如果電壓上升率過大，超過了晶閘管承受電壓上升率的值，則門極無觸發(fā)信號時也會導通。即使此時加于晶閘管的正向電壓不高于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況，因為晶閘管可以看作是由三個PN結組成。

當晶閘管處于阻斷狀態(tài)時，因各層距離較近，當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電 流流過PN結，這個電流相當于門極觸發(fā)電流。如果晶閘管在關斷時陽極電壓上升速度太快，則PN結的充電電流越大，就很可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，出現(xiàn)晶閘管導通現(xiàn)象，也就是常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全可靠運行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收電路，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的（變壓器漏感或負載電感），所以與電容器C串聯(lián)電阻R便可以起到阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓而損壞晶閘管。同時，避免通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。

由于晶閘管過電流過電壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡就是最常用的保護方法。下面就晶閘管KP 300-65的RC阻容吸收元件的選擇加以計算。

2.2.1 電容的選取

C=（1～2）×10-3×IT

式中，

IT——晶閘管額定電流，A；

因為晶閘管的電流為300A，可以求得

C=（1～2）×10-3×300=（0.3～0.6）μF

電容器的電容值取0.47μF。

電容器兩端電壓一般根據(jù)晶閘管兩端電壓的額定值除以√2來計算，即5kV。

2.2.2 電阻的選取

式中，

Id——直流電流值，A；

If=0.367Id，

根據(jù)計算結果，選取R=10Ω

式中，

U——三相電壓的有效值，V；

根據(jù)計算結果，選用10Ω，50W電阻。

另外，阻容吸收回路在實際應用中，RC的時間常數(shù)一般情況下取1～10ms。

小功率負載通常取2ms左右，R=220Ω/1W，C=0.01μF /400～630V。

大功率負載通常取10ms，R=10Ω/20W，C=1μF /630～1000V。

R的選?。盒」β蔬x金屬膜或RX21線繞或水泥電阻；大功率選RX21線繞或水泥電阻或鋁殼無感電阻。

C的選取：CBB系列相應耐壓的無極性電容器。

在此實例中屬于大功率負載，綜合實際情況，最終選用R=10Ω/50W，C=0.47μF /5000V的阻容吸收網(wǎng)絡，且電阻為鋁殼無感電阻、電容為無感電容。

3 結語

本文通過公式推導和理論分析對磁控電抗器的閥控系統(tǒng)選擇進行了論述。磁閥式電抗器采用的是先進的微電子控制技術，從而可以精密地控制對系統(tǒng)母線的無功功率需求的快速響應及補償，而且由于沒有了機械部件的頻繁投切動作，避免了機械式無功補償裝置由于電容投切帶來的涌流和過電壓沖擊，使得裝置更加具有安全穩(wěn)定性和大大提高了補償裝置的使用壽命，也有利于保護用戶其他精密設備和精密儀器的正常運行。

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作者簡介：蔣琳（1968-），女，高級工程師，主要從事：電網(wǎng)運行控制技術管理工作。