迎九

摘要：本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅（FD-SOI）的特點、最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOl與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。

關(guān)鍵詞：FD-SOI；FinFET；制造

2016年2月，Soitec宣布上海硅產(chǎn)業(yè)投資公司擬入資S0itec，促進FD-SOI在中國的商用化。FD-SOI的特點是擅長功耗和成本敏感型應(yīng)用，擅長數(shù)字與混合信號SoC集成與高性能；而另一條技術(shù)路線——FinFET（3D晶體管）適合高性能數(shù)字處理等場合?！?010后Sol真正成熟，最大市場是平板電腦和智能手機領(lǐng)域的RF-sol，模擬和功率采用Power-Sol，此外，還有數(shù)字處理的FD-Sol等。（如圖2）”Soitec數(shù)字電子業(yè)務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville稱。

SOI與FinFET工藝和應(yīng)用對比

SOI特點是特殊材料、普通工藝。而FinFET的特點是普通材料，特殊工藝。FD-SOI基板的價值是電路的一部分已經(jīng)集成在基板里了，而且FD-SOI頂層硅厚度一致性非常好，硅層厚度的誤差可以確保控制在幾個原子層之內(nèi)，例如28nm工藝時3萬個晶圓誤差只有±1原子層，這相當(dāng)于巴黎到北京的距離，海拔高度控制在1.4cm內(nèi)。FD-SOI可代替很多GaAs材料，因為性能更高。另外功耗和成本上，F(xiàn)D-SOI也有很大優(yōu)勢。FD-SOI的成功案例包括NXP/飛思卡爾的i.MX7和i.MX 8應(yīng)用處理器平臺，SoNY新一代的GPS。另外在汽車領(lǐng)域很適合，性能與FinFET相當(dāng)，成本降低超過20%，即使在高溫下也只有很低的功耗，幾乎可以抵御所有輻射?！癋D-SOI將使未來自動駕駛成為可能，例如視頻處理器可以安裝在擋風(fēng)玻璃上?！盋hristophe Maleville說道。

FD-SOI將是中國半導(dǎo)體業(yè)彎道超車的機會

在制造工藝上，F(xiàn)D-SOI比FinFET更容易實現(xiàn)。目前三星、格羅方德（GlobalFound ries）有FD-SOI代工業(yè)務(wù)，國內(nèi)的華虹和SMIC也可生產(chǎn)FD-SOI，已有超過10家中國fabless（芯片設(shè)計公司）在設(shè)計相關(guān)芯片，一家產(chǎn)品已經(jīng)投產(chǎn)。目前中國正全面采用各類主流半導(dǎo)體技術(shù)，包括當(dāng)今晶圓廠廣泛采用的平面bulk技術(shù)、顛覆性的FinFET技術(shù)，及日益崛起、備受矚目的新興FD-SOI技術(shù)。“FD-SOI將是中國半導(dǎo)體業(yè)彎道超車的機會，并可通過FD-SOI技術(shù)驅(qū)動電子產(chǎn)業(yè)增長?！盨oitec公司市場和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk指出。