張 輝, 吳李花, 鄧 超, 陳 怡, 林春綿
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硒化鎘量子點(diǎn)的合成及其對痕量鉛離子的檢測研究
張 輝1, 吳李花2, 鄧 超1, 陳 怡1, 林春綿2
(1. 浙江省計量科學(xué)研究院, 浙江杭州 310018; 2. 浙江工業(yè)大學(xué)環(huán)境學(xué)院, 浙江杭州 310014)
研究制備了-半胱氨酸(-cys)修飾的硒化鎘(CdSe)量子點(diǎn),并以該量子點(diǎn)為熒光探針檢測水中痕量Pb2+??疾炝肆孔狱c(diǎn)濃度(5.2×10-3~5.2×10-5mol×L-1)、反應(yīng)時間(0~75 min)、pH(7.3~9)和干擾離子(Na+、K+、Ca2+等)等因素對Pb2+測定的影響。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)量子點(diǎn)的濃度為5.2×10-4mol×L-1,pH值為8.0,反應(yīng)時間為30 min時,檢測效果最優(yōu),此條件下Pb2+的檢測線性區(qū)間為0.05~10 mg×L-1,檢出限為0.02 mg×L-1。
硒化鎘;量子點(diǎn);熒光探針;鉛離子
鉛是一種常見的有毒重金屬污染物,主要來源于礦山開采、金屬冶煉、燃煤、制造和使用鉛制品的工礦企業(yè)以及汽車尾氣排放等。其在人體內(nèi)半衰期長,即使長期接觸低濃度的鉛也會導(dǎo)致多種器官和系統(tǒng)受損。人體內(nèi)鉛的主要來源之一就是各種可接觸的水,因此檢測水中痕量鉛離子對保護(hù)人體健康和治理環(huán)境污染有重要意義[1]。常用的痕量鉛離子檢測方法有原子吸收光譜法[2,3]、原子熒光光譜法[4,5]、分光光度法[6,7]、電化學(xué)分析法[8]等。這些傳統(tǒng)的分析技術(shù)目前得到了廣泛應(yīng)用,但仍存在一些不足,例如儀器設(shè)備昂貴、檢測過程較為繁瑣,樣品預(yù)處理復(fù)雜,操作要求高等缺點(diǎn),因此簡單、快速、高效、成本低廉的痕量鉛離子檢測方法是當(dāng)今社會的研究熱點(diǎn)。
量子點(diǎn)(Quantum dots,QDs)作為一種新型熒光探針,具有光學(xué)性能優(yōu)良[9],抗漂白能力強(qiáng)[10],光穩(wěn)定性好[11]等優(yōu)點(diǎn),可用來檢測環(huán)境中的重金屬離子[12]。2002年,Chen等[13]報道了經(jīng)不同修飾劑修飾的CdS QDs可選擇性測定Zn2+及Cu2+。Cai等[14]在水相中合成了巰基丁二酸穩(wěn)定的CdTe QDs,該量子點(diǎn)能檢測到水樣中痕量級的Ag+,且具有較高的精確度,檢出限為54 nmol×L-1。Zheng等[15]用-半胱氨酸修飾的CdSe量子點(diǎn)對Hg2+離子進(jìn)行了檢測。Bu等[16]通過仿生方式用變性牛血清白蛋白(dBSA)包覆CdSe量子點(diǎn),利用Cu2+對其高靈敏度、高選擇性的熒光猝滅作用建立了檢測Cu2+的方法,并討論了熒光猝滅機(jī)理。Ali等[17]合成了谷胱甘肽穩(wěn)定的CdTe和CdZnSe量子點(diǎn),以此為探針定量檢測Pb2+,檢出限為20 nmol×L-1。目前國內(nèi)關(guān)于水相合成-半胱氨酸修飾(L-cys)的CdSe量子點(diǎn)對水質(zhì)痕量Pb2+的檢測研究報道較少,本實驗基于Pb2+對CdSe量子點(diǎn)熒光有規(guī)律的猝滅作用,建立了-cys修飾的CdSe量子點(diǎn)定量檢測水溶液中痕量Pb2+的分析方法。
2.1 主要試劑與儀器
試劑:硒粉(Se,純度為99.9%),硼氫化鈉(NaBH4,純度為98%),-半胱氨酸(-cys,純度為99%),氯化鎘(CdCl2·2.5H2O,純度為99.0%),三羥甲基氨基甲烷(tris,純度≥ 99.9%),硝酸鉛(Pb(NO3)2,純度99%)及其他無機(jī)鹽均為分析純或以上,購自上海阿拉丁生化科技股份有限公司;實驗用水均為超純水。
儀器:Fluoromax-4熒光光譜儀(Horiba Jobin Yvon公司),UV2600紫外-可見分光光度儀(日本島津公司),Vertex70傅里葉紅外光譜儀(德國Bruker公司),300kV高分辨透射電子顯微鏡(荷蘭 Philips-FEI 公司),AL204電子分析天平(梅特勒-托利多儀器(上海)有限公司),Milli-Qintegral5純水機(jī)系統(tǒng)。
2.2 CdSe量子點(diǎn)的制備
(1) NaHSe前驅(qū)體的制備。三頸圓底燒瓶中加入60 mL的超純水,攪拌下通N2除氧30 min,然后保持通N2狀態(tài),依次加入0.0198 g(0.25 mmol)的Se粉,0.0189 g(0.5 mmol)的NaBH4,在35~40℃條件下反應(yīng)至黑色Se粉反應(yīng)完全,反應(yīng)溶液由渾濁變澄清,制得NaHSe前驅(qū)體,持續(xù)保持?jǐn)嚢韬屯∟2,冷卻至室溫。
(2) Cd前驅(qū)體的制備。三頸圓底燒瓶中加入60 mL的超純水,攪拌并通N2曝氣30 min,然后保持通N2狀態(tài),加入氯化鎘0.1428 g(0.625 mmol)、-半胱氨酸0.1136 g(0.94 mmol),充分?jǐn)嚢韬笥肗aOH調(diào)節(jié)溶液pH制得Cd前驅(qū)體。
(3) CdSe量子點(diǎn)的制備。在通N2的保護(hù)狀態(tài)下,將制備的NaHSe前驅(qū)體迅速倒入Cd前驅(qū)體中,室溫下攪拌反應(yīng)20 min,然后在50℃水浴鍋中加熱回流1 h,制得淡黃色透明溶液,此即為-半胱氨酸修飾的CdSe量子點(diǎn)溶液。
2.3 用熒光猝滅法檢測水中痕量Pb2+
將上述制備的CdSe量子點(diǎn)用tris緩沖溶液配制成一定濃度的水溶液,再分別配置一系列不同濃度的鉛離子溶液,分別取2 mL量子點(diǎn)水溶液和2 mL不同濃度的鉛離子溶液于10 mL比色管中,混合均勻,最終量子點(diǎn)的濃度為5.2×10-4mol×L-1,鉛離子濃度在0.01~10 mg×L-1,混合溶液靜置反應(yīng)30 min后測定熒光光譜,激發(fā)光425 nm,狹縫寬2 nm,掃描范圍450~750 nm,在最強(qiáng)峰560 nm處記錄發(fā)射峰強(qiáng)度,在相同條件下測定空白值0。
3.1 CdSe量子點(diǎn)的表征
3.1.1-半胱氨酸修飾CdSe量子點(diǎn)透射電鏡(TEM)分析
量子點(diǎn)的粒徑一般在10 nm以下,通常制備的量子點(diǎn)采用透射電子顯微鏡表征形貌。圖1是所制備的水相CdSe 量子點(diǎn)的透射電子顯微鏡照片。由圖1a可知,CdSe 量子點(diǎn)平均尺寸約為2 nm,平面形狀近似圓形,分散性較好,沒有出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。圖1b也表明 CdSe量子點(diǎn)晶格清晰,結(jié)晶性能良好。
圖1 L-cys-CdSe QDs 的透射電鏡圖(a)和高分辨透射電鏡圖(b)
3.1.2-半胱氨酸修飾CdSe量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)
圖2是在上述條件下合成的-cys修飾的CdSe量子點(diǎn)的UV-Vis吸收光譜和熒光發(fā)射光譜,從圖上可看出,水相條件下合成的CdSe量子點(diǎn)的熒光發(fā)射波長在450~750 nm,制備的CdSe量子點(diǎn)UV-Vis吸收峰在395~430 nm,最大吸收峰在417 nm,與熒光最大發(fā)射峰(560 nm)相隔大于100 nm,表現(xiàn)出較大的stokes位移。CdSe量子點(diǎn)的吸收邊位于430 nm,根據(jù)公式(eV) = hc/(為禁帶寬度,h為普朗克常數(shù)6.626×10-34J·s,c為光速3×10-8m×s-1,為吸收峰波長)可算出相應(yīng)的禁帶寬度為2.88 eV,與CdSe體相材料的吸收邊729 nm (1.74 eV)相比[18],吸收峰發(fā)生明顯的藍(lán)移,可見隨著粒徑的減小,量子點(diǎn)表現(xiàn)出明顯的量子尺寸效應(yīng)。
圖2 L-cys 修飾CdSe 量子點(diǎn)的UV-Vis 吸收光譜和熒光發(fā)射光譜
3.1.3-半胱氨酸修飾CdSe量子點(diǎn)的紅外光譜
圖3(a)和圖3(b)分別是-cys晶體和-cys修飾的CdSe量子點(diǎn)紅外譜圖。由圖3(a)可知,在2500~3000 cm-1有寬的吸收峰(γOH,-COOH),在1600 cm-1有強(qiáng)的吸收峰(γC=O),1298~1390 cm-1有較強(qiáng)吸收(γC-O),940 cm-1有較弱吸收(δOH),這些表明-COOH的存在,3421 cm-1和3184 cm-1處分別有吸收,表明存在-NH2,2550~2650 cm-1處的峰表示-SH存在。圖3(b)與圖3(a)對比,3323 cm-1處出現(xiàn)的吸收峰可說明CdSe量子點(diǎn)表面有-NH2,在2500~3000 cm-1附近,羧基(-COOH)中O-H基團(tuán)的特征吸收峰消失,-C=O基團(tuán)的吸收峰從1600 cm-1藍(lán)移到1590 cm-1,同時2550~2650 cm-1處表示-SH的特征峰也消失,C-S基團(tuán)從1062 cm-1藍(lán)移到1045 cm-1,-COO- 也從1421 cm-1藍(lán)移到1402 cm-1,這些變化說明-cys成功地修飾到了CdSe量子點(diǎn)上,巰基和羧基與Cd2+形成共價鍵,從而使其包裹在量子點(diǎn)表面。無毒的-半胱氨酸對CdSe量子點(diǎn)的修飾,可以增加CdSe量子點(diǎn)的親水性,使CdSe量子點(diǎn)更穩(wěn)定地分散在水溶液中,保證其可以用來檢測水質(zhì)中鉛離子。
圖3 紅外譜圖
(a)-cysteine (b)-cys- CdSe QDs
3.2 反應(yīng)參數(shù)對-半胱氨酸修飾的量子點(diǎn)熒光性能的影響
3.2.1 反應(yīng)時間對熒光性能的影響
在反應(yīng)時間為0,30,60,90,150 min時分別取樣,其它實驗條件如2.2節(jié)所述,以450 nm為激發(fā)波長,測得熒光譜圖見圖4。隨著反應(yīng)時間延長,-半胱氨酸修飾的量子點(diǎn)的熒光性能發(fā)生改變。CdSe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度隨著加熱反應(yīng)時間的延長先增大后減小,在60 min中時達(dá)到最大。根據(jù)量子尺寸效應(yīng),隨著納米粒子粒徑增大,熒光峰的位置會發(fā)生紅移[19]。由圖4插圖可知,CdSe量子點(diǎn)最強(qiáng)熒光發(fā)射峰位隨著反應(yīng)時間的增加逐漸紅移,從570 nm紅移到605 nm,表明CdSe納米晶的尺寸分布逐漸變大。可能是反應(yīng)剛開始的時候,體系中存在大量Se2-和Cd-L-cys 配合物,量子點(diǎn)生長速度快,但此時顆粒粒徑還較小,表面缺陷會比較多,因而熒光強(qiáng)度不高。隨著反應(yīng)進(jìn)行,Se2-和Cd--cys配合物的濃度不斷降低,量子點(diǎn)生長速度變慢,熒光量子產(chǎn)率逐漸上升,熒光增強(qiáng)[20]。
圖4 不同反應(yīng)時間下L-半胱氨酸修飾的CdSe 量子點(diǎn)的熒光光譜圖;內(nèi)插圖為不同反應(yīng)時間下合成的量子點(diǎn)的最強(qiáng)熒光發(fā)射波長及對應(yīng)的熒光強(qiáng)度
3.2.2 回流溫度對熒光性能的影響
考察體系回流溫度為35,50,65,80和95℃時,體系的熒光強(qiáng)度變化,其他實驗條件如2.2所述。從圖5可以看出回流溫度對熒光強(qiáng)度的影響很顯著,50℃時,-cys-CdSe 量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度最大,且發(fā)射波長發(fā)生紅移。熒光峰紅移表明顆粒生長速度更快,且通過增加溫度可獲得尺寸更大的量子點(diǎn),這可由量子點(diǎn)粒子形成動力學(xué)來解釋,當(dāng)配體分子解離時,量子點(diǎn)表面暴露部分可繼續(xù)與溶液中的Cd或Se前驅(qū)體反應(yīng)從而繼續(xù)生長,較高溫度下配位和解離的速度變快,這也導(dǎo)致生長速度變快,從而形成更大粒徑的量子點(diǎn)粒子[21]。當(dāng)溫度高于50℃ 時,熒光峰強(qiáng)度反而下降,這可能是此時量子點(diǎn)表面配體解離速度大于粒子生長速度,導(dǎo)致量子點(diǎn)表面缺陷變大,因而熒光強(qiáng)度變?nèi)?。因此,為了得到預(yù)期粒徑的量子點(diǎn),必須控制反應(yīng)溫度。
圖5 不同回流溫度下L-半胱氨酸修飾的CdSe 量子點(diǎn)的熒光發(fā)光譜圖;內(nèi)插圖為不同回流溫度下合成的量子點(diǎn)的最強(qiáng)熒光發(fā)射波長及其對應(yīng)的熒光強(qiáng)度
3.3 Pb2+對CdSe量子點(diǎn)猝滅條件優(yōu)化
3.3.1-半胱氨酸修飾的CdSe量子點(diǎn)濃度的選擇
量子點(diǎn)濃度直接影響Pb2+的檢測效果,量子點(diǎn)濃度過大時,檢測的靈敏度低,檢測線性范圍寬,而當(dāng)量子點(diǎn)濃度過低時,檢測靈敏度高,但是檢測的線性范圍窄,因此要選擇合適的量子點(diǎn)濃度。為得到最佳的檢測靈敏度和線性范圍,本實驗選擇的CdSe量子點(diǎn)濃度為5.2×10-4mol×L-1(以Cd2+計)。
3.3.2 pH值的選擇
當(dāng)溶液呈酸性時,-cys的巰基和羧基質(zhì)子化,不能穩(wěn)定地包裹在CdSe量子點(diǎn)表面,降低了量子點(diǎn)的穩(wěn)定性,因此體系pH的考查范圍選在堿性區(qū)間。選用量子點(diǎn)濃度為5.2×10-4mol×L-1,鉛離子濃度為0.4 mg×L-1,用三羥甲基氨基甲烷(tris)-鹽酸緩沖溶液調(diào)節(jié)量子點(diǎn)溶液pH,考查pH分別為7.3、8、8.5、9時鉛離子對量子點(diǎn)溶液熒光猝滅程度的影響,從圖6可以看出,隨著pH增大,體系熒光猝滅程度先增大后減小,當(dāng)pH為8時,體系熒光猝滅程度最大。這是因為,在一定的堿性條件下,-cys的巰基與CdSe量子點(diǎn)的配位作用明顯,-cys分子帶負(fù)電[22],在靜電引力的作用下,鉛離子更易吸附擴(kuò)散到量子點(diǎn)表面,引起熒光猝滅;而當(dāng)pH更高時,則會形成氫氧化物,反而影響鉛離子對量子點(diǎn)的猝滅作用。
圖6 pH對熒光猝滅程度的影響
圖7 反應(yīng)時間對體系熒光強(qiáng)度變化的影響
3.3.3 反應(yīng)時間的影響
圖7是-cys修飾的CdSe量子點(diǎn)與Pb2+反應(yīng)過程中熒光猝滅強(qiáng)度隨時間變化的趨勢圖。固定量子點(diǎn)濃度為1.04×10-4mol×L-1,pH = 8,鉛離子濃度為0.64 mg×L-1,進(jìn)行時間選擇性實驗。從圖7可看出,反應(yīng)剛開始時,體系的熒光猝滅顯著增強(qiáng),從30 min時開始趨于穩(wěn)定,到40 min時熒光猝滅值基本穩(wěn)定,反應(yīng)達(dá)到平衡。如果在反應(yīng)還沒有達(dá)到平衡就進(jìn)行測量,對目標(biāo)Pb2+的檢測可能不準(zhǔn)確,為了準(zhǔn)確快速地測量Pb2+的濃度,實驗選擇30 min作為檢測的時間點(diǎn)。
表1 共存離子對熒光強(qiáng)度的影響
3.4 共存離子對CdSe量子點(diǎn)熒光猝滅的影響
在Pb2+濃度為1 mg×L-1的基礎(chǔ)上,以tris緩沖溶液為體系,研究了常見干擾離子對體系熒光猝滅程度的影響,所測數(shù)據(jù)列于表1。由表可知,520倍的Na+和K+,250倍的NH4+,200倍的Mg2+,80倍的Ca2+,40倍的Ba2+,1倍的Zn2+對Pb2+的測定不干擾,5倍的Cu2+、Fe3+和Mn2+對體系都有較強(qiáng)的猝滅作用,對Pb2+的測定有干擾,針對起干擾作用的離子可添加相應(yīng)的掩蔽劑來掩蔽其干擾性,這有待后續(xù)研究。
圖8 Pb2+ 濃度與量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度猝滅率(F0/F)間的線性關(guān)系
3.5 Pb2+濃度與量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度猝滅率(0/)間的線性關(guān)系
不同濃度的Pb2+可以按規(guī)律不同程度地猝滅-半胱氨酸修飾的CdSe量子點(diǎn)溶液的熒光。按上述優(yōu)化的實驗條件:量子點(diǎn)的濃度為5.2×10-4mol×L-1,pH為8的tris緩沖溶液,反應(yīng)30 min,測得熒光強(qiáng)度猝滅率(0/)在Pb2+濃度為0.05~10 mg×L-1的線性如圖8所示,(0和分別表示添加和不添加Pb2+時CdSe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度,為Pb2+的濃度)。從圖8可以看出R2= 0.9981,表明(0/)和Pb2+濃度具有較好的線性關(guān)系。說明用量子點(diǎn)的熒光猝滅來檢測Pb2+濃度是可行的。經(jīng)計算本方法的檢出限(3δ/k,即以空白的3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差除以標(biāo)準(zhǔn)曲線的斜率[23])為0.02 mg×L-1,重復(fù)檢測0.8 mg×L-1Pb2+的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.169% (= 11)。
本研究在水相條件下利用廉價綠色化學(xué)試劑合成了-cys修飾的CdSe量子點(diǎn),根據(jù)Pb2+對其熒光的猝滅作用來測定水質(zhì)中的痕量Pb2+。在最優(yōu)條件下,量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度猝滅率(0/)與Pb2+濃度間存在較好的線性關(guān)系,線性相關(guān)系數(shù)為0.9981,測得Pb2+的線性檢測區(qū)間為0.05~10 mg×L-1,檢出限為0.02 mg×L-1。研究表明以-cys修飾的CdSe量子點(diǎn)為熒光探針檢測痕量的Pb2+具有寬的線性區(qū)間和高的靈敏度。
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Synthesis of CdSe Quantum Dots and their Application in Trace Lead Ion Detection
ZHANG Hui1, WU Li-hua2, DENG Chao1, CHEN Yi1, LIN Chun-mian2
(1. Zhejiang Province Institute of Metrology, Hangzhou 310018, China;2. College of Environment, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China)
CdSe quantum dots were synthesized in aqueous solutions and functionalized with-cysteine (-cys-CdSe quantum dots), which were used as fluorescence probe to detect Pb2+. Affecting factors including CdSe quantum dot concentration (5.2×10-3~5.2×10-5mol×L-1), reaction time (0~75 min), pH value (7.3~9) and interfering ions (Na+, K+, Ca2+and so on) were studied. When studied in conditions of tris-HCl buffer with pH = 8.0,-cys-CdSe quantum dots concentration of 5.2×10-4mol×L-1and reaction time of 30 min, the results show that the linear responding Pb2+concentration is 0.05~10 mg×L-1and the detection limit is 0.02 mg×L-1.
CdSe;quantum dots;fluorescence probes;lead ion
1003-9015(2016)05-1184-07
X132
A
10.3969/j.issn.1003-9015.2016.05.029
2016-01-15;
2016-05-12。
浙江省科學(xué)技術(shù)廳公益技術(shù)研究社會發(fā)展項目(2014C33053)。
張輝(1979-),女,河南新鄉(xiāng)人,浙江省計量科學(xué)研究院副研究員,博士。通訊聯(lián)系人:林春綿,E-mail:lcm@zjut.edu.cn