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      金屬納米粒子對(duì)硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收效率影響的研究

      2016-11-19 16:47:21榮融厲寶增
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2016年4期
      關(guān)鍵詞:研究分析

      榮融 厲寶增

      摘 要:近年來(lái)開(kāi)發(fā)研制硅薄膜太陽(yáng)能電池以減少硅片原材料的消耗來(lái)降低硅太陽(yáng)能電池的成本成為熱點(diǎn)領(lǐng)域。文章具體對(duì)硅薄膜太陽(yáng)能電池的背景、分類及其特點(diǎn)進(jìn)行了相關(guān)探討,簡(jiǎn)要說(shuō)明了金屬納米粒子中具有代表性的銀金屬納米粒子,并且分析了不同結(jié)構(gòu)的銀納米粒子集成于硅薄膜后引起太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光吸收效率產(chǎn)生的影響,力求通過(guò)文章,對(duì)這種新型的增強(qiáng)光吸收效率的方法進(jìn)行宏觀的認(rèn)識(shí)。

      關(guān)鍵詞:金屬納米粒子;硅薄膜太陽(yáng)能電池;研究分析;宏觀認(rèn)識(shí)

      1 硅薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展背景簡(jiǎn)介

      能源,作為21世紀(jì)的重要話題近年來(lái)被逐漸關(guān)注,隨著各個(gè)國(guó)家和地區(qū)的發(fā)展和進(jìn)一步科技的提高,能源的消耗也在迅猛增加,其中可再生資源的利用越來(lái)越受到關(guān)注。在眾多可再生資源中,太陽(yáng)能作為一種取之不盡用之不竭的綠色可再生能源被逐漸重視起來(lái),其中如何將太陽(yáng)能利用效率進(jìn)一步提升一直是各國(guó)科研工作者不斷追求的目標(biāo)。其中重要的轉(zhuǎn)換方式和媒介就是——太陽(yáng)能電池,它是一種能夠直接將太陽(yáng)能能源轉(zhuǎn)化為電能能源而被進(jìn)一步利用的裝置,為了提高太陽(yáng)能電池的光吸收效率,科學(xué)家一方面對(duì)半導(dǎo)體材料本身進(jìn)行著大量的研究,希望可以獲得具有高載流子遷移率的新型半導(dǎo)體材料。另一方面,還要通過(guò)進(jìn)一步改變已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)的太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良,并逐漸發(fā)展出結(jié)構(gòu)上為體異質(zhì)結(jié)、多異質(zhì)結(jié)以及光限制結(jié)構(gòu)等各種方法。其中,在1994年由Meier博士首次報(bào)導(dǎo),由其團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的第一塊納米硅薄膜太陽(yáng)電池以來(lái),納米硅薄膜太陽(yáng)電池就以其幾乎無(wú)光致衰減效應(yīng)而受到人們的廣泛關(guān)注,其實(shí)驗(yàn)室最高效率已達(dá) 10.3%。其中,硅薄膜太陽(yáng)能電池集成金屬納米粒子成為了一個(gè)具有代表性的研究課題和方向,被廣大科研工作者所研究,并對(duì)其進(jìn)行了大量的論證實(shí)驗(yàn)和理論研究工作。

      2 硅膜太陽(yáng)能電池主要分類及其主要特點(diǎn)

      針對(duì)于硅薄膜太陽(yáng)電池分類主要包括:氫化非晶硅太陽(yáng)電池、氫化納米硅太陽(yáng)電池,以及由氫化非晶硅和納米硅太陽(yáng)能電池構(gòu)成的雙結(jié)或多結(jié)疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。硅薄膜太陽(yáng)電池具有眾多優(yōu)異的特點(diǎn),其分布于自然界中的材料豐富,消耗能量小,沒(méi)有毒性,成本低廉,可以大面積沉積,是一種具有巨大潛力的材料,可以大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能電池。但是由于在長(zhǎng)波段的吸收系數(shù)比較小,而且硅薄膜太陽(yáng)電池的厚度十分有限,因此,采取合適的金屬納米粒子集成在硅薄膜電池上的方法,可以增加太陽(yáng)電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收,對(duì)提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率有著十分重要的作用。

      3 提高太陽(yáng)能電池光吸收效率的方法及原因

      提高太陽(yáng)能電池光吸收效率的方法主要有:(1)制作一種表面為透明導(dǎo)電膜絨面的結(jié)構(gòu),使硅薄膜電池表面接收到的太陽(yáng)光在透明導(dǎo)電膜與硅薄膜的界面之間發(fā)生光散射效應(yīng),增加入射太陽(yáng)光在太陽(yáng)電池內(nèi)部傳播時(shí)的光程,這樣的結(jié)構(gòu)可以大大增加太陽(yáng)電池對(duì)光的吸收。(2)采用小顆粒金屬納米粒子增強(qiáng)光吸收效率的方法,它之所以能夠改變太陽(yáng)光吸收效率的原因是,光照引起金屬納米粒子局域表面等離子體共振效應(yīng)。(3)利用大顆粒金屬納米粒子(大于100nm)的等離子體共振效應(yīng)增強(qiáng)太陽(yáng)光散射能力。該散射與幾何散射不同,是一種與入射光的波長(zhǎng)有關(guān)的散射。當(dāng)在晶體硅和非晶硅太陽(yáng)能電池表面制備了大顆粒金屬納米粒子時(shí),等離子體共振效應(yīng)可以大大增強(qiáng)太陽(yáng)光光散射對(duì)太陽(yáng)能電池光吸收效率。(4)利用大面積沉積制備小顆粒納米粒子,通過(guò)蒸鍍方法將其集成在特殊結(jié)構(gòu)的氫化非晶硅,提高其對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率。

      4 金屬納米粒子對(duì)硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收效率影響研究分析

      金屬納米粒子中具有代表性的粒子為銀納米粒子,也是目前為止各國(guó)研究人員重點(diǎn)研究的金屬納米粒子之一,下面結(jié)合兩種通過(guò)改變納米粒子膜層厚度和改變納米粒子聚集形狀的方法對(duì)金屬納米粒子硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收效率的影響分析。

      將銀納米粒子集成在硅薄膜太陽(yáng)電池中,隨著銀納米粒子厚度從20nm-40nm膜層變化時(shí),間接增加了納米結(jié)構(gòu)中納米粒子的平均縱向高度和橫向?qū)挾龋浔撤瓷淦魃⑸涔庾V范圍和強(qiáng)度得到提高,使其對(duì)太陽(yáng)光吸收面積增大,提升了太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收效率。但是當(dāng)繼續(xù)提升膜層厚度為50nm時(shí),由于納米結(jié)構(gòu)中納米粒子的整體橫縱高度和寬度的減小。其表面不均勻性的增加,以及集合粒子后散射光譜明顯降低,其使光吸收效率明顯降低。所以對(duì)于金屬納米粒子膜層厚度是其中影響太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光吸收效率影響的重要因素之一。

      另外,納米粒子的形狀也對(duì)硅薄膜對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率具有很大的影響,將金屬納米粒子制作成為一個(gè)具有島狀顆粒的硅薄膜形式的太陽(yáng)能電池。由于特殊結(jié)構(gòu)和納米粒子微小結(jié)構(gòu)的獨(dú)特光電性能,使得光在其內(nèi)傳播的面積和光程被加大,進(jìn)而進(jìn)一步提高了太陽(yáng)光的綜合利用效率,其中,在生物探測(cè)領(lǐng)域,輻射衰變與硅薄膜太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域被廣泛的使用。另外通過(guò)實(shí)驗(yàn)和研究證明,在島狀薄膜中,一種集合高密度小顆粒硅薄膜的結(jié)構(gòu)被發(fā)現(xiàn),他對(duì)于提高硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率具有重要的作用。

      5 結(jié)束語(yǔ)

      隨著金屬納米粒子硅薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)的創(chuàng)新性發(fā)展,通過(guò)不斷的改變和挖掘金屬納米粒子的各項(xiàng)性質(zhì),將會(huì)使太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光吸收的效率獲得進(jìn)一步提升。同時(shí),文章通過(guò)探討硅薄膜太陽(yáng)能的發(fā)展,對(duì)金屬納米硅薄膜太陽(yáng)能電池提高光吸收效率的方法進(jìn)行簡(jiǎn)單敘述,了解其中的原因。最后對(duì)典型的銀納米粒子為代表的金屬納米粒子厚度和形狀對(duì)其光吸收效率的影響進(jìn)行了探討,使人們對(duì)于金屬納米粒子對(duì)硅膜太陽(yáng)能電池技術(shù)有了基本的宏觀認(rèn)識(shí)。

      參考文獻(xiàn)

      [1]Meier J.,F(xiàn)uechkiger R.,Keppner H.,and Shah A.,Complete Microcrystalline p-i-n solar cell crystalline or amorphous cell behavior,Appl.Phys.Lett.65,860(1994).

      [2]羅培青.HWCVD 制備硼摻雜氫化納米硅及銀納米粒子增強(qiáng)硅薄膜太陽(yáng)電池光譜響應(yīng)的研究[D].上海交通大學(xué),2009:104-105.

      [3]王興軍,蘇昭棠,周治平.硅基光電子學(xué)的最新進(jìn)展[J].中國(guó)科學(xué):物理學(xué),2015,1.

      [4]張心強(qiáng),張維佳,武美伶,等.納米硅薄膜制備及HIT太陽(yáng)能電池[J].功能材料,2007,10.

      [5]劉震,王玉曉,宋瑛林,等.納米表面二維周期半圓凹槽增強(qiáng)硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收[J].物理學(xué)報(bào),2013.

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