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      基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器設(shè)計(jì)

      2016-12-21 07:21:02余濤
      數(shù)碼世界 2016年12期
      關(guān)鍵詞:阻抗匹配磁芯脈沖

      余濤

      遼寧錦州渤海大學(xué)工學(xué)院

      基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器設(shè)計(jì)

      余濤

      遼寧錦州渤海大學(xué)工學(xué)院

      隨著社會(huì)的不斷發(fā)展,技術(shù)與人們的生活息息相關(guān),在現(xiàn)代的生活中很難離開(kāi)技術(shù),技術(shù)在人們的現(xiàn)實(shí)生活中扮演著重要的角色。在電力行業(yè)的領(lǐng)域中,電力事業(yè)在很多方面都有用到科學(xué)技術(shù)??茖W(xué)技術(shù)給電力領(lǐng)域帶來(lái)了很大的便捷,而且在一定程度上大大地提高了工作效率,也加快了電路在輸送過(guò)程中的能力。本文主要是對(duì)單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器的原理進(jìn)行了介紹以及電路的設(shè)計(jì)。

      單片機(jī) 電力行業(yè) 低壓脈沖

      1 引言

      快速地找到電力電纜中存在的故障點(diǎn),對(duì)于供電可靠性的提高有很大的改善,另外,當(dāng)出現(xiàn)停電的情況時(shí)候,可以使得損失得到減少。關(guān)于研究電纜中的故障點(diǎn)目前已經(jīng)有很多的學(xué)者都對(duì)這方面進(jìn)行了研究,并取得了一定的成就。通過(guò)采用低壓脈沖的方法進(jìn)行故障的測(cè)距的技術(shù)已經(jīng)日益普遍,也是目前在短路以及電力電纜的電阻中采用很廣泛額一門(mén)技術(shù)。關(guān)于低壓脈沖的主要原理就是將一個(gè)發(fā)射脈沖增加到電纜始端,當(dāng)脈沖傳播到有故障存在的地方的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)反射的情況,接著反射脈沖就會(huì)出現(xiàn)來(lái)回進(jìn)行傳播,故障點(diǎn)到測(cè)試端之間的距離是通過(guò)對(duì)發(fā)射脈沖估計(jì)發(fā)射脈沖之間的時(shí)間間隔進(jìn)行得出的。

      2 單片機(jī)對(duì)電路控制的優(yōu)勢(shì)

      電路的控制主要是通過(guò)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的,單片機(jī)比晶體振蕩器以及分頻器脈沖有著更重要的意義。脈沖中的寬度以及頻率的調(diào)整是通過(guò)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的。輸入輸出接口的信息的獲取也是需要單片機(jī)的參與,窄脈沖的產(chǎn)生也是需要單片機(jī)的實(shí)現(xiàn),基于單片機(jī)的低壓脈沖在驅(qū)動(dòng)力方面以及操作速度上得到了很大程度提高。

      3 系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)

      本文設(shè)計(jì)的基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器可以保證供電的可能性同時(shí)還能夠在出現(xiàn)停電的情形之下將損失盡量地減少。針對(duì)目前的發(fā)展情況而言,關(guān)于對(duì)故障進(jìn)行定位的研究已經(jīng)日益成熟。低壓脈沖法的使用也十分普遍,本文針對(duì)低壓脈沖法的原理進(jìn)行了詳細(xì)分析與介紹。系統(tǒng)的總體電路圖設(shè)計(jì)如圖1所示。

      圖1 系統(tǒng)總體電路圖

      本文設(shè)計(jì)的低壓脈沖的產(chǎn)生是通過(guò)單片機(jī)I/O口和脈沖變壓器自身的靈活性實(shí)現(xiàn)的。系統(tǒng)的組成是由兩部分電路組成的,分別是控制電路以及主脈沖產(chǎn)生電路??傮w結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

      圖2 總體結(jié)構(gòu)圖

      4 控制電路

      本文需要采用MOSFET觸發(fā)電路,控制脈沖輸出就是指編寫(xiě)相應(yīng)的程序使單片機(jī)執(zhí)行清零等操作。進(jìn)而達(dá)到輸出脈沖的目的。控制電路中所包括的主要有單片機(jī),MOSFET觸發(fā)電路以及按鍵操作和LED的顯示。對(duì)于系統(tǒng)的窄脈沖其主要的組成部分是單片機(jī),低壓脈沖發(fā)生器的整個(gè)裝置是通過(guò)單片機(jī)進(jìn)行控制的。而其中電路的LED的功能是將脈沖中的相關(guān)信息呈現(xiàn)在界面中,而所謂的按鍵輸入電路的操作主要是為了實(shí)現(xiàn)人和機(jī)器相互進(jìn)行溝通,脈沖中的頻率需要進(jìn)行調(diào)整主要是根據(jù)按鍵輸入電路中的相關(guān)信息進(jìn)行實(shí)現(xiàn)。為了將隔離的信息進(jìn)行擴(kuò)大,系統(tǒng)電路中用到了MOSFET觸發(fā)電路,電路中的信號(hào)控制是很難通過(guò)單片機(jī)直接實(shí)現(xiàn)的。從而就會(huì)選擇用到MOSFET觸發(fā)電路。所謂控制脈沖的主要目的是通過(guò)相關(guān)的程序從而將電路中的相關(guān)信息進(jìn)行清零處理。

      本文設(shè)計(jì)的低壓脈沖器處于短脈沖的工作狀態(tài)下,輸出脈沖是同方波,考慮到單片機(jī)所形成的方波的頻率是10MHz,由于本系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面需要保持后沿下降速度快,同時(shí)高壓信號(hào)無(wú)法進(jìn)入到控制回路中,所以系統(tǒng)就設(shè)計(jì)了MOSFET觸發(fā)器電路,通過(guò)該電路能夠?qū)崿F(xiàn)觸降落小的目的。下圖3為脈沖形成原理圖。

      圖3 脈沖形成原理圖

      5 MOSFET觸發(fā)電路

      脈沖發(fā)生電路中主要包括的有MOSFET觸發(fā)器以及脈沖變壓器和阻抗等,而關(guān)于MOSFET的所有特點(diǎn)中最重要的即是驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。系統(tǒng)中的脈沖幅度是300V,其中等效負(fù)載設(shè)定的是100Ω,從而能夠得到變壓器的標(biāo)稱功率。MOSFET觸發(fā)電路(圖4)的特點(diǎn)是導(dǎo)通的速度以及關(guān)斷的速度都很快,由于這種特點(diǎn)從而形成的脈沖比較窄,當(dāng)MOSFET觸發(fā)電路是保持開(kāi)通的狀態(tài)時(shí),電荷會(huì)形成吸收的現(xiàn)象,當(dāng)MOSFET觸發(fā)電路關(guān)閉的時(shí)候,電荷就會(huì)出現(xiàn)放電的情形,從而驅(qū)動(dòng)的實(shí)現(xiàn)需要通過(guò)觸電脈沖來(lái)實(shí)現(xiàn),在驅(qū)動(dòng)力的作用下可以實(shí)現(xiàn)放電以及吸收電荷的效果。最終達(dá)到了對(duì)電力電纜的故障進(jìn)行檢測(cè)的目的。因此需要將MOSFET觸發(fā)的脈沖進(jìn)行調(diào)整為0,這樣才能夠起到電荷吸附的作用。一般而言,進(jìn)行升降結(jié)合的MOSFET觸發(fā)脈沖的工作狀態(tài)是最為理想的。

      圖4 MOSFET觸發(fā)電路

      6 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)

      如果阻抗匹配得比較好的話,那么脈沖發(fā)生器在負(fù)載能力方面就會(huì)增強(qiáng),將電纜接通之后發(fā)射脈沖的幅值在衰減程度方面不會(huì)很大。當(dāng)接收到了反射波以后,此時(shí)的故障點(diǎn)也就是所謂的激勵(lì)源,負(fù)載是發(fā)生器,這個(gè)時(shí)候反射波的幅值以及形狀會(huì)手阻抗匹配性能的影響。阻抗匹配是在脈沖變壓器的設(shè)計(jì)中進(jìn)行,將阻抗匹配調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)加入到輸出電路的時(shí)候。能夠在一定范圍內(nèi)對(duì)阻抗值以及輸出脈沖的的值進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整,本論文采用的形式是電阻網(wǎng)絡(luò)匹配。

      當(dāng)故障產(chǎn)生點(diǎn)和電纜出口之間距離遠(yuǎn)時(shí),考慮到脈沖經(jīng)過(guò)的路徑長(zhǎng),對(duì)應(yīng)的動(dòng)力消耗就大,因此會(huì)采集到微弱的信號(hào),此時(shí)解決方法是增加脈沖的電壓幅值。

      7 磁芯的選擇

      磁芯選擇的時(shí)候需要根據(jù)按鍵的輸入電路中的相關(guān)信息進(jìn)行輸入,根據(jù)一些輸入信息適當(dāng)?shù)卣{(diào)整脈沖的頻率以及寬度;LED的參數(shù)會(huì)隨著脈沖變壓器的工作狀態(tài)不同而不同。選擇的脈沖的瞬時(shí)頻率是10MHz,設(shè)計(jì)中的脈沖速度的要求是前沿上升很快,而且同時(shí)也有很快的后沿下降速度。然而該脈沖的降落和平頂過(guò)沖的速度相對(duì)而言不是很大。所以將電容以及漏感的分布設(shè)置加入其中是很有必要的。同時(shí)在芯片的選擇中關(guān)于各種損耗的因素暫時(shí)不需要考慮進(jìn)去。本文設(shè)計(jì)的系統(tǒng)選擇的磁芯是鐵氧體磁環(huán),這種磁芯所具有的特點(diǎn)是耦合系數(shù)很高。磁芯的尺寸計(jì)算公式如下:

      其中公式中的具體參數(shù)介紹如表1所示。

      表1 具體參數(shù)介紹

      8 結(jié)語(yǔ)

      隨著現(xiàn)今的設(shè)備更新速度的飛速發(fā)展,以及多方面所承受的工作量的加大,在開(kāi)展工作的過(guò)程中很容易引起各種故障,為了阻止這些突發(fā)情況的發(fā)生,設(shè)計(jì)基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器設(shè)計(jì)具有重要的意義。本文主要是介紹了基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器,文中介紹了低壓脈沖的原理,以及電路的設(shè)計(jì),在電子工業(yè)領(lǐng)域中,低壓脈沖器起到了很大的作用。系統(tǒng)設(shè)計(jì)的其中選擇的頻率是100MHz的,而且寬度最小是0.14μs,電壓的值達(dá)到了300V以上,同時(shí)電壓的值是可以根據(jù)情況的不同性而進(jìn)行調(diào)整的。隨著電力技術(shù)的不斷進(jìn)步,關(guān)于脈沖發(fā)生器的研究十分普遍,而且有著重要的影響意義。

      [1]陳志斌,卓家靖.基于單片機(jī)和 CPLD 的嵌入式脈沖發(fā)生器的設(shè)計(jì)[J].微計(jì)算機(jī)信息,2005,(2):107-108

      [2]陳炯,李喆,尹毅,等.脈寬和幅值可調(diào)的新型超窄脈沖發(fā)生器的研制[J].高電壓技術(shù),2005,31(5):39-40,49

      [3]李龍,鄭繼禹,林基明,等.利用MOSFET產(chǎn)生納秒級(jí)窄脈沖[J].桂林電子工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào),2003,23(2):6-9

      [4]孫志勇,王仲生.基于單片機(jī)技術(shù)的電纜故障定位儀設(shè)計(jì)[J].計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制,2008,(10):1510-1512,1515

      [5]許珉,鄭文棋.基于單片機(jī)的低壓脈沖發(fā)生器研制[J].電力自動(dòng)化設(shè)備,2009,29(3):119-121,142

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