美國開發(fā)出不依賴半導(dǎo)體的微電子器件

美國加州大學(xué)圣地亞哥分校的研究人員基于納米結(jié)構(gòu)開發(fā)出一款不依賴半導(dǎo)體傳導(dǎo)的光控微電子器件，其在低電壓和低功率激光激發(fā)條件下的電導(dǎo)率比現(xiàn)有半導(dǎo)體器件提高近10倍。

據(jù)介紹，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件受材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導(dǎo)體材料通常需要通過高電壓、大功率激光或高溫進(jìn)行激發(fā)。研究人員在硅片上用金加工出一種類似于蘑菇形狀的納米結(jié)構(gòu)，在10V以下直流電壓和低功率紅外激光激發(fā)下，即可釋放自由電子，從而大幅提高了器件的電導(dǎo)率。

該光控微電子器件雖然不可能完全替代半導(dǎo)體器件，但可能在特殊需求下得到最佳應(yīng)用，如超高頻器件或大功率器件等。未來，研究人員或?qū)⒛軌虿捎貌煌某牧媳砻娼Y(jié)構(gòu)制造出不同類型的微電子器件，并將其應(yīng)用于光化學(xué)、光催化、光伏轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域。

(新 華)