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      突破4GHz頻率門檻超頻優(yōu)等生?

      2017-04-27 22:25:13
      CHIP新電腦 2017年4期
      關(guān)鍵詞:焊料制程門限

      新的制程加上屏蔽核心的手段,讓DIY玩家看到了多年前可隨便開核和超頻的AMD。如果可以,定將是Ryzen的性價(jià)比進(jìn)一步推升。Ryzen是否這么有的玩,用實(shí)際測(cè)試結(jié)果來加以證明。

      同樣14nm制程,只代表線寬而不代表晶體管密度。不同廠商制程及晶體管尺寸對(duì)比,側(cè)面反映晶體管的性能。

      近日在北京舉辦的AMD創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)上,其產(chǎn)品首席技術(shù)官Joe Macri確認(rèn),將于4月11日上市的Ryzen 5系列產(chǎn)品仍將采用兩個(gè)CCX模塊組成6核或4核結(jié)構(gòu),即每個(gè)CCX模塊屏蔽1個(gè)核心即為6核心的1600X/1600、屏蔽2個(gè)核心即為4核心的1500X和1400。對(duì)于超頻玩家來說,這可謂是個(gè)天大的好消息——早先年間,AMD奇葩的Athlon II X3、Phenom II X3等3核和部分雙核處理器,就是四核DIE屏蔽不穩(wěn)定核心而成,如果不是極限或苛刻要求,通過特殊的主板BIOS可以將這些核心打開,恢復(fù)成原本的四核。幸運(yùn)的話,開核后的處理器可以穩(wěn)定工作,和白賺了一樣,開核可謂是AMD提升性能的絕技。但事實(shí)果真如此嗎?

      開核前景

      通過屏蔽CCX中1或2個(gè)核心實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品主流覆蓋,特別是可以解決晶體管密度超高的CCX良品率問題。誠(chéng)如Joe Macri所言,不采用一個(gè)CCX制成4核處理器的原因,其中就包括了全部核心都能承受高至4GHz運(yùn)行頻率良品率的問題,通過品質(zhì)檢測(cè),若個(gè)別核心品質(zhì)不佳,則可將其屏蔽而變身低階產(chǎn)品。既然有了完全相同的DIE做保證,軟件開核就不是紙上談兵,靜等Ryzen 5上市+大神獻(xiàn)法破解。

      對(duì)比Ryzen 7和Ryzen 5的基本參數(shù)不難發(fā)現(xiàn),如果可以開核,1600X即可變身1800X,價(jià)值倍增,這個(gè)可以搞!除了開核的技術(shù)門檻之外,最需要解決的就是散熱問題了。1800X和1600X的TDP都高達(dá)95W,而且它們零售時(shí)都不會(huì)配備原裝的Wraith系列散熱器。里外里都要買了,用節(jié)約出來的2000塊買個(gè)1000塊的強(qiáng)悍液冷散熱器還是可以接受的。

      不過有件遺憾的事情必須提醒你,8核的Ryzen 7 1800X不僅是挑選出來的8個(gè)核心都品質(zhì)合格的產(chǎn)品,同時(shí)也是挑選出來的運(yùn)行頻率最高的產(chǎn)品!微星(MSI)主板特有的GAME BOOST Knob超頻硬件不小心暴露了這個(gè)現(xiàn)實(shí)。

      根據(jù)GAME BOOST Knob的Ryzen系列產(chǎn)品的超頻檔位顯示,核心數(shù)量更少的Ryzen 5,理論上發(fā)熱量更低,因此在同等散熱條件下有機(jī)會(huì)運(yùn)行在更高頻率上。然而,核心數(shù)量越少、可運(yùn)行頻率越低的現(xiàn)實(shí),不僅說明了低端Ryzen的低不僅體現(xiàn)在性能和價(jià)格方面,同時(shí)還會(huì)在“體質(zhì)”方面有所體現(xiàn)。即便開核成功,系統(tǒng)能使用兩個(gè)CCX中全部8個(gè)核心,但隨之而來更高的發(fā)熱量,將進(jìn)一步使Ryzen散熱條件劣化,更直白點(diǎn)說,運(yùn)行頻率、Boost頻率以及XFR頻率會(huì)進(jìn)一步降低,核心數(shù)增加帶來的多線程性能提升與頻率降低造成的單核心性能下降是否能打平還未可知,整個(gè)系統(tǒng)可靠性下降卻是板上釘釘。

      而如果你選擇的是英特爾處理器,核心數(shù)量減少含義可就大大不同了。目前英特爾光Core i7系列就提供了10、8和6等多個(gè)核心數(shù)量子系列,核心數(shù)量和運(yùn)行頻率(包括超頻頻率)呈互反向增長(zhǎng),為用戶提供了更為合理的產(chǎn)品選擇邏輯:并行需求高的用戶可以選擇核心數(shù)量更多的Core i7-6950或6900,當(dāng)然因?yàn)樯釂栴}需要犧牲掉一些運(yùn)行頻率;而線程少的需求,則可以選擇頻率更高的Core i7-7700K。更好的消息是,在經(jīng)過兩年優(yōu)化14nm++制程下,有著更大L3 Cache的Core i7-7700K仍能輕松風(fēng)冷超頻過5GHz,性能較基礎(chǔ)頻率有近10%的提升,而較6代酷睿產(chǎn)品也有200MHz以上頻率提升。在微星GAME BOOST Knob技術(shù)中,更少核心、更高頻率的特征也有所體現(xiàn)。

      銦焊料(Indium solder)已被使用,還有更好的材料么?

      強(qiáng)弩之末

      從上面的對(duì)比看來,雖然Ryzen 5理論上是有機(jī)會(huì)恢復(fù)為8核,但是頻率會(huì)在功耗和品質(zhì)雙重壓迫下降低,不見得能帶來實(shí)質(zhì)性性能提升,那么能把體質(zhì)最好的Ryzen 7 1800X超得更好些么?很遺憾,答案是比較困難。

      授權(quán)自三星的GF 14nm FinFET技術(shù)本不是為高頻率而生,1800X的基礎(chǔ)頻率為3.6GHz,默認(rèn)情況下全核心Boost頻率僅能提升到3.7GHz水平。當(dāng)且僅當(dāng)1800X的激活核心數(shù)量≤2時(shí),才能進(jìn)入Precision Boost(精準(zhǔn)超頻)模式和開啟XFR功能,前者最高頻率可達(dá)4GHz,而后者還能再帶來100MHz的頻率提升,通常為單核心才能達(dá)到。限于制程水平,Ryzen 7 1800X的核心電壓Vcore較高,8核均工作的狀態(tài)下可超過1.25V。要想保持全核工作狀態(tài)必須突破功率門限、核心溫度門限和核心可靠性等級(jí)到門檻。非加壓超頻狀態(tài)下,1800X的全核Boost的功耗已達(dá)TDP標(biāo)稱的95W水平;不做額外增強(qiáng)散熱的話,超頻時(shí)最先遇到的是60℃的溫度門限,XFR特性失效;將核心電壓提升到1.5V水平后,方可確保全核達(dá)到4GHz水平,此時(shí)處理器功耗將觸及128W的功率門限,大功率液冷散熱器基本可滿足需求,這就是為何多數(shù)人超1800X僅能達(dá)到這一水平的原因。

      微星主板的GAME BOOST Knob功能從一個(gè)側(cè)面揭開了不同CPU的超頻能力面紗。

      雖然網(wǎng)上已經(jīng)有人將1800X超頻至5.8GHz以上速度,但這是依賴液氮超低溫散熱才能實(shí)現(xiàn)的效果,此時(shí)核心電壓已超過1.9V,不僅命不久矣,而且對(duì)普通人來說,這樣超頻也極不實(shí)用。究其原因,14nm FinFET已經(jīng)盡力了,GF還是拖后腿的豬隊(duì)友呀。

      為了提高每一點(diǎn)超頻能力,AMD已經(jīng)把最好的銦焊料(Indium solder)用在了Ryzen 1800X的DIE和金屬頂蓋之間,以期盡快將核心熱量散發(fā)出去。只用普通導(dǎo)熱硅脂、風(fēng)冷散熱,Core i7-7700K超頻過5GHz比比皆是,略升核心電壓到1.1V、開蓋更換焊料并改用水冷散熱后,更可4核全開工作在5.3~5.4GHz水平,單核心完爆、多線程達(dá)到同一水平——全核超頻至4GHz的Ryzen 7 1800X。目前,Core i7-7700K的極限超頻已經(jīng)超過7GHz,核心素質(zhì)使然。誰是超頻優(yōu)等生,顯而易見。

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