摘 要:PCBA上錫不良的現(xiàn)象,通過(guò)對(duì)失效焊盤(pán)進(jìn)行表面觀察、剖面分析、表面成分分析等手段查找失效原因。結(jié)果表明:由于失效焊盤(pán)在過(guò)爐前被氧化,焊盤(pán)表面沉錫層厚度急劇減薄,從而導(dǎo)致焊盤(pán)上錫不良。從而總結(jié)出在回流焊接工藝中PCBA焊盤(pán)上錫不良的原因由設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備和工藝所合成的。
關(guān)鍵詞:PCBA;上錫不良;表面SEM;FIB剖面
電子產(chǎn)品的無(wú)鉛化以來(lái),元件或PCB焊接端子上純錫鍍層被廣泛應(yīng)用,同時(shí)也伴隨著錫須的誘發(fā)和生長(zhǎng)就更加容易了。錫須的危害很?chē)?yán)重,它可能直接與鄰近的導(dǎo)體接觸形成短路,導(dǎo)致產(chǎn)品失效,也可能因?yàn)殄a須的生長(zhǎng)導(dǎo)致底層IMC機(jī)械失效降低產(chǎn)品工作壽命。
1 對(duì)焊盤(pán)外觀的檢查
對(duì)失效樣品進(jìn)行外觀檢查,發(fā)現(xiàn)失效焊盤(pán)在PCB板上位置不固定,進(jìn)行顯微放大觀察,焊盤(pán)表現(xiàn)為不上錫,失效焊盤(pán)如圖1所示,焊盤(pán)表面未發(fā)現(xiàn)明顯變色等異常情況。
2 對(duì)焊盤(pán)表面SEM分析
SEM分別對(duì)未過(guò)爐的焊盤(pán)、失效焊盤(pán)、過(guò)爐一次的焊盤(pán)進(jìn)行表面微觀觀察,如圖2所示。結(jié)果顯示過(guò)爐一次焊盤(pán)和失效焊盤(pán)表面存在微小的凸起顆粒,表明沉錫層在過(guò)爐后表面生成錫須。晶粒粗大的鍍層由于晶界數(shù)量少而可以抑制錫須的生長(zhǎng)。表面亞光錫鍍層可以減緩或抑制錫須的生長(zhǎng),反之,光亮純錫鍍層錫須風(fēng)險(xiǎn)高。結(jié)晶組織對(duì)錫須的生長(zhǎng)有明顯的影響。
3 焊盤(pán)FIB制樣剖面分析
FIB對(duì)失效焊盤(pán)、過(guò)爐一次焊盤(pán)來(lái)進(jìn)行制作剖面,再EDS對(duì)剖面表層進(jìn)行成分線(xiàn)掃描,具體結(jié)果見(jiàn)圖3~4。結(jié)果表明:失效焊盤(pán)在表層已經(jīng)出現(xiàn)Cu元素,說(shuō)明純錫層中Sn已經(jīng)基本完全與Cu形成錫銅合金。錫須是一個(gè)自發(fā)的過(guò)程,對(duì)于元器件銅引腳的純錫鍍層來(lái)說(shuō),生長(zhǎng)錫須是絕對(duì)的,生長(zhǎng)的快慢由鍍層工藝、鍍層材料、電鍍?cè)O(shè)備和工藝等方面來(lái)確定。
4 分析與討論
沉錫板焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)主要分為銅層、銅錫合金層、純錫層及表層的氧化錫層,其中純錫層可保證焊盤(pán)表面具有良好的潤(rùn)濕性。同時(shí),也與應(yīng)力有關(guān),應(yīng)力可分為內(nèi)外兩部分,內(nèi)應(yīng)力來(lái)自于不匹配的熱膨脹系數(shù)(CTE)、表面的氧化物形成和擴(kuò)散及錫的腐蝕等,金屬間化合物的不規(guī)則生長(zhǎng)形成的應(yīng)力也可造成錫須的產(chǎn)生。溫度對(duì)錫須生長(zhǎng)具有決定性的影響,一方面提供能量影響原子擴(kuò)散速度,同時(shí)材料的熱脹冷縮性質(zhì)又可讓鍍層內(nèi)部應(yīng)力松弛;外應(yīng)力來(lái)自于機(jī)械彎曲、機(jī)械沖擊等。
5 結(jié)論
由于過(guò)爐時(shí)加速銅與錫之間的擴(kuò)散,使銅錫合金層加厚,同時(shí)加劇錫層被氧化,導(dǎo)致純錫層變??;盡管錫須問(wèn)題很?chē)?yán)重,很致命,但又不可避免?,F(xiàn)有的電子組裝工藝決定了焊接材料及焊接端子鍍層都離不開(kāi)金屬錫。錫須的生長(zhǎng)是一個(gè)自發(fā)的過(guò)程,對(duì)于元器件銅引腳的純錫鍍層而言,生長(zhǎng)錫須是絕對(duì)的,而生長(zhǎng)的快慢則可以從鍍層工藝、鍍層材料等方面采取必要的措施進(jìn)行抑制,以減緩錫須的生長(zhǎng)長(zhǎng)度和密度。
6 建議
(1)使用活性更強(qiáng)的助焊劑,增強(qiáng)錫膏去氧化層能力。
(2)增加PCB板沉錫層厚度,保證在過(guò)爐一次后,錫層厚度仍能滿(mǎn)足可焊性要求。
(3)增加氮?dú)獗Wo(hù),降低焊盤(pán)表層氧化。
(4)結(jié)晶組織形態(tài)對(duì)錫須的生長(zhǎng)有明顯的影響,形態(tài)復(fù)雜,等軸結(jié)晶組織能有效地抑制錫須生長(zhǎng)。
(5)所有焊盤(pán)引腳必須加入“熱阻”設(shè)計(jì),避免造成“冷”焊盤(pán)
參考文獻(xiàn)
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作者簡(jiǎn)介:呂俊杰(1969,02-),男,漢族,籍貫:湖北應(yīng)城,職稱(chēng):副教授,學(xué)歷:研究生,單位:武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院電信學(xué)院,研究方向:電子技術(shù)。