趙珊
摘 要:石墨烯作為目前發(fā)現(xiàn)的最薄、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能最強(qiáng)、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度最大的新型納米材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,其中,最有潛力的應(yīng)用則是成為硅的替代品。所以,對(duì)石墨烯中量子輸運(yùn)性能分析與建模已經(jīng)成為當(dāng)今的研究熱點(diǎn)。文章采用從相對(duì)論流體磁動(dòng)流體力學(xué)出發(fā),結(jié)合Boltzmann方程(BTE)推出石墨烯的流體力學(xué)方程,引入剪切粘度與雷諾數(shù)(Reynolds number)作為石墨烯輸運(yùn)性能分析指標(biāo),表明了石墨烯作為納米材料的優(yōu)異性能。
關(guān)鍵詞:石墨烯;量子輸運(yùn);流體力學(xué)方程;剪切粘
石墨烯由于其準(zhǔn)粒子的無質(zhì)量相對(duì)分散特性和高遷移率吸引了各界關(guān)注,并且它還顯示出了一系列優(yōu)異的性質(zhì),如:超高的導(dǎo)電率[1];剪切粘度與熵之比超低[2];不僅有特殊的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,而且結(jié)合了力學(xué)靈活性[3]和光透明度[4]。最近的研究顯示石墨烯提供了一種特有方式,去觀察在適度的高溫下,極端相對(duì)論粒子的等離子體輸運(yùn)特性[5]。如將純石墨烯設(shè)在一個(gè)特定的參數(shù)空間,則其費(fèi)米表面收縮至兩點(diǎn),且在許多其他方面的表現(xiàn),也與接近更復(fù)雜量子臨界點(diǎn)的系統(tǒng)非常相似[6]。由于石墨烯的無質(zhì)量狄拉克(Dirac)粒子,其相對(duì)極端夸克-膠子等離子體性質(zhì)也很特別。通過對(duì)這些性質(zhì)的分析和計(jì)算可以推導(dǎo)出其流體力學(xué)方程。
1 性能介紹
剪切粘度η用來測(cè)量流體阻值,從而建立橫向速度梯度,見圖1,粘度越小則其流體力學(xué)越趨于復(fù)雜。類似于導(dǎo)體的電阻率,粘度通過降低速度場中的多相性而引出熵增率。雖然η=0的理想流體不存在,但能找到非常接近于理想流體的完美的流體。
(b)在一個(gè)分源點(diǎn)和漏極點(diǎn)保持在±V/2的四點(diǎn)幾何形中,不均勻電流的預(yù)期分布。當(dāng)沒有粘性和其他非局域效應(yīng)時(shí),電流將與外加電壓V成比例,與兩點(diǎn)之間的距離L無關(guān),而粘性效應(yīng)隨著L減小而減小。
粘度的單位為?捩n,其中,n表示密度。為了量化剪切密度的大小,通常將η/?捩與熱激勵(lì)nth比較,nth可以通過熵密度計(jì)算,s~kBnth。受石墨烯在RHIC實(shí)驗(yàn)[7]中優(yōu)異性能的啟發(fā),Kovtun等人提出廣泛系統(tǒng)中η與s之比的下限[8]:
由于在無碰撞的光學(xué)區(qū)間?捩ω>>kBT[12]內(nèi),電子間相互作用對(duì)導(dǎo)電性σ(ω,Τ)的影響非常小,而在相反區(qū)間?捩ω< 石墨烯中,當(dāng)能量低于幾個(gè)電子伏,其電子特性則如Hamiltonian所示: 其中,費(fèi)米速度υF≈108cm/s, 為動(dòng)量算子,l=1,…,N為N=4自旋和谷自由度的下標(biāo),σ(σx,σy)為Pauli矩陣在蜂巢晶格結(jié)構(gòu)兩個(gè)底晶格空間的表示。如果沒有庫倫相互作用,公式(2)則變成自由無質(zhì)量狄拉克粒子的N類Hamiltonian[14]。 2 流體力學(xué)方程推導(dǎo) 接下來討論在存在庫倫相互作用的相對(duì)論流體磁動(dòng)流體力學(xué),在流體力學(xué)模型中的響應(yīng)函數(shù)適用于在狄拉克點(diǎn)附近的石墨烯[17]。特征速度υF≠c決定了相對(duì)分散,在流體中的(反)粒子的電荷為±e。下面采用υF=e=?捩=1為單位。 由于庫倫作用傳播速度約為光速c>>υF,所以可認(rèn)為它是瞬時(shí)的,則很顯然通過將實(shí)驗(yàn)框架設(shè)為一個(gè)特定的參照系,打破了流體的相對(duì)不變性。 上述表達(dá)式包含了耗散項(xiàng)νμ,?子μν用來計(jì)算熱電流和粘性力,P代表壓強(qiáng),ρ代表電荷密度。若無粘性項(xiàng),則在流體元在類空間入口的壓力以及在類時(shí)間入口的能量密度這樣的靜止參考系中,應(yīng)力能量張量為一個(gè)對(duì)角矩陣。坐標(biāo)系中各分量為: T00=ε,(5) 其中,ε,P,ρ為局域化學(xué)勢(shì)μ(r)的函數(shù),ε表示能量密度,局域溫度T(r),磁場為B,μ(r)包含了由不均勻的電荷分布而引起的庫倫勢(shì)。 電荷、能量及動(dòng)量守恒如下: 其中,電磁場張量, 包含一個(gè)由于系統(tǒng)本身的不均衡電荷密度而自發(fā)產(chǎn)生的空間變化場: 其中,式(14)中已將統(tǒng)一的本底電荷密度減去。 在坐標(biāo)系中線性守恒定律則明確表示為: 此外,包含了一個(gè)由于微弱雜質(zhì)散射而產(chǎn)生的弛豫時(shí)間τ。電流的本構(gòu)方程如下: 基于上述推導(dǎo)出的流體力學(xué)方程以及石墨烯中電子的量子BTE,分析出了傳輸系數(shù)——流體剪切粘度[18],也即下述模型中的輸入?yún)?shù)。當(dāng)電子-電子間相互作用主導(dǎo)無彈性散射率時(shí),即低雜質(zhì)、高溫且穩(wěn)定場情況下,流體力學(xué)方法就能有效應(yīng)用于石墨烯[19]。為了忽略電子-聲子間作用,選擇在100K左右的合適高溫區(qū)間[20]。無磁場時(shí),即B=0,準(zhǔn)粒子分布函數(shù)為f,由BTE,則: 其中,-Ω[f]表示考慮電子-電子間相互作用的碰撞項(xiàng), 則式(17)、(18)、(19)、(20)可推導(dǎo)為: 其中,式(23)為電荷守恒,式(24)為能量密度守恒,式(25)為動(dòng)量守恒,ρr≡(ε+P)/υF2。 3 性能分析 對(duì)于純石墨烯(μ=0),電荷密度由于熱能而存在,則可寫成, 然而,當(dāng)石墨烯摻雜時(shí),雜質(zhì)會(huì)使石墨烯樣品產(chǎn)生電位,此時(shí),則必須要考慮由于化學(xué)勢(shì)產(chǎn)生的修正, 其中,Φρ為無量綱遞增函數(shù)。 式(25)中的剪切密度η可由下述方程計(jì)算: 其中,Cη~Ο(1)為一個(gè)數(shù)值系數(shù)。熵密度可由Gibbs-Duhem關(guān)系ε+P=Ts計(jì)算,此等式是在|■|<υF的假設(shè)下推導(dǎo)出來的,因此相對(duì)修正項(xiàng)∝?墜P/?墜t可忽略,而恢復(fù)為經(jīng)典的Navier-Stokes方程。所以,盡管電子速度很快,|■|~0.1υF,但由于樣品的納米級(jí)尺寸和石墨烯中電子流的高剪切密度,雷諾數(shù)依然穩(wěn)定。
基于式(25),線性尺寸為L0的石墨烯樣品其動(dòng)態(tài)粘度由式(28)給出,此等式可寫成以下形式:
其中,引入特征頻率ωf=υF/L0,通過解合適的量子BTE,得Cη?勰0.45[21]。式(29)也可以寫成η=Cηqf-2 ?捩/L02,qf≡?捩ωf/(kBT)。由此,為了應(yīng)用經(jīng)典電子流體力學(xué)描述,激勵(lì)能量必須遠(yuǎn)低于熱能,即qf<<1,也是所謂的碰撞主導(dǎo)模式。拿一組特定參數(shù),υF=106,L0=10-6,T=100K,η/s~0.2?捩/kB,則得到η~10-20。因雷諾數(shù)由流體的動(dòng)力粘度,而非動(dòng)態(tài)粘度所決定,則就不涉及質(zhì)量密度,這有利于估算石墨烯中電子流體的動(dòng)力粘度。
為了達(dá)到這個(gè)目的,鑒于式(25),定義雷諾數(shù)為:
其中,ν0=υFL0。通過將雷諾數(shù)寫成Re=υ0L0/ν,與上述方法類似,可得到:
利用η/s=0.2?捩/kB3,qf?勰0.07,則得到ν?勰10-2。盡管石墨烯動(dòng)態(tài)粘度極低,但石墨烯的動(dòng)力粘度依然大約比水的動(dòng)力粘度大四個(gè)數(shù)量級(jí)。這四個(gè)數(shù)量級(jí)的差距是由于電子的高速而產(chǎn)生的,也即電子的高速是雷諾數(shù)產(chǎn)生高值的最終決定因素。
4 結(jié)束語
在本文中,忽略了電子-雜質(zhì)及電子-聲子的相互作用,僅基于對(duì)石墨烯中的電子流體力學(xué)方程描述,對(duì)其剪切粘度、動(dòng)力粘度、動(dòng)態(tài)粘度及雷諾數(shù)進(jìn)行了探討,表明石墨烯具有低剪切粘度與熵密度之比、高動(dòng)力粘度以及低動(dòng)態(tài)粘度。而通過對(duì)石墨烯動(dòng)力粘度的分析,可以看出,在微米級(jí)的比例下,雷諾數(shù)可以在石墨烯樣品中實(shí)現(xiàn)高值。在后續(xù)的研究工作中,還將對(duì)電子-聲子、電子-雜質(zhì)和聲子-聲子建模及量子輸運(yùn)性能分析。
參考文獻(xiàn)
[1]Novoselov, K. et al. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene[J].Nature Letters 438,197(2005).
[2]Muller, M., Schmalian, J. & Fritz, L. Graphene: A nearly perfect fluid[J]. Phys. Rev.Lett. 103,025301(2009).
[3]Lee, C.,Wei, X., Kysar, J. W. & Hone, J. Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene[J]. Science 321,385-388(2008).
[4]Kuzmenko, A. B., van Heumen, E., Carbone, F. & van der Marel, D. Universal optical conductance of graphite[J]. Phys. Rev. Lett. 100,117401(2008).
[5]L. Fritz, J. Schmalian, M. Muller, and S. Sachdev.Lifshitz hydrodynamics[J].Phys.Rev. B 78,085416(2008).
[6]D. E. Sheehy and J. Schmalian, Phys. Collective excitations in graphene in magnetic field[J].Rev. Lett. 99,226803(2007).
[7]E. Shuryak.Physics of strongly coupled quark-gluon plasma[J]. Progress in Particle and Nuclear Physics 53,273(2004).
[8]P. Kovtun, D. T. Son, and A. O.Ratio of viscosity to entropy density in a strongly coupled one-component plasma[J]. Starinets, Phys. Rev.Lett. 94,111601(2005).
[9]Geim, A. K. & MacDonald, A. H. Graphene: Exploring carbon flatland[J]. Phys.Today 35(2007).
[10]A.F. Ioffe and A. R. Regel, Prog.Anderson localization and superconductivity. Semicond. 4,237(1960).
[11]S. Sachdev, Quantum Phase Transitions[J]. Cambridge University Press, Cambridge (1999).
[12]I. F. Herbut, V. Juricic, and O.Vafek, Phys. Interaction corrections to the minimal conductivity of graphene via dimensional regularization[J].Rev. Lett.100,046403(2008).
[13]A. B. Kashuba, Phys. Rev.Conductivity of defectless grapheme[J]. B 78,085415(2008).
[14]P. R. Wallace, Phys.Effect of doping on photovoltaic characteris
tics of grapheme[J]. Rev.71,622(1947).
[15]J. Gonzalez, F. Guinea, and M. A. H. Vozmediano, Nucl.Phys.Non-Fermi liquid behaviour of electrons in the half-filled honeycomb lattice[J]. B 424,595(1994); Phys. Rev. B 59,R2474 (1999).
[16]J. Ye and S. Sachdev.The effects of weak disorders on Quantum Hall critical points[J]. Phys. Rev. Lett. 80,5409(1998).
[17]Markus Muller and SubirSachdev.Collective cyclotron motion of the relativistic plasma in grapheme[J].Department of Physics.MA 02138(2008).
[18]Novoselov, K. S. et al. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films[J].Science 306,666-669 (2004).
[19]Muller, M., Fritz, L. &Sachdev, S. Quantum-critical relativisti
c magnetotransport in graphene[J]. Phys. Rev. B 78, 115406(2008).
[20]Bao, W. S., Liu, S. Y., Lei, X. L. &Wang, C. M. Nonlinear dc transport in graphene[J]. Journal of Physics: Condensed Matter 21,305302(2009).
[21]M. Mendoza1, H. J. Herrmann& S. Succi,Hydrodynamic Model for Conductivity in Graphene[J].Freiburg Institute for Advanced Studies, Albertstrasse, 19,D-79104(2013).