基于IPTO 透明導(dǎo)電陽(yáng)極的有機(jī)電致發(fā)光器件

司 雪，佘維漢，陳水苗，苑曉嘉，沈清清，田苗苗

（長(zhǎng)春師范大學(xué)，吉林 長(zhǎng)春 130032）

由于TCO 同時(shí)具備了高導(dǎo)電性及可見光范圍內(nèi)高透過率，部分已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化生產(chǎn)，因而應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛。然而，根據(jù)隨著新型器件的不斷研發(fā)，也對(duì)TCO 提出了更為嚴(yán)苛的參數(shù)要求，因此，迫切需要研發(fā)高性能的TCO薄膜一提高我國(guó)在光電子產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

針對(duì)應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極ITO 功函數(shù)較低（4.5eV-4.7eV）不利于電荷注入這一難題，本文提出了采用雙源電子束方法制備IPTO 透明導(dǎo)電薄膜，在保證其可見光透過率與導(dǎo)電性均與商業(yè)化ITO 媲美的同時(shí)，使其功函數(shù)高于商業(yè)化的ITO。結(jié)果表明IPTO 光電性能可與商業(yè)化的ITO 媲美。

1 結(jié)果與討論

商業(yè)化的ITO 的表面粗糙度通常其值約為2.5 nm，這將進(jìn)一步影響接下來的功能層的形貌，嚴(yán)重者甚至導(dǎo)致器件短路，不利于器件性能的提高，為此，測(cè)試了IPTO 的表面粗糙度，在5 μm×5 μm 的表面大范圍內(nèi)，其表面粗糙度為2 nm，表面晶粒尺寸均一，表面光滑度較好。

通常人們認(rèn)為自然界中的物質(zhì)幾乎很難同時(shí)兼顧透明及導(dǎo)電，如玻璃、水晶、塑料等透明物質(zhì)不導(dǎo)電，而金屬、石墨等導(dǎo)電物質(zhì)則不透明。因此，在制備透明導(dǎo)電薄膜過程中必須不斷的嘗試調(diào)整工藝參數(shù)，平衡二者之間的關(guān)系，使透明導(dǎo)電薄膜的透過率及導(dǎo)電性均在可適用范圍內(nèi)。測(cè)試IPTO 薄膜的透過率曲線，其可見光波段平均透過率達(dá)到80%左右時(shí)，其電學(xué)參數(shù)仍能保持在與商業(yè)ITO 媲美的水平，平均方塊電阻約為80Ω。

OLED 具有起亮電壓低、能耗小、光峰值可調(diào)諧、制作工藝簡(jiǎn)單、成本低、可實(shí)現(xiàn)柔性大面積顯示等優(yōu)點(diǎn)，因此，發(fā)展極為迅速。但是OLED 在產(chǎn)業(yè)化過程中仍然存在著一系列的瓶頸問題需要解決，例如器件的壽命和穩(wěn)定性低、器件在高電流密度下的發(fā)光效率衰減等問題。本文主從解決OLED 的陽(yáng)極ITO 與有機(jī)層之間能級(jí)不匹配，將阻礙載流子注入，導(dǎo)致器件的效率較低這個(gè)問題入手，將研制的IPTO取代商業(yè)化的ITO 作為OLED 的陽(yáng)極，結(jié)果顯示基于IPTO陽(yáng)極的OLED 其相同電流密度下亮度提高了2 倍，外量子效率提高了13%，對(duì)比開爾文探針法測(cè)定的兩種透明導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)可見，IPTO 的公函是高達(dá)5.1eV，遠(yuǎn)高于ITO的功函數(shù)（4.7eV），通過分析，我們認(rèn)為是由于IPTO 的高功函數(shù)更有益于電荷自陽(yáng)極向OLED 有機(jī)層的注入，因而提高了器件的效率。

2 結(jié) 語(yǔ)

采用雙源電子束設(shè)備，以鈦酸鐠及氧化銦分別作為兩種源材料，制備了透明導(dǎo)電薄膜IPTO，將IPTO 取代ITO 制備有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED），我們分析，相比于基于ITO的OLED，IPTO 的高功函數(shù)更有益于電荷自陽(yáng)極向OLED有機(jī)層的注入，因而提高了器件的效率。