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      基于衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的低噪聲放大器設(shè)計(jì)

      2018-04-02 02:10:50
      航天控制 2018年1期
      關(guān)鍵詞:噪聲系數(shù)低噪聲陷波

      陳 莽 張 更

      北京航天長(zhǎng)征飛行器研究所 ,北京 100076

      1 概述

      低噪聲微波放大器(LNA)已廣泛應(yīng)用于微波通信、GPS接收機(jī)、遙感遙控、雷達(dá)、電子對(duì)抗及各種高精度的微波測(cè)量系統(tǒng)中,是必不可少的重要電路。低噪聲放大器位于射頻接收系統(tǒng)的前端,其主要功能是將來(lái)自天線的低電壓信號(hào)進(jìn)行小信號(hào)放大。前級(jí)放大器的噪聲系數(shù)對(duì)整個(gè)微波系統(tǒng)的噪聲影響最大,它的增益將決定對(duì)后級(jí)電路的噪聲抑制程度。應(yīng)用于導(dǎo)航接收系統(tǒng)中的LNA,要求噪聲低、可靠性高,考慮到復(fù)雜的電磁環(huán)境,要對(duì)大功率的S波段遙測(cè)信號(hào)進(jìn)行干擾抑制。

      2 設(shè)計(jì)基本思路

      2.1 低噪聲放大器的理論

      LNA的性能指標(biāo)主要是噪聲系數(shù)、增益、工作頻帶及電壓駐波比等,尤其是噪聲系數(shù)和增益對(duì)整機(jī)性能影響較大。要實(shí)現(xiàn)理想功率傳輸,必須使負(fù)載阻抗與源阻抗相匹配,這就需要插入匹配網(wǎng)絡(luò)。放大管存在最佳源阻抗Zsopt,LNA的輸入端應(yīng)按Zsopt進(jìn)行匹配,此時(shí)放大器的噪聲系數(shù)為最小,稱(chēng)為最佳噪聲匹配。而為了獲得較高的功率增益和較好的輸出駐波比,輸出端采用輸出共軛匹配。如果增益不夠,需采用多級(jí)放大電路。

      噪聲系數(shù)F為輸入信噪比比輸出信噪比。信號(hào)通過(guò)放大器后,由于放大器產(chǎn)生噪聲,使信噪比變壞,信噪比下降的倍數(shù)就是噪聲系數(shù)。

      Si,So,Ni和No分別為放大器輸入和輸出的信號(hào)功率和噪聲功率;G為放大器增益。一個(gè)具有增益G1,G2,…,Gn和噪聲系數(shù)為F1,F2,…,F(xiàn)n的n級(jí)串接級(jí)聯(lián)的放大器的噪聲系數(shù)為:

      F為放大器整機(jī)的噪聲系數(shù),F(xiàn)n為放大器第n級(jí)的噪聲系數(shù),Gn-1為放大器第n-1級(jí)的增益,K為放大器后續(xù)級(jí)的噪聲系數(shù)與噪聲因子的關(guān)系式??梢钥闯黾?jí)聯(lián)放大器的噪聲系數(shù)主要由第一級(jí)的噪聲系數(shù)決定,為了獲得盡可能低的噪聲系數(shù),第一級(jí)放大器必須實(shí)現(xiàn)最佳噪聲輸入匹配電路設(shè)計(jì)。

      2.2 放大器的設(shè)計(jì)思路

      LNA的綜合設(shè)計(jì)包括如下幾個(gè)方面:電路形式的選擇、器件的選擇、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和偏置電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化設(shè)計(jì)。

      由于增益較高,本文設(shè)計(jì)的LNA由兩級(jí)放大電路組成。根據(jù)對(duì)遙測(cè)信號(hào)的陷波要求,在導(dǎo)航信號(hào)進(jìn)入放大芯片前,采取遙測(cè)信號(hào)陷波技術(shù),對(duì)遙測(cè)信號(hào)進(jìn)行抑制,防止功率大的遙測(cè)信號(hào)阻塞放大電路。輸入匹配電路,利用斯密斯圓圖進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)匹配電路是采用集總參數(shù)元件實(shí)現(xiàn),在獲得低噪聲的前提下,很容易獲得純50Ω 的電阻性阻抗電路和優(yōu)異的駐波比。電源采用5V 直流電壓供電。放大器的結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。

      圖1 放大器的結(jié)構(gòu)框圖

      3 低噪聲放大器設(shè)計(jì)

      3.1 設(shè)計(jì)指標(biāo)

      本LNA應(yīng)用于某衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)中,主要指標(biāo)為:

      工作頻率:1550~1609MHz;

      噪聲系數(shù)NF≤1.5dB;

      增益 :32dB~36dB;

      S波段陷波抑制:≥20dB。

      3.2 S波段陷波電路

      S波段遙測(cè)陷波采用電感和電容組合形成低通陷波器,由于對(duì)遙測(cè)信號(hào)的抑制要大于20dB,在放大芯片前端采用兩階低通陷波設(shè)計(jì),對(duì)遙測(cè)信號(hào)進(jìn)行陷波。其遙測(cè)信號(hào)低通陷波原理圖如圖3所示。

      圖2 遙測(cè)信號(hào)低通陷波原理圖

      3.3 放大器電路

      前級(jí)放大器相對(duì)注重噪聲性能,輸入端針對(duì)最佳噪聲系數(shù)要求設(shè)計(jì)匹配電路,不要求增益太高。后級(jí)放大器則相對(duì)注重增益性能,適當(dāng)降低對(duì)噪聲系數(shù)的要求。即輸出端口和級(jí)間針對(duì)增益最大和平坦度進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì)。

      設(shè)計(jì)時(shí),放大電路一級(jí)放大芯片選擇HMC618LP3,其放大增益為21dB,噪聲系數(shù)為0.8dB;二級(jí)放大芯片選擇SGA3563,其放大增益為23dB,噪聲系數(shù)為2.5dB。低噪聲放大器HMC618-LP3設(shè)計(jì)為工作電壓3.3V。設(shè)計(jì)噪聲系數(shù)F為1.2dB,放大器增益34dB。

      低噪聲放大器原理如圖3所示。

      4 實(shí)測(cè)結(jié)果及分析

      根據(jù)以上設(shè)計(jì)分析,原材料選用美國(guó)Rogers公司雙面覆銅介質(zhì)基板Rogers4350,介電常數(shù):3.38;厚度:0.5mm,進(jìn)行了硬件的加工并測(cè)試。LNA的PCB板如圖4所示。

      S波段遙測(cè)信號(hào)的陷波實(shí)測(cè)曲線如圖5所示,增益測(cè)試曲線如圖6所示。

      圖3 低噪聲放大器原理圖

      圖4 LNA的PCB板

      圖5 遙測(cè)信號(hào)的陷波測(cè)試曲線

      圖6 增益測(cè)試曲線

      根據(jù)圖5可以得出,陷波衰減能達(dá)到25dB以上,陷波損耗約為0.3dB。根據(jù)圖6可以得出,放大器的增益33.4dB,通過(guò)遙測(cè)信號(hào)的陷波設(shè)計(jì),使得放大器在遙測(cè)工作頻帶處的增益迅速下降,放大器的增益曲線顯示放大器有“濾波放大”的作用,對(duì)遙測(cè)信號(hào)抑制能達(dá)到25dB以上。經(jīng)噪聲儀測(cè)試,其噪聲系數(shù)為1.2dB。通過(guò)以上測(cè)試分析顯示實(shí)際測(cè)試值與設(shè)計(jì)指標(biāo)要求一致,達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

      5 結(jié)論

      根據(jù)導(dǎo)航系統(tǒng)對(duì)L波段低噪聲放大器的指標(biāo)要求,選擇合適的電路拓?fù)?、元器件和板材,通過(guò)對(duì)遙測(cè)信號(hào)的陷波設(shè)計(jì),采用封閉盒體結(jié)構(gòu)等方法,在設(shè)計(jì)上提高放大器的環(huán)境適應(yīng)能力和系統(tǒng)抗干擾特性。最終通過(guò)實(shí)測(cè)驗(yàn)證了該方案的可行性,測(cè)試結(jié)果與設(shè)計(jì)結(jié)果吻合較好。這里的創(chuàng)新點(diǎn)是采用遙測(cè)信號(hào)陷波技術(shù),L波段低噪聲放大器具有增益高、噪聲系數(shù)小及對(duì)S波段信號(hào)抑制等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于微波通信、衛(wèi)星導(dǎo)航通信等各種電子設(shè)備中。

      [1] 陳天麒. 微波低噪聲晶體管放大器[M]. 北京: 人民郵電出版社,1983.(Chen Tianlin. A Design of Low Noise Transistor Amplifier [M]. Post & Telecom Press. Beijing. 1983.)

      [2] Guillermo Gonzalez 著, 白曉東譯. 微波晶體管放大器分析與設(shè)計(jì)[M]). 北京: 清華大學(xué)出版社, 2003.(Guillermo Gonzalez, Bai Xiaodong.Design and Analysis of Low Noise Transistor Amplifier. Beijing: TsingHua University Press, 2003. )

      [3] (美)Reinho ld L udw ig, Pavel Bretchko著. 王子宇,等譯, 射頻電路設(shè)計(jì)理論與應(yīng)用[M ]. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2002.(Reinho ld L udw ig, Pavel Bretchko, Wang Ziyu. Theory and Application Research of RF Circuits [M].Beijing: Publishing House of Electronics Industry,2002.)

      [4] Bal S Virdee, Avtar S Virdee, Ben Y Banyamin.Broadband Microwave Amplifiers[M]. Boston London: Artech House, Inc,2004:17-50.

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