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      螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀測(cè)量強(qiáng)度影響因素及響應(yīng)特性

      2018-04-16 08:44:48李銘宇柯式鎮(zhèn)康正明倪衛(wèi)寧
      石油鉆探技術(shù) 2018年1期
      關(guān)鍵詞:信號(hào)強(qiáng)度側(cè)向鉆頭

      李銘宇, 柯式鎮(zhèn), 康正明, 李 新, 倪衛(wèi)寧

      (1.油氣資源與探測(cè)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(中國(guó)石油大學(xué)(北京)),北京 102249;2.中國(guó)石油大學(xué)(北京)地球物理與信息工程學(xué)院,北京 102249;3.中國(guó)石化石油工程技術(shù)研究院,北京 100101)

      隨著國(guó)內(nèi)許多油田相繼進(jìn)入開(kāi)發(fā)中后期,開(kāi)發(fā)難度和穩(wěn)產(chǎn)難度不斷加大,利用大斜度井和水平井提高油藏采收率已成為油田主要的增儲(chǔ)上產(chǎn)措施,隨鉆測(cè)井技術(shù)也成為提高鉆井效率、降低鉆井成本、實(shí)現(xiàn)地質(zhì)導(dǎo)向和及時(shí)準(zhǔn)確獲取鉆井和地質(zhì)資料的重要手段。其中,隨鉆側(cè)向電阻率成像測(cè)井技術(shù)在復(fù)雜儲(chǔ)層含油氣飽和度評(píng)價(jià)中起到了重要作用[1-3]。目前,隨鉆側(cè)向電阻率測(cè)井儀主要有2種聚焦方法,一種是直接給鉆鋌供電,實(shí)現(xiàn)聚焦(電極型),但電極易磨損,工藝難度大[4];另一種是螺繞環(huán)發(fā)射方式,該方式是20世紀(jì)60年代J.J.Arps提出的[5],通過(guò)給螺繞環(huán)施加電流,從而在鉆鋌或電極上產(chǎn)生感應(yīng)電流,并由其他電極或接收線圈探測(cè)流經(jīng)地層的感應(yīng)電流,之后的商業(yè)化隨鉆電阻率成像儀器大多采用了這一原理[6-9]。多位學(xué)者對(duì)這一測(cè)量原理進(jìn)行了數(shù)值模擬研究,S.Gianzero等人[10]將螺繞環(huán)等效為磁流環(huán),利用二維有限元法推導(dǎo)了徑向階躍地層測(cè)井響應(yīng)的公式,并考慮了頻率影響,但二維數(shù)值模擬方法并不適用于方位隨鉆電阻率側(cè)向測(cè)井儀的測(cè)井響應(yīng)分析;M.S.Bittar等人[11]采用三維有限元法分別模擬了交流和直流情況下螺繞環(huán)在各向異性地層中的測(cè)井響應(yīng)特性;李安宗等人[12]對(duì)方位側(cè)向電阻率成像隨鉆測(cè)井儀器的探測(cè)特性進(jìn)行了數(shù)值模擬研究,但沒(méi)有說(shuō)明在利用三維有限元法模擬時(shí)如何簡(jiǎn)化激勵(lì)源。

      目前,國(guó)內(nèi)對(duì)螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的研究很少[13-14]。筆者將螺繞環(huán)等效為延長(zhǎng)的電壓偶極子,利用三維有限元法[15]分析了儀器結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的影響,并研究了直井和斜井中儀器的響應(yīng)特性,為螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀結(jié)構(gòu)參數(shù)的選取和測(cè)井資料的處理解釋提供了理論依據(jù)。

      1 儀器測(cè)量原理

      螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀主要由發(fā)射螺繞環(huán)、接收螺繞環(huán)和成像紐扣電極組成,既可以測(cè)量側(cè)向電阻率和鉆頭電阻率,也可以實(shí)現(xiàn)電阻率成像。其結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中T1,T2和T3為發(fā)射螺繞環(huán),R1,R2和R3為接收螺繞環(huán);B為紐扣電極,用于井壁電阻率成像和側(cè)向電阻率測(cè)量。B,R2和R3分別構(gòu)成了不同探測(cè)深度的側(cè)向電阻率測(cè)量系統(tǒng),同時(shí)R3可測(cè)量鉆頭電阻率。為了研究測(cè)井儀側(cè)向電阻率測(cè)量響應(yīng)特性,模擬了T1發(fā)射、R2和R3接收時(shí)的情況,將R2和R3接收到的電流之差轉(zhuǎn)化為地層電阻率。鉆鋌直徑設(shè)為171.0 mm,紐扣電極直徑設(shè)為25.4 mm。

      圖1 螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆測(cè)井儀器結(jié)構(gòu)示意Fig.1 Structure of toroidal coil excitation LWD instrument

      與傳統(tǒng)的電極型隨鉆側(cè)向測(cè)井儀不同,螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀采用螺繞環(huán)激勵(lì)的方式測(cè)量側(cè)向電阻率。研究過(guò)程中忽略鉆柱的電導(dǎo)率,將其視為理想導(dǎo)體,發(fā)射器上方和下方的鉆柱視為一對(duì)正負(fù)等量電位差的等電位面,忽略測(cè)量頻率的影響,采用直流法將螺繞環(huán)在鉆鋌和地層中產(chǎn)生電流的方式等效為一個(gè)延長(zhǎng)的電壓偶極子,電流從發(fā)射器下方的鉆柱發(fā)射,流經(jīng)井眼和地層,然后返回到發(fā)射器上方的鉆柱中[10]。這種情況下,隨鉆側(cè)向電阻率測(cè)井與傳統(tǒng)的電纜側(cè)向測(cè)井的測(cè)量原理都是歐姆定律,地層視電阻率的計(jì)算公式為:

      (1)

      式中:Ra為地層視電阻率,Ω·m;U為測(cè)量電壓,V;I為測(cè)量電流強(qiáng)度,A;k為儀器常數(shù)。

      建立3層地層模型,采用三維有限元法模擬研究隨鉆側(cè)向電阻率測(cè)井的響應(yīng)特征。建立的斜井3層地層模型如圖2(a)所示,中間層為目的層,上下層為圍巖,有井眼,無(wú)侵入。模型采用自由四面體網(wǎng)格進(jìn)行剖分,網(wǎng)格剖分結(jié)果如圖2(b)所示??紤]求解空間較大,為了平衡模擬精度與計(jì)算量之間的關(guān)系,目的層和測(cè)井儀附近網(wǎng)格劃分較密,其他區(qū)域網(wǎng)格劃分較為稀疏。

      圖2 數(shù)值模擬模型Fig.2 Numerical simulation model

      2 測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度影響因素分析

      影響測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的因素主要有儀器的結(jié)構(gòu)、井眼環(huán)境和地層因素等,為此建立了三維直井模型,并以電流強(qiáng)度表征測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的強(qiáng)弱,采用數(shù)值模擬方法分析了螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀源距、接收線圈距和鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的關(guān)系。

      2.1 源距

      源距是指發(fā)射線圈T1與接收線圈R2之間的距離。模擬時(shí)固定接收線圈距為0.381 m,鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度為2.00 m,螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的源距變化范圍為0.10~2.00 m,在地層電阻率分別為0.1,1,10,100和1 000 Ω·m的均勻地層中考察測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度隨源距的變化情況,模擬結(jié)果如圖3所示。

      圖3 測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度與源距的關(guān)系Fig.3 Relationship between measured the signal intensity and the distance to the source

      從圖3可以看出:隨著源距增大,測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度逐漸降低;源距為0.25~0.50 m時(shí),源距與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度呈非線性關(guān)系,隨著源距增大,測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度明顯降低;源距大于0.50 m時(shí),兩者基本呈線性關(guān)系,隨著源距增大,測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度降低較為緩慢。模擬結(jié)果表明,源距為0.10~2.00 m時(shí),接收到的測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度均滿足測(cè)量要求。

      2.2 接收線圈距

      接收線圈距是指接收線圈R2和R3之間的距離。接收線圈距決定了儀器的最小縱向分辨率,但在設(shè)計(jì)儀器接收線圈距時(shí)還要考慮其對(duì)測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的影響。設(shè)定原狀地層電阻率為1 Ω·m,源距為1.00 m,鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度為2.00 m,當(dāng)接收線圈距分別為0.127,0.190,0.254,0.318,0.381,0.444,0.508,0.572和0.635 m時(shí),采用數(shù)值模擬方法研究接收線圈距與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的關(guān)系,結(jié)果如圖4所示。

      圖4 測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度與接收線圈距的關(guān)系Fig.4 Relationship between measured the signal intensity and the distance of receiving coils

      從圖4可以看出:接收線圈距為0.127~0.653 m時(shí),接收到的測(cè)量信號(hào)均滿足測(cè)量要求;接收線圈距與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度呈正相關(guān)關(guān)系,測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度隨著接收線圈距增加而增大。二者的擬合關(guān)系式為:

      I=0.028 2Lr+0.007 6(R2=0.999 9)(2)

      式中:Lr為接收線圈距,m。

      2.3 鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度

      鉆頭短節(jié)是指接收螺繞環(huán)R3下方的鉆鋌部分,在進(jìn)行鉆頭電阻率測(cè)量時(shí)相當(dāng)于側(cè)向測(cè)井中的電極。設(shè)定儀器源距為1.00 m,接收線圈距為0.381 m,鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度從0.50 ~10.00 m依次變化,采用數(shù)值模擬方法研究在地層電阻率為1 Ω·m均勻地層中鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度之間的關(guān)系,結(jié)果如圖5所示。

      圖5 測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度與鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度的關(guān)系Fig.5 Relationship between measured the signal intensity and the length of bit sub

      從圖5可以看出:鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度為0.50~2.00 m時(shí),接收到的測(cè)量信號(hào)均滿足測(cè)量要求;鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度與測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度之間呈非線性關(guān)系,隨著鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度增加,測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度逐漸下降。二者的擬合關(guān)系式為:

      I=-0.063lnLl+0.3193(R2=0.998 6)(3)

      式中:Ll為鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度,m。

      根據(jù)上述研究結(jié)果,結(jié)合測(cè)井儀的結(jié)構(gòu),最終選定源距1.27 m、接收線圈距0.381 m和鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度2.00 m作為測(cè)井儀的結(jié)構(gòu)參數(shù)。

      3 測(cè)井儀探測(cè)特性

      測(cè)井儀的探測(cè)特性主要包括探測(cè)深度、縱向分辨率和周向分辨能力[15-17]。螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在進(jìn)行側(cè)向電阻率測(cè)量時(shí)無(wú)周向分辨能力,因此僅研究螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的探測(cè)深度和縱向分辨率。

      3.1 探測(cè)深度

      為了分析不同地層對(duì)比度(Rt/Rxo)下螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的探測(cè)深度,引入了偽幾何因子理論。視電阻率可以視為侵入帶和原狀地層兩者的貢獻(xiàn)之和,定義偽幾何因子為侵入帶電阻率對(duì)視電阻率的相對(duì)貢獻(xiàn):

      (4)

      式中:FPG為偽幾何因子,表示侵入帶電阻率對(duì)視電阻率的相對(duì)貢獻(xiàn);Rxo為侵入帶電阻率,Ω·m;Rt為原狀地層電阻率,Ω·m。

      定義偽幾何因子FPG為0.5時(shí)的侵入半徑為儀器的探測(cè)深度[16]。設(shè)定井眼中鉆井液電阻率Rm為10 Ω·m,侵入帶電阻率Rxo為10 Ω·m,侵入帶半徑變化范圍為0.05~1.50 m、原狀地層電阻率Rt分別為0.1,0.5,5,50,100和500 Ω·m時(shí),偽幾何因子隨侵入帶半徑變化的情況如圖6所示。

      從圖6可以看出:地層電阻率對(duì)比度較高時(shí),儀器的探測(cè)深度為0.25~0.30 m,侵入帶電阻率一定的情況下,隨著原狀地層電阻率降低,儀器的探測(cè)深度逐漸增加;地層電阻率對(duì)比度較低時(shí),儀器的探測(cè)深度幾乎不變,保持在0.33 m左右。螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的探測(cè)深度與電極型側(cè)向測(cè)井儀相比偏小,主要是由于螺繞環(huán)激勵(lì)的聚焦效果比環(huán)狀電極差,但考慮測(cè)井儀隨鉆實(shí)時(shí)測(cè)量時(shí)受侵入帶的影響較小,探測(cè)深度可以滿足隨鉆測(cè)井的探測(cè)要求。

      圖6 不同地層對(duì)比度下偽幾何變化情況Fig.6 Pseudo geometric factor variation under different formation contrasts

      3.2 縱向分辨率

      為了研究螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的縱向分辨率,設(shè)計(jì)地層模型具有8個(gè)相對(duì)高阻層且層厚分別為0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70和0.80 m,上下圍巖厚度為1.00 m,圍巖的電阻率Rs為10 Ω·m,無(wú)侵入,地層對(duì)比度Rt/Rs分別為10和100時(shí),測(cè)井儀在模型中的測(cè)井響應(yīng)結(jié)果如圖7所示。

      圖7 儀器在不同地層對(duì)比度的連續(xù)薄互層中的測(cè)井響應(yīng)Fig.7 Logging response of instrument in a continuous thin interlayer under different formation contrasts

      從圖7可以看出:螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在薄層中的測(cè)井響應(yīng)不明顯,地層視電阻率受圍巖的影響較大,難以反映薄層的真實(shí)電性參數(shù);當(dāng)?shù)貙訉?duì)比度為10或100時(shí),儀器可以很好地分辨出厚度0.50 m的薄層;對(duì)比圖7(a)和圖7(b)可以看出,螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在地層對(duì)比度為100的薄互層中縱向分辨率更差。儀器在低阻層段(圍巖)處的視電阻率與真電阻率不完全相等,主要是因?yàn)槭苌舷赂咦鑼拥挠绊?。曲線出現(xiàn)不對(duì)稱尖峰的原因是儀器在進(jìn)行側(cè)向測(cè)量時(shí)并沒(méi)有進(jìn)行補(bǔ)償。與傳統(tǒng)側(cè)向測(cè)井曲線類似,螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的測(cè)井響應(yīng)曲線也出現(xiàn)了“犄角”現(xiàn)象,其原因是地層界面處存在電荷積累。

      4 斜井中儀器響應(yīng)特性的影響因素

      進(jìn)行大斜度井和水平井測(cè)井時(shí),不能簡(jiǎn)單地套用直井評(píng)價(jià)模式進(jìn)行地層評(píng)價(jià),必須考慮井斜角、圍巖環(huán)境、井眼環(huán)境和儀器偏心等因素對(duì)側(cè)向電阻率測(cè)井響應(yīng)特性的影響[18-21]。

      為考察上述因素對(duì)螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在斜井中測(cè)井響應(yīng)的影響,建立了相關(guān)地質(zhì)模型進(jìn)行數(shù)值模擬研究,模型截面示意圖如圖8所示,模型為3層介質(zhì),上下層為圍巖,中間為目的層(Rt=10.0 Ω·m),儀器軸線和地層法線方向的夾角為井斜角β,井眼直徑為215.9 mm,鉆井液的電阻率為1.0 Ω·m,無(wú)侵入。

      圖8 模擬模型截面示意Fig.8 Cross section schematic of simulation model

      4.1 井斜角

      井斜角對(duì)側(cè)向類測(cè)井儀器的測(cè)井響應(yīng)有一定的影響,主要是由于在斜井情況下,井筒與地層界面有一定夾角,使一部分電流流入圍巖中,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)偏差。以目的層中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,設(shè)定上下圍巖電阻率均為1.0 Ω·m,目的層厚度為2.00 m,井斜角分別為0°,15°,30°,45°,60°,75°,80°,85°和90°時(shí),模擬螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在地層模型中的測(cè)井響應(yīng)曲線,結(jié)果見(jiàn)圖9。

      圖9 測(cè)井響應(yīng)與井斜角的關(guān)系Fig.9 Relationship between logging response and well inclination

      從圖9可以看出:井斜角小于45°時(shí),視厚度與真實(shí)厚度差異不大,目的層的視電阻率與真實(shí)的電阻率也比較接近,可以較為真實(shí)的反映地層的實(shí)際情況;隨著井斜角增大,目的層視厚度變大,當(dāng)井斜角為75°時(shí),視厚度已經(jīng)是真實(shí)厚度的3倍,視電阻率明顯降低。同時(shí),隨著井斜角增大,地層界面的拐點(diǎn)處變得越來(lái)越平滑,分層能力降低;井斜角為80°和85°時(shí)的測(cè)井響應(yīng)特征與水平井(井斜角為90°)的測(cè)井響應(yīng)特征相似,視電阻率與真電阻率不完全相等的原因是受到了上下圍巖的影響。

      4.2 圍巖和目的層厚度

      螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀在斜井中的測(cè)井響應(yīng)會(huì)受到縱向介質(zhì)非均質(zhì)性的影響,主要是目的層與圍巖電阻率的對(duì)比度和目的層厚度的影響。設(shè)定上下圍巖電阻率為10 Ω·m,目的層電阻率分別為0.2,0.5,1,2,5,10,20,50,100,200,500和1 000 Ω·m,不考慮井眼和侵入帶的影響,模擬井斜角為60°時(shí)目的層與圍巖電阻率對(duì)比度和目的層層厚對(duì)儀器響應(yīng)的影響,結(jié)果見(jiàn)圖10。

      從圖10可以看出:視電阻率隨著目的層厚度增大而起伏變化,其變化規(guī)律取決于目的層與圍巖電阻率的對(duì)比度。對(duì)于高阻地層(Rt/Rs大于1),目的層厚度從0.10 m增加至0.40 m時(shí),視電阻率迅速增大;目的層厚度大于0.40 m時(shí),隨著目的層厚度增大,視電阻率變化幅度較小,且逐漸趨近于真電阻率,此時(shí)圍巖的影響可以忽略。目的層電阻率與圍巖電阻率相等時(shí)(Rt/Rs等于1),此時(shí)地層為均勻地層,測(cè)量得到的視電阻與真電阻率相等。對(duì)于低阻地層(Rt/Rs小于1),目的層厚度從0.10 m增至0.40 m時(shí),視電阻率逐漸減??;當(dāng)目的層厚度大于0.40 m時(shí),隨著目的層厚度增大,視電阻率先增大后減小至目的層真電阻率,這主要是受到了井斜角和地層對(duì)比度的影響。從圖10還可以看出,高阻地層受目的層與圍巖電阻率對(duì)比度和目的層厚度的影響比低阻層小。

      圖10 測(cè)井響應(yīng)與圍巖的關(guān)系Fig.10 Relationship between logging response and surrounding rock

      5 結(jié) 論

      1) 利用三維有限元法分析了儀器結(jié)構(gòu)對(duì)測(cè)量信號(hào)強(qiáng)度的影響,當(dāng)源距為0.1~2.0 m、接收線圈距為0.127~0.653 m和鉆頭短節(jié)長(zhǎng)度為0.5~2.0 m時(shí),螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀可以接收到較強(qiáng)的測(cè)量信號(hào),可以在此范圍內(nèi)靈活地設(shè)計(jì)儀器參數(shù)。

      2) 地層電阻率對(duì)比度較高時(shí),螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的探測(cè)深度較淺;地層電阻率對(duì)比度較低時(shí),探測(cè)深度較深,其值基本不變;而地層電阻率對(duì)比度較低時(shí),螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀的縱向分辨率更高;斜井情況下,當(dāng)井斜角小于45°、目的層厚度大于0.40 m時(shí),視電阻率與真電阻率比較接近,同時(shí)測(cè)井儀在高阻地層的測(cè)井響應(yīng)受目的層與圍巖電阻率對(duì)比度的影響小。

      3) 本研究采用的是螺繞環(huán)激勵(lì)式隨鉆側(cè)向測(cè)井儀簡(jiǎn)化模型,在后續(xù)的研究中應(yīng)考慮儀器實(shí)際結(jié)構(gòu)的影響,并研究測(cè)井儀在水平井和復(fù)雜地層(如裂縫和洞穴)中的測(cè)井響應(yīng)特性。

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