張利峰，張 磊，夏玉倩

(中國(guó)原子能科學(xué)研究院，北京 102413)

63Ni為純?chǔ)路派湫酝凰?，半衰期長(zhǎng)(100 a)，射線能量低(最大能量67 keV)，可廣泛應(yīng)用于真空電子器件[1]、離子遷移譜儀[2]、氣相色譜儀[3]、輻伏同位素電池[4-6]等領(lǐng)域。然而以上應(yīng)用均要求63Ni源有較高的活度，多數(shù)為108Bq/cm2。由于63Ni源的β射線能量低，強(qiáng)63Ni源的活度難以直接測(cè)量，這將影響其使用中輸出特性的評(píng)價(jià)，因此對(duì)強(qiáng)63Ni源的活度測(cè)量至關(guān)重要，尤其對(duì)于63Ni輻伏同位素電池，63Ni活度測(cè)量對(duì)于評(píng)價(jià)電池轉(zhuǎn)換效率具有重要意義。本研究利用放射性物質(zhì)質(zhì)量與活度的關(guān)系，采用稱重法對(duì)強(qiáng)63Ni源的活度進(jìn)行間接測(cè)量，并進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，擬為強(qiáng)63Ni源活度準(zhǔn)確測(cè)量提供參考。

1 63Ni活度與質(zhì)量的關(guān)系

對(duì)于無(wú)載體的放射性同位素，其質(zhì)量與活度存在下列關(guān)系：

(1)

式中，A為活度，Bq；m為質(zhì)量，g；M為質(zhì)量數(shù)；NA為阿佛加德羅常數(shù)；T1/2為半衰期，s。

根據(jù)式(1)計(jì)算得到無(wú)載體63Ni的比活度為2.1×1012Bq/g。由于制備方式原因，目前市售63Ni原料不可避免含有62Ni和64Ni，其比活度僅為3.7×1011～6.3×1011Bq/g。當(dāng)采用電鍍或化學(xué)鍍制備強(qiáng)度大于108Bq/cm2的63Ni源時(shí)，對(duì)應(yīng)的面密度大于160 μg/cm2。若襯底尺寸為1 cm2，則63Ni鍍層的質(zhì)量大于160 μg，該質(zhì)量可用精度為10 μg的天平進(jìn)行測(cè)量。因此，測(cè)量63Ni鍍層質(zhì)量，結(jié)合63Ni原料的比活度即可計(jì)算鍍層中63Ni的活度。

2 實(shí)驗(yàn)方法

2.1 鍍層稱重

為了獲得厚度均勻的63Ni鍍層，以拋光的單晶硅為襯底，襯底尺寸為10.5 mm×10.5 mm×0.3 mm。利用精度10 μg的CPA225D型天平對(duì)9個(gè)硅襯底進(jìn)行稱重，每個(gè)硅襯底測(cè)量3次。 鍍后漂洗并晾干后，利用同一天平測(cè)量9個(gè)樣品的重量，每個(gè)樣品測(cè)量3次。通過(guò)計(jì)算襯底與鍍后稱重差值獲得鍍層質(zhì)量。

2.2 63Ni鍍層制備

按照清洗→活化→施鍍→漂洗的工藝流程制備63Ni鍍層。清洗：去除硅襯底表面的油污等有機(jī)雜質(zhì)，便于鍍層結(jié)合牢固，在稱重之前完成?；罨簩dCl3滴入硅襯底正面，使硅表面形成成核中心便于鍍鎳，此過(guò)程中Pd原子會(huì)殘留于硅襯底表面，但殘留物相對(duì)63Ni鍍層而言，極其微量，對(duì)鍍層的增重可忽略不計(jì)。施鍍：采用堿性化學(xué)鍍，還原劑為NaH2PO2，鎳鹽為63NiCl2，其中63Ni原料的比活度為4.44×1011Bq/g。漂洗：從鍍池取出硅片，用去離子水、丙酮沖洗，去除表面的殘余鍍液和可能存在的有機(jī)成分。

2.3 活度計(jì)算

根據(jù)襯底稱重與鍍后稱重確定鍍層質(zhì)量，再根據(jù)63Ni原料比活度計(jì)算鍍層活度。實(shí)驗(yàn)中鍍層以NaH2PO2為還原劑通過(guò)化學(xué)鍍制備，形成的鍍層為Ni-P間化物，鍍層中包含P元素，不可直接將鍍層質(zhì)量與比活度相乘計(jì)算鍍層活度，需確定鍍層中鎳的含量。為此，采用制備63Ni鍍層的工藝制備了非放射性鎳鍍層，利用掃描電鏡(SEM)按照GB/T 17359—2012《微束分析 能譜法定量分析》的標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)鍍層的元素組成進(jìn)行分析，確定鍍層中Ni的質(zhì)量，進(jìn)行活度計(jì)算。

3 結(jié)果與分析

3.1 鍍層稱重

襯底、鍍后及鍍層質(zhì)量列于表1。從表1中數(shù)據(jù)可以看出，鍍層質(zhì)量均大于1 mg，遠(yuǎn)大于天平的測(cè)量精度10 μg，因此測(cè)量過(guò)程導(dǎo)致的系統(tǒng)誤差很小。

表1 樣品質(zhì)量Table 1 The mass of silicon substrate

3.2 63Ni鍍層制備

按相應(yīng)工藝流程，制得的63Ni鍍層示于圖1。從圖1可以可看出，鍍層均勻牢固，未出現(xiàn)脫落現(xiàn)象。

圖1 63Ni鍍層樣品Fig.1 Sample of 63Ni coating

3.3 活度計(jì)算

非放射性鎳鍍層SEM分析結(jié)果示于圖2。從圖2結(jié)果中可以看出，鍍層中Ni、P、C、O元素的重量百分比分別為83.8%、8.4%、6.7%、1.0%。

根據(jù)化學(xué)鍍鎳的原理，總反應(yīng)式[7]為：

圖2 非放射性鎳鍍層SEM分析結(jié)果Fig.2 The SEM diagram of nonradioactive Ni coating

根據(jù)表2結(jié)果，結(jié)合4.44×1011Bq/g 的63Ni比活度，計(jì)算鍍層活度，結(jié)果列于表3。

在分析中美貿(mào)易戰(zhàn)的原因時(shí)，本文從中美兩方分別進(jìn)行了研究。美國(guó)方面主要是貿(mào)易保護(hù)主義抬頭和處于維護(hù)自身霸權(quán)地位的需要；而中國(guó)方面則主要在于對(duì)美國(guó)貿(mào)易依存度過(guò)高。

表2 鍍層中鎳的質(zhì)量Table 2 The mass of Ni in the coating

表3 鍍層中63Ni的活度Table 3 The 63Ni activity of coating

測(cè)得不同編號(hào)鍍層樣品中63Ni的活度為4.08×108～9.56×108Bq，對(duì)應(yīng)的鍍層質(zhì)量為0.92～2.16 mg。測(cè)量鍍層質(zhì)量時(shí)，天平精度為10 μg，稱重導(dǎo)致的最大相對(duì)測(cè)量誤差小于1%。此外，利用SEM測(cè)量Ni、P元素構(gòu)成按照GB/T 17359—2012《微束分析 能譜法定量分析》的標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行，該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)原子序數(shù)大于10的元素分析具有很高的置信度，如標(biāo)準(zhǔn)附錄中將含Ni的樣品在六個(gè)不同的實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行測(cè)量，質(zhì)量分?jǐn)?shù)差別不超過(guò)0.9%，因此利用SEM定量分析樣品中Ni、P的質(zhì)量分?jǐn)?shù)數(shù)據(jù)可靠。可見(jiàn)，利用稱重法間接測(cè)量強(qiáng)63Ni源活度的準(zhǔn)確度較高，據(jù)此計(jì)算的活度數(shù)據(jù)可靠性也較高。

4 小結(jié)

針對(duì)63Ni源的β射線能量低，強(qiáng)63Ni源的活度難以直接測(cè)量問(wèn)題，依據(jù)放射性物質(zhì)活度和質(zhì)量的關(guān)系，利用稱重法對(duì)化學(xué)鍍鎳工藝制備的強(qiáng)63Ni源的活度進(jìn)行間接測(cè)量，結(jié)果顯示，不同編號(hào)的63Ni鍍層質(zhì)量為0.92～2.16 mg，根據(jù)63Ni比活度、鍍層中Ni含量計(jì)算對(duì)應(yīng)的鍍層活度為4.1×108～9.6×108Bq?？紤]天平、Ni含量分析的系統(tǒng)誤差，認(rèn)為該測(cè)量方法可行，測(cè)得的活度數(shù)據(jù)可靠。

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