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      光纖布拉格光柵寫制技術(shù)研究

      2018-08-18 08:23:26姜暖孫雅琴王旺
      數(shù)字技術(shù)與應用 2018年4期

      姜暖 孫雅琴 王旺

      摘要:光纖光柵廣泛應用于光纖傳感和光纖通信領(lǐng)域,不同的應用場合對光纖光柵的特征參量提出了不同的要求。本文通過調(diào)節(jié)光纖光柵相位掩模法制作參數(shù),測定不同參數(shù)對光纖光柵光譜特性的影響規(guī)律并分析其原因,進而通過寫制參數(shù)控制光纖光柵的光譜形狀,對制作確定光譜參數(shù)的光纖光柵具有指導意義。

      關(guān)鍵詞:光纖光學;光纖光柵;制作技術(shù)

      中圖分類號:TN929 文獻標識碼:A 文章編號:1007-9416(2018)04-0092-03

      1 引言

      相位掩模法[1]是制作光纖布拉格光柵最常用的方法,在商業(yè)化的大批量生產(chǎn)中,一般通過制作大量光纖光柵,從中選取符合設(shè)計要求的使用。對于大規(guī)模光纖光柵傳感陣列[2-4],需要在單根光纖上制作多個具有確定性能的光纖光柵,這需要精確控制制作參數(shù)以保證寫制光纖光柵的性能符合設(shè)計要求。光纖光柵新型器件[5-12]的制作需要將光纖光柵寫在不同的波導結(jié)構(gòu)上,同樣需要對光柵寫制參數(shù)的精確控制,因此,研究光纖光柵寫制參數(shù)對其性能的影響規(guī)律具有重要的實用價值。

      本文通過分析影響光纖光柵光譜特性的主要參數(shù),搭建光柵寫制實驗測試平臺,通過調(diào)節(jié)準分子激光器的重復頻率、脈沖能量、曝光時間及改變待刻柵光纖兩端的預應力,測試寫制參數(shù)對光纖光柵光譜特性的影響規(guī)律,為寫制確定光譜特性的光纖光柵以及光纖光柵寫制過程中的調(diào)整提供指導。

      2 寫制參數(shù)控制實驗

      實驗采用248nm準分子激光器曝光相位掩模板寫入法,圖1就是相位掩模法制作光纖光柵的示意圖。

      通過相位掩模法制作光纖光柵的工藝過程分析,有一些工藝制作因素對實際制作的光纖光柵性能影響頗為明顯,我們選取準分子激光器的脈沖能量、重復頻率和曝光時間、施加在光纖兩端的預應力等寫制參數(shù)作為研究對象,搭建光纖光柵制作系統(tǒng),測試上述參數(shù)對光纖光柵光譜特性的影響規(guī)律,實驗測試及分析過程如下:

      2.1 曝光能量

      選用載氫三周的普通抗彎光纖作為研究對象,寫入光柵長度6mm,設(shè)定準分子激光器脈沖重復頻率10Hz,光纖兩端施加恒定0.5N的預拉力,用同一塊相位掩模板,依次調(diào)節(jié)激光器輸出能量為19kv、22kv、26kv、30kv,測試不同脈沖能量下寫入光柵的特性差異。

      從寫制過程可看出,隨著脈沖能量增大,刻寫相同反射率光纖光柵所需的曝光時間減少,所能達到的最大反射率增大。由圖2可得,隨著脈沖能量增大,寫入光纖光柵的中心波長紅移,3dB帶寬展寬,同時透射峰頂部出現(xiàn)明顯的不平坦并展寬。

      可見較大能量寫制光纖光柵時,寫入速度快,較易達到飽和狀態(tài),出現(xiàn)這一現(xiàn)象的典型特征是透射光譜中透射凹陷的頂端變得不平坦且明顯展寬,同時出現(xiàn)各種雜亂的線譜。因此當折射率調(diào)制深度較大時,應采用較小能量寫制光纖光柵以獲得完美的譜形,而且達到所需的反射率后應立即停止曝光,避免過度曝光導致反射光譜飽和、展寬、不平坦。

      2.2 脈沖頻率和曝光時間

      待寫入光柵的光纖類型不變,寫入光柵長度6mm,準分子激光器輸出能量為26kv,光纖兩端施加恒定0.5N的預拉力,改變寫制曝光時間,測試不同曝光時間下寫入光纖光柵的特性差異。

      如圖3所示,左側(cè)第一個最小的透射凹陷為曝光100個脈沖得到的光纖光柵透射光譜,每曝光100個脈沖測試一次透射光譜,從左到右的透射凹陷逐漸增大的透射光譜依次為100-1000個曝光脈沖得到的10個光譜。比較10個透射光譜,可看出隨著曝光時間增加,寫制光纖光柵的中心波長紅移,反射率增加,3dB帶寬展寬。

      2.3 預拉力

      設(shè)定準分子激光器輸出能量26kv,其它條件不變,改變光纖兩端施加的預拉力值,實驗設(shè)定值為0.1N、0.5N,測試不同預拉力條件下寫入光纖光柵的特性差異。

      從寫制過程可看出,預拉力大光柵寫入速度快。由圖4可得,預拉力越大,所寫制光纖光柵的中心波長越小,兩種不同預拉力下寫制的光纖光柵中心波長相差0.605nm,0.5N預拉力下寫制的光纖光柵基本達到飽和,反射率高,帶寬大,而0.1N的還沒有達到最高反射率。因此在制作光纖光柵時,要精確控制光纖兩端施加的預拉力。分析其原因在于:同樣的光纖長度受不同大小的預拉力作用時,大的預拉力會獲得大的應變,對光纖光柵寫制過程而言,寫入周期是相同的,預拉力釋放后光纖恢復原長度,應變大的恢復后周期會較小,因此其波長會向短波方向漂移。

      3 結(jié)語

      光纖光柵因其優(yōu)異的性能在光纖傳感和光纖通信領(lǐng)域得到了廣泛應用,其光譜譜形的精確控制對發(fā)揮其優(yōu)勢具有重要意義。本文選取準分子激光器的脈沖能量、重復頻率和曝光時間、施加在光纖兩端的預應力等寫制參數(shù)作為研究對象,得到了寫制參數(shù)對光纖光柵光譜特性的影響規(guī)律。從寫制過程看,曝光能量越大,寫入速度越快;預拉力越大,寫入速度越快。從寫制光纖光柵的光譜特性看,曝光能量越大,曝光時間越長,中心波長紅移,帶寬展寬,反射率增加。預拉力越大,中心波長藍移,帶寬展寬,反射率增加。在制作光纖光柵時,可根據(jù)不同光纖光柵特性需求設(shè)計相應的寫制參數(shù),也可根據(jù)需求在寫制過程中對光纖光柵進行調(diào)整。

      參考文獻

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