王袤野, 張延遲,解大
(1. 上海電機(jī)學(xué)院,上海 201306; 2. 上海交通大學(xué),上海 200240)
隨著工業(yè)的發(fā)展,對于電能質(zhì)量的要求不斷提高,電力系統(tǒng)中越來越廣泛的采用柔性交流輸電系統(tǒng)(FACTS)進(jìn)行電能的傳輸,而靜止同步無功補(bǔ)償器(STATCOM)作為其中的核心裝置具有響應(yīng)速度快、調(diào)節(jié)效果好、運(yùn)行范圍寬、輸出無功電流不受系統(tǒng)電壓影響的諸多優(yōu)點(diǎn)[1]。而其中開關(guān)器件的耐壓值一直是一個(gè)阻礙無功補(bǔ)償裝置電壓等級進(jìn)一步提升的阻礙[2],為了利用低耐壓開關(guān)器件獲得多電平高電壓輸出,學(xué)者們陸續(xù)采用了:二極管鉗位多電平結(jié)構(gòu)、飛跨電容鉗位多電平結(jié)構(gòu)以及H橋級聯(lián)多電平結(jié)構(gòu)[3]。其中H橋級聯(lián)多電平結(jié)構(gòu),其基本功率單元是具有獨(dú)立直流電源的H橋,再將數(shù)個(gè)H橋單元級聯(lián)而成的一種串聯(lián)結(jié)構(gòu)形式,其不存在直流電容分壓問題[4-5],同時(shí)還具有易于拓展、輸出電壓優(yōu)質(zhì)、諧波含量低等優(yōu)點(diǎn)[6-8]。
現(xiàn)有的級聯(lián)H橋多電平電路在實(shí)際應(yīng)用層面存在著以下問題[9]:控制系統(tǒng)與觸發(fā)系統(tǒng)的電源較為復(fù)雜,需要多組隔離電源,且耐壓等級要求較高,要求耐受值為接入系統(tǒng)的電壓值;系統(tǒng)信息傳遞接線復(fù)雜,為了隔離的需要在采用通信等級時(shí),必須選用光纖通信,增加了成本;采用IGBT時(shí)成本較高[10]。
本設(shè)計(jì)的主要特點(diǎn)在于將分布控制系統(tǒng)芯片STM32與主控系統(tǒng)置于統(tǒng)一的電位上,而將觸發(fā)部分和功率器件的電源的電位獨(dú)立出來,這樣解決了多電平供電需要多電位的重要問題,同時(shí)滿足了STM32的供電可靠性,并且通信采用等電位,省去了光纖通信的高成本。
STATCOM主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖如圖1所示,其中逆變器部分采用12單元H橋級聯(lián),這樣做的優(yōu)點(diǎn)是:
(1)利用較低耐壓值的開關(guān)器件和電容器實(shí)現(xiàn)高壓大功率轉(zhuǎn)換。
(2)用較低的開關(guān)頻率得到較好的正弦波形。
(3)不存在直流電容分壓問題,同時(shí)還具有易于拓展、輸出電壓優(yōu)質(zhì)、諧波含量低等優(yōu)點(diǎn)。
圖1 STATCOM主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖
每個(gè)H橋單元由4個(gè)全控性器件以及一個(gè)電解電容組成,如圖2所示。其中每個(gè)H橋單元均帶有獨(dú)立直流電源供電,直流電源采用帶有三端穩(wěn)壓器件的全橋整流實(shí)現(xiàn)。
圖2 H橋單元拓?fù)?/p>
H橋在工作過程中,4個(gè)場效應(yīng)管T1、T2、T3、T4共有四種工作狀態(tài)(T1,T2,T3,T4),即(1,0,0,1)、(1,0,1,0)、(0,1,1,0)、(0,1,0,1),其中T1(或T2、T3、T4)=1表示T1(或T2、T3、T4)導(dǎo)通,T1(或T2、T3、T4)=0表示T1(或T2、T3、T4)關(guān)斷,由于T1與T2以及T3與T4同時(shí)導(dǎo)通時(shí)會導(dǎo)致裝置短路,故裝置內(nèi)芯片避免觸發(fā)同一橋臂上的兩個(gè)電力場效應(yīng)管,下面分別對上面敘述的4中工作狀態(tài)進(jìn)行討論:
(1)狀態(tài)1,(T1,T2,T3,T4)=(1,0,0,1)
開關(guān)管T1和T4導(dǎo)通,T3和T2關(guān)斷。電路的工作過程如圖3(a)所示,A1A2端口輸出電壓為+E;
(2)狀態(tài)2,(T1,T2,T3,T4)=(1,0,1,0)
開關(guān)管T1和T3導(dǎo)通,T2和T4關(guān)斷,電路的工作過程如圖3(b)所示,A1A2端口輸出電壓為0;
(3)狀態(tài)3,(T1,T2,T3,T4)=(0,1,1,0)
開關(guān)管T2和T3導(dǎo)通,T1和T4關(guān)斷,電路的工作過程如圖3(c)所示,A1A2端口輸出電壓為-E;
(4)狀態(tài)4,(T1,T2,T3,T4)=(0,1,0,1)
開關(guān)管T2和T4導(dǎo)通,T1和T3關(guān)斷,電路的工作過程如圖3(d)所示,A1A2端口輸出電壓為0;
圖3 單個(gè)H橋連續(xù)導(dǎo)電模式下工作狀態(tài)
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。裝置控制部分由主機(jī)與從機(jī)組成。主機(jī)由統(tǒng)一發(fā)送信息、集中處理指令的DSP芯片TMS320F28335擔(dān)任,從機(jī)同時(shí)也是分布控制部分由意法半導(dǎo)體公司的具有強(qiáng)大的控制和信號處理能力的STM32F103C8T6芯片擔(dān)任,該芯片具有32位基于ARM核心的帶64 kB字節(jié)閃存的微控制器,具有2個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器,多達(dá)16個(gè)輸入通道,同時(shí)其具有7個(gè)定時(shí)器,9個(gè)通信接口。本系統(tǒng)共設(shè)計(jì)了以下功能。
圖4 STM32分布控制系統(tǒng)原理圖
(1)觸發(fā)部分。
本設(shè)計(jì)中采用一片ARM芯片控制兩個(gè)H橋的方式,一片芯片發(fā)出8路觸發(fā)信號分別為1號H橋F1-F4,2號H橋F1-F4,本文中采用12H橋級聯(lián),則共有6個(gè)主控芯片發(fā)出48路觸發(fā)信號,觸發(fā)信號通過給光耦合器一個(gè)觸發(fā)脈沖實(shí)現(xiàn)柵極觸發(fā)MOSFET。
(2)H橋工作狀態(tài)采集與監(jiān)控部分。
該系統(tǒng)通過主控制器采集H橋橋臂上的電壓值來實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)采集與監(jiān)控,為系統(tǒng)確定運(yùn)行方式提供參考量。具體實(shí)現(xiàn)方式為,參考圖1,采集S1、S2、S3三點(diǎn)電壓值,通過低功率運(yùn)算放大器,將信號放大后提供給主控制器,這三路信號即圖2中,Q1、Q2、Q3。
(3)通信部分。
該系統(tǒng)采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信協(xié)議,在從機(jī)與主機(jī)之間通信。從機(jī)將其控制的每個(gè)H橋的橋臂電壓值傳給主控機(jī),主控機(jī)根據(jù)電壓值判斷每個(gè)H橋狀態(tài)是否正常,根據(jù)此判斷參與工作的H橋數(shù)量以及每片STM32芯片應(yīng)控制的一組H橋編號,將這些信息傳回從機(jī)。重要的是,本設(shè)計(jì)通信采用了等電位,省去了光纖通信的高成本。
(4)觸發(fā)電源部分。
觸發(fā)部分電源采用磁環(huán)變壓器一路引入,三路升壓引出。引出后采用全橋整流接入三端穩(wěn)壓電路,經(jīng)三端穩(wěn)壓電路后接光電耦合器,完成觸發(fā)部分供電。
為了確定STATCOM發(fā)出的電壓的幅值和相位。下面將計(jì)算STATCOM的補(bǔ)償電壓和功角。
下式中U1,U2分別為STATCOM電壓的幅值,系統(tǒng)電壓的幅值。
電流計(jì)算:
(1)
功率計(jì)算:P1=P2
(2)
其中:
(3)
(4)
對于STATCOM,P1< (5) 對于一個(gè)補(bǔ)償系統(tǒng),Q為負(fù)荷無功,為確定值,則電壓可以計(jì)算得: (6) 在式(6)中,當(dāng)Q1>0時(shí),取負(fù)號,當(dāng)Q1<0時(shí),取正號。 在幅值確定后相位計(jì)算,由式(5)得: (7) U1的幅值決定由逆變電壓的幾個(gè)階梯波合成,逆變電壓與系統(tǒng)電壓的關(guān)系如圖5所示。 圖5 逆變電壓與系統(tǒng)電壓的關(guān)系圖 STATCOM的控制策略決定了其功能的優(yōu)異程度,而其中逆變器的調(diào)制策略決定了逆變器的輸出性能的優(yōu)劣,進(jìn)而決定了STATCOM的性能優(yōu)劣。本裝置采用低次諧波最小法原則實(shí)現(xiàn)功能,不僅改善了輸出電壓波形、還提高了逆變器的輸出電壓和功率以及變換相數(shù)。本逆變器正弦波調(diào)制策略采用低次諧波最小法原則,精確算出每個(gè)H橋上4個(gè)電力場效應(yīng)管的開通關(guān)斷時(shí)間,進(jìn)而擬合正弦波。 低次諧波最小法原則的離線計(jì)算簡單,同時(shí)可以使得輸出波形特性良好。基于控制原則,是由STM32來控制每個(gè)H橋的開通關(guān)斷時(shí)間來疊加擬合正弦波輸出,所以各個(gè)H橋的導(dǎo)通周期是不一樣的,顯而易見,1號橋的導(dǎo)通時(shí)間最長,電容的充放電時(shí)間也最長。而12號橋的導(dǎo)通時(shí)間最短,電容的充放電時(shí)間也最短。因此,在設(shè)計(jì)之初,還考慮到不同H橋上電容損耗不同導(dǎo)致直流側(cè)電壓不平衡問題,采用每過一個(gè)固定的時(shí)間,對應(yīng)調(diào)整H橋的順序的方式來平衡每個(gè)H橋上電容的損耗。 圖6為階梯波逼近正弦波示意圖。θ1、θ2、θ3、θ4、θ5、θ6的計(jì)算按照低次諧波最少原則進(jìn)行的,因此要求每部分輸出的階梯波形面積等于正弦波面積,取第i塊(i=1,2,3,4,5,6),即有: (8) 求解積分式,可得: (9) 根據(jù)上面的分析和計(jì)算可以得出每個(gè)H橋上MOSFET的開通、關(guān)斷時(shí)間,從而擬合正弦波輸出,完成DC/AC功能,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)STATCOM裝置的功能。 圖6 12鏈節(jié)階梯波逼近正弦波原理示意圖 應(yīng)用EMTP電力系統(tǒng)電磁暫態(tài)分析仿真軟件,搭建12H橋級聯(lián)STATCOM裝置模型進(jìn)行仿真分析,仿真模型中設(shè)定參數(shù)如下:額定功率1 Mvar,STATCOM輸出電壓10 kV/50Hz,額定電流100 A,H橋直流側(cè)額定電壓800 V,直流側(cè)電容6 800 μF,一相鏈節(jié)數(shù)12。 圖7為STATCOM裝置直流側(cè)電壓波形即H橋兩端電壓波形,從圖中可以看出電壓基本穩(wěn)定在800 V,偏差不大于5%,且未出現(xiàn)不平衡現(xiàn)象。圖8為a相輸出電壓、輸出電流波形,輸出波形為梯形波擬合正弦波輸出,符合控制策略。 圖7 STATCOM裝置直流側(cè)電壓波形 圖8 a相輸出電壓及電流仿真波形 a、b、c三相輸出電壓及電流的仿真波形見圖9,三相輸出電壓符合多重疊加法的原理,由階梯波疊加而成,擬合正弦波輸出,三相電流也以正弦形式輸出。圖10為STATCOM裝置有功與無功功率曲線,顯示裝置有效的補(bǔ)償了負(fù)載發(fā)出的無功功率。 圖9 a、b、c三相輸出電壓及電流仿真波形 圖10 STATCOM裝置有功、無功功率曲線 為了進(jìn)一步驗(yàn)證本文控制策略的正確性以及可行性搭建了12H橋級聯(lián)STATCOM實(shí)驗(yàn)裝置,在實(shí)驗(yàn)裝置上進(jìn)行了測試,表一為實(shí)驗(yàn)參數(shù)。實(shí)驗(yàn)裝置主控芯片采用STM32F103C8T6,開關(guān)管選擇使用HM3207B。圖11為2H橋板級實(shí)物圖,采用了一片STM32控制兩個(gè)H橋。圖12為實(shí)驗(yàn)裝置實(shí)物照片。 表1 實(shí)驗(yàn)裝置參數(shù) 圖11 2H橋板級實(shí)物圖 圖12 實(shí)驗(yàn)裝置 實(shí)驗(yàn)裝置輸出電壓波形圖見圖13(a),其中橫坐標(biāo)為時(shí)間,每格 5 ms。圖13(b)為裝置輸出電壓波形放大圖,圖中可清晰看到級聯(lián)H橋疊加擬合形成了正弦波,輸出了穩(wěn)定的電壓波形,從而驗(yàn)證了文章中描述的控制策略。 圖13(c)為實(shí)驗(yàn)電流波形圖。圖13(d)為輸出電壓諧波圖形,其電壓總畸變率THDU=3.26%,諧波含量很少,輸出波形優(yōu)異,滿足電網(wǎng)要求,說明該拓?fù)浜涂刂撇呗阅軐?shí)現(xiàn)STATCOM功能。 圖13 實(shí)驗(yàn)波形 論文研究并設(shè)計(jì)了一款基于STM32分布控制的級聯(lián)H橋STATCOM裝置,該裝置實(shí)現(xiàn)了多電平供電只需要一個(gè)電位。在低次諧波最小法則的控制下,實(shí)現(xiàn)階梯波疊加,擬合正弦輸出,為動態(tài)無功補(bǔ)償提供了方法。另外,由于采用了從機(jī)分布控制,主機(jī)統(tǒng)一調(diào)度,滿足了控制精度同時(shí)可靠性大大提升。另外,通信實(shí)現(xiàn)了等電位,與光纖通信相比,節(jié)約了大量成本。分析結(jié)果表明,理論、仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合,驗(yàn)證了理論分析的正確性以及實(shí)際應(yīng)用的可能性。2.2 STATCOM裝置中逆變器調(diào)制策略
3 仿真研究和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
3.1 仿真研究
3.2 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4 結(jié)束語