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      半導(dǎo)體集成電路可靠性測試及其數(shù)據(jù)處理方法

      2018-11-14 10:44:00長電科技滁州有限公司邱冬冬
      電子世界 2018年20期
      關(guān)鍵詞:載流子集成電路斜坡

      長電科技(滁州)有限公司 邱冬冬

      研究人員在對產(chǎn)品使用時間進行分析中,產(chǎn)品的可靠性至關(guān)重要,可靠性目前是檢驗產(chǎn)品質(zhì)量很重要的一個項目,它能夠明確反映產(chǎn)品質(zhì)量。在運用全新工藝和材料的條件下,常見的半導(dǎo)體集成電路線寬逐漸降低,所以科研人員就要提升其集成度,因此半導(dǎo)體集成電路可靠性的要求也更加嚴(yán)格。本文主要對半導(dǎo)體集成電路的可靠性測試進行了介紹,并分析了處理數(shù)據(jù)的兩種方法,即熱載流子注入測試和柵氧化層測試,希望對半導(dǎo)體集成電路的研發(fā)有所幫助。

      隨著科技的進步,相關(guān)行業(yè)對半導(dǎo)體集成電路的性能要求越來越高,這些要求使半導(dǎo)體集成電路在制作時工藝制造趨向復(fù)雜化,結(jié)構(gòu)制作也更精細(xì)。為了集成電路的可靠性能經(jīng)得住檢驗,同時減少生產(chǎn)本錢,半導(dǎo)體集成電路可靠性的測試就顯得很有必要了。

      1.半導(dǎo)體集成電路的可靠性測試

      1.1 半導(dǎo)體的可靠性

      當(dāng)前,使用被動篩選的方式是我國國內(nèi)檢驗半導(dǎo)體可靠性的重要方法,然而這種方法需要投入大量人力物力,利用原始的人工篩選方式將可靠性不達標(biāo)的半導(dǎo)體篩選出來,效率極低。同時這種方法耗時長、成本高,最重要的是,這種方法無法從根本上提高半導(dǎo)體的可靠性。因此,當(dāng)前需要知道在什么條件下才能制作出可靠性能高的半導(dǎo)體,從而進一步避免半導(dǎo)體使用過程中發(fā)生失效。這就要求我們綜合考慮制作周期、制作工藝、制作條件對半導(dǎo)體可靠性能的影響,通過科學(xué)的數(shù)據(jù)分析對半導(dǎo)體進行設(shè)計。

      1.2 半導(dǎo)體集成電路工藝的可靠性

      如果想最大限度的提高半導(dǎo)體集成電路的可靠性,采用的主要方法就是加強對制造工藝的研究,這個研究是可靠性提升的關(guān)鍵。在集成電路可靠性的研究中,分析制造工藝能夠在哪些方面影響半導(dǎo)體集成電路可靠性的使用,保證可靠性的工藝進行重要的監(jiān)測與控制,構(gòu)造集成電路產(chǎn)品可靠性的評價規(guī)范程序和方法,這些工作都是能夠保障半導(dǎo)體集成電路可靠性的研究,因此,要保證產(chǎn)品實物的可靠性,就必須要保證生產(chǎn)工藝的可靠性。

      在研究評價制造工藝的可靠性中,半導(dǎo)體集成電路可靠性對產(chǎn)品的質(zhì)量以及使用時間有著重要的影響,集成電路生產(chǎn)工藝的可靠性同樣重要,兩者共同點都是以高標(biāo)準(zhǔn)的制作工藝作為基礎(chǔ),以此來保證半導(dǎo)體集成電路成品的可靠性。在實際生產(chǎn)過程中,主要方法就是控制產(chǎn)品微電子結(jié)構(gòu)的可靠性,同時利用電子加速試驗得到相關(guān)數(shù)據(jù),建立數(shù)據(jù)模擬的平臺,最大程度的保障生產(chǎn)工藝的可靠性。在后續(xù)的工序中,利用我國目前高標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)流程和工藝生產(chǎn)線,能夠保證生產(chǎn)出的產(chǎn)品擁有極高的質(zhì)量。成品制作完成后,在儲藏運輸?shù)倪^程中,再利用國內(nèi)先進的封存包裝技術(shù)和密封運輸,能夠使產(chǎn)品可靠性得到的保障。

      1.3 評價半導(dǎo)體原件可靠性保持的時間

      半導(dǎo)體在我們?nèi)粘I钏姷碾娖髟邪缪菡卟豢苫蛉钡慕巧?,半?dǎo)體的可靠性直接影響了電器元件的可靠性。半導(dǎo)體可靠性越高,電器元件的可靠性才會越強。因此,為了電器元件更好的使用效果,研究半導(dǎo)體原件的可靠性變得尤為重要。其中在對半導(dǎo)體元件可靠性測試中,可靠性評價是我們常用的方法。通過借助專業(yè)的工具,用仿真模擬的方式對半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量、使用壽命、元件失效率進行評價,通過這些評價,我們可以很直觀的測量出半導(dǎo)體元件的可靠性。在這些評價方法中,使用壽命是評定半導(dǎo)體元件可靠性的重要指標(biāo)。如何評定半導(dǎo)體元件使用壽命,我們選擇的方法是:選擇高可靠性的集成產(chǎn)品,比如軍用產(chǎn)品,通過對產(chǎn)品的參數(shù)進行分析,運用一般研究產(chǎn)品使用壽命的評定方法,在實際操作中通過對影響元件使用壽命的外界環(huán)境進行控制,查看產(chǎn)品可靠性指標(biāo)的衰減速度,從而推出算出產(chǎn)品的使用壽命。

      2.注入熱載流的測試數(shù)據(jù)技術(shù)和處理數(shù)據(jù)方法

      2.1 注入熱載流子的測試

      在半導(dǎo)體集成電路可靠性的評估中,最重要的一步就是在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,加入熱載流子的測試,通過熱載流子的干預(yù),觀察半導(dǎo)體實際能量下費米能級的變化。我們都知道,半導(dǎo)體集成電路的器件里,原電壓的遺留會造成熱載流子的漏電極限,從而在它的周圍會出現(xiàn)強度很高的電場,一旦載流子進入其中,就會因為高能量變成熱載流子,并且在這時會出現(xiàn)新電子空穴對,兩者反應(yīng)便會影響集成電路的可靠性。因此,再加入強電場的情況下,電離發(fā)生的速度越來越快,熱載流子通過這種方式不斷提升自身的能量等級,經(jīng)過一段時間后能量趨于穩(wěn)定。使用這種方法,就可以保證熱載流子在反應(yīng)過程中各個參數(shù)保持在正常水平。

      2.2 數(shù)據(jù)的處理方法

      在處理元器件集成電路的熱載流子實驗數(shù)據(jù)時,通常有著具體的操作流程。一般情況下,該實驗的變換量電性與時間成比例,表現(xiàn)為冪函數(shù)關(guān)系。電性參數(shù)公式計算公式為:

      其中P(0)為參數(shù)原始數(shù)據(jù);P(t)為 t 時刻電性參數(shù)發(fā)生的演變量。此外,時間的間隔要選擇數(shù)字來表達此外,時間的間隔要選擇數(shù)字來表達,例如1s、2s、3s。

      在對熱載流子的穩(wěn)定性進行測試時,半導(dǎo)體集成電路通過不同的數(shù)據(jù)處理,能夠得到相對應(yīng)的測試參數(shù)。并且在之后熱載流子的試驗完成后,處理相關(guān)的數(shù)據(jù)時,將提前確定的各項參數(shù)與實驗數(shù)據(jù)相對應(yīng),直到得出的數(shù)據(jù)與預(yù)先設(shè)計的參數(shù)相符合。在后續(xù)的熱載流子實驗中,使用不同的樣本測驗的方法也不一樣。通過這些不同時間內(nèi)選擇的熱載流子周期和壽命,可以使實驗的結(jié)果更具說服力。熱載流子試驗中的壽命模型公式:

      公式中H代表擬合的線性參數(shù),IWB代表襯底電流,Id代表漏電流,W 為柵的寬度。

      3.測試柵氧化層的技術(shù)和處理數(shù)據(jù)方法

      在半導(dǎo)體集成電路的制作過程中,柵氧化層有著重要的作用。如果擴大了集成電路的規(guī)模,那么集成電路的厚度也隨之提升;如果減小元器件的質(zhì)量,它的厚度也隨之減小。由于柵氧化層有著很重要的作用,因此保障它的可靠性受到科研人員的重視。如果柵氧化層出現(xiàn)可靠性的問題,通常這些問題會出在缺陷密度、介質(zhì)擊穿方面。因此,在柵氧化層的測驗中主要采取的措施是:在相同時間節(jié)點上要聯(lián)系各因素作為對象,然后對其采取擊穿測試、斜坡電壓的測試。

      3.1 斜坡電壓的測試

      斜坡電壓測試實驗就是將高強度的斜坡電壓加到柵極的線性上,之后隨著電壓不斷增高,便會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。斜坡電流實驗與斜坡電壓不同,斜坡電流測驗時,實驗人員會將一定量的斜坡電流添加到柵極上,隨著電流的增強,養(yǎng)護層將會被擊穿。這兩種斜坡實驗,都是研究柵氧化層在存在缺陷的情況下,它的密度是如何變化的。一般情況下,實驗人員會將一定范圍內(nèi)的電壓加在柵氧化層上,如果氧化層被擊穿,則說明加入的電壓超過了承受電壓,進而證明了柵氧化層存在缺陷,是處于一個無效的狀態(tài)。這時實驗人員就可以通過Poisson分布為前提的成品率公式將這種缺陷計算出來,在計算成品率的公式中Y為成品率,就是有效的產(chǎn)品在總產(chǎn)品中所占的比例;A是被測驗樣品所占的面積;Do是該缺陷存在狀態(tài)下的密度。利用到斜坡電流和斜坡電壓實驗中得出的數(shù)據(jù),帶入到相應(yīng)的計算公式中就可以得出成品率,同時也能夠得出樣品的面積缺陷密度。如果得出的數(shù)據(jù)偏離正常的范圍,則說明缺陷密度的設(shè)置不符合設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)。

      3.2 介質(zhì)擊穿實驗

      介質(zhì)擊穿主要是指集成電路中的介質(zhì)被高電壓作用,使得電極間的電壓迅速下降至零點。試驗時,在柵極上加入理論承受范圍內(nèi)的強場,保證不會發(fā)生本征擊穿。而在通常情況下,氧化層會出現(xiàn)缺陷,一段時間后,仍然會有擊穿現(xiàn)象發(fā)生。因此,在對半導(dǎo)體集成電路的可靠性進行評價時,同樣時間下柵氧介質(zhì)發(fā)生的擊穿成為了主要因素。

      4.結(jié)語

      半導(dǎo)體集成電路在實際應(yīng)用中,可靠性是一個關(guān)鍵問題,它關(guān)系到電器是否能發(fā)揮應(yīng)有的作用和它工作的可靠性是否能得到保障。因此,還要通過多方面的實驗,探索更先進的數(shù)據(jù)處理方法,保證半導(dǎo)體集成電路的可靠性。

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