何明展 徐筱婷 鐘福偉 許芳波
(鵬鼎控股(深圳)股份有限公司,廣東 深圳 518105)
除通訊板外,終端使用的MIPI模塊 ,對高頻需求也在不斷提升,到了2020年對各組件頻率需求USB 3.1達5 GHz、內(nèi)存存儲UFS3.0達5.8 GHz、CSI (Camera)與DSI(Display)達1 GHz需求,見圖1?;谏鲜鍪謾C發(fā)展趨勢,對高頻模塊PCB有新的要求。
圖1 高頻模塊發(fā)展趨勢 (source:MIPI.ORG/DEVCON, 2018)
高頻模塊PCB的傳輸關(guān)鍵技術(shù)指標包含:(1)傳輸損耗為關(guān)鍵性指標;(2)輕薄短小, LCP(液晶聚合物)或低損耗PI(聚酰亞胺)撓性PCB可取代較厚的傳統(tǒng)同軸電纜天線傳輸線,具有更高的空間效率;(3)具有更好柔性達到更小的彎折半徑,提高空間利用率和彎折產(chǎn)品可靠性;(4)多層化也是高頻高速傳輸PCB發(fā)展的主力方向,例如在多家品牌手機中的攝像頭模塊多層結(jié)構(gòu),并且可以自由彎曲和成型;(5)高密度與集成化,隨著5G的發(fā)展和推動,頻段的增加及速率的提升的需求帶來更多的天線及MIMO的需求,傳輸線的設(shè)計方式也從單一信道演變?yōu)槎嗑€傳輸。 為達到這些需求,PCB從新材料、新技術(shù)、新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域做出變革,以實現(xiàn)高頻傳輸發(fā)展趨勢。
想要實現(xiàn)上述的高頻高速傳輸,最關(guān)鍵的就是低損耗因子的介質(zhì)層材料。隨使用頻率越高,訊號傳播路損也提高,尤其在3 GHz以上頻率,介質(zhì)損耗的影響遠大于導(dǎo)體損耗的影響,可由圖2(a)顯示 。
由圖2(b)介質(zhì)損耗公式所示,當(dāng)傳輸頻率越高,或是當(dāng)絕緣層材料的介電常數(shù)(Dk)及介電損耗(Df)值越高,介質(zhì)損耗就越大。此外,材料的介電常數(shù)也直接影響到阻抗的控制,例如當(dāng)使用到介電常數(shù)大的材料時(如FR-4的Dk4.2),就需減小導(dǎo)體寬(W)和增加介質(zhì)層厚(h)來維持阻抗的控制,過細的線路會使制程難度提高,降低良率,而介質(zhì)過厚不只使層間導(dǎo)通孔電鍍不易,成為技術(shù)開發(fā)瓶頸,也違背了產(chǎn)品輕薄短小的趨勢。
當(dāng)阻抗不匹配時,信號反射大幅增加,例如當(dāng)端口阻抗為50Ω,互連阻抗為60Ω時,最壞情況會有9.1%的能量被反射,這使插入損耗也增大。因此,對于PCB的阻抗控制亦是高頻板的管控重點,在加工和設(shè)計時我們一般控制的主要因素有:(1)Dk—介電常數(shù),(2)H—介質(zhì)厚度,(3)W—導(dǎo)線寬度,(4)t—導(dǎo)線厚度,(5)線路種類。
圖2 (a) 傳輸線中的導(dǎo)線損耗和介質(zhì)損耗關(guān)系圖 (b) 特性阻抗Z0
高頻段的使用越來越廣泛,為了降低損耗,而增厚介質(zhì)層;再者高階手機傾向使用多合一的訊號傳輸板與高集成化的模組板,以提高空間利用率。這些革新皆使得連接層(純膠)需求增大。
目前多層高頻傳輸板有幾種疊構(gòu),見圖3。
(1)全液晶聚合物疊構(gòu)(All LCP):電性最佳,但有以下三個主要問題:①漲縮控制不易;②壓合需要高于290℃高溫,制造多層板多次壓合后材料容易脆化;③LCP 剝離強度偏低(原材料規(guī)格4.9 N)。導(dǎo)致制程操作難度高,成本高且多層板可靠性較差。
將機電一體化技術(shù)充分應(yīng)用個到工程機械工作裝置中,可通過該技術(shù)對機械工程的傳統(tǒng)系統(tǒng)、發(fā)動機、液壓系統(tǒng)、制動系統(tǒng)等情況進行實時監(jiān)控,一旦其在運行的過程中,發(fā)生異?,F(xiàn)象,該技術(shù)就會準確找出故障發(fā)生的位置,并通過報警系統(tǒng)發(fā)生警報提示;可以說,通過機電一體化技術(shù)的應(yīng)用,可以及時發(fā)現(xiàn)機械設(shè)備運行過程中出現(xiàn)的故障,并采取有效的解決措施,保障生產(chǎn)的順利進行。同時,也在一定程度上提高了設(shè)備的使用壽命,為企業(yè)節(jié)省了一定的資金。
(2)液晶聚合物與低損耗純膠疊構(gòu) (LCP +lowDkBS):其電性佳且制程容易,僅受限于LCP材料產(chǎn)量有限。
(3)聚酰亞胺與低損耗純膠疊構(gòu)(normal PI +lowDkBS):其電性相對較差,但基板成本相對低,因此在產(chǎn)品電性需求允許范圍,可考慮之選項。
(4)低損耗聚酰亞胺與低損耗純膠疊構(gòu)(low loss PI +lowDkBS):其電性尚可,但能選用的low loss PI 并且與之可搭配的 lowDkBS材料十分有限。
圖3 高頻多層板疊構(gòu)
綜觀現(xiàn)有高頻方案,LCP撓性板基材擁有電性佳的優(yōu)點,但制程難度高,在一般的制程條件下漲縮控制僅能維持在1.0%~2.0%,造成產(chǎn)品線路及阻焊曝光對位與貼片對位困難;此外All LCP疊構(gòu)的剝離力強度化4.9 N,使得多層板可靠性有限。
因此使用液晶聚酰與低損耗純膠疊構(gòu)就成為一優(yōu)先選用的方案,并成為一重要課題。目前用于高頻的純膠不如一般電性能的軟板純膠有較長的量產(chǎn)經(jīng)驗,這些純膠材料在制程上也還有諸多問題(爆板/剝離強度化/對基材有選擇性)有待克服。本文評估五款低損耗純膠,并使用低損耗純膠制作出手機高頻傳輸模塊之三層撓性板產(chǎn)品。
高頻軟板純膠一般直接貼合在訊號線上,因此其材料電性對傳輸損耗的影響重大。在挑選純膠材料時,首要評估其介電常數(shù)(Dk)及介電損耗(Df)值,并選擇低吸水率的材料。常用高頻軟板純膠(見表1)。其中D純膠與E純膠有最低的Dk值,D純膠有最低的Df值.
高頻軟板純膠膠厚除了需與軟板銅厚匹配外,越厚的純膠會降低整體疊構(gòu)的插入損耗。然為了保持良好的動態(tài)撓折性,純膠在滿足電性能的條件下,應(yīng)越薄越好。
除此之外,為滿足手機高可靠性要求,低損耗純膠的選用原則應(yīng)遵循以下兩點:高剝離強度與高耐熱性。如表2所示,僅有其中A的HF**及B的ZI**低損耗純膠與PI 和LCP兩種類型的基板有良好工藝匹配性。在耐熱方面,B純膠顯示優(yōu)異的耐熱性能,由其搭配LCP可通過320 ℃ 30 s。C、D、E純膠則顯示對基板有選擇性, C純膠可PI搭配通過288 ℃ 10 s 耐熱性,D、E純膠與LCP搭配,耐熱性皆可達300 ℃ 以上的優(yōu)異水平。所有純膠與基板在適當(dāng)?shù)呐鋵ο?,皆具備良好的加工性?/p>
針對高頻高速開發(fā)流程見圖4。使用仿真軟件進行材料、疊構(gòu)及l(fā)ayout輔助設(shè)計,通過仿真結(jié)果修正設(shè)計,以模擬最優(yōu)化電性。確認電性符合需求后,接著進行樣品制作和功能測試。由于高頻傳輸產(chǎn)品電性需匹配客戶手機模塊需求,屬于客制化,從設(shè)計到制作的全流程完善方案,提供給客戶選擇最適合手機模塊的方案。仿真A、B及D三款純膠,比對操作性最佳之A、B純膠,與電性最好的(Dk、Df值最低)D純膠的插入損耗(S21)進行比對,A、B及D純膠在需求傳輸頻段5 GHz時的S21分別為-1.117、-1.183和-1.137 dB,純膠之間的損耗差異小于0.07 dB(見圖5),因此選擇操作性最佳之A、B純膠進行實際產(chǎn)品制作。
表1 高頻軟板中常用低損耗純膠
表2 常用低損耗純膠相關(guān)信息
圖4 高頻高速傳輸線開發(fā)流程圖
圖5 仿真A、B及D三款純膠
由于雙面板對于信號噪聲控制、阻抗的控制、串?dāng)_的控制與EMC控制均存在風(fēng)險,因此樣品設(shè)計三層板疊構(gòu)。三層板采用雙+單疊構(gòu)設(shè)計,信號線在L2層的帶狀線設(shè)計。雖然微帶線有更低的傳輸損耗,為避免受外界信號干擾的影響本產(chǎn)品測試仍采用帶狀線。疊構(gòu)的電源放置于L1層,與信號層分層設(shè)計,過孔采用盲孔設(shè)計。詳細疊構(gòu)與材料如圖6所示,選用A的HF**及B的ZI**低損耗純膠,進行比對測試。
圖6 三層板射頻(RF)傳輸高頻軟板測試疊構(gòu)
為了得到最大功率輸出, 這類產(chǎn)品都有阻抗要求,一般公差都在±10% ,控制線寬進行阻抗調(diào)整。因應(yīng)高頻的產(chǎn)品需求,阻抗公差控制將提升到單線 :±0.05Ω及雙線:±0.075Ω。本測試阻抗需求為(50±0.1)Ω,線長100 mm,其線寬0.125 mm時阻抗可以達需求。
插入損耗(insertion loss)為衡量高頻傳輸損耗最主要的數(shù)據(jù)之一,傳輸訊號的頻率越高,路徑損耗就越大,這會縮短高頻訊號的無線傳輸距離。例如在戶外空曠環(huán)境里,2.4 GHz無線裝置就比915 MHz裝置多出大約8.4 dB的路徑損耗 。因此傳輸損耗在高頻段,不同材料間的差異會越顯著。對比不同材料在需求頻段時的插入損耗,其值越接近零代表損耗越小。一般常用的wifi 頻段為2.4及5.8 GHz。
實測樣品采用keysight的E5071C網(wǎng)絡(luò)分析儀進行插損實測,采用Murata的同軸連接器,如圖6可以清楚看到,B的插入損耗在1 GHz頻段以后皆優(yōu)于A疊構(gòu),且使用頻率越高,優(yōu)勢越顯著,見圖7。
圖6 網(wǎng)分儀量測損耗
圖7 A與B純膠插入損耗測試比對
文章提供了RF傳輸?shù)母哳l三層軟板的低損耗純膠+LCP疊構(gòu)方案,此方案可以避免All LCP疊構(gòu)的制程技術(shù)難題。由選材評估顯示,現(xiàn)有市售的低損耗純膠在對不同類型的高頻基板仍有局限性,因此在客戶認證階段需要謹慎評估。其中B純膠顯示優(yōu)異的耐熱性能,由其搭配LCP可通過320℃ 30s熱沖擊,并且兼具良好的工藝匹配性。