何 貝

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作湖北中心 湖北 武漢 430070

一、H01L27/146領(lǐng)域CPC分類號(hào)分析

IPC對(duì)于H01L27/146僅有2個(gè)分類位置,CPC分類體系有71個(gè)分類位置,新增了69個(gè)分類位置,從結(jié)構(gòu)、類型和制造方法三個(gè)角度對(duì)H01L27/146進(jìn)行了細(xì)分。

涉及圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的分類號(hào)主要集中在H01L27/14601及其下位點(diǎn)組,主要包括H01L27/14603像素元件,地址線或者柵極電極的特殊幾何形狀或者布置,H01L27/14607感光區(qū)域的幾何形狀;H01L27/14614具有特殊柵結(jié)構(gòu)的晶體管,H01L27/14616 以晶體管的溝道為特征的,H01L27/14618 容 器,H01L27/14621 顏 色 過 濾 裝 置,H01L27/14623 光 學(xué) 屏 蔽,H01L27/1463像素隔離結(jié)構(gòu),H01L27/14627微型透鏡,H01L27/14629反射器,H01L27/14636互連結(jié)構(gòu),H01L27/1464背照式成像器結(jié)構(gòu)等。

按照成像器類型可以分為：H01L27/14643 MOS成像器、H01L27/14665光電導(dǎo)體層的成像器、H01L27/14678接觸型成像器、H01L27/14679JFET或SIT成像器和H01L27/14681雙極性晶體成像器和H01L27/148電荷耦合圖像器件等六大類。

涉及制造或處理成像器件或其零部件的方法或裝置的分類號(hào)集中在H01L27/14683及其下位組,主要包括H01L27/14685涂層或光學(xué)元件的工藝,H01L27/14687晶片級(jí)工藝,H01L27/14689 MOS技術(shù),H01L27/1469 組裝件,即混合集成,H01L27/14692 薄膜技術(shù),H01L27/14694 有源層,H01L27/14698用于器件的后處理等。

二、CPC分類號(hào)檢索實(shí)例

【案例一】

發(fā)明名稱：背照式CMOS影像傳感器及其制造方法申請(qǐng)?zhí)枺?01310210850.X

權(quán)利要求：一種背照式CMOS影像傳感器,其特征在于,包括：半導(dǎo)體基底,所述半導(dǎo)體基底包括正面及背面;所述半導(dǎo)體基底的背面形成有多片濾光片;每相鄰兩片濾光片之間形成有金屬遮蔽側(cè)墻,所述金屬遮蔽側(cè)墻的頂面等于或者高于所述濾光片的表面。

發(fā)明構(gòu)思：通過將金屬屏蔽側(cè)墻設(shè)置得足夠高(等于或高于濾光片的表面),以將光線限定在被照像素中,避免光線進(jìn)從金屬隔離的頂面反射,造成影像傳感器的像素之間的光學(xué)串?dāng)_。

檢索策略確定：本申請(qǐng)的關(guān)鍵技術(shù)手段為金屬屏蔽側(cè)墻等于或高于濾光片的表面,其作用為實(shí)現(xiàn)光學(xué)屏蔽,因而在CPC分類號(hào)中首先定位到分類號(hào)H01L27/14623(顏色過濾裝置相關(guān)的光學(xué)屏蔽),而H01L27/14621(顏色過濾裝置)則限定了濾光片。這兩個(gè)分類號(hào)體現(xiàn)了本案的關(guān)鍵技術(shù)手段,同時(shí)確定關(guān)鍵詞(Barrier?or shield+or block+)sfilter? 以限定金屬屏蔽側(cè)墻和濾光片的位置關(guān)系,檢索式如下：

1 VEN 597 /CPC H01L27/14621 and H01L27/14623

2 VEN 75916 (Barrier?or shield+or block+)s filter?

3 VEN 111 1 and 2√

在檢索式3中迅速發(fā)現(xiàn)可以評(píng)價(jià)本申請(qǐng)新創(chuàng)性的X 文件：US2013/0027577 A1,極大的提高了檢索效率。

【案例二】

發(fā)明名稱：CMOS圖像傳感器及其形成方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01310084627.5

權(quán)利要求：一種CMOS圖像傳感器,其特征在于,包括：基底,所述基底包括第一像素區(qū)域和與之相鄰的第二像素區(qū)域;位于所述基底內(nèi)的淺溝槽,所述淺溝槽位于第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域之間;覆蓋所述淺溝槽的底部和側(cè)壁的隔離層;位于所述淺溝槽內(nèi)的隔離層表面的導(dǎo)電層;覆蓋所述導(dǎo)電層的介電層,所述介電層和隔離層共同包裹所述導(dǎo)電層。

發(fā)明構(gòu)思：本申請(qǐng)通過對(duì)像素間的隔離溝槽進(jìn)行改進(jìn),在淺溝槽內(nèi)形成與各像素區(qū)域相隔離的導(dǎo)電層,以使相鄰像素區(qū)域的光生載流子更多的匯集在光電轉(zhuǎn)換部,防止串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。

檢索策略確定：本案的關(guān)鍵技術(shù)手段涉及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),因此迅速定位到分類號(hào)H01L27/1463成像器件的隔離結(jié)構(gòu),該權(quán)利要求還限定了隔離溝槽位于相鄰像素之間,由此確定分類號(hào)為H01L27/14609圖像傳感器的像素元件,同時(shí)對(duì)發(fā)明點(diǎn)溝槽內(nèi)填充導(dǎo)電層進(jìn)行關(guān)鍵詞表達(dá)(trench?or groove?or STI)s(conduct+or metal),檢索式如下：

1 VEN 496 /CPC H01L27/1463 and H01L27/14609

2 VEN 158515 (trench?or groove?or STI)s(conduct+or metal)

3 VEN 31 1 and 2√

檢索式3 中發(fā)現(xiàn)多篇影響本申請(qǐng)創(chuàng)造性的X 文件,其中US2012153127 A1公開了產(chǎn)品和方法步驟。極大的提高了檢索效率。

通過對(duì)圖像傳感器領(lǐng)域的CPC分類體系情況及其在檢索中的應(yīng)用可以看出CPC分類系統(tǒng)相較于IPC具有明顯優(yōu)勢(shì),我們應(yīng)密切關(guān)注CPC的發(fā)展動(dòng)態(tài)和研究成功,并在實(shí)際工作中積極加以運(yùn)用,進(jìn)一步提高檢索水平和審查質(zhì)量。