唐鈺,付泳
(1 中國電子科技集團公司第二十研究所,西安 710068;2 火箭軍駐燕山電子設備廠軍代室,北京 100192)
羅蘭C大功率發(fā)射機作為長波陸基導航授時系統(tǒng)的核心設備,在整個系統(tǒng)中起到舉足輕重的作用,由于羅蘭C發(fā)射機的頻率與帶寬的特殊性,其功率合成技術(shù)已經(jīng)成為關(guān)鍵性的技術(shù)難點。本文通過數(shù)學公式模型的推導與仿真,詳細描述了羅蘭C高功率發(fā)射機的半波產(chǎn)生、功率合成與波形調(diào)制原理,并對影響波形的相關(guān)電路的關(guān)鍵參數(shù)進行了分析。
如圖1所示,羅蘭C功率發(fā)射機包含控制單元,半波產(chǎn)生單元、功率合成單元、耦合輸出單元以及塔式天線等[1]。
400英尺塔式天線作為羅蘭C高功率發(fā)射機的負載,根據(jù)頻率與阻抗的關(guān)系,在100 kHz中心頻率下的等效電路模型如圖2所示,其為一個串聯(lián)諧振模型,電流與頻率的關(guān)系如式(1)、式(2)所示。由于天線阻抗的動態(tài)變化,增加可調(diào)電感作為反饋調(diào)制以保證阻抗匹配[4]。
半波功率產(chǎn)生模塊如圖3所示,實際上的功能是產(chǎn)生一個正弦半周波形。理論上的公式如式(1)、式(2)所示:
圖1 羅蘭發(fā)射機原理圖
圖2 羅蘭發(fā)射機天線等效電路模型
圖3 半波產(chǎn)生器原理圖
其中:E0表示由于前級的電容器C形成的虛擬電壓源電壓;L表示電感;R表示理想情況下的電阻(不包含Rsw)。
理論上,當XC/R為無窮大時,即Ef/E0等于1時(其中Ef表示電感充電電動勢),半波形為一個理想的正弦波。但實際工程應用中,我們一般按0.3效率值進行計算推導,如式(3)所示。這樣我們就推導出實際半波峰電流與電壓的關(guān)系。
多個半周合成如圖4所示,這里產(chǎn)生若干個前面所述的半波產(chǎn)生器,其相位相差180°,通過一定時序開關(guān)控制不同數(shù)量的半波產(chǎn)生器,在功率合成結(jié)點形成正負相位的波形,其幅度由各組參與的半波發(fā)生器的個數(shù)決定[3]。
圖4 半波位置關(guān)系與合成
為了能夠單獨調(diào)節(jié)功率合成點的阻抗與帶寬,如圖5(b)所示,這里增加一級變壓器以保證整個節(jié)點的并聯(lián)電容與電感值的動態(tài)可調(diào)從而實現(xiàn)阻抗與帶寬的調(diào)節(jié)。
圖5 耦合輸出網(wǎng)絡
Vg與ig的公式如下所示:
其中:i2p表示天線的瞬時峰值電流;X2表示天線在100kHz頻點的容抗;X1為功率合成結(jié)點在100kHz頻點的容抗;f0為100kHz;tp為峰值電流時間;K12為雙調(diào)諧電路耦合系數(shù);Q1為功率合成諧振器Q值;Q2為諧振天線的Q值。
前面我們分析羅蘭發(fā)射機的各部分功能與實現(xiàn)電路,這里我們假設需要的電流為
如圖5(b)所示,簡單的基爾霍夫定理已經(jīng)無法完成功率合成結(jié)節(jié)的電路計算,這里我們通過對電流式(5)進行分析,不難發(fā)現(xiàn)三個變量決定了整個電流的波形,它們分別是d1、d2、k12。
·由于羅蘭發(fā)射機的天線的帶寬是非常窄的,所以諧振天線的Q2值是非常高的,工程上我們一般按數(shù)十倍計算,所以
·同樣的道理,Q1表示功率合成點衰減系數(shù),實際應用中我們也是希望功率合成的能量損失的越小越好,工程上這個值一般在50~60左右,所以
·最后,由于k12=K12f0tp,可以發(fā)現(xiàn)最終影響天線電流波形的是雙調(diào)諧電路耦合系數(shù)(K12),也就是耦合網(wǎng)絡中的磁線圈系數(shù)。如圖6所示,通過仿真我們也證明這點。當k12=7.0時,電流波形失真度最小。
圖5 k12=7.0電流波形
圖6 k12=1.1電流波形
圖7 k12=0.7 電流波形
本文通過羅蘭C大功率發(fā)射機各個功能模塊的數(shù)學模型的分析與推導,以及相關(guān)的仿真結(jié)果,可以得到以下結(jié)論:在功率與頻點一定的情況下,真正影響整個羅蘭波形質(zhì)量的是d1,d2,k12三個參數(shù),而實際工程中,在d1,d2采用經(jīng)驗值取值情況下,真正影響羅蘭波形的關(guān)鍵參數(shù)為k12(雙調(diào)諧電路耦合系數(shù))。所以在變壓器的參數(shù)一致性以及材料的選擇和工藝上需要嚴格的把控。