本報訊 近日，寧波杭州灣新區(qū)與中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司全資子公司——華大半導(dǎo)體有限公司完成寬禁帶半導(dǎo)體材料項目簽約，為“名城名灣”建設(shè)再添“芯”動能。

寧波杭州灣新區(qū)負責(zé)人指出，該項目系浙江省首個第三代半導(dǎo)體材料項目，項目總投資10.5億元，計劃年產(chǎn)8萬片4英寸～6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于5G通信、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

華大寬禁帶半導(dǎo)體材料項目專注半導(dǎo)體制造過程的前端工序——半導(dǎo)體材料，而且還是屬于時下發(fā)展大熱門的第三代半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體材料即以碳化娃、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，已成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和競爭焦點，是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。該項目的簽約對寧波杭州灣新區(qū)搶占下一代信息技術(shù)制高點具有較大發(fā)展意義。寬禁帶半導(dǎo)體材料項目的“落子”，蘊含著寧波杭州灣新區(qū)完善集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，搶抓半導(dǎo)體材料技術(shù)迭代發(fā)展機遇的決心。