禁帶
- 我國首顆15.24 cm氧化鎵單晶成功制備
氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優(yōu)異的物理化學特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應(yīng)用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。據(jù)了解，中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于15.24 cm氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了15.24 cm氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于15.24 cm氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧
有色金屬材料與工程 2023年2期2023-05-30
- 面向航空結(jié)構(gòu)低頻振動的力電耦合超材料板設(shè)計
負的等效參數(shù)產(chǎn)生禁帶，阻隔彈性波傳播，因此被廣泛探索用于梁、板、殼等工程結(jié)構(gòu)的減振設(shè)計［2-4］。然而，超材料在工程中用于低頻減振依然存在一些難以克服的問題。首先，超材料實現(xiàn)低頻禁帶需要引入較大額外質(zhì)量，并且引入的質(zhì)量隨著頻率的降低而增加，雖然縮減附加在結(jié)構(gòu)上的諧振子個數(shù)可減少附加質(zhì)量，但禁帶阻隔彈性波完全消除共振的效果可能減弱（甚至消失），僅能利用諧振子的阻尼效應(yīng)降低共振幅值［5-6］。其次，由于強頻散特性，局域諧振產(chǎn)生的帶隙狹窄，無法實現(xiàn)寬頻的減振效果
航空學報 2023年5期2023-04-19
- “寬禁帶功率半導體器件”專題前言
耗的應(yīng)用要求。寬禁帶功率半導體器件具備臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高、工作溫度高等特點，可在新能源汽車、光伏、消費類電子等應(yīng)用領(lǐng)域中實現(xiàn)對電能的高效管理。《“十四五”規(guī)劃綱要和2035年遠景目標綱要》明確提出以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體是我國集成電路領(lǐng)域的重點攻關(guān)方向之一。近年來，以SiC與GaN為代表的寬禁帶半導體和以氧化鎵（Ga2O3）為代表的超寬禁帶半導體材料、器件和應(yīng)用等技術(shù)取得了令人矚目的進步，但是其成熟、廣泛的應(yīng)
電子與封裝 2023年1期2023-03-08
- 特約主編寄語
aN)為代表的寬禁帶半導體材料由于其寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，成為制作大功率、高頻、高溫及抗輻照電子器件的理想替代材料。隨著SiC單晶生長技術(shù)、外延材料工藝和GaN異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)的不斷成熟，寬禁帶半導體功率器件的研制和應(yīng)用在近年來得到迅速發(fā)展，人們對SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場合，以及GaN在快充和信息電子領(lǐng)域的應(yīng)用前景寄予厚望。深入探索寬禁帶器件的材料及應(yīng)用特性，最大限度發(fā)揮寬禁帶器件的性能，成為寬禁帶半導體
電氣傳動 2023年1期2023-03-08
- 基于禁帶機理的加筋板減振設(shè)計方法
期性。聲子晶體等禁帶周期結(jié)構(gòu)概念的提出,為振動控制提供了新的思路。彈性波在這類周期結(jié)構(gòu)中傳播時,由于結(jié)構(gòu)內(nèi)部幾何形狀、材料參數(shù)或邊界條件等周期性地變化,導致在某一頻帶內(nèi)形成特殊的傳播關(guān)系,從而抑制彈性波的傳播,該頻帶即被稱為禁帶(或帶隙)。現(xiàn)階段有3種構(gòu)造禁帶的機理,可以構(gòu)造布拉格禁帶、局域共振禁帶和耦合禁帶,利用周期結(jié)構(gòu)的禁帶特性可以達到減振降噪的目的。雖然現(xiàn)有研究早已指出周期結(jié)構(gòu)中彈性波禁帶中結(jié)構(gòu)響應(yīng)明顯降低,但在工程實踐中仍少見基于此原理,對工程周期
航空學報 2022年9期2022-10-12
- Lieb莫爾光子晶格及其光子學特性研究
出比子晶格更寬的禁帶以及更平的能帶［7-10］，實驗上光子莫爾晶格可以采用多種方式產(chǎn)生，如葉芳偉等［11-12］提出的在光折變晶體中通過光強誘導方法構(gòu)造光子莫爾晶格，實現(xiàn)了空間光孤子的調(diào)控。曾健華等［13］提出在相干原子氣體中基于電磁誘導產(chǎn)生光子莫爾晶格。馬仁敏等［14］基于半導體多量子阱膜疊加的方法設(shè)計了光子魔角激光器。因此，光子莫爾晶格具有寬禁帶以及平帶特性，旋轉(zhuǎn)角提供更多的調(diào)控自由度，是一種極具前景的新型光子學研究平臺。光子禁帶和平帶是光子晶體的兩個
光子學報 2022年6期2022-07-27
- 一維光子晶體的濕敏禁帶特性研究
,從而會形成光子禁帶[7,8]。一維光子晶體因其結(jié)構(gòu)簡單、易于制備而受到極大關(guān)注和廣泛地研究,如一維光子晶體太赫茲波段的透射特性[9]、一維光子晶體生物傳感器[10]、一維光子晶體濾光器件[11]等。一維光子晶體結(jié)構(gòu)被特定光波入射后會產(chǎn)生透射光譜,而透射光譜中會產(chǎn)生禁帶,禁帶結(jié)構(gòu)與其構(gòu)成材料的光學性能有關(guān)。當外界環(huán)境變化時,會致使構(gòu)成一維光子晶體的介質(zhì)的光學性能變化,而介質(zhì)的光學性能變化會致使其所構(gòu)成的一維光子晶體的光子禁帶發(fā)生變化。于是,外界環(huán)境濕度變化
量子電子學報 2022年3期2022-06-10
- 發(fā)展寬禁帶半導體不能只拿來不創(chuàng)新
寬禁帶半導體（又稱第三代半導體）器件和材料產(chǎn)業(yè)已在國內(nèi)外開始部署。近年來，迅速發(fā)展起來的（超）寬禁帶半導體材料是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，有望成為支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料。中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍介紹，寬禁帶半導體最明顯的特征是它的半導體禁帶寬度寬，在材料的性質(zhì)方面更接近絕緣體。因此，以氮化鎵和碳化硅為代表的這類寬禁帶半導體材料擁有擊穿
張江科技評論 2022年1期2022-02-23
- 浙大杭州科創(chuàng)中心研制出首批碳化硅晶圓
氮化鎵為代表的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)。5月上旬，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（以下簡稱科創(chuàng)中心）研制出首批碳化硅晶圓，這是繼2020年11月首個碳化硅單晶錠成功制備后，取得的又一重要進展，標志著科創(chuàng)中心擁有了在碳化硅晶圓加工方面開展高水平研究的能力。先進半導體研究院首個碳化硅單晶誕生2020年11月，浙大杭州科創(chuàng)中心先進半導體研究院首爐碳化硅單晶成功“出爐”，這是研究院的半導體材料研究室在科創(chuàng)中心首席科學家楊德仁院士指導下取得的階段性成果，這標志著經(jīng)過前期緊鑼密鼓的
中國科技財富 2021年6期2021-07-10
- 二維函數(shù)光子晶體不同函數(shù)形式對帶隙結(jié)構(gòu)的調(diào)控
性得到較寬的光子禁帶[15-16], 如改變散射子形狀及晶格結(jié)構(gòu)[17]、 采用復(fù)合式結(jié)構(gòu)[18]或用各向異性介質(zhì)材料代替各向同性材料[19]等方法. 但在實際中實現(xiàn)這些方法均存在困難, 如采用復(fù)合式結(jié)構(gòu)方法會使光子晶體的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜, 且不適合工藝制造. 文獻[20]設(shè)計了一種二維函數(shù)光子晶體, 可通過對介質(zhì)柱施加電場、 光場和磁場[21]改變其折射率. 在此基礎(chǔ)上, 本文利用平面波展開法研究二維函數(shù)光子晶體介質(zhì)柱介電常數(shù)不同的線性函數(shù)形式對橫電(TE)
吉林大學學報（理學版） 2021年3期2021-05-26
- 原子質(zhì)量對一維三原子鏈色散關(guān)系的影響
3，存在兩個頻率禁帶，即低頻光學波與聲學波之間的頻率禁帶ωg1和高、低頻光學波之間的頻率禁帶ωg2.孫美慧[5]在此基礎(chǔ)上討論了一維三原子鏈與一維單原子鏈色散關(guān)系的內(nèi)在聯(lián)系，并未對頻譜寬度以及頻率禁帶進行深入研究.本文以原胞內(nèi)原子質(zhì)量分別為m1、m2和m3的一維三原子鏈為研究對象，在恢復(fù)力系數(shù)不變的情況下分析原子質(zhì)量對頻譜寬度Δω1、Δω2和Δω3以及頻率禁帶ωg1和ωg2的影響規(guī)律，研究結(jié)果可為晶體帶通濾波器的設(shè)計及晶體的性質(zhì)分析提供理論依據(jù)，也是對固體
大學物理 2021年4期2021-04-08
- 含諧振單元和彈性支承諧振單元的聲子晶體低頻禁帶特性研究
，特別是局域共振禁帶機理[6]的提出，為低頻振動控制提供了重要理論支持[7-9]。在對聲子晶體的研究中，彈簧質(zhì)量鏈模型因其結(jié)構(gòu)簡單、力學模型清晰而受到學者的青睞。早在2003年，Jensen[10]通過彈簧質(zhì)量鏈模型研究了材料屬性周期分布的一維和二維結(jié)構(gòu)。此外，對局域共振聲子晶體的研究表明，其共振模式與多自由度系統(tǒng)的共振模式具有相似性[11]。因此，能夠?qū)⑦B續(xù)體模型簡化為彈簧質(zhì)量鏈模型，進而探索其低頻段的動力學特性。通過這種簡化方式，學者們分別研究了含有單
人工晶體學報 2021年1期2021-02-23
- 邁向全新的產(chǎn)業(yè)時代 三問三答第三代半導體材料
的英文翻譯是“寬禁帶半導體”材料。從材料性質(zhì)角度來看，“寬禁帶”才是真正的第三代半導體的最大特點。那么，什么是寬禁帶呢？問題二：什么是寬禁帶？它的獨特性質(zhì)是什么？要說清楚禁帶，首先我們得了解一些基本的晶體結(jié)構(gòu)和量子力學的知識。下面本文盡量以簡單和方便理解的描述方法進行解釋。根據(jù)量子力學最基本的假設(shè)，能量在原子、電子這個級別的微觀尺度下是不連續(xù)的。舉例來說，以氫原子為例，氫原子外電子的能級從最低的-13.6E/eV開始，一直到-3.4E/eV、-1.51E/
微型計算機 2021年2期2021-02-04
- 基于全電子方法和TB-mBJ勢的硫化鎘多型體能帶結(jié)構(gòu)計算
和價帶邊，較窄的禁帶寬度、良好的光導電性和較高的電子親和能等優(yōu)點，適宜在可見光下用于分解水制氫而受到廣泛研究.Kaveri[3]等通過浸漬法制得CdS/rGO,其對甲基橙的降解率可在120min內(nèi)達到99%.Yan[4]等合成了Pt-PdS/CdS光催化劑，可見光下量子效率達到93%.CdS的熱力學穩(wěn)定相是纖鋅礦結(jié)構(gòu)(w-CdS)[5-6]，閃鋅礦結(jié)構(gòu)的CdS(zb-CdS)[7-8]也很常見.在高壓下，纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)CdS都會轉(zhuǎn)變?yōu)閹r鹽礦結(jié)構(gòu)Cd
復(fù)旦學報（自然科學版） 2020年2期2020-05-20
- 晶態(tài)納米纖維素的多色圓偏振熒光性能
列相的手性及光子禁帶決定[33].晶態(tài)納米纖維素(CNC)是溶質(zhì)型液晶,當懸浮液達到臨界濃度時,自組裝形成左旋手性向列型結(jié)構(gòu),干燥成膜后能夠保持該介觀手性結(jié)構(gòu),其光子禁帶從近紫外到近紅外范圍可調(diào)[33],在光學、 不對稱催化、 光學加密及生物醫(yī)學等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛能[8,34～37].本課題組[8,16]揭示了CNC基手性向列相的圓偏振機制并獲得glum值高達-0.74的右旋圓偏振熒光.目前,寬禁帶CNC膜材料的研究仍處在起步階段,前文[38]報道了雙色圓偏
高等學?；瘜W學報 2020年5期2020-05-19
- 含負折射率材料的一維雙周期光子晶體帶隙特性
據(jù)一維光子晶體的禁帶特性及其缺陷模式的帶隙特性制成的光學器件已被廣泛應(yīng)用于很多領(lǐng)域,如窄帶濾波器、光開關(guān)、傳感器、激光、反射器等[3-7],構(gòu)成這些光學器件的一維光子晶體基本是由常規(guī)折射率材料(材料的折射率n,介電常數(shù)ε和磁導率μ均大于零)組成的.負折射率材料,又稱為左手材料,介電常數(shù)ε和磁導率μ至少有一個為負值,因此光波在左手材料中的傳播特性與在右手材料中傳播特性不同[8-13].所以,在常規(guī)的一維光子晶體中引入負折射率材料能夠改變其光學性能,其帶隙特性
沈陽大學學報(自然科學版) 2020年2期2020-05-05
- 太赫茲光子晶體波導傳輸特性研究
;二維光子晶體;禁帶中圖分類號：O734? ? ? ? ?文獻標志碼：A? ? ? ? ?文章編號：2095-2945（2020）08-0019-02Abstract： In this paper， the band structure of TM mode and the transmission characteristics of terahertz wave in two-dimensional photonic crystals with def
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2020年8期2020-03-13
- 二維太赫茲光子晶體能帶結(jié)構(gòu)研究
時域有限差分法;禁帶中圖分類號：O734? ? ? ? ?文獻標志碼：A? ? ? ? ?文章編號：2095-2945（2020）07-0009-03Abstract： In this paper， plane wave method and finite-difference time-domain method are used to study the band structure of TM mode of 2D terahertz photoni
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2020年7期2020-02-29
- 一維光子晶體無序膜厚擾動的分析及優(yōu)化
.該方案可以保證禁帶中心位置不發(fā)生過大偏移，同時可降低制備精度要求，降低工業(yè)生產(chǎn)成本.1 結(jié)構(gòu)模型和計算方法通過傳遞矩陣法(transfer matrix method，TMM)分析結(jié)構(gòu)光學性質(zhì).第k層特征矩陣可表示為(1)在實際鍍膜過程中，光子晶體膜層的厚度會在設(shè)計值附近浮動.周期性無序擾動的薄膜模型是指在周期性結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，周期單元的厚度相對設(shè)計值有一定偏移.采用期望值為0，方差為σ2的正態(tài)分布來描述厚度隨機波動的情況.每一層薄膜的實際厚度為d實際=d
深圳大學學報（理工版） 2020年1期2020-01-06
- 二維結(jié)構(gòu)光子晶體太赫茲波禁帶特性研究
量，具有光子頻率禁帶特性存在二維空間各方向上的材料，介質(zhì)桿被平行而均勻的排列組成了二維光子晶體.二維光子晶體結(jié)構(gòu)的方向與介質(zhì)桿的方向垂直，而介質(zhì)桿兩個方向上的介電函數(shù)是空間位置的周期性函數(shù)[4～5].光子晶體有三個關(guān)鍵的性質(zhì)，分別是光子禁帶、光子局域特性和抑制自發(fā)輻射，它們是光子晶體應(yīng)用的基礎(chǔ)，光子晶體正是根據(jù)這些特性，才呈現(xiàn)出了非常好的應(yīng)用前景[6～8].目前太赫茲二維光子晶體濾波器的響應(yīng)頻段未處于太赫茲大氣通信窗口、工作帶寬較窄、紋波較大、濾波邊帶不夠
棗莊學院學報 2019年5期2019-09-23
- 一維Si/SiO2光子晶體在近紅外波段濾波特性研究
陷材料的厚度分析禁帶中透射峰特性，改變?nèi)肷浣茄芯縏E模與TM模下禁帶及透射峰特性，以期實現(xiàn)在近紅外波段的窄帶寬高透射精準濾波，為近紅外波段濾波器件的應(yīng)用提供了一種可行性方案。1 光子晶體結(jié)構(gòu)模型和數(shù)值計算方法一維光子晶體模型為(Si/SiO2)ND(Si/SiO2)N結(jié)構(gòu)，如圖1所示。在近紅外波段取Si和SiO2的折射率[18-19]分別為nSi=3.5，nSiO2=1.45，設(shè)定高折射率材料Si的厚度為d1，低折射率材料SiO2的厚度為d2，缺陷材料D的
太原理工大學學報 2019年3期2019-05-30
- 聲子晶體板中低頻寬禁帶的形成機理
中形成的具有聲子禁帶特性的周期復(fù)合材料或結(jié)構(gòu)稱為聲子晶體,當彈性波在其中傳播時,聲子禁帶內(nèi)的波會被抑制[1]。由于聲子晶體的禁帶特性具有廣泛的應(yīng)用價值,可用于濾波、波導以及工程減振等領(lǐng)域[2],因此對其研究受到了普遍關(guān)注[3]。依據(jù)聲子禁帶的形成方式,聲子晶體可分為兩種類型,一種是布拉格型聲子晶體[4],因其禁帶主要由散射體對波的各種周期性調(diào)制而產(chǎn)生,致使禁帶波長較大[5-6],無法實現(xiàn)低頻應(yīng)用;另一種是局域共振型聲子晶體[7],因其禁帶主要由振子的共振引
西安交通大學學報 2018年12期2018-12-12
- 可調(diào)諧光子晶體濾波特性研究
配，可能形成光子禁帶，頻率與禁帶對應(yīng)的電磁波會被禁止傳播。在光子晶體中摻入雜質(zhì)，將破壞光子晶體的周期性結(jié)構(gòu)，增加相應(yīng)頻率光子的態(tài)密度[1]，某些頻率的光可以有效甚至無損失地通過光子禁帶。這些特性使得光子晶體可以控制電磁波或光子的傳播[2]。光子晶體已廣泛應(yīng)用于激光器、濾波器和光傳感器等諸多方面[3,4]。一維光子晶體濾波器由于結(jié)構(gòu)簡單、便于制備而得到了學者的廣泛關(guān)注和深入研究。從應(yīng)用的角度來看，可調(diào)諧濾波器具有更大的價值。改變光子晶體的外部參數(shù)如溫度、電場
唐山師范學院學報 2018年3期2018-06-13
- 加強寬禁帶半導體材料的研發(fā)與應(yīng)用
寬禁帶半導體材料的研發(fā)與應(yīng)用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。其中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點新材料。中國工程院院士屠海令認為，發(fā)展寬禁帶半導體材料需要關(guān)注以下幾點。（1）寬禁帶半導體材料及應(yīng)用具有學科交叉性強、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點，需要做好頂層設(shè)計，進行統(tǒng)籌安排。中國在SiC、GaN半導體材料的基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、產(chǎn)業(yè)化
張江科技評論 2018年1期2018-02-03
- 寬絕對禁帶的一維磁性光子晶體結(jié)構(gòu)?
到修改稿)寬絕對禁帶的一維磁性光子晶體結(jié)構(gòu)?陳敏 萬婷 王征 羅朝明?劉靖(湖南理工學院信息與通信工程學院,復(fù)雜工業(yè)物流系統(tǒng)智能控制與優(yōu)化湖南省重點實驗室,岳陽 414006)(2016年4月22日收到;2016年10月16日收到修改稿)提出了一種具有寬絕對禁帶的一維磁性光子晶體結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由相同的折射率和物理厚度以及不同的波阻抗的兩種磁性材料交替組合而成.通過傳輸矩陣法分析可得,相比于非磁性光子晶體,該光子晶體的禁帶對入射角和偏振都不敏感,從而具有更寬的
物理學報 2017年1期2017-07-31
- 結(jié)構(gòu)參數(shù)對正負缺陷一維光子晶體透射譜的影響
磁波頻率落入光子禁帶中被阻止傳播，也就是說光子無法從光子禁帶中透過。利用光子晶體具有光子帶隙這一重要特征，人們可以根據(jù)需要來控制、調(diào)節(jié)光子的運動。研究表明，在介質(zhì)中引入缺陷，使得光子帶隙形成缺陷態(tài)，通過控制缺陷介質(zhì)的材料性質(zhì)或光子晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)來調(diào)控缺陷態(tài)的位置，從而使得人為控制光行為成為了可能。這些特性的發(fā)現(xiàn)，使得光子晶體在光濾波器、全反射鏡、激光二級管、光開關(guān)等新型器件的設(shè)計具有重要指導價值[3-5]。雖然目前有關(guān)光子晶體的理論研究已經(jīng)趨于成熟，但是有關(guān)
河池學院學報 2017年2期2017-06-22
- 嵌套型開縫圓管聲子晶體的帶隙影響因素研究
限元法對該結(jié)構(gòu)的禁帶和透射系數(shù)進行了數(shù)值計算并搭建實驗臺進行了實驗驗證,獲得了在晶格常數(shù)不變情況下該結(jié)構(gòu)的帶隙影響因素和禁帶調(diào)節(jié)方法。研究結(jié)果表明,嵌套型開縫圓管結(jié)構(gòu)具有低頻禁帶特點,能夠在500 Hz左右得到寬禁帶。在晶格常數(shù)恒定的條件下,內(nèi)管縫向和位置參數(shù)對結(jié)構(gòu)的低頻禁帶具有有效的調(diào)節(jié)作用,能夠?qū)⒌皖l禁帶起始頻率降低到250 Hz,其原理為產(chǎn)生并增強亥姆霍茲共鳴效應(yīng),因此這種禁帶調(diào)節(jié)方法在聲子晶體制備后仍然能夠?qū)崿F(xiàn)多頻段、寬頻帶的帶隙調(diào)節(jié)。同時,玻璃棉
西安交通大學學報 2016年4期2016-12-23
- 聲子晶體板中低頻完全禁帶形成機理研究
晶體板中低頻完全禁帶形成機理研究李鎖斌1,2,陳天寧1,2,奚延輝1,2,王小鵬1,2(1.西安交通大學機械工程學院,710049,西安;2.西安交通大學機械結(jié)構(gòu)強度與振動國家重點實驗室,710049,西安)針對固體基局域共振型聲子晶體中難以出現(xiàn)100 Hz以下的完全彈性波禁帶問題,提出了一種新型聲子晶體板,其結(jié)構(gòu)由錐形復(fù)合散射體周期性陣列于一個二維二組元聲子晶體板兩邊構(gòu)成。采用有限元方法對其禁帶特性和禁帶形成機理進行理論研究,獲得了聲子晶體板中低頻完全禁
西安交通大學學報 2016年12期2016-12-22
- 級聯(lián)對稱結(jié)構(gòu)光子晶體的透射譜特性
中出現(xiàn)帶寬較寬的禁帶，且禁帶隨介質(zhì)層物理厚度的增大向長波方向移動(藍移現(xiàn)象)；當光子晶體為單級聯(lián)對稱結(jié)構(gòu)(AnBn)5(BnAn)5時，禁帶中出現(xiàn)1條透射率為100%的精細透射峰，具有對稱結(jié)構(gòu)光子晶體的透射譜特征，且禁帶及禁帶中的單透射峰隨介質(zhì)層物理厚度的增大也出現(xiàn)藍移現(xiàn)象；當級聯(lián)數(shù)目增多構(gòu)成多級聯(lián)對稱結(jié)構(gòu)光子晶體(A1B1)5(A2B2)5…(AnBn)5(BnAn)5…(B2A2)5(B1A1)5時，透射譜中出現(xiàn)帶寬很寬的禁帶，且禁帶隨介質(zhì)層物理厚度的
河池學院學報 2016年5期2016-12-22
- 二維硅基蜂窩狀空氣環(huán)型光子晶體禁帶特性研究
空氣環(huán)型光子晶體禁帶特性研究劉 丹*，胡 森，肖 明，王 筠，童愛紅，吉紫娟(湖北第二師范學院 物理與機電工程學院 信息科學與技術(shù)研究院，武漢 430205)構(gòu)建了二維硅基蜂窩狀空氣環(huán)型光子晶體.采用平面波展開方法，得到了硅基蜂窩狀空氣環(huán)型光子晶體的能帶結(jié)構(gòu)，分析了空氣孔半徑及介質(zhì)柱半徑對完全禁帶寬度的影響，發(fā)現(xiàn)硅基空氣環(huán)型光子晶體結(jié)構(gòu)的完全禁帶寬度值很小，無法優(yōu)于傳統(tǒng)硅基空氣孔型光子晶體結(jié)構(gòu).為了有效增大硅基蜂窩狀空氣環(huán)型光子晶體的完全禁帶，本文將內(nèi)芯介
華中師范大學學報（自然科學版） 2016年5期2016-11-29
- 基于傳輸矩陣方法的一維光子晶體禁帶結(jié)構(gòu)分析
法的一維光子晶體禁帶結(jié)構(gòu)分析趙華（黔南民族師范學院物理與電子科學學院，貴州都勻558000）利用傳輸矩陣的方法，研究了一維光子晶體中光波的傳輸特征。通過數(shù)值計算，討論了光子晶體的介質(zhì)的層數(shù)、介質(zhì)層的厚度以及介電常數(shù)對光子晶體禁帶結(jié)構(gòu)特征的影響，這對于光子晶體的設(shè)計具有一定的參考作用。光子晶體；傳輸矩陣；禁帶光子晶體的概念在1987年由Yablonotich首次提出［1］，是一種人造周期性結(jié)構(gòu)，由折射率周期性變化的介質(zhì)組成。光在這種結(jié)構(gòu)中傳播時，某些頻率的光
黑龍江科學 2016年18期2016-10-26
- 納米半導體合金禁帶寬度的尺寸、成分效應(yīng)
）納米半導體合金禁帶寬度的尺寸、成分效應(yīng)何云華，李明① （淮北師范大學 物理與電子信息學院，安徽 淮北 235000）基于熔化溫度的尺寸效應(yīng)模型，通過考慮原子間交互作用力，建立納米半導體合金禁帶寬度尺寸、成分效應(yīng)模型.根據(jù)該模型，納米半導體合金的禁帶寬度隨尺寸的減小而增大，當納米尺寸小于5 nm時，禁帶寬度隨成分的變化接近線性關(guān)系.隨著尺寸的增大，在彎曲常數(shù)的作用下，禁帶寬度從近似線性函數(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷€性函數(shù).函數(shù)模型預(yù)測結(jié)果與實驗結(jié)果具有很好的一致性，證實模
淮北師范大學學報(自然科學版) 2016年2期2016-09-07
- 異質(zhì)單周期內(nèi)對稱光子晶體的光子帶隙特性
，通過獨特的光子禁帶可以人為選擇，讓某一頻率的光透過，光子晶體制成的光波導，被廣泛地應(yīng)用于光通信領(lǐng)域[6～9].2模型建立和理論依據(jù)2.1異質(zhì)單周期內(nèi)對稱一維光子晶體模型異質(zhì)單周期內(nèi)對稱一維光子晶體是由A,B,A 3薄層組成，每一薄膜有TiO2和SiO2兩種材料構(gòu)成，3薄層構(gòu)成一周期，以空間重復(fù)排列的形式構(gòu)成一維光子晶體，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，故稱異質(zhì)單周期內(nèi)對稱一維光子晶體.圖1 異質(zhì)單周期內(nèi)對稱光子晶體示意圖2.2理論依據(jù)光子晶體的研究方法有平面波展開法、
物理通報 2016年4期2016-04-19
- 層狀聲子晶體橫波帶隙結(jié)構(gòu)研究
結(jié)果顯示，導帶和禁帶均勻分布，但寬度一般不等；導帶、禁帶的中心均隨厚度系數(shù)增大而向低頻段移動，同時，導帶和禁帶寬度也隨之減??；隨著原胞數(shù)的增加，導帶中心、禁帶中心及導帶寬度及禁帶寬度沒有發(fā)生變化。聲子晶體；橫波；帶隙結(jié)構(gòu)1992年，M. M.Sigalas和E. N. Economou 首次從理論上證實了彈性波帶隙的存在[1]。1995年，M. S. Kushwaha等人在研究鎳/鋁二維固體周期復(fù)合介質(zhì)時第一次明確提出了聲子晶體的概念[2]。通俗地說來，聲
文山學院學報 2016年6期2016-04-13
- 基于介質(zhì)圓柱結(jié)構(gòu)的復(fù)式二維光子晶體禁帶研究
復(fù)式二維光子晶體禁帶研究王媛媛1，張立新2，王一陽3，嚴智煜3，何曉東3(1.海南醫(yī)學院醫(yī)學信息學院，海口571199;2.吉林省輻射環(huán)境監(jiān)督站管理科，長春130012; 3.吉林大學通信工程學院，長春130012)為提高二維光子晶體禁帶帶寬或產(chǎn)生完全禁帶，利用平面波展開法對二維正方排列介質(zhì)圓柱和三角排列介質(zhì)圓柱結(jié)構(gòu)以及改變其晶胞形成的復(fù)式結(jié)構(gòu)進行了禁帶研究。研究結(jié)果表明，對于介質(zhì)柱結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)禁帶中心頻率低頻化的方式有兩種，即增大介質(zhì)柱半徑和增加介質(zhì)柱折射
吉林大學學報(信息科學版) 2015年6期2015-11-30
- 一維多孔硅光子晶體全向反射鏡的設(shè)計?
由于光子晶體光子禁帶效應(yīng)，當一束頻率在禁帶頻段中的光入射到光子晶體表面時，光子將會全部被反射回去，利用這一特性，可以制造出高品質(zhì)的反射鏡.然而一維電解質(zhì)光子晶體全向反射鏡的全向反射帶相當窄，帶寬僅有10%左右，不利于實際應(yīng)用[4?6].想要拓寬全向反射帶寬最直接的方法就是增大材料的折射率比.自然界中具有高折射率的材料并不多.由于可見光波段的高折射率材料受到很大限制，使得高低折射率比很難超過2，因此，通過增大材料折射率比來擴展帶寬的方法也有很大局限性，要進一
新疆大學學報(自然科學版)（中英文） 2015年1期2015-11-02
- 基于一維光子晶體的可見光波段大角度反射器研究
種材料設(shè)計了一種禁帶范圍覆蓋全可見光波段,結(jié)構(gòu)為[A1/B1]m[A2/B2]n的復(fù)合結(jié)構(gòu)一維光子晶體反射器,并采用平面波展開法和傳輸矩陣法對其禁帶特性進行數(shù)值分析。研究發(fā)現(xiàn):隨周期數(shù)m，n的增大,禁帶范圍增寬,當m=n≥9時,禁帶寬度基本不再變化。對[A1/B1]9，[A2/B2]9和[A1/B1]9[A2/B2]9三種光子晶體結(jié)構(gòu)能帶特性進行研究發(fā)現(xiàn),隨光線入射角度的增大,禁帶向短波區(qū)移動,且禁帶上端移動幅度始終大于下限移動幅度。光線在0°～60°范圍
太原理工大學學報 2015年1期2015-06-23
- 基于角度調(diào)諧的光子晶體濾波特性研究
的增加,光子晶體禁帶截止度增強,缺陷模半高寬逐漸變窄，同時缺陷層厚度增加使缺陷峰的位置均勻紅移;正入射時,所設(shè)計濾波器結(jié)構(gòu)的光子禁帶范圍是1 170～2 150 nm;當入射角增大至掠入射過程中,TE模式全角度光子禁帶為1 170～2 035 nm,TM模式全角度光子禁帶為1 170～1 640 nm,表明TM模式禁帶對入射角度的變化較敏感。研究發(fā)現(xiàn),選取較大的入射角度或增加光子晶體周期數(shù)可以使TM,TE模式透射峰完全分離，通過角度調(diào)諧方式可實現(xiàn)光通信S波
太原理工大學學報 2015年6期2015-06-23
- 一維多孔硅光子晶體全向反射鏡的設(shè)計?
由于光子晶體光子禁帶效應(yīng)，當一束頻率在禁帶頻段中的光入射到光子晶體表面時，光子將會全部被反射回去，利用這一特性，可以制造出高品質(zhì)的反射鏡.然而一維電解質(zhì)光子晶體全向反射鏡的全向反射帶相當窄，帶寬僅有10%左右，不利于實際應(yīng)用[4?6].想要拓寬全向反射帶寬最直接的方法就是增大材料的折射率比.自然界中具有高折射率的材料并不多.由于可見光波段的高折射率材料受到很大限制，使得高低折射率比很難超過2，因此，通過增大材料折射率比來擴展帶寬的方法也有很大局限性，要進一
新疆大學學報(自然科學版)（中英文） 2015年2期2015-05-16
- 正方排列芯殼型平板光子晶體禁帶特性的研究
殼型平板光子晶體禁帶特性的研究胡 森， 劉 丹*， 童愛紅， 肖 明， 王 筠(湖北第二師范學院 物理與機電工程學院， 武漢 430205)構(gòu)建了正方排列的芯殼型平板光子晶體結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)這種芯殼型平板光子晶體較傳統(tǒng)的介質(zhì)柱型平板光子晶體能獲得更寬的類TE禁帶.分析了兩種模型，一種是芯層折射率為3.5，殼層折射率為2；另一種是芯層折射率為2，殼層折射率為3.5，發(fā)現(xiàn)當芯層折射率大于殼層折射率時，光子禁帶明顯增寬.平板光子晶體； 芯殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)； 光子禁帶光子晶體
華中師范大學學報（自然科學版） 2015年1期2015-03-23
- 基于控制變量法的一維光子晶體態(tài)密度特性的研究
材料，其具有特殊禁帶和導帶［1－2］，在禁帶處，相應(yīng)頻率的光子不能通過光子晶體，導帶處則可以通過。光子的這種行為類似于半導體能帶結(jié)構(gòu)所形成的禁帶和導帶中電子的行為。為了方便討論一維光子晶體的禁帶特性，引出了態(tài)密度（density of states，DOS）這一物理參考量，其表示的含義是光子在電磁特性下，單位體積內(nèi)特定頻率附近單位寬度上的光子電磁本征態(tài)的數(shù)量，間接反映了光子在光子晶體中的傳播特性［3－5］。根據(jù)Fermi’s golden rule在原子微
合肥工業(yè)大學學報（自然科學版） 2015年6期2015-03-11
- 二維金屬光子晶體直波導傳輸損耗特性研究
后，處于光子晶體禁帶的波被局限在光子晶體線缺陷中，可以實現(xiàn)微耗傳輸，目前已用于實現(xiàn)各種光集成器件。構(gòu)成光子晶體的材質(zhì)除了介質(zhì)外，還有金屬材料，以及介質(zhì)和金屬混合材料。自從Ebbesen等發(fā)現(xiàn)金屬光子晶體平板對入射波的傳輸有增強現(xiàn)象后，人們對金屬光子晶體逐步進行研究［1－3］。金屬是一種負介電常數(shù)的色散介質(zhì)，其介電常數(shù)是頻率的函數(shù)，與半導體介質(zhì)型材料相比，金屬型光子晶體具有很多優(yōu)良特性。雖然在金屬體內(nèi)部光波不能傳播，但在金屬和介質(zhì)交界面?zhèn)鞑サ碾娮淤渴挪▽⑹菇?/div>
長江大學學報(自科版) 2014年28期2014-12-01
- 利用含缺陷層的一維三單元光子晶體實現(xiàn)多通道濾波
晶體，研究發(fā)現(xiàn)，禁帶內(nèi)出現(xiàn)的透射峰個數(shù)為N-1，隨著N的增加，禁帶被展寬，透射峰的間距變窄。MATLAB模擬表明，若MN時，雜峰多，選擇性很差。隨著入射角的增大，透射譜向短波方向移動，峰值間距變小，非對稱結(jié)構(gòu)使得禁帶內(nèi)出現(xiàn)很多小的透射峰，光譜分布不對稱。關(guān)鍵詞 三單元光子晶體；多通道濾波；缺陷層；禁帶中圖分類號：O734 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）14-0099-01在光子晶體中加入缺餡層，可使光子局域化，在禁帶內(nèi)產(chǎn)生很強的透新媒體研究 2014年14期2014-08-22
- 正負折射率含缺陷1維光子晶體多通道濾波器
］兩種方式來增大禁帶的寬度。本文中利用第2種方法，即用正負折射率交替排列的辦法增大禁帶的寬度，采用參考文獻［3］中提出的1維光子晶體模型B(AB)m(ACB)n(AB)mB，利用傳輸矩陣法［17］通過MATLAB編程計算了該模型的透射譜。為了與參考文獻［3］中的研究結(jié)果進行比較，僅僅把B介質(zhì)由原來的正折射率介質(zhì)變?yōu)樨撜凵渎什牧?，而保持其它參量不變。研究結(jié)果顯示，該結(jié)構(gòu)在正負折射率材料交替排列時表現(xiàn)出很特別的多通道濾波特性。最后結(jié)合光的波動理論分析了這種多通激光技術(shù) 2014年4期2014-07-13
- 峰值折射率對正弦型函數(shù)光子晶體缺陷模的影響
于所取參量下第一禁帶和第二禁帶的透射率與歸一化角頻率的關(guān)系。由圖2可知，在所取參量下，所有介質(zhì)都為常規(guī)折射率介質(zhì)（即圖中A1＝0的情況）時，第一、二禁帶分別出現(xiàn)了1個透射峰，即為缺陷模，缺陷模分別位于ω／ω0＝0.5和ω／ω0＝1.5的地方。由圖2可知，隨著高折射率介質(zhì)的折射率系數(shù)A1的增大，這兩個禁帶的中心都發(fā)生紅移，缺陷模也發(fā)生紅移，但是缺陷模的紅移速率慢于禁帶的紅移速率，故當A1增大到較大時，缺陷模會消失；比較圖2a和2b可以發(fā)現(xiàn)，第一禁帶內(nèi)的缺陷模激光技術(shù) 2014年6期2014-06-23
- 散射體旋轉(zhuǎn)角對二維聲子晶體帶隙結(jié)構(gòu)影響分析
、正六邊形散射體禁帶出現(xiàn)的位置及寬度變化情況。研究結(jié)果表明：散射體旋轉(zhuǎn)角度對二維聲子晶體帶隙結(jié)構(gòu)具有顯著影響，并且散射體旋轉(zhuǎn)角對正六邊形、正方形散射體的影響明顯大于對于橢圓形散射體的影響；然而，無論散射體取為何種形狀，旋轉(zhuǎn)角度對聲子晶體產(chǎn)生禁帶的位置（禁帶中間頻率）影響并不明顯。聲子晶體；帶隙；禁帶；旋轉(zhuǎn)角；平面波展開法；散射體聲子晶體是指具有彈性波帶隙的周期性復(fù)合材料或結(jié)構(gòu)，作為一種新型聲學功能帶隙材料，聲子晶體的研究不僅具有重要的理論價值，同時具有廣闊哈爾濱工程大學學報 2014年11期2014-06-15
- 基于EBG結(jié)構(gòu)的新型超寬帶低噪聲電源/地平面設(shè)計
的帶寬以及較強的禁帶內(nèi)衰減。由于加載EBG結(jié)構(gòu)的電源/地平面具有禁帶帶寬較寬、實現(xiàn)工藝簡單、禁帶深度較深、成本低廉等優(yōu)勢被作為抑制電源/地平面上兩點間電磁干擾的有效手段。1 模型設(shè)計1.1 設(shè)計思路以及理論依據(jù)要設(shè)計出具有寬禁帶的EBG結(jié)構(gòu)，也就是需要減小一次諧波的諧振頻率的同時增大二次諧波的諧振頻率。在Mu-Shui Zhang的研究中[5]，詳細地介紹了貼片EBG結(jié)構(gòu)導體柱的個數(shù)對禁帶的影響。將EBG結(jié)構(gòu)的一個導體柱改為4個導體柱將會減小其等效電長度，電子設(shè)計工程 2014年9期2014-03-16
- 一維缺陷光子晶體傳輸特性研究
，會使光子晶體的禁帶中出現(xiàn)窄帶［4－5］。本文利用光學傳輸矩陣方法，在周期性一維光子晶體里引入缺陷層，討論了各參數(shù)的變化對光子晶體傳輸特性的影響。1 結(jié)構(gòu)和方法本文的一維光子晶體周期結(jié)構(gòu)組成分別為A和B。在A、B形成的多層周期結(jié)構(gòu)中插入缺陷層C，形成（AB）NCU（AB）M型結(jié)構(gòu)，如圖1所示。n1、n2為周期結(jié)構(gòu)介質(zhì)折射率，n3為缺陷層介質(zhì)折射率；d1、d2為周期結(jié)構(gòu)介質(zhì)層厚度，d3為缺陷層厚度。圖1 含有缺陷層的一維光子晶體結(jié)構(gòu)圖利用光學傳輸矩陣［6］的機電信息 2014年6期2014-03-06
- 全帶隙六邊形晶格二維光子晶體結(jié)構(gòu)研究*
根據(jù)二維光子晶體禁帶存在的經(jīng)驗法則E 偏振波(TE 模)禁帶的存在要求高介電材料在結(jié)構(gòu)中分布較集中，而H 偏振波(TM 模)禁帶的存在則要求高介電材料呈網(wǎng)帶連通［9］。而我們所期望的絕對禁帶是TE 模禁帶和TM 模禁帶的重疊區(qū)域，基于這一理論，我們嘗試在普通二維六邊形晶格結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上添加連接線，這樣不僅提高了高介電材料在結(jié)構(gòu)中的集中分布，而且連通了高介電材料。在全帶隙的研究中，引入空氣柱缺陷也是常用的一種［10］。因此，在六邊形的頂點上引入了圓形空氣柱作為電子器件 2013年2期2013-12-22
- 基于太極形介質(zhì)柱六角光子晶體禁帶特性研究*
見光范圍內(nèi)易產(chǎn)生禁帶,所以其相關(guān)光學器件在光學集成、光信息傳輸及處理等光通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,而我們的研究為其理論設(shè)計和實際應(yīng)用提供了依據(jù).目前已有很多關(guān)于二維光子晶體帶隙寬度的研究,但他們采用的散射子模型的對稱性較高,且很少關(guān)注帶隙數(shù)量的變化.本文中,我們徹底打破散射子對稱性,提出了一種新型的二維六角晶格光子晶體散射子結(jié)構(gòu)--太極形散射子,采用平面波展開法,通過研究其參數(shù)ε,R,r/R,θ對帶隙特性的影響,來獲得最大的完全帶隙寬度及最多的完全帶隙數(shù)目.2物理學報 2013年8期2013-10-30
- SH波的轉(zhuǎn)移矩陣及其在聲子晶體中的應(yīng)用
射一維聲子晶體的禁帶特征。文獻［15］推導出了P 波和SV 波斜入射一維聲子晶體的轉(zhuǎn)移矩陣，并研究了P 波和SV 波斜入射一維聲子晶體的禁帶特征。文獻［16］利用P 波和SV 波斜入射一維聲子晶體的轉(zhuǎn)移矩陣進一步研究了一維摻雜聲子晶體的缺陷模特征。但是SH 波在多層介質(zhì)系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)移矩陣以及SH 波在一維聲子晶體中的傳輸特性在文獻［15］和［16］中沒有涉及到，并且在其他文獻中也未見相關(guān)的介紹。而SH 波又是具有典型意義的一類橫波，因此研究SH 波在多層介質(zhì)兵器裝備工程學報 2013年2期2013-07-09
- 寬禁帶半導體關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)及發(fā)展
aN)為代表的寬禁帶半導體材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，成為制作大功率、高頻、高溫及抗輻照電子器件的理想替代材料（材料性能參數(shù)見表1）。以雷達T/R組件的應(yīng)用為例，寬禁帶半導體器件在同等電特性條件下，可以使體積縮小為Si器件的1/2以上，質(zhì)量至少減輕一半，是實現(xiàn)T/R組件高性能、小型化的關(guān)鍵[1-4]。表1 半導體材料性能參數(shù)[5]美國WBGSTI、歐洲ESCAPEE和日本NEDO等多項研究計劃都在大力推動寬禁帶半導體技術(shù)電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年5期2013-03-23
- Com pton散射對1維3元未磁化等離子體光子晶體禁帶影響
等離子體光子晶體禁帶影響郝東山（鄭州華信學院信息工程系，新鄭451100）為了研究Compton散射對1維3元未磁化等離子體光子晶體中TE波禁帶影響，采用Compton散射模型和傳輸矩陣法，進行了理論分析和實驗驗證，取得了一些重要數(shù)據(jù)。結(jié)果表明，隨著等離子體頻率增大，左旋和右旋極化波禁帶展寬比散射前減小0.09GHz，禁帶主頻率向高頻區(qū)域移動增大0.48GHz。隨著等離子體碰撞頻率增大，兩種極化波禁帶寬度發(fā)生一定變化。隨著等離子體回旋頻率、填充率、光入射角激光技術(shù) 2013年4期2013-03-10
- PAA/TiO2一維光子晶體的制備
晶體，即頻率落在禁帶內(nèi)的光將不會透過而會被反射[1～3]，具有光子禁帶的性質(zhì)。光子晶體由于其獨特的光學特性和靈活的設(shè)計而在諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。一維光子晶體(又稱布拉格反射鏡，1D-PCs)，是指在一個方向上具有光子頻率禁帶的材料，由兩種介質(zhì)交替層疊而成。一維光子晶體對環(huán)境氣氛、pH值、不同的客體分子具有靈敏的光學響應(yīng)性，受到科研工作者的廣泛關(guān)注。其主要制備方法有旋涂或提拉技術(shù)的溶膠凝膠法、脈沖激光沉積法、化學氣相沉積法、電化學刻蝕法等[4～10]。其中化學與生物工程 2012年1期2012-05-05
- 一維摻雜光子晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)對帶隙結(jié)構(gòu)影響
到破壞，會在光子禁帶中心出現(xiàn)一個極窄的導帶，該導帶深度會隨著摻雜的位置和自身性質(zhì)的改變，而影響禁帶中心導帶的深度。目前關(guān)于一維光子晶體的研究非常多［3－8］。本文從一維摻雜光子晶體的基本結(jié)構(gòu)出發(fā)，利用傳輸矩陣法尋找到當雜質(zhì)處在某個特定位置時，禁帶中心導帶深度最大，在此基礎(chǔ)上通過改變基本層厚度，來研究基本層厚度變化對禁帶中心導帶深度的影響程度。1 一維摻雜光子晶體結(jié)構(gòu)及理論分析一維光子晶體的基本結(jié)構(gòu)可以是由兩種不同折射率(n1，n2)和不同厚度(a，b)的各延安大學學報（自然科學版） 2012年1期2012-01-25
- 橫磁模式下二維非磁化等離子體光子晶體的線缺陷特性研究*
距離可以在不改變禁帶寬度的前提下實現(xiàn)對缺陷模的調(diào)節(jié)，改變晶格常數(shù)、介質(zhì)圓柱半徑和等離子體頻率能同時實現(xiàn)對禁帶寬度和缺陷模的調(diào)節(jié).等離子體，光子晶體，缺陷模，時域有限差分算法PACS:52.77.－ j，42.40.－ w，52.65.－ y，52.27.Lw1.引 言光子晶體是由折射率不同的介質(zhì)在空間交迭而成 的 一 種 周 期 性 結(jié) 構(gòu)，最 早 由 John［1］和Yablonovitch［2］等提出，人們根據(jù)空間分布的不同將光子晶體劃分為一維、二維和物理學報 2011年2期2011-10-23
- 聲波在二維固/流聲子晶體中的禁帶特性研究＊
/流聲子晶體中的禁帶特性研究＊高國欽1)馬守林1)金 峰2)金東范2)盧天健2)?1)(西安交通大學機械學院,西安710049)2)(西安交通大學強度與振動教育部重點實驗室,西安 710049)(2007年11月7日收到;2008年4月28日收到修改稿)采用時域有限差分法(FDTD),分析了聲波在二維四方點陣鋁/空氣組合聲子晶體中的禁帶特性,并利用實驗測試驗證了理論分析的正確性.在此基礎(chǔ)上研究了兩種不同聲阻抗率比固(實心圓柱和空心圓管)/流系統(tǒng)聲子晶體的禁物理學報 2010年1期2010-09-19
- 利用含缺陷層的一維三單元光子晶體實現(xiàn)多通道濾波