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      線性化的X波段CMOS低功耗高效率功放

      2019-03-27 01:07:18劉江帆朱華曹誠夏青王哲李昱冰李秀萍
      移動通信 2019年2期

      劉江帆 朱華 曹誠 夏青 王哲 李昱冰 李秀萍

      【摘? 要】設(shè)計(jì)了一個(gè)X波段的高效率高線性度的寬帶功率放大器。應(yīng)用并聯(lián)共源共柵結(jié)構(gòu)減小三階交調(diào)和三次諧波分量。應(yīng)用體偏置技術(shù),提高了功放的功率附加效率,降低了功耗。結(jié)合反饋技術(shù),輸入端采用雙諧振網(wǎng)絡(luò),拓展了帶寬。仿真結(jié)果表明,該功率放大器具有33%的相對帶寬,14.5 dBm的飽和輸出功率,PAEmax達(dá)到45%,輸入三階交調(diào)點(diǎn)為6 dBm,同時(shí)功耗僅為28.5 mW。

      【關(guān)鍵詞】功率放大器;并聯(lián)共源共柵;雙諧振;體偏置

      1? ?引言

      現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)要求所有的組件集成在一塊芯片上,CMOS器件具有較低的擊穿電壓和較大的襯底損耗,因此設(shè)計(jì)CMOS功率放大器非常具有挑戰(zhàn) [1]。傳統(tǒng)的功放設(shè)計(jì)主要考慮輸出功率,而在無線傳感器應(yīng)用中,更重要的是高效率和低功耗[2]。通常,效率與線性度需要權(quán)衡,因此線性化技術(shù)得到了廣泛的研究[3]。此外,各種帶寬拓展技術(shù)也被用來設(shè)計(jì)寬帶功放[2,4]。本文將設(shè)計(jì)一個(gè)低功耗高效率的寬帶功率放大器。

      2? ?整體電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      本文設(shè)計(jì)的X波段功率放大器結(jié)構(gòu)如圖1所示。M1、M2是主放大器,A1、A2是輔助放大器,構(gòu)成并聯(lián)結(jié)構(gòu),Rf、Cf是反饋回路上的電阻和隔直電容,L1、C1、L2、C2構(gòu)成了輸入端的雙諧振網(wǎng)絡(luò),L3、C3構(gòu)成了輸出端的匹配網(wǎng)絡(luò)。

      3? ?功率放大器的性能分析

      如圖1所示,功率放大器由并聯(lián)的兩路共源共柵級放大器組成,輸出端電流為M2和A2漏端的電流疊加,設(shè)VGS值為直流偏置電壓,vgs為信號電壓,忽略三階以上的分量,每一路電流都可以展開成泰勒級數(shù)表示:

      選擇合適的Vbias和Vbiasau值,使主放大器M1偏置在AB類,輔放大器A1偏置在深A(yù)B類,且G3,M=-G3,A,根據(jù)式(2)和式(3),放大器三階交調(diào)和三次諧波分量都將被抑制。仿真結(jié)果顯示,輸入三階交調(diào)點(diǎn)達(dá)到6 dBm,三次諧波分量小于-60 dBc,如圖2和圖3所示。

      如圖1所示,該功放加入了負(fù)反饋技術(shù),可以調(diào)整功放柵極的輸入阻抗,更易匹配。輸入端L1和C1并聯(lián)諧振,L2和C2串聯(lián)諧振,產(chǎn)生兩個(gè)諧振點(diǎn),增加匹配帶寬,輸出端在8.5 GHz、10.5 GHz、12 GHz分別load-pull,選擇等效率圓重合的最佳阻抗值由L3和C3進(jìn)行匹配,從而將增益帶寬拓展到8.7 GHz~12 GHz,M2和A2運(yùn)用體偏置技術(shù),源極與襯底相連,降低了閾值電壓Vth,提高功放增益和效率,在10.5 GHz時(shí),PAEmax達(dá)到45%,如圖4和圖5所示。

      綜上所述,本文所設(shè)計(jì)的功放各項(xiàng)性能參數(shù)(仿真)與其它文獻(xiàn)的對比如表1所示。

      4? ?結(jié)束語

      本文對功放設(shè)計(jì)中線性度與效率以及帶寬與增益之間的矛盾進(jìn)行了分析,最終得出采用非線性抵消技術(shù)能夠線性化功率放大器的結(jié)論。采用體電壓偏置技術(shù)能夠降低功耗,提高功率附加效率,采用雙諧振技術(shù)能拓展匹配帶寬,采用寬帶load-pull技術(shù)能拓展增益帶寬,采用負(fù)反饋能提高1 dB壓縮點(diǎn)功率以及拓展帶寬,這些技術(shù)對功放的設(shè)計(jì)具有重要的參考意義。

      參考文獻(xiàn):

      [1] Seunghoon Kang, Donghyun Baek, Songcheol Hong. A 5-GHz WLAN RF CMOS power amplifier with a parallel-cascoded configuration and an active feedback linearizer[J]. IEEE Transactions Microwave Theory Technology, 2017,65(9): 3230-3244.

      [2] Seungwon Park, Sanggeun Jeon. A full X-band CMOS amplifier with wideband class-E harmonic matching[J]. Microwave and Optical Technology Letters, 2015,57(3): 645-649.

      [3] C Lu, A V H Pham, M Shaw, et al. Linearization of CMOS broadband power amplifiers through combined multigated transistors and capacitance compensation[J]. IEEE Transactions Microwave Theory Technology, 2007,55(11): 2320-2328.

      [4] Ku B H, Baek S H, Hong S. A wideband transformer-coupled CMOS power amplifier for X-band multifunction chips[J]. IEEE Transactions Microwave Theory Technology, 2011,59(6): 1599-1609.

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