徐福興 陳新 陳志揚(yáng) 周鳴飛 丁傳凡
摘?要?在線形離子阱中,通過(guò)質(zhì)量選擇離子的碰撞誘導(dǎo)解離實(shí)現(xiàn)串級(jí)質(zhì)譜分析。在現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,離子的碰撞誘導(dǎo)解離是通過(guò)在一對(duì)電極上加載偶極激發(fā)信號(hào)實(shí)現(xiàn)離子共振激發(fā)和碰撞解離,即單向離子激發(fā)。本研究基于數(shù)字離子阱技術(shù),在線形離子阱的二對(duì)電極上加載離子激發(fā)電壓,實(shí)現(xiàn)離子的雙向共振激發(fā),以提高離子的激發(fā)能量和碰撞解離效率。理論模擬計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在不同的q值和不同的激發(fā)頻率下,雙向激發(fā)獲得更高的碰撞解離效率。此外,在q值為0.352、激發(fā)電壓為0.5 V0-p、激發(fā)頻率為107.93 kHz、解離時(shí)間為5 ms時(shí),雙向激發(fā)解離可以獲得亮氨酸腦啡肽(m/z=556)更多的低質(zhì)量數(shù)碎片離子峰,降低了離子阱質(zhì)譜的低質(zhì)量截止效應(yīng),顯著提高了離子阱質(zhì)譜的串級(jí)質(zhì)譜分析性能。
關(guān)鍵詞?離子阱質(zhì)量分析器; 數(shù)字離子阱; 碰撞誘導(dǎo)解離; 雙向激發(fā); 解離效率; 低質(zhì)量截止值
1?引 言
質(zhì)譜分析儀是目前分析測(cè)試領(lǐng)域中最重要的科學(xué)儀器之一,廣泛用于現(xiàn)代基礎(chǔ)科學(xué)研究、食品安全、環(huán)境保護(hù)、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療衛(wèi)生等領(lǐng)域,已成為現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展和科技活動(dòng)中不可或缺的科學(xué)工具[1~5]。
串級(jí)質(zhì)譜分析是質(zhì)譜技術(shù)研究分子結(jié)構(gòu)最重要的方法之一[6,7],由于四極離子阱質(zhì)譜儀可在單一質(zhì)量分析器中具有離子存儲(chǔ)、質(zhì)量分析和串級(jí)質(zhì)譜分析功能,使得離子阱質(zhì)譜在分子分析中發(fā)揮了重要作用[8~10]。目前, 常用的串級(jí)質(zhì)譜分析方法主要有碰撞誘導(dǎo)解離技術(shù)(Collision induced dissociation, CID)[11,12]、電子轉(zhuǎn)移解離技術(shù)(Electron transfer dissociation,ETD)[13]、電子捕獲解離技術(shù)(Electron capture dissociation,ECD)[14]和紅外光解離技術(shù)[15]等,其中,碰撞誘導(dǎo)解離技術(shù)實(shí)施和操作方便,是目前應(yīng)用最成熟、最廣泛的解離方法[12]。在四極離子阱質(zhì)譜的碰撞誘導(dǎo)解離過(guò)程中,通常是在離子阱中一對(duì)電極上加載離子激發(fā)交流信號(hào)AC,改變激發(fā)信號(hào)AC的幅值和頻率,當(dāng)AC頻率等于某種離子的久期運(yùn)動(dòng)頻率時(shí),離子將被共振激發(fā), 并遠(yuǎn)離離子阱束縛中心,獲得更高的動(dòng)能,實(shí)現(xiàn)離子高速運(yùn)動(dòng),然后與阱中的緩沖氣體分子發(fā)生碰撞解離[16,17]。
在CID過(guò)程中,離子通過(guò)碰撞將運(yùn)動(dòng)動(dòng)能轉(zhuǎn)換成足夠高的內(nèi)部化學(xué)鍵能,從而導(dǎo)致化學(xué)鍵的斷裂,產(chǎn)生碎片離子[18,19]。有大量的研究集中于如何獲得足夠的內(nèi)能沉積到離子中,促使離子具有更高的解離效率,獲得更多的碎片信息,如脈沖q解離[20]、高振幅短時(shí)激發(fā)解離[21]和脈沖q動(dòng)態(tài)CID技術(shù)[22]等。上述解離技術(shù)是在瞬間提高激發(fā)信號(hào)振幅,從而快速促使離子被激活,然后在低q值下捕獲碎片離子,獲得更低m/z離子。另外,還有其它方法增加離子內(nèi)能的解離技術(shù),如通過(guò)加熱氣體增加母體離子初始內(nèi)能的熱輔助碰撞誘導(dǎo)解離技術(shù)[23]; 以及通過(guò)增加緩沖氣體的質(zhì)量數(shù)提高離子碰撞能量[17],改變數(shù)字方波占空比,實(shí)現(xiàn)直流驅(qū)動(dòng)離子碰撞解離[24]。此外,本課題組前期研究中,運(yùn)用多邊形電極線形離子阱技術(shù)提高質(zhì)量分辨率[25]; 在碰撞解離階段,在離子阱的兩對(duì)電極上加載正弦波激發(fā)信號(hào),驅(qū)動(dòng)離子實(shí)現(xiàn)雙向共振激發(fā)解離,提高離子運(yùn)動(dòng)半徑,并獲得更高的內(nèi)能[26]。上述解離技術(shù)都可有效提高離子的內(nèi)部能量,使母體離子獲得更高的能量發(fā)生解離,獲取更多的碎片信息。
本研究基于數(shù)字離子阱技術(shù),在線形離子阱的兩對(duì)電極上(x方向和y方向)分別加載離子激發(fā)信號(hào),通過(guò)改變數(shù)字方波激發(fā)信號(hào)的頻率驅(qū)動(dòng)離子共振激發(fā),提高離子在阱內(nèi)的運(yùn)動(dòng)動(dòng)能,從而提高離子阱的串級(jí)質(zhì)譜分析性能。初步模擬計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,數(shù)字方波雙向激發(fā)技術(shù)與傳統(tǒng)的單向激發(fā)相比,離子的運(yùn)動(dòng)半徑更大,因此可獲得更高的碰撞能量,離子解離效率有較大提高。研究結(jié)果表明,本方法還可以獲得更多的低質(zhì)量數(shù)碎片離子信息。
2?理論模擬計(jì)算
模擬計(jì)算主要使用Axsim軟件模擬離子運(yùn)動(dòng)軌跡[26,27],在軟件中使用數(shù)字方波信號(hào)加載驅(qū)動(dòng)離子運(yùn)動(dòng),束縛電壓幅值為200 V0-p,占空比為50%,在模擬中使用硬球碰撞模型,其碰撞條件在是0.008 Pa的壓力下,采用氦氣為緩沖碰撞氣體,溫度為300 K,選擇亮氨酸腦啡肽(m/z 556)離子用于模擬。在線形離子阱的x和y方向兩對(duì)電極上分別模擬加載雙向激發(fā)電壓信號(hào),離子可在兩個(gè)方向上以相同的偶極激發(fā)信號(hào)同時(shí)被激發(fā)運(yùn)動(dòng),優(yōu)化激發(fā)頻率和幅值,使得離子在其阱內(nèi)運(yùn)動(dòng)路徑和動(dòng)能最大化,在模擬計(jì)算中,分別模擬了數(shù)字方波單向激發(fā)和雙向激發(fā)模式,其離子運(yùn)動(dòng)軌跡如圖1所示。通過(guò)模擬計(jì)算發(fā)現(xiàn),當(dāng)激發(fā)信號(hào)只加載在x方向電極時(shí),離子在阱內(nèi)僅沿著x方向運(yùn)動(dòng)(圖1A); 當(dāng)在x和y方向兩對(duì)電極上都加載激發(fā)信號(hào)時(shí),離子在x和y電極的對(duì)角線方向運(yùn)動(dòng)(圖1B),離子運(yùn)動(dòng)半徑顯著增加,同時(shí),離子的振動(dòng)幅度和碰撞能量也明顯提高。
3?實(shí)驗(yàn)部分
3.1?試劑
亮氨酸腦啡肽(Leu-Enk)Tyr-Gly-Gly-Phe-Leu(YGGFL,m/z=556 Da)、三肽Gly-Phe-Leu(GFL,m/z=336 Da)、四肽Gly-Gly-Phe-Leu(GGFL,m/z=393 Da)、五肽Gly-Gly-Phe-Leu-Tyr(GGFLY,m/z=556 Da)、七肽Phe-Leu-Leu-Val-Pro-Leu-Gly(FLLVPLG,m/z=759 Da)均購(gòu)于吉爾生化(上海)有限公司,使用甲醇-水(50∶50,V/V,其中含有0.05%醋酸)配制成1×105 mol/L的溶液。
3.2?儀器結(jié)構(gòu)
質(zhì)譜系統(tǒng):采用自主搭建的電噴霧離子源-離子阱質(zhì)譜儀系統(tǒng)[28,29]。儀器真空系統(tǒng)主要分由三級(jí)差分抽氣真空組成,由電噴霧離子源產(chǎn)生樣品離子,通過(guò)采樣孔、取樣錐、四極離子導(dǎo)引桿進(jìn)入離子阱質(zhì)量分析器。其中第一級(jí)差分真空選用機(jī)械泵(抽速8 L/s)抽氣,真空度可達(dá)到55 Pa。在第二級(jí)差分真空和第三級(jí)真空均使用機(jī)械泵(抽速8 L/s)和渦輪分子泵(600 L/s)組合抽氣,真空測(cè)量?jī)x選用CPG-600(日本Tamagawa公司)測(cè)量?jī)x器真空度,離子阱質(zhì)量分析器所在的第三級(jí)真空可達(dá)到4.15×103 Pa,在離子阱質(zhì)量分析器內(nèi)通入氦氣作為碰撞氣體,以對(duì)離子進(jìn)行碰撞冷卻和碰撞激發(fā)。通入氦氣氣體后的第三級(jí)真空度在8.6×103 Pa。
離子阱質(zhì)量分析器:采用雙曲面直線形離子阱質(zhì)量分析器結(jié)構(gòu),在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)加工,其離子阱質(zhì)量分析器的x0×y0=5 mm×5 mm,電極長(zhǎng)度為36 mm。
電路系統(tǒng):采用數(shù)字方波驅(qū)動(dòng)離子阱技術(shù)[30~32],其核心是數(shù)字測(cè)控電路,采用高速DSP(Digital signal processor)芯片以及FPGA(Field Programmable Gate Array)芯片通過(guò)直接數(shù)字合成技術(shù)(Direct digital synthesizing, DDS)設(shè)計(jì)而成,輸出兩組幅度為5 V的TTL 電平信號(hào),一組提供給方波放大電路產(chǎn)生數(shù)字束縛方波(Digital trapping waveform)電壓,另一組提供給輔助共振激發(fā)模塊通過(guò)分頻后得到數(shù)字激發(fā)方波(Digital excitation waveform)電壓。在碰撞解離過(guò)程中,其激發(fā)信號(hào)頻率根據(jù)不同樣品的質(zhì)荷比選擇最佳頻率。輔助共振激發(fā)電壓和數(shù)字束縛電壓通過(guò)高頻變壓器與雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066耦合后,施加到x和y方向的電極對(duì)上。通過(guò)晶體邏輯觸發(fā)器控制CD4066對(duì)激發(fā)信號(hào)的輸出,在解離階段,提供一個(gè)電壓為15 V的DC信號(hào)給模擬開(kāi)關(guān)CD4066控制器,觸發(fā)CD4066,使得在x和y方向電極上都加載激發(fā)電壓,實(shí)現(xiàn)雙向激發(fā)信號(hào); 在其它時(shí)序階段,無(wú)DC信號(hào)的輸出,無(wú)法觸發(fā)開(kāi)關(guān)CD4066,則在y方向的電極對(duì)上沒(méi)有激發(fā)信號(hào),其信號(hào)加載方式如圖2所示。電子倍增器(Channeltron electron multiplier)型號(hào)為CEM 4879(Burle/Photonis,美國(guó))置于矩形離子阱x方向電極外側(cè)作為離子探測(cè)器。數(shù)字采集模塊包含模數(shù)轉(zhuǎn)換電路和前級(jí)放大電路,對(duì)電子倍增器捕捉的離子后的電流信號(hào)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換。此外,測(cè)控系統(tǒng)還控制著多路直流電源的輸出時(shí)序,提供離子阱上的門控電壓,控制離子的引出和存儲(chǔ)。
4?結(jié)果與討論
4.1?碰撞解離效率
在數(shù)字離子阱的碰撞誘導(dǎo)解離過(guò)程中,采用加載雙向數(shù)字方波的激發(fā)信號(hào),通過(guò)調(diào)節(jié)方波頻率實(shí)現(xiàn)離子的共振激發(fā),并與氦氣發(fā)生碰撞,實(shí)現(xiàn)離子解離。根據(jù)理論模擬計(jì)算情況,選用亮氨酸腦啡肽樣品(m/z 556)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試,解離時(shí)間為20 ms,數(shù)字束縛電壓為200 V0-p,數(shù)字激發(fā)電壓為0.5 V0-p,在碰撞解離實(shí)驗(yàn)中,通過(guò)改變激發(fā)頻率的方法實(shí)現(xiàn)離子共振激發(fā)解離[31]。碰撞解離效率(CID效率)是碎片離子的豐度總和與母體離子豐度的比值,分別比較了在不同的q值下雙向與單向激發(fā)的CID效率,結(jié)果如圖3所示。在不同的q值下,雙向激發(fā)比單向激發(fā)的解離效率都要高,當(dāng)q值分別為0.352、 0.361、 0.389和0.414時(shí),在獲得最高解離效率時(shí)所對(duì)應(yīng)的激發(fā)頻率分別為108.00、111.76、117.01和121.43 kHz。當(dāng)離子在同一q值下的相同數(shù)字方波激發(fā)頻率時(shí),雙向激發(fā)頻率比單向獲得更高的離子碰撞能量,母體離子在解離時(shí)獲取更多的內(nèi)能,使得母體離子在雙向激發(fā)條件下獲得的解離效率更高。
選擇三肽GFL(m/z=336 Da)、四肽GGFL(m/z=393 Da)、五肽GGFLY(m/z=556 Da)和七肽FLLVPLG(m/z=759 Da)樣品,在q=0.352時(shí), 對(duì)雙向激發(fā)與單向激發(fā)分別進(jìn)行研究,其解離效率如圖4所示。結(jié)果表明,對(duì)于不同的質(zhì)荷比的樣品,在相同q值和激發(fā)頻率下的雙向激發(fā)頻率獲得的CID效率都比單向激發(fā)時(shí)高; 同時(shí), 數(shù)字方波雙向激發(fā)技術(shù)所得到的CID效率都較高,具有廣泛的實(shí)用性。
4.2?碰撞能量轉(zhuǎn)換效率
對(duì)于串級(jí)質(zhì)譜分析,除離子解離效率外,解離時(shí)所得到的碎片離子類型和豐度也同樣受到廣泛關(guān)注,而碎片離子類型和豐度主要由母體離子內(nèi)部能量決定[33,34]。已有的研究工作表明,可以通過(guò)亮氨酸腦啡肽解離時(shí)的碎片離子中a4(m/z=397)、b4(m/z=425)離子強(qiáng)度比值研究能量轉(zhuǎn)移過(guò)程, 如驗(yàn)證腦啡肽在CID過(guò)程中的能量轉(zhuǎn)移[17,35~38]。文獻(xiàn)研究結(jié)果表明,形成a4離子需要更多的內(nèi)能[32.33,36]。因此,a4/b4離子強(qiáng)度比值越大,表明在母體離子解離時(shí)具有較大的內(nèi)部能量,反之亦然。在CID過(guò)程中,影響母體離子內(nèi)部能量的因素很多,本研究主要研究數(shù)字方波雙向激發(fā)與單向激發(fā)對(duì)母體離子的內(nèi)部能量轉(zhuǎn)換,通過(guò)測(cè)量亮氨酸腦啡肽的碎片離子a4/b4比值觀察不同類型的激發(fā)技術(shù)對(duì)母體離子的內(nèi)能轉(zhuǎn)移。在q=0.352,a4/b4離子強(qiáng)度比值隨頻率變化的結(jié)果如圖5所示。隨著頻率增加,離子強(qiáng)度比值逐步增加到最大值,之后緩慢降低,數(shù)字方波激發(fā)頻率在107.93 kHz時(shí), a4/b4比值最大,且雙向激發(fā)下的a4/b4比值比單向激發(fā)高。這是由于在雙向激發(fā)技術(shù)下,離子在阱內(nèi)的運(yùn)動(dòng)半徑更大,離子的動(dòng)能也更大,使得在單位時(shí)間內(nèi)分子離子間發(fā)生更多次碰撞,因此,在離子碰撞解離過(guò)程中,隨著激發(fā)頻率提高,離子獲得的共振激發(fā)能量增大,離子與中性氣體分子的碰撞頻率也不斷提高,母體離子在不斷碰撞過(guò)程中積淀了更多內(nèi)能,此時(shí)得到的碎片離子a4/b4比值最大; 但當(dāng)激發(fā)頻率持續(xù)升高時(shí),電源頻率逐漸遠(yuǎn)離離子的久期頻率,使得離子的激發(fā)能量減小,此時(shí),離子在碰撞過(guò)程中所能達(dá)到的最大能量降低,使得反映母體離子內(nèi)能的a4/b4比值反而減小。圖5清楚地顯示了這一點(diǎn)。
4.3?串級(jí)質(zhì)譜分析
在離子阱質(zhì)譜的串級(jí)質(zhì)譜分析中,低質(zhì)量數(shù)截止值(Low mass cutoff,LMCO)是存在的主要問(wèn)題[39,40], 解決離子阱的LMCO問(wèn)題一直是離子阱質(zhì)譜研究的主要內(nèi)容之一。在本研究中,隔離后的亮氨酸腦啡肽母體離子通過(guò)改變激發(fā)電壓頻率方法實(shí)現(xiàn)碰撞解離[31],數(shù)字束縛電壓為200 V0-p, q=0.352,激發(fā)電壓0.5 V0-p,激發(fā)頻率107.93 kHz, 解離時(shí)間為5 ms時(shí),雙向激發(fā)比單向激發(fā)在串級(jí)質(zhì)譜分析過(guò)程中獲得更多的低質(zhì)量碎片離子,其譜圖如圖6所示。圖6A是傳統(tǒng)的單向激發(fā)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的串級(jí)質(zhì)譜分析譜圖,得到的碎片最低質(zhì)量數(shù)m/z=323,則更低的質(zhì)量數(shù)碎片離子基本上看不到。但在雙向激發(fā)技術(shù)下的串級(jí)質(zhì)譜分析得到的質(zhì)譜圖如圖6B所示,可以觀察到更多的低質(zhì)量數(shù)碎片離子,其最小的碎片離子峰m/z 177。這是由于在雙向激發(fā)碰撞解離過(guò)程,增加離子運(yùn)動(dòng)行程和速度可以提高離子在碰撞過(guò)程中所獲得的總能量,有助于母離子在解離過(guò)程中獲取更大的內(nèi)能。在解離過(guò)程中,母離子碎片產(chǎn)物在解離階段不再與共振電源信號(hào)發(fā)生共振激發(fā)時(shí),產(chǎn)物離子動(dòng)能在沒(méi)有完全轉(zhuǎn)移之前都可能會(huì)與碰撞氣體再次發(fā)生碰撞解離[33,34],在碎片離子中,離子與氣體分子相互的碰撞,進(jìn)一步將部分動(dòng)能轉(zhuǎn)換成內(nèi)能傳遞給離子,使部分碎片離子發(fā)生解離,得到更多的低質(zhì)量數(shù)碎片離子。
5?結(jié) 論
本研究在基于數(shù)字方波驅(qū)動(dòng)離子阱技術(shù)上,在離子阱的兩對(duì)電極上加載雙向偶極激發(fā)電壓實(shí)現(xiàn)碰撞誘導(dǎo)解離。理論模擬仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都表明,本方法比傳統(tǒng)的單向激發(fā)方法可以提高離子在阱內(nèi)的運(yùn)動(dòng)范圍,運(yùn)動(dòng)速度和動(dòng)能,提高離子與緩沖氣體的碰撞能量,提高了解離效率,同時(shí)還可獲得更高的分子內(nèi)能,使得實(shí)驗(yàn)中檢測(cè)到更多的低質(zhì)量數(shù)碎片離子峰,增加了離子阱的串級(jí)質(zhì)譜分析性能,豐富了離子阱質(zhì)譜在分子結(jié)構(gòu)研究中的應(yīng)用,可以獲取更多的分子結(jié)構(gòu)信息。
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