佚名

數(shù)據(jù)洪流時代，大多數(shù)IT部門會用溫度這個概念來進(jìn)行數(shù)據(jù)分類?！袄洹睌?shù)據(jù)幾乎不會被訪問，但需要安全地存儲起來，多數(shù)會被存儲在磁帶存儲器或云中;“熱”數(shù)據(jù)則會被放置到在磁盤上，并被頻繁、快速且安全地訪問。然而從數(shù)量、速度、多樣性和熱度四個維度來衡量數(shù)據(jù)，越來越多的數(shù)據(jù)將會是熱數(shù)據(jù)，如何實現(xiàn)成本和性能之間的平衡是IT需要面對的巨大問題。

英特爾傲騰技術(shù)?打破傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)分層模型

英特爾傲騰技術(shù)不僅足以用作擴(kuò)展的內(nèi)存池，而且響應(yīng)速度比高性能NAND固態(tài)盤更快。這意味著，對于許多應(yīng)用而言，英特爾傲騰技術(shù)可以提高媲美內(nèi)存的性能，從而為“熱”數(shù)據(jù)提供一個性能優(yōu)于磁盤、價格低于DRAM的更高性能的解決方案。

實際上，英特爾傲騰技術(shù)將內(nèi)存和存儲的特性與低延遲、高耐久性、高服務(wù)質(zhì)量和高吞吐量結(jié)合在一起，增加了每臺服務(wù)器的規(guī)模，并降低了事務(wù)處理成本。通過與最新的英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器結(jié)合使用，英特爾傲騰固態(tài)盤支持部署更大且更經(jīng)濟(jì)實惠的數(shù)據(jù)集，以便通過更大的內(nèi)存池獲得新洞察。

英特爾 3D XPoint技術(shù)

英特爾 3D XPoint技術(shù)作為英特爾傲騰技術(shù)的核心，采用了全新的內(nèi)存方法。它將材料的亞微觀層切分為多個列，每列包含一個內(nèi)存單元和一個選擇器。它使用垂直線纜連接各個列，并采用了創(chuàng)新的交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu)，可以通過在頂部和底部各選擇一根線纜來單獨(dú)尋址內(nèi)存單元。可以從三個維度堆疊這些內(nèi)存網(wǎng)格，以提高存儲密度。DRAM需要為每個內(nèi)存單元使用一個晶體管，因而在大小和成本方面產(chǎn)生了不良影響;而與之不同的是，每個英特爾 3D XPoint內(nèi)存單元可以通過改變線纜中的電壓來實現(xiàn)輕松寫入或讀取，完全不需要晶體管。

內(nèi)存單元會保持持久狀態(tài)，這意味著它們即便被斷電，也會保留它們自己的值。這些功能共同提供了快速、密集和非易失特性，使英特爾傲騰技術(shù)成為模糊存儲和內(nèi)存之間界限的完美選擇。對于某些工作負(fù)載而言，英特爾傲騰固態(tài)盤將內(nèi)存池的大小提高了多達(dá)8倍，并將DRAM替換為至多10∶12。

英特爾傲騰技術(shù)的基準(zhǔn)測試

大多數(shù)NAND固態(tài)盤的測量值都是峰值性能，且通常采用100%讀取或100%寫入工作負(fù)載，但這些都不是常見的。英特爾使用了極常見的混合工作負(fù)載（70%的讀取和30%的寫入）進(jìn)行了測試，這種混合工作負(fù)載常見于數(shù)據(jù)庫的事務(wù)處理中。同時，還在存儲設(shè)備上展示了1到16范圍內(nèi)隊列深度的情況-出色的I/O性能。在這種情況下，NAND固態(tài)盤達(dá)到的性能越高越好。英特爾傲騰技術(shù)可將關(guān)鍵方面的性能提高5-15倍。

對于70/30混合工作負(fù)載，英特爾傲騰技術(shù)在QD1下實現(xiàn)的性能是高耐久性NAND固態(tài)盤（P3700）所實現(xiàn)性能的15倍。英特爾傲騰技術(shù)可在QD12下達(dá)到最大吞吐量，而大多數(shù)基于NAND的固態(tài)盤需要在隊列深度達(dá)到100或更高的情況下才能實現(xiàn)最高性能。

英特爾傲騰技術(shù)將延遲降為以前的十分之一（延遲<10微秒），將QoS提高了100倍，提高了讀取速度（7微秒對比70微秒），這得益于介質(zhì)的物理特性。

此外，基于不同應(yīng)用場景亦推出了英特爾精選解決方案，這些經(jīng)過驗證的解決方案在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器、英特爾數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤、英特爾以太網(wǎng)等產(chǎn)品架構(gòu)上開發(fā)而成，能夠給客戶帶來更優(yōu)的系統(tǒng)性能、更強(qiáng)的系統(tǒng)穩(wěn)定性、更快的部署時間和更優(yōu)異的總體擁有成本（TCO），可針對廣泛的工作負(fù)載提供優(yōu)化。