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      加速高壓對(duì)電子衍射實(shí)驗(yàn)的影響研究

      2019-11-15 04:45李芳兒
      科技資訊 2019年21期
      關(guān)鍵詞:誤差分析

      李芳兒

      摘? 要:電子衍射實(shí)驗(yàn)是證明電子具有波粒二象性的重要實(shí)驗(yàn)。該文采用G.P.湯姆遜的方法,驗(yàn)證電子波的存在,證明電子具有波粒二象性;研究電子衍射實(shí)驗(yàn)中,8~14.4kV的加速高壓對(duì)電子衍射的影響,處理數(shù)據(jù)并擬合誤差曲線圖,分析其原因。結(jié)論是,對(duì)同一種結(jié)構(gòu)薄膜,燈絲電壓不變,加速電壓越高,電子衍射環(huán)半徑越小,誤差也相應(yīng)變化。

      關(guān)鍵詞:電子衍射實(shí)驗(yàn)? 加速高壓? 誤差分析

      中圖分類號(hào):O4-33 ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1672-3791(2019)07(c)-0048-03

      電子衍射實(shí)驗(yàn)對(duì)確立電子的波粒二象性和建立量子力學(xué)起過(guò)非常重要的作用,可以說(shuō)是里程碑意義的實(shí)驗(yàn),也是現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)中分析晶體結(jié)構(gòu)最重要的方法之一[1]。目前,電子衍射技術(shù)已經(jīng)成為研究固體薄膜和表面層晶體結(jié)構(gòu)的先進(jìn)技術(shù)[2]。利用高速電子穿透物質(zhì)薄片的辦法直接獲得電子衍射花紋的結(jié)果,從實(shí)驗(yàn)測(cè)得的電子波長(zhǎng)與德布羅意公式計(jì)算出的波長(zhǎng)在誤差容許的范圍內(nèi)吻合,證實(shí)德布羅意假說(shuō)的正確性和解決相應(yīng)的問(wèn)題。由于涉及高壓、薄膜和電子光學(xué)等技術(shù)問(wèn)題,探究較少,該文采用湯姆遜的方法,電子束透過(guò)金屬薄膜在熒光屏上觀察電子衍射圖樣,測(cè)量波長(zhǎng),探究8~14.4kV高壓對(duì)電子衍射實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響。

      1? 電子衍射的實(shí)驗(yàn)原理

      1.1 德布羅意假設(shè)和電子波的波長(zhǎng)

      德布羅意把微觀實(shí)物粒子的動(dòng)量P與物質(zhì)波波長(zhǎng)λ之間的關(guān)系表示為:

      對(duì)于一個(gè)靜止質(zhì)量為m0的電子,當(dāng)加速電壓高時(shí),電子的運(yùn)動(dòng)速度很大,接近光速。由于電子速度的加大而引起的電子質(zhì)量的變化就不可忽略。根據(jù)狹義相對(duì)論的理論,電子波的波長(zhǎng):

      在實(shí)驗(yàn)中,電子的能量由加速電壓所決定,則電子能量的增加就等于電場(chǎng)對(duì)電子所作的功,并利用相對(duì)論的動(dòng)能得到:

      2? 實(shí)驗(yàn)方法及內(nèi)容的設(shè)定

      用湯姆遜的方法,DF-2型電子衍射儀的燈絲一端加有數(shù)萬(wàn)伏的負(fù)高壓,陽(yáng)極接地。電子經(jīng)高壓加速后通過(guò)光闌時(shí)被聚焦。當(dāng)直徑只有0.5mm的電子束穿過(guò)晶體薄膜F后,在熒光屏上形成電子衍射圖像。

      實(shí)驗(yàn)中多晶樣品金是面心立方晶體,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集與處理。

      (1)輸入加速電壓,根據(jù)得布羅意公式:

      由公式(9)計(jì)算出電子的波長(zhǎng)λ。分別算出對(duì)應(yīng)不同的加速高壓時(shí)的波長(zhǎng)。

      (2)輸入衍射環(huán)半徑。使得衍射環(huán)半徑與密勒指數(shù)對(duì)應(yīng)。

      (3)根據(jù)衍射環(huán)半徑計(jì)算實(shí)驗(yàn)值。

      由公式,計(jì)算出各環(huán)對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)[6]。

      (4)處理數(shù)據(jù)并擬合曲線分析結(jié)論及原因。

      3? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

      3.1 加速高壓對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響

      多次試驗(yàn)后選取一組較好的數(shù)據(jù)顯示處理結(jié)果如圖1所示。

      分析圖1可以得到8~14.4kV的加速高壓對(duì)電子衍射實(shí)驗(yàn)有影響,使得電子波長(zhǎng)發(fā)生一定變化。

      (1)加速電壓在小于8kV時(shí),圖像很模糊,不易讀數(shù),即使勉強(qiáng)讀出,處理數(shù)據(jù)結(jié)果誤差也很大。

      (2)電壓在8.2~12.2kV時(shí),圖像呈現(xiàn)平穩(wěn),即對(duì)波長(zhǎng)的影響較小,而且穩(wěn)定,百分誤差在0.3%到1%之間,德布羅意波長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)值和理論值在誤差范圍內(nèi)吻合,從而證明了德布羅意公式的正確性。

      (3)電壓在大于12.2kV時(shí),圖像逐漸上升,即高壓對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響比較大,百分誤差在2%到4.5%之間。

      3.2 加速高壓對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果影響的擬合曲線

      為使結(jié)果更能說(shuō)明加速高壓對(duì)電子衍射中波長(zhǎng)的影響,將結(jié)果進(jìn)行曲線擬合,如圖2;電壓在8~12.2kV時(shí),圖像呈現(xiàn)為坪,對(duì)波長(zhǎng)的影響小而且穩(wěn)定,百分誤差較小;大于12.2kV時(shí)呈現(xiàn)坡形,隨著電壓的不斷加大誤差也逐漸增大,說(shuō)明加速高壓對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響比較大,百分誤差在2%到4.5%之間;當(dāng)電壓加至14.2kV時(shí)出現(xiàn)了一個(gè)谷,多次實(shí)驗(yàn),結(jié)果均在此處有一谷。綜合分析,實(shí)驗(yàn)中所用樣品為真空蒸發(fā)沉積的多晶金薄膜,膜厚約10nm,因?yàn)榻鸨∧な敲嫘牧⒎骄w,所以在此處出現(xiàn)谷可能是由于電子與面心立方晶體中心的那個(gè)原子相互作用的結(jié)果。

      4? 實(shí)驗(yàn)結(jié)論的討論與分析

      在該實(shí)驗(yàn)中,8~14.4kV的加速高壓對(duì)電子衍射實(shí)驗(yàn)有影響,電壓小于8kV和大于12.2kV時(shí)對(duì)波長(zhǎng)的影響都比較大,而在8.2~12.2kV時(shí)影響穩(wěn)定,此區(qū)間的百分誤差隨加速高壓變化的圖是坪。

      (1)入射到靶處電子束束點(diǎn)的直徑為1mm以下,一般最好是0.5mm,這樣電子束經(jīng)過(guò)晶體薄膜散射后,可保證衍射環(huán)紋細(xì)而清晰。

      (2)晶體薄膜靶的膜須取最佳厚度,且厚度均勻。由于電子束透過(guò)晶體薄膜的滲透深度是與電子束加速電壓的大小有關(guān)[3,4];極間加速電壓大,電子束的滲透深度也大。根據(jù)電子顯微鏡上對(duì)不同厚度的金薄膜以不同加速電壓的電子束入射觀測(cè)結(jié)果,在8~14.4kV極間加速電壓下,要得到清晰的電子衍射圖樣,金的膜厚約為100~120?為最佳。超過(guò)200?膜實(shí)踐結(jié)果只有在更高的加速電壓下才能圖樣清晰。

      (3)提供極間加速電壓的可調(diào)電源有較小的文波,以保證被反射的電子波長(zhǎng)的穩(wěn)定性。否則,也會(huì)影響環(huán)的清晰度。

      (4)熒光屏上光線較亮,測(cè)量圓環(huán)半徑是摸不準(zhǔn)半徑,并且直接用肉眼讀數(shù),導(dǎo)致數(shù)據(jù)不準(zhǔn),從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)測(cè)量結(jié)果不好,雖多次測(cè)量求平均值,但仍然會(huì)有誤差。

      (5)薄膜厚度和均勻因儀器長(zhǎng)期使用未達(dá)到最佳值, 而電子在經(jīng)過(guò)它時(shí),只發(fā)生一次衍射,使得多次衍射的花樣疊加有點(diǎn)變得模糊。

      (6)電壓在接近儀器承受最大時(shí)不穩(wěn)定,出現(xiàn)一定的誤差。

      5? 結(jié)語(yǔ)

      通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究,8~14.4kV的加速高壓對(duì)電子衍射實(shí)驗(yàn)有影響,8~12.2kV進(jìn)行電子衍射實(shí)驗(yàn)時(shí)影響最小,因此對(duì)于DF-2型電子衍射儀,加速電壓過(guò)大或是過(guò)小都不好,誤差都較大,不適合此次實(shí)驗(yàn)研究。對(duì)同一種結(jié)構(gòu)薄膜,燈絲電壓不變,加速電壓越高,電子衍射環(huán)半徑越小,誤差也相應(yīng)變化。

      參考文獻(xiàn)

      [1] 丁慎訓(xùn),張孔時(shí).物理實(shí)驗(yàn)教程:近代物理實(shí)驗(yàn)部分[M].北京:清華大學(xué)出版社,1991.

      [2] 張克從.近代晶體學(xué)基礎(chǔ)(下)[M].北京:科學(xué)出版社,1987:35-41.

      [3] 鄔鴻彥,朱明剛.近代物理實(shí)驗(yàn)[M].北京:北京科學(xué)出版社,1998:184-190.

      [4] 李治學(xué).近代物理實(shí)驗(yàn)[M].北京:北京科學(xué)出版社,`2007.

      [5] 鄧楚賢.電子衍射[M].湘潭:湘潭大學(xué)出版社,2000.

      [6] 陸申龍,金浩明.DF型電子衍射儀的設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)[J].上海:復(fù)旦大學(xué)出版社,1987.

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