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      基于磷化銦材料的高速光纖聲光調(diào)制器

      2020-03-12 01:06:06王智林
      壓電與聲光 2020年1期
      關(guān)鍵詞:聲光衰減系數(shù)調(diào)制器

      朱 吉,吳 畏,王智林,楊 濤

      (中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所,重慶 400060)

      0 引言

      光纖水聽器是一種建立在光纖、光電子技術(shù)基礎(chǔ)上的水下聲信號(hào)傳感器。它因具有靈敏度高,響應(yīng)頻帶寬,抗電磁干擾,可實(shí)現(xiàn)水下濕端無源探測和易于大規(guī)模組陣等優(yōu)點(diǎn),故而成為水聲探測技術(shù)發(fā)展的重要方向[1],并廣泛應(yīng)用于潛艇聲吶、艦載聲吶、岸基聲吶等水面/水下目標(biāo)探測、預(yù)警、跟蹤系統(tǒng)中。光纖水聽器時(shí)分復(fù)用技術(shù)是大規(guī)模組陣的核心技術(shù)之一。高速光纖聲光調(diào)制器具有高調(diào)制速度,低插入損耗,高通斷消光比,同時(shí)兼顧光脈沖幅度調(diào)制和光頻移的技術(shù)優(yōu)勢,是光纖水聽陣列信號(hào)處理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)外差探測及時(shí)分復(fù)用的核心器件。

      磷化銦(InP)晶體因具有聲光優(yōu)值(M2)高,聲速大,聲衰減系數(shù)小, 硬度高,熱穩(wěn)定性好及光學(xué)性能優(yōu)良等特點(diǎn)而成為制作高頻、高速聲光調(diào)制器的優(yōu)良材料之一。

      1 光纖聲光調(diào)制器原理

      功率信號(hào)作用在換能器上,激發(fā)超聲波耦合入聲光互作用介質(zhì),在介質(zhì)中產(chǎn)生折射率光柵。入射光經(jīng)過光纖準(zhǔn)直器準(zhǔn)直后進(jìn)入聲光互作用介質(zhì)時(shí)發(fā)生衍射,衍射光再通過輸出端光纖準(zhǔn)直器耦合進(jìn)光纖。光纖聲光調(diào)制器主要由阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)、聲光互作用、光纖準(zhǔn)直器等組成,其工作原理如圖1所示。

      圖1 光纖聲光調(diào)制器工作原理

      在光脈沖調(diào)制應(yīng)用中,利用外部調(diào)制信號(hào)改變驅(qū)動(dòng)器載波功率信號(hào)的幅度,就可以控制聲光互作用介質(zhì)中聲場的強(qiáng)度,從而控制衍射光的光強(qiáng),實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入連續(xù)光的幅度調(diào)制,如圖2所示。

      圖2 聲光調(diào)制器的光脈沖調(diào)制功能

      入射光經(jīng)光纖準(zhǔn)直器后在晶體中的束腰直徑為d0, 超聲波在晶體內(nèi)的傳輸速度為v,根據(jù)經(jīng)典解析設(shè)計(jì)公式,器件的光脈沖上升時(shí)間tr為

      (1)

      (2)

      圖3 C(a)與a的關(guān)系

      由式(1)可得,減小入射光的束腰直徑或選擇聲速較大的聲光晶體材料可降低tr。為提高衍射光的消光比,調(diào)制器常采用嚴(yán)格可分離條件[2],即

      θ≥2·Δφ

      (3)

      式中θ為衍射光和0級(jí)光之間的夾角,即

      (4)

      式中:λ0為光波長;f0為工作頻率。將Δφ、θ和tr代入式(3)可得

      (5)

      從式(5)可看出,tr越小,要求聲光調(diào)制器的工作頻率越高。

      衍射效率是指1級(jí)衍射光的光強(qiáng)占透過聲光晶體總光強(qiáng)的百分比。光纖聲光調(diào)制器工作模式為布喇格衍射,因此,器件的衍射效率為

      (6)

      式中:Pa為驅(qū)動(dòng)聲功率;H為光孔徑;L為聲光互作用長度。從式(6)可得,在其他條件相同情況下,聲光晶體材料的M2越高,光纖聲光調(diào)制器的η越高,產(chǎn)品的插損越小。

      2 光纖聲光調(diào)制器設(shè)計(jì)

      2.1 聲光晶體材料選擇

      聲光晶體材料是聲波和入射光相互作用的場所,聲光晶體材料性能決定了光纖聲光調(diào)制器的性能。在設(shè)計(jì)聲光器件時(shí),根據(jù)指標(biāo)要求,綜合分析材料的性能,選擇最合適的材料來設(shè)計(jì)產(chǎn)品。

      表1為幾種常用的聲光晶體材料參數(shù)。對(duì)于高頻、高速聲光調(diào)制器,我們?cè)谶x擇聲光晶體材料時(shí)主要考察M2、聲速、聲衰減系數(shù),同時(shí)還要考慮材料的透明區(qū)、穩(wěn)定性等。

      表1 聲光晶體材料的性能參數(shù)

      通過式(1)、(6)的分析,若要提高光纖聲光調(diào)制器光脈沖上升時(shí)間和衍射效率,則需要選擇聲速大、聲光優(yōu)值高的聲光晶體材料。通過式(5)分析,若要提高光纖聲光調(diào)制器光脈沖上升時(shí)間,則需提高光纖聲光調(diào)制器的工作頻率,從而要求聲衰減系數(shù)盡量小。通過查找表1發(fā)現(xiàn),材料TeO2、GaP、InP較適合。GaP的M2較高,聲速大,聲衰減系數(shù)較小,光學(xué)透過率較差;TeO2的M2較低,聲速較小,其聲衰減系數(shù)較大,光學(xué)性能優(yōu)良;InP的M2高,聲速較大,其聲衰減系數(shù)較小,光學(xué)性能優(yōu)良。因此,InP是最合適的聲光晶體材料。

      2.2 光纖聲光調(diào)制器參數(shù)設(shè)計(jì)

      圖4 聲光晶體鍵合膜系結(jié)構(gòu)

      光纖聲光高速調(diào)制器換能器的鍵合膜系結(jié)構(gòu)如圖4所示。頂電極層位于壓電換能器上表面,是換能器的射頻輸入電極。底電極層位于聲光介質(zhì)與換能器之間,由兩層襯底層和一層鍵合層組成。底電極層既是聲學(xué)增透層,又充當(dāng)換能器接地電極,因此,材料的選擇除了滿足阻抗匹配外,還必須具有良好的導(dǎo)電性。

      聲光晶體換能器工作在厚度驅(qū)動(dòng)模式,聲場從換能器到聲光介質(zhì)的耦合效率由換能器損耗(TL)來表征。它取決于各聲學(xué)層材料的聲阻抗(Zn)、相移(γn)和器件的f0,與各聲學(xué)層材料聲速(vn)、密度(ρn)和厚度(ln)有關(guān)。

      只有對(duì)各聲學(xué)層材料和ln作適當(dāng)控制后,超聲波才能高效地耦合入聲光介質(zhì),得到較高的衍射效率。

      各聲學(xué)層聲阻抗定義為

      Zn=Snρnvn

      (7)

      式中Sn為超聲波波束在各聲學(xué)層的截面面積。

      各聲學(xué)層相移定義為

      (8)

      利用瑪森等效電路模擬頂電極層和換能器的聲學(xué)傳遞矩陣(A0),利用傳輸線網(wǎng)絡(luò)矩陣模擬底電極層聲學(xué)傳遞矩陣(A4~A6),并將聲光晶體考慮為負(fù)載(Z7),建立光纖聲光調(diào)制器換能器鍵合結(jié)構(gòu)的等效電路網(wǎng)絡(luò),如圖5所示。圖中,Zi為電端輸入阻抗,U為電端輸入信號(hào)電壓,I為電端輸入信號(hào)電流,F為聲端作用力。

      圖5 換能器鍵合結(jié)構(gòu)等效電路網(wǎng)絡(luò)

      An定義為各等效電路部分傳遞矩陣:

      (9)

      式中C1~C4為傳遞矩陣修正系數(shù),光纖聲光調(diào)制器的換能器等效電路網(wǎng)絡(luò)總傳遞矩陣A為

      (10)

      光纖聲光調(diào)制器的TL定義為

      TL=-10lg (Pa/P0)=-10·

      (11)

      式中:Pa為驅(qū)動(dòng)聲功率;P0為驅(qū)動(dòng)功率;Rs為驅(qū)動(dòng)電源內(nèi)阻。通過仿真計(jì)算得到各聲學(xué)層設(shè)計(jì)參數(shù)。圖6為各聲學(xué)層相對(duì)厚度。

      圖6 各聲學(xué)層材料及相對(duì)厚度對(duì)換能器損耗和相對(duì)帶寬的影響

      3 測試結(jié)果

      通過優(yōu)化設(shè)計(jì)參數(shù),制作了波長為1 550 nm,頻率為300 MHz 的聲光調(diào)制器,樣品的η及光透過率測試框圖如圖7所示。實(shí)測圖如圖8所示。樣品測試參數(shù)如表2所示。

      圖7 衍射效率、光透過率測試框圖

      圖8 衍射效率、光透過率實(shí)測圖

      表2 300 MHz 聲光調(diào)制器測試參數(shù)

      樣 品η/%光透過率/%1#68.793

      通過光纖耦合后得到300 MHz光纖聲光調(diào)制器及其技術(shù)指標(biāo)如表3所示。tr的實(shí)測圖如圖9所示。產(chǎn)品實(shí)物圖如圖10所示。

      表3 光纖聲光調(diào)制器技術(shù)指標(biāo)

      圖9 光脈沖上升時(shí)間實(shí)測圖

      圖10 產(chǎn)品實(shí)物圖

      4 結(jié)束語

      本文依據(jù)光纖聲光調(diào)制器設(shè)計(jì)原理,選擇InP聲光晶體材料制作高頻、高速的光纖聲光調(diào)制器,在2 W驅(qū)動(dòng)功率下實(shí)現(xiàn)插入損耗為2.8 dB,消光比為49 dB,tr=6.34 ns。該產(chǎn)品的研制成功進(jìn)一步推動(dòng)了光纖水聽器時(shí)分復(fù)用技術(shù)的發(fā)展,使更大規(guī)模的光纖水聽器陣列成為可能,同時(shí),該產(chǎn)品也可應(yīng)用于超快激光的脈沖選單中,為超快激光進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

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