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      激光切割Kapon復(fù)合膠膜工藝改進研究

      2020-08-04 16:20何燕春劉鑫袁莓婷
      科技視界 2020年15期
      關(guān)鍵詞:印制電路膠膜合格率

      何燕春 劉鑫 袁莓婷

      摘 要

      針對惡劣環(huán)境條件下計算機印制電路組件,粘接冷板在提高電路組件的可靠性同時可以實現(xiàn)電路組件的快速散熱。Kapton復(fù)合膠膜屬于宇航級復(fù)合粘接材料,其主要應(yīng)用于導(dǎo)熱板與印制電路板的粘接。使用激光切割設(shè)備一次成型加工Kapton復(fù)合膠膜,可實現(xiàn)膠膜復(fù)雜外形和孔的同時切割,提高粘接效率和勞動生產(chǎn)率。本文分析了激光切割Kapton復(fù)合膠膜的切割孔合格率與激光功率、頻率、噴嘴走速、司服電機加速度之間的關(guān)系,并進行試驗設(shè)計優(yōu)化其工藝參數(shù)。

      關(guān)鍵詞

      Kapton;復(fù)合膠膜;激光切割;粘接

      中圖分類號: TG456 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文獻標(biāo)識碼: A

      DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2020.15.019

      0 引言

      Kapton復(fù)合膠膜屬于宇航級復(fù)合粘接材料,應(yīng)用于導(dǎo)熱板與印制電路板的粘接[1-2],使用激光切割設(shè)備一次成型加工Kapton復(fù)合膠膜,可實現(xiàn)復(fù)雜外形的切割[3-4]。但由于該膠膜為4層復(fù)合材料組成,各層材料物化性質(zhì)、對激光波長吸收均不相同,在使用激光切割設(shè)備制備膠膜[5-6],檢驗時出現(xiàn)大批膠膜對孔切割不合格現(xiàn)象;檢查切割Kapton復(fù)合膠膜樣件64張,孔切割不合格數(shù)2248,切割合格率僅為9%。

      1 原因分析及影響因素確認

      從人、機、料、法、環(huán)、測因素進行分析,經(jīng)排查人員的技能水平、設(shè)備精度、材料情況、環(huán)境溫濕度等均滿足要求,確認激光功率、頻率、噴嘴走速、司服電機加速度與孔切割缺陷情況如下:

      由圖可知,激光功率、頻率、噴嘴走速、司服電機加速度均對孔切割合格率有影響。

      為進一步提高孔成型合格率,通過DOE試驗尋找高孔合格率的切割參數(shù)。因四因素之間相互影響,且需使用3D響應(yīng)面曲線得到其之間相互影響趨勢變化和參數(shù)得到最高的激光切割合格率,故按Box-Benhnken中心組合實驗設(shè)計原理,對24全因素試驗進行編排,其試驗編排與試驗結(jié)果見表1。

      通過Design-Expert進行二次響應(yīng)面回歸分析,得到如下多元二次響應(yīng)面回歸模型如下所示:Y(%)=-232.9431+0.63 802×1+0.071235×2+0.015739×321.55125×4+8.66667×10-6×1×2+8.44000×10-5×1×3+1.30952×10-3×1×4-1.63 333×10-6×2×3+4.08730×10-4×2×4+3.96825×10-7×3×4-7.72493×10-3×12-7.43037×10-5×22-1.63804×10-6×32-0.49599×42,根據(jù)所得到的模型,優(yōu)化最優(yōu)工藝參數(shù),見圖2。

      2 試驗結(jié)果及驗證

      依據(jù)圖2優(yōu)化的最優(yōu)試驗結(jié)果和設(shè)備可調(diào)精度范圍選取最優(yōu)工藝參數(shù),見表2。

      因此,最優(yōu)工藝參數(shù)為噴嘴走速80mm/s,激光功率70%,激光頻率6500kHz,伺服電機加速度450 mm/s2時,孔切透率的平均值為97.4%,與預(yù)測值98.7%比較接近,說明此模型是合理的。經(jīng)過實驗設(shè)計工藝參數(shù)調(diào)整,工藝改進后激光切割Kapton復(fù)合膠膜孔切透率由原有的9%提升至97.4%。

      參考文獻

      [1]張豐華,任康,焦超鋒.模塊冷板作用及組裝流程淺析[J].機械工程師(3):60-62..

      [2]石紅.空芯印制板導(dǎo)熱絕緣膠接技術(shù)[J].粘接,1996(1).

      [3]喻少英.模塊導(dǎo)熱板粘接新技術(shù)[J].粘接(03):32-33.

      [4]許保祥.KAPTON薄膜電子輻照損傷效應(yīng)[D].哈爾濱工業(yè)大學(xué),2007.

      [5]陳樹明.激光切割技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展[J].鍛壓裝備與制造技術(shù),2002(2):3-5.

      [6]黃開金,謝長生.激光切割的研究現(xiàn)狀及展望[J].激光與光電子學(xué)進展,1998,35(4).

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