田 斌,夏 航
武漢工程大學 電氣信息學院,湖北 武漢 430205
巨磁阻抗效應(giantm agnetoimpedance effect,GMI)是指軟磁材料的交流阻抗隨外加磁場變化而發(fā)生顯著變化的效應。GMI 效應的產生原因主要是由于其具有特殊的竹節(jié)狀磁疇結構。采用熔融拉絲法制備玻璃包覆合金微絲過程中,進行快速淬火處理時,合金微絲的表面先于中心部分凝結,在圓周方向形成壓縮應力,中心部分受牽引力的作用形成軸向張力。在淬火殘余內應力和退磁能的共同作用下,合金微絲內部形成特有的核~殼(core~shell)磁疇結構,也就是所謂的竹節(jié)狀磁疇結構。由于玻璃包覆合金微絲具有靈敏度高、快速響應、非接觸、適合低溫等諸多優(yōu)點,很適合將其應用到弱磁傳感器的研制上,受到各相關領域學者的極大關注[1-3]。
當玻璃包覆合金微絲接入電路后,由于驅動電流頻率過高,電路會存在電感和電容效應。因此,有研究者會在元件兩端接入電容和電感,使合金微絲在LC 共振條件下工作,進而顯著提高軟磁材料的巨磁阻抗效應。 但是,人為接入電容影響了元件的小型化,電極和接地形成的雜散電容又影響了元件的抗干擾性[4-6]。
本文在玻璃包覆合金微絲的玻璃外層,利用磁控濺射方法濺射一層非磁性黃金層,然后在黃金層外電鍍一層CoNi 硬磁層。通過控制CoNi 鍍層的長度,一方面讓CoNi 鍍層和合金微絲之間構成不同參數(shù)的圓柱形電容,改變LC 共振參數(shù),探討LC 共振對微波段復合結構微絲的巨磁阻抗效應的影響;另一方面探討了CoNi 鍍層的長度對復合微絲磁特性的影響[7-9]。
使用熔融拉絲法制備了具有零磁致伸縮系數(shù)的Co59.1Fe14.8Si10.2B15.9玻璃包覆非晶合金微絲,其中,微絲內徑為12 μm,總直徑為25 μm。然后,在玻璃包覆層外用磁控濺射的方法濺射厚度約為300 nm 的黃金層。利用電流密度為12 mA/cm2的電流在黃金鍍層上電鍍Co90Ni10的鍍層,通過控制電鍍時間,控制CoNi 鍍層的厚度,制備出CoNi 鍍層厚度為5 μm,總直徑為35 μm 的樣品。截取不同的樣品部位,制備CoNi鍍層長度L=2,3,4,5 mm,總長度為5 mm 的GCM/CoNi 微絲。圖1 所示為GCM/CoNi微絲結構圖[10-12]。
圖1 GCM/CoNi微絲結構圖Fig.1 Structure diagram of GCM/CoNi microwire
樣品電阻譜是在矢量網絡分析儀(Agilent,model E8362B)中進行測量,測量頻率為0.1~14 GHz。測量阻抗過程中,外加靜磁場Ha由亥姆赫茲線圈產生,外加靜磁場磁場強度范圍為0~160 kA/m,外加靜磁場沿著微絲軸向方向[13]。
為了研究雙相磁性微絲的高頻特性,用刀片刮去樣品其中一端的玻璃層、黃金鍍層,用導電銀膠接入電路,樣品另外一端,用導電銀膠直接連接CoNi鍍層進入電路,稱之為核殼連接(CS)。
巨磁阻抗MI由公式(1)計算[14]:
從GCM/CoNi 微絲的阻抗譜可以計算出不同CoNi 鍍層長度下的MI 譜,不同CoNi 鍍層長度L=2,3,4,5 mm 樣品的MI 譜的最大值分別出現(xiàn)頻率f=4.2,2.8,2.5,1.6 GHz 處???以 明 顯 看 出,在CoNi 鍍層和合金微絲之間構成的圓柱形電容,隨著CoNi長度的增加,電容值增加,改變了LC共振的條件,MI最大值對應的頻率逐漸向低頻段移動[15-17]。
圖2 顯示的是GCM/CoNi 微絲頻率f=4.2,2.8,2.5,1.6 GHz 時候的巨磁阻抗曲線。從圖2 中可以看出,MI 最大值比較接近,均為300%~325%之間。但是,CoNi 鍍層長度為5 mm 樣品的MI 最大值出現(xiàn)在外加磁場為0 kA/m 處,隨著CoNi 鍍層長度的減小,MI 最大值開始向高外磁場移動,當Co-Ni鍍層長度為2 mm 時,MI 的最大值出現(xiàn)在外加磁場為15 kA/m 處。
圖2 不同CoNi鍍層長度下GCM/CoNi微絲分別在4.2,2.8,2.5,1.6 GHz 處的MI曲線Fig.2 MI curves of GCM /CoNi microwires with different CoNi lengths at 4.2,2.8,2.5 and 1.6 GHz
這是因為隨著CoNi 鍍層長度的增加,合金微絲在CoNi鍍層退磁能的作用下。軸向磁疇體積增加,環(huán)向磁疇體積減小,軸向各向異性場增強。此時,磁矩在軸向磁場的作用下,很難發(fā)生環(huán)向偏轉,磁損耗的峰值出現(xiàn)在外加磁場為0 kA/m 處。當CoNi 鍍層長度為2 mm 時,此時,環(huán)向磁疇體積最大,隨著外加磁場增強,磁矩開始由環(huán)向逐漸向軸向偏轉,當外加磁場接近環(huán)向各向異性場的時候,磁損耗出現(xiàn)峰值,同樣的MI 出現(xiàn)峰值,MI 峰值對應的外加磁場為15 kA/m 處。因此,隨著CoNi鍍層長度的減小,MI 峰值所對應的外加磁場也逐漸由0 kA/m 增加到15 kA/m。
圖3(a)(b)(c)(d)分別顯示的是CoNi 鍍層長度L=2,3,4,5 mm 的電阻譜。從圖中可以看出,當CoNi 鍍層長度為2 mm 時,電阻譜只有1 個峰FMR0,F(xiàn)MR0 是由于復合結構微絲的鐵磁共振引起的。隨著CoNi 鍍層長度的增加,電阻譜逐漸出現(xiàn)兩個峰FMR0 和FMR1。因此,隨著CoNi 鍍層長度的增加,CoNi 鍍層和合金微絲構成的圓柱形電容值逐漸增加,LC 共振現(xiàn)象逐漸增強,導致FMR1峰出現(xiàn)。
其次,F(xiàn)MR0 峰值隨著CoNi 鍍層長度的增加,在高頻段,樣品的阻值逐漸減小。鐵磁共振的主要損耗是磁矩在一定偏轉角度下進行運動引起的。由于CoNi鍍層長度的增加,環(huán)向磁疇體積減小,磁矩由軸向向環(huán)向偏轉較難,大部分磁矩偏離共振位置,只有小部分磁矩處于共振位置,導致?lián)p耗下降。
在微波條件下,由于趨膚效應,導致電流主要分布在合金微絲的表面,趨膚深度遠遠小于合金微絲的直徑,使得鐵磁共振現(xiàn)象發(fā)生時,合金微絲的鐵磁共振效應可以等效于薄膜的鐵磁共振現(xiàn)象。因此,對于薄膜的Kittel 的共振條件也同樣適用在此處,用來分析和解釋合金微絲的鐵磁共振現(xiàn)象[18-20]。Kittel公式如式(2):
其中,fr-鐵磁共振頻率,γ-旋磁比,Ms-飽和磁化強度,Hk-各向異性場。通過公式(2)可以發(fā)現(xiàn),由于等效磁場H 等于外加磁場Ha和各向異性場Hk的和,而且外加磁場遠遠大于各向異性場Hk。因此,用外加磁場Ha代替H+Hk,公式(2)可以進一步簡化為公式(3):
則當鐵磁共振發(fā)生時,通過合金微絲的電流頻率的平方與外加磁場近似具有線性關系。根據(jù)實驗結果分析,可以估算出合金微絲的飽和磁化強度4πMs 約為12 Gs。
圖4 鐵磁共振峰值點頻率平方和外加磁場關系曲線Fig.4 Relationship curves between square of peak frequency of ferromagnetic resonance and applied magnetic field
通過測量GCM/CoNi 核殼連接方式下的樣品的阻抗值,分析發(fā)現(xiàn):
1)通過增加復合結構微絲的CoNi 鍍層長度,可以增加復合結構微絲等效電路的電容值,進而改變復合微絲的LC 共振條件,導致MI 最大值所對應的頻率從低頻向高頻段移動。
2)通過分析樣品的MI 曲線,發(fā)現(xiàn)CoNi 鍍層長度的增加,削弱了環(huán)向各向異性場,導致MI 曲線的峰值對應的外場逐漸向低場移動。
3)通過分析樣品的鐵磁共振,發(fā)現(xiàn)CoNi 鍍層長度的增加,增強了軸向各向異性場,導致鐵磁共振損耗被削弱。