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      一種E波段耦合微帶線和矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

      2020-11-23 02:16:42孫澤月張力維王曉鵬姚武生
      無線電工程 2020年12期
      關(guān)鍵詞:矩形波導(dǎo)差模帶線

      王 健,孫澤月,張力維,王曉鵬,姚武生,2

      (1.博微太赫茲信息科技有限公司 太未來實(shí)驗(yàn)室,安徽 合肥 230088;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所,安徽 合肥 230088)

      0 引言

      近些年,隨著5G通信、77 GHz汽車?yán)走_(dá)[1]和人體安檢等行業(yè)的發(fā)展,毫米波系統(tǒng)越來越受到大家的關(guān)注。與常見的射頻電路和微波電路相比,毫米波電路的尺寸更小,集成度更高,電路之間的耦合及表面波的問題更為突出。為了降低毫米波系統(tǒng)出現(xiàn)電磁兼容問題的幾率,在PCB和MMIC中,常用耦合微帶線代替常用的微帶線或共面波導(dǎo)等平面?zhèn)鬏斁€[2-4]。耦合微帶線雖然能夠降低電路間的耦合、增加系統(tǒng)的抗干擾能力,但常用儀器設(shè)備的接口與耦合微帶線不匹配,需要進(jìn)行接口轉(zhuǎn)換。

      目前耦合微帶線有2種常見的測(cè)試方法[5-6]:一種是耦合微帶線轉(zhuǎn)換為2根微帶線,然后用探針臺(tái)通過2根微帶線表征耦合微帶線的特性;另一種是將耦合微帶線轉(zhuǎn)換成一種便于測(cè)試傳輸線,一般使用巴倫結(jié)構(gòu)將耦合微帶線轉(zhuǎn)為微帶線或共面波導(dǎo),然后再將微帶線或共面波導(dǎo)轉(zhuǎn)換成同軸接口或波導(dǎo)接口。第1種測(cè)試方法主要針對(duì)MMIC的測(cè)試方法,不便于PCB的測(cè)試,且對(duì)于板級(jí)測(cè)試成本太高。第2種測(cè)試方法比較適合測(cè)試板級(jí)耦合微帶線特性,但中間轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)多,且常見的巴倫結(jié)構(gòu)帶寬窄,在毫米波頻段,尤其是50 GHz以上巴倫的設(shè)計(jì)難度很高。

      本文在第2種測(cè)試方法的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種E波段轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),省去中間的多種傳輸線轉(zhuǎn)換,通過使用集成鰭線結(jié)構(gòu)直接將矩形波導(dǎo)和耦合微帶線進(jìn)行轉(zhuǎn)換,同時(shí)能夠很好地抑制耦合微帶線的共模。

      1 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      耦合微帶線是由2根或多根彼此靠得很近的微帶線構(gòu)成的導(dǎo)行系統(tǒng),本文使用的是2根對(duì)稱放置側(cè)邊相互耦合的微帶線。它有差模和共模2種模式,這2種模式可以同時(shí)在傳輸線上傳輸,但只有耦合微帶線的差模是減少系統(tǒng)電磁兼容問題所需要的模式。耦合微帶線差模和共模的電場(chǎng)分布如圖1所示。耦合微帶線差模的電場(chǎng)被束縛在頂層2個(gè)金屬帶線之間和介質(zhì)板中,只有金屬邊緣部分電場(chǎng)輻射到空間中,而共模金屬帶線上面的電場(chǎng)很多都輻射到空間內(nèi),共模與其他相鄰傳輸線的耦合度以及表面波問題都比差模嚴(yán)重[7-9]。所以在毫米波電路中,耦合微帶線常用的工作模式是差模。

      圖1 耦合微帶線的電場(chǎng)分布Fig.1 Electric field distribution of coupled microstrip lines

      集成鰭線結(jié)構(gòu)是Meier于1974年作為毫米波集成電路的低損耗傳輸線而提出的一種準(zhǔn)平面?zhèn)鬏斁€,特別適合用作30~100 GHz之間的傳輸媒介。鰭線是置于TE10模矩形金屬波導(dǎo)E平面的槽線,分為單側(cè)鰭線、雙側(cè)鰭線、對(duì)脊鰭線和絕緣鰭線4種結(jié)構(gòu),如圖2所示。安裝時(shí),波導(dǎo)上下寬壁的厚度應(yīng)設(shè)計(jì)成λ/4,使基片在波導(dǎo)壁上相當(dāng)于短路,鰭線的波長(zhǎng)比微帶線長(zhǎng),因而加工制造比較容易,加工公差要求低,在毫米波頻段內(nèi)都容易用標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)過渡,而且損耗很低[10]。對(duì)脊鰭線常用于微帶線和矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換[11-12],它在E平面的不對(duì)稱性限制了單模的帶寬。雙側(cè)鰭線的電場(chǎng)主要集中在2個(gè)金屬帶線之間,絕緣鰭線只有一個(gè)金屬帶線,這2種鰭線的電場(chǎng)與耦合微帶線差模的電場(chǎng)相差很大,很難實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)的匹配。而單側(cè)鰭線的電場(chǎng)與耦合微帶線的電場(chǎng)最為相近,因此選擇單側(cè)鰭線作為耦合微帶線和矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換形式。

      圖2 鰭線的分類Fig.2 Classification of fin lines

      利用鰭線的特性設(shè)計(jì)了一種耦合微帶線和矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)示意和區(qū)域劃分如圖3所示。

      圖3 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)示意和區(qū)域劃分Fig.3 Schematic diagram of transformation structure and region division

      PCB的板材選用羅杰斯4350,介電常數(shù)為3.66,厚度為254 μm,矩形波導(dǎo)為E波段標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)WR12,PCB放置在矩形波導(dǎo)E面中心,有2排沿著波導(dǎo)壁排列的接地孔連接PCB頂層和底層的導(dǎo)體,與波導(dǎo)壁形成電壁。接地孔與波導(dǎo)壁之間存在一定的距離,形成凹槽,對(duì)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的帶寬影響很大。在PCB的頂層,2根耦合金屬帶線外側(cè)通過半圓結(jié)構(gòu)與波導(dǎo)側(cè)壁相連,金屬帶線的內(nèi)側(cè)通過對(duì)稱的漸變曲線連接到矩形波導(dǎo)側(cè)壁。在PCB底層,伸入波導(dǎo)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)整體呈錐形結(jié)構(gòu),兩側(cè)是通過半圓結(jié)構(gòu)與波導(dǎo)壁連接,中間的錐形由2條曲線相對(duì)形成。PCB底層和頂層4個(gè)半圓的相對(duì)位置主要是用來調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的諧振點(diǎn),底部的錐形結(jié)構(gòu)用來匹配耦合微帶線的阻抗和矩形波導(dǎo)的阻抗,實(shí)現(xiàn)2種傳輸線的阻抗匹配。

      轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中曲線常用的形式有指數(shù)、余弦平方和拋物線型等。本文使用的曲線形式是多點(diǎn)擬合的曲線,相比較其他的鰭線形式,靈活性強(qiáng),在調(diào)節(jié)過程中的自由度大,可以分段調(diào)試,能快速匹配耦合微帶線和矩形波導(dǎo)。根據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)分布,將轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)分為圖中的4個(gè)區(qū)域:耦合微帶線區(qū)(區(qū)域 Ⅰ)、阻抗匹配區(qū)(區(qū)域Ⅱ)、電場(chǎng)匹配區(qū)(區(qū)域Ⅲ)和矩形波導(dǎo)區(qū)(區(qū)域Ⅳ)4部分,如圖4所示。

      圖4 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)各區(qū)域的場(chǎng)分布Fig.4 Field distribution in different regions of the transformation structure

      區(qū)域Ⅰ的電場(chǎng)為耦合微帶線的差模電場(chǎng)。在區(qū)域Ⅱ中耦合微帶線的地面逐漸減小,差模垂直方向的電場(chǎng)開始旋轉(zhuǎn)[13-15],在區(qū)域Ⅱ和區(qū)域Ⅲ的邊界處,耦合微帶線垂直方向的電場(chǎng)變?yōu)樗椒较?,指向變?yōu)閺囊粋€(gè)金屬帶線指向另外一個(gè)金屬帶線,而波導(dǎo)中其他部分電場(chǎng)也以相同的方向從波導(dǎo)壁的一側(cè)指向另一側(cè),隨著與介質(zhì)基板的距離增加而逐漸減弱,在區(qū)域Ⅲ中旋轉(zhuǎn)后的電場(chǎng)與矩形波導(dǎo)的主模TE10電場(chǎng)通過介質(zhì)基板漸變的金屬帶線與矩形波導(dǎo)的電場(chǎng)匹配。在整個(gè)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中,不但矩形波導(dǎo)的電場(chǎng)和耦合微帶線差模的電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)匹配,同時(shí)也將波導(dǎo)的阻抗與微帶線差模的阻抗相匹配。

      2 仿真和測(cè)試

      根據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)建立耦合微帶線轉(zhuǎn)波導(dǎo)的仿真模型,經(jīng)過優(yōu)化仿真后,多點(diǎn)擬合的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)總長(zhǎng)度為4.1 mm,耦合微帶線轉(zhuǎn)矩形波導(dǎo)的仿真結(jié)果如圖5所示。

      圖5 耦合微帶線轉(zhuǎn)波導(dǎo)的仿真結(jié)果Fig.5 Simulation results of coupled microstrip line- to-waveguide

      在整個(gè)頻段內(nèi),矩形波導(dǎo)端口和耦合微帶線差模的回波損耗在11 dB以上,在77 GHz附近,回波損耗更是達(dá)到20 dB以上,而整個(gè)E波段內(nèi)耦合微帶線的共?;夭ㄔ?.2 dB以內(nèi)。耦合微帶線差模和波導(dǎo)主模的傳輸損耗在0.8 dB左右,對(duì)共模的抑制度大于56 dB,說明矩形波導(dǎo)輸入的總能量約有83%傳輸?shù)今詈衔Ь€的差模,約有百萬分之三傳輸?shù)焦材?。在整個(gè)E波段,耦合微帶線的2根金屬帶線的幅度差約為0 dB,相位差在180°±1°以內(nèi),說明耦合微帶線此時(shí)的工作模式為差模,矩形波導(dǎo)和耦合微帶線差模匹配良好,同時(shí)對(duì)耦合微帶線的共模抑制很高。

      耦合微帶線無法直接測(cè)量,為了驗(yàn)證該轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一個(gè)背靠背的耦合微帶轉(zhuǎn)波導(dǎo)結(jié)構(gòu),仿真及實(shí)物如圖6所示。PCB被包裹在金屬殼體內(nèi)部,整個(gè)仿真模型大致分為耦合微帶線、轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和波導(dǎo)3部分。為了方便加工和組裝,矩形波導(dǎo)的E面和PCB的頂層金屬齊平。加工時(shí)腔體沿著波導(dǎo)E面中心切割成兩部分,上部分包含波導(dǎo)腔和PCB的上腔,下部分包含波導(dǎo)腔和PCB的裝載腔。為了驗(yàn)證耦合微帶線長(zhǎng)度對(duì)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)駐波的影響,制作了10,30 mm兩種長(zhǎng)度的耦合微帶線。

      圖6 背靠背的耦合微帶轉(zhuǎn)波導(dǎo)Fig.6 Back-to-back coupled microstrip line-to-waveguide

      矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀常用的擴(kuò)頻模塊是V波段和W波段,一般測(cè)量該轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)需要用E波段轉(zhuǎn)V波段的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換和E波段轉(zhuǎn)W波段的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換,本文使用E波段的擴(kuò)頻模塊直接測(cè)試耦合微帶線轉(zhuǎn)波導(dǎo)結(jié)構(gòu),仿真結(jié)果和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的對(duì)比如圖7所示。在60~85 GHz,2種長(zhǎng)度的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)仿真和測(cè)試的回波損耗都在10 dB以上;在74~77.5 GHz,回波損耗在20 dB以上。整個(gè)E波段內(nèi)的插入損耗,10 mm的耦合微帶線仿真結(jié)果為0.8~2.6 dB,測(cè)試結(jié)果為1.4~3.9 dB,30 mm的耦合微帶線的仿真結(jié)果為1.6~5.3 dB,測(cè)試結(jié)果為3~5.9 dB。從駐波的對(duì)比看,仿真和測(cè)試的結(jié)果一致性很好。但在插入損耗上,測(cè)試的結(jié)果比仿真高0.6~1.6 dB,這是由于在加工、裝配和測(cè)試過程中都存在一定的誤差,另外仿真時(shí)所用的介電常數(shù)和損耗角正切是在10 GHz的測(cè)試結(jié)果,在E波段介質(zhì)基板的介電常數(shù)是未知的,都會(huì)導(dǎo)致測(cè)試的插入損耗比仿真的結(jié)果高。

      圖7 仿真和實(shí)測(cè)對(duì)比Fig.7 Comparison of simulation and actual measurement

      將2種長(zhǎng)度耦合微帶線背靠背轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的插入損耗相減,得到20 mm長(zhǎng)度耦合微帶線的插入損耗,然后用10 mm長(zhǎng)度耦合微帶線背靠背轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的插入損耗減去20 mm長(zhǎng)度耦合微帶線插入損耗的一半,最終得到轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的插入損耗如圖8所示。在60~82.5 GHz,轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的插入損耗在0.25~1 dB,在82.5 GHz迅速上升到1.6 dB,然后下降到1 dB,這是由于鰭線結(jié)構(gòu)在改頻點(diǎn)附近產(chǎn)生了高次模,導(dǎo)致插入損耗增加。

      圖8 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的插入損耗Fig.8 Insertion loss of transformation structure

      3 結(jié)束語

      本文設(shè)計(jì)了一種E波導(dǎo)的耦合微帶線和矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu),該轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)可以將耦合微帶線的差模和矩形波導(dǎo)的主模TE10匹配,同時(shí)能夠?qū)︸詈衔Ь€的共模有很高的抑制。除了在86 GHz附近,在整個(gè)頻段內(nèi)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)回波損耗在10 dB以上,尤其是在74~77 GHz可以達(dá)到20 dB以上,且回波損耗受耦合微帶線的長(zhǎng)度影響很小,在60~82.5 GHz,插入損耗在0.6±0.4 dB,該轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)可以用來測(cè)量差分饋電的微波器件和天線。

      該結(jié)構(gòu)可以有效地解決耦合微帶線差模的測(cè)試問題,但在實(shí)際使用中,耦合微帶線若出現(xiàn)轉(zhuǎn)彎現(xiàn)象,這對(duì)兩金屬帶線的相位和幅度差值影響很大,因此當(dāng)這種轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)換的耦合微帶線互聯(lián)工作時(shí),需要做進(jìn)一步改進(jìn)。

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