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      核聚變反應(yīng)中不同粒子源對鎢內(nèi)襯壁的輻射損傷研究*

      2021-01-22 12:23:56臧真麟JaimeMarian劉志林
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2021年6期
      關(guān)鍵詞:卷須輻射損傷輻射強(qiáng)度

      臧真麟,Jaime Marian,劉志林*

      (1.西藏農(nóng)牧學(xué)院 水利土木工程學(xué)院,西藏 林芝860000;2.Department of Materials Science and Engineering UCLA,美國 洛杉機(jī)90050)

      1 概述

      當(dāng)今世界上,能源短缺問題是人類面臨的巨大問題之一。礦物燃料已探明儲量正在逐漸減少[1]。隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展,人類對清潔能源的需求越來越迫切[2],核聚變作為其中效率最高的能源,走進(jìn)了人們的視野。(核聚變能源相對于核裂變和其他能源,在交互環(huán)境、安全和經(jīng)濟(jì)方面具有顯著的優(yōu)勢,這使得核聚變有成為長期能源的潛質(zhì)[3]。21世紀(jì)初,國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆計(jì)劃(ITER)在35個(gè)國家和地區(qū)的合作上成立,專注于核聚變能源的研究和開發(fā)。托克馬克在運(yùn)行中面臨著許多問題,輻射損傷是其中最難以解決的問題。當(dāng)暴露在大等離子體熱量和粒子通量時(shí),內(nèi)襯壁不應(yīng)出現(xiàn)任何大規(guī)模的故障或腐蝕,以保護(hù)外層容器部件免受輻射損傷[4]。所以等離子體和磁體之間的內(nèi)襯壁的選擇是非常重要的。鎢具有最高的熔點(diǎn)和最低的蒸氣壓。由于W濺射的入射離子能量分布低于閾值(100eV),鎢在分離模式上有望免受物理侵蝕[5],這使它比其他任何金屬更適合內(nèi)襯墻。本文綜述了氦、氫等粒子源以及其他混合粒子源對鎢表面的輻照損傷。研究了鎢在輻照損傷過程中鎢表面形貌的變化及其損傷產(chǎn)物。

      2 氦粒子源(He)

      2.1 表面形態(tài)

      氦離子照射上鎢表面形成的納米卷須一直是科學(xué)研究的對象之一。在等離子體的照射上,鎢的表面逐漸納米卷須化,拋光的表面轉(zhuǎn)變?yōu)閹缀跫冩u的互連納米結(jié)構(gòu)層。納米結(jié)構(gòu)的生長取決于入射的等離子體物質(zhì),這些物質(zhì)必須通過納米結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)散到鎢本體,然后才能發(fā)生進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)生長。因此,擴(kuò)散在納米結(jié)構(gòu)的生長中起著主導(dǎo)作用。高能等離子體和更多的間隙會提高納米卷須的生長效率。

      這些結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為一團(tuán)纏繞在一起的無序納米棒,在上面的圖1中[6],納米棒的長度可達(dá)1微米,其中有精細(xì)尺度的空腔(可以肯定是氦泡)。圖2中,受到不同能級能量沖擊的納米卷須在外觀上也不同[7]:低能卷須的形狀一般是圓形的,表面可能存在表面點(diǎn)蝕。另一方面,高能量卷須呈現(xiàn)為塊狀,厚度均勻,存在大量的表面凹陷。低能卷須比高能卷須更細(xì),表面比高能卷須更光滑。

      圖1金屬表面(a)和橫截面(b)取自峰值溫度為2600℃的輻射樣品,通過SEM成像

      2.2 特性變化

      圖3 展示了不同百分比的鎢合金在輻射前后光學(xué)反射率的變化[8]。純鎢在經(jīng)過不同輻射強(qiáng)度的輻射后,光學(xué)反射率都有不同程度的上降。但是從總體情況來看,反射趨勢并沒有因?yàn)檩椛鋼p傷而發(fā)生變化。

      2.3 產(chǎn)生機(jī)理

      圖4顯示了根據(jù)等離子體曝光時(shí)間的增加而變化的五個(gè)拋光鎢截面圖[9]。這些橫截面清楚地顯示了納米層的生長取決于等離子體暴露時(shí)間。

      3 氫粒子源(H)

      3.1 微觀結(jié)構(gòu)變化

      圖5展示了在室溫條件上,H+離子輻照形成的W和MO微觀結(jié)構(gòu)的離子能量依賴關(guān)系[10]。在W樣品的觀測中,2keV以上沒有形成可見的缺陷,而在4keV以上形成了間隙型位錯(cuò)環(huán)。隨著輻射強(qiáng)度的增加,W的表面逐漸產(chǎn)生大量的缺陷,可見缺陷密度具有能量依賴性。

      圖6展示了HP-W(高純度單晶鎢)和PM-W(低純度多晶鎢)缺陷損失的溫度依賴性[11]。HP-W的位錯(cuò)環(huán)面密度的溫度依賴性比PM-W要強(qiáng)。PM-W的位錯(cuò)環(huán)出現(xiàn)在輻射早期。在873k時(shí),HP-W中僅出現(xiàn)小型氫氣泡,而PM-W中已經(jīng)形成氫氣泡和位錯(cuò)環(huán)。

      圖2 卷須結(jié)構(gòu)平面比較圖。(a-c)、(d-f)分別由低能和高能He離子輻射而成。(a-d,f)為20KeV,(e)為5KeV。通過SEM成像

      圖3 輻射前后鎢試樣的光學(xué)反射率。(a)1.5×1022H e/m2,(b)4.0×1022H e/m2,(c)1.3×1022H e/m2 and(d)3.9×1022H e/m2

      3.2 氘捕獲

      圖4 W目標(biāo)暴露在純He等離子體上,曝光次數(shù)為(a)300s,(b)2.0×103s,(c)4.3×103s,(d)9.0×103s,(e)22×104s的SEM橫截面圖像。靶體暴露在1120K的固定溫度上。等離子體特性略有不同的參數(shù)范圍ne=4×1018m-3和Te~6-8eV,ΓHe+=(4-6)×1022m-2 s-1,以此保持溫度不變

      圖5 H+離子在室溫上輻射HP-W和HP-Mo形成的微觀結(jié)構(gòu)的離子能量依賴性

      圖6 8KeV H+離子輻照HP-W和PM-W時(shí)微觀結(jié)構(gòu)的溫度依賴性

      圖7 氘俘獲作為通量的函數(shù)曲線

      在DT聚變反應(yīng)堆中,鎢由于中子轟擊而產(chǎn)生輻射誘導(dǎo)缺陷。因此,研究氘在被中子破壞的鎢中的保留、釋放和擴(kuò)散等行為是很重要的。圖7展示了保留通量和入射通量的函數(shù)關(guān)系[12]。在高通量時(shí),由于擴(kuò)散到體中,積累的氘的數(shù)量以離子通量的平方根增加。

      4 中子損傷

      4.1 微觀結(jié)構(gòu)的變化

      托克馬克裝置在運(yùn)行時(shí)面臨的一個(gè)很大的問題,是中子輻射損傷帶來的損傷問題。因?yàn)槠渥銐驈?qiáng)的穿透能力,幾乎所有物質(zhì)都不能夠抵擋住中子輻射。迄今為止,這個(gè)問題還是核聚變領(lǐng)域沒有解決的難題。作為處于等離子和磁體之間的內(nèi)襯壁,鎢隨時(shí)可能面臨中子輻射帶來的損傷。

      圖8為在不同的溫度、0.17~1.54dpa上,W中的微觀結(jié)構(gòu)觀察結(jié)果[13]。在400攝氏度上輻照到0.17dpa的樣品中,觀察到了細(xì)小、緊密的類金剛石和位錯(cuò)環(huán),且其分布并不均勻。在538℃輻照到0.96dpa的樣品中,觀察到大小各異的孔洞,可見孔洞的最小直徑約為1nm,最大孔洞直徑約為6nm,同時(shí)還觀察到了位錯(cuò)環(huán)。在400℃輻照0.17dpa的試樣中,孔洞的平均直徑比觀察到得大。在740℃輻照到0.40dpa的試樣中,觀察到微小孔隙。在750℃輻照1.54dpa的樣品中,觀察到了大的孔洞和孔洞晶格,孔洞的直徑范圍為2-9nm。

      4.2 特性變化

      圖9為在不同條件上中子輻照前后W-Re合金的電阻率變化折線[14]。在純W中沒有觀察到明顯的電阻率變化。在聚變堆條件上,隨著輻照劑量的增加,純W基質(zhì)中的嬗變產(chǎn)物增加。

      圖8 在(a)0.17dpa at 400℃,(b)0.96dpa at 538℃,(c)0.40dpa at 740℃and(d)1.54dpa at 750℃情況上觀察純W的微觀結(jié)構(gòu)。(a)和(d)中的空白為黑色

      圖9 W和W-Re合金的輻射條件與電阻率的關(guān)系

      圖10 W和W-Re合金的輻射條件與硬度的關(guān)系

      圖10 展示了W和W-Re合金的輻射硬化程度與輻射條件有關(guān)[14]。在合金百分比為0時(shí)(即為純鎢),孔洞的形成抑制了合金的硬化,隨著原子平均離位(dpa)的增加,輻射誘導(dǎo)導(dǎo)致的析出增加,致使合金硬化程度增大。

      5 結(jié)論

      本文總結(jié)了托克馬克裝置在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的不同粒子對鎢內(nèi)襯壁的輻射損傷情況以及輻射產(chǎn)物。

      在He粒子源的輻射上,鎢表面逐漸納米化,形成了幾乎為純鎢的無序納米卷須。納米卷須的生長機(jī)理還沒有明確的研究結(jié)果,將來有可能對復(fù)合涂層材料進(jìn)行深入研究,解決卷須的生長問題。其外觀變化受輻射強(qiáng)度的影響,輻射過后鎢表面的光學(xué)反射率上降。在He粒子源的輻射上,鎢表面逐漸產(chǎn)生缺陷。當(dāng)能量達(dá)到4keV以上時(shí),鎢表面形成了間隙性位錯(cuò)環(huán)。缺陷密度隨輻射強(qiáng)度增加或者溫度的升高而變大。在高能輻射上,氘的積累量隨著離子注量的平方根的增加而增加。

      中子輻射的能量極強(qiáng),幾乎沒有物質(zhì)能夠抵擋。在中子輻射上,鎢表面形成孔洞??锥措S著溫度的增長和輻射強(qiáng)度的增加而變大,其中輻射強(qiáng)度為主要影響。在輻射的影響上,鎢的硬度變大,與輻射強(qiáng)度呈正相關(guān)??赡軙懈嗟膹?fù)合材料在將來會被應(yīng)用到內(nèi)襯壁的材料試驗(yàn)當(dāng)中,復(fù)合材料的綜合性能高于現(xiàn)有的金屬W及其他材料,或許可以減小輻射損傷。

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