劉高鳴,杜 鵑,謝維斌,羅 艷
(1.東華大學(xué)生態(tài)紡織教育部重點實驗室,上海 201620;2.浙江省檢驗檢疫科學(xué)技術(shù)研究院,浙江杭州 311215)
聚吲哚(PIn)是一種新型導(dǎo)電高分子材料,熱穩(wěn)定性、高氧化還原穩(wěn)定性良好,降解速度較慢,在電池、傳感器、防腐蝕、藥物傳遞等方面應(yīng)用廣泛[1],但導(dǎo)電性能較差,限制其應(yīng)用。Phasuksom 等[2]在聚吲哚制備過程中加入不同比例的HClO4作為摻雜劑以提高其導(dǎo)電性,采用十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、十二烷基硫酸鈉(SDS)、聚山梨酯-80(TW80)3 種表面活性劑改變聚吲哚的粒徑;Cai 等[3]采用靜電紡絲法制備直徑不同的聚吲哚納米纖維;Gupta 等[4]采用界面聚合法合成球狀和棒狀聚吲哚;Handore 等[5]研究氧化劑類型(K2S2O8和CuCl2)對PIn 導(dǎo)電性的影響,結(jié)果表明氧化劑類型對聚吲哚的導(dǎo)電性有重要影響。本研究以聚對苯乙烯磺酸鈉(PSS)為摻雜劑,室溫下通過氧化聚合法制備聚吲哚,探究氧化劑種類、摻雜劑用量、pH 對聚吲哚導(dǎo)電性的影響。
吲哚、過氧化氫(H2O2)(國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),氯化亞鐵(FeCl2,上海阿拉丁試劑有限公司),過硫酸銨[(NH4)2S2O8,APS]、氯化鐵(FeCl3?6H2O)、鹽酸(HCl)(平湖化工試劑廠),聚對苯乙烯磺酸鈉[(C8H8O3S)n,上海潤意化學(xué)科技有限公司],pH 緩沖劑(上海泰坦科技股份有限公司)。
配制120 mL 不同pH 的緩沖劑水溶液,加入一定量PSS 溶液,再加入0.15 g 吲哚單體,超聲30 min,轉(zhuǎn)移至三口燒瓶中攪拌30 min 至溶解,緩慢滴加30 mL含有不同氧化劑的水溶液,保持體系劇烈攪拌24 h。反應(yīng)完成后用透析袋透析去離子化,每2 h 換一次水,重復(fù)操作5次。pH 及反應(yīng)原料配比見表1。
表1 pH 及反應(yīng)原料配比
反應(yīng)機(jī)理如下:
X 射線衍射:用轉(zhuǎn)靶X 射線衍射儀(XRD,D/max-2550VB+/PC*,三英精密儀器有限公司)測試,電壓40 kV,電流450 mA,最大輸出功率18 kW,Cu 靶(波長kα=1.540 6
Raman 光譜:采用LabRAM HR800 型激光共聚焦顯微拉曼光譜儀測試,N.A.數(shù)值孔徑0.25,WD 工作距離10.6 mm,空間分辨率3 μm,600 groove/mm 全息光柵,功率6.8 mW,激發(fā)光波長532 nm。
微觀形貌:用掃描電子顯微鏡(SEM,HITACHI S-4800,日本日立公司)表征,工作距離10 mm,電壓15 kV,電流60 mA。
紅外光譜:采用傅里葉變換紅外光譜儀(Varian 600-IR,美國瓦里技術(shù)有限公司)表征,波長掃描范圍4 000~400 cm-1,分辨率4 cm-1。
紫外-可見光譜:采用UV-1800 紫外-可見光分光光度計表征,波長300~800 nm。
電導(dǎo)率和方阻:采用四探針測試儀(RTS-8,廣州四探針科技有限公司)測試。
粒徑動態(tài):采用Nano-ZS 納米粒度分析儀測試。
2.1.1 紅外光譜
由圖1 可以看出,1 611 cm-1對應(yīng)吡咯環(huán)上的伸縮振動吸收峰[6];1 130 cm-1對應(yīng)C—N 的伸縮振動吸收峰[7];1 160 cm-1對應(yīng)磺酸基的伸縮振動吸收峰[8];728、766 cm-1分別對應(yīng)吲哚單體吡咯環(huán)上C3—H與C2—H 的伸縮振動吸收峰,但是圖1b~圖1e 中這兩個峰消失;744 cm-1對應(yīng)苯環(huán)上C—H 的伸縮振動峰[9]。C2—H、C3—H 峰的消失說明聚吲哚的成功制備,且吲哚聚合的位點發(fā)生在吡咯環(huán)二號位C 與三號位C 上,苯環(huán)本身并不參與聚合。
圖1 不同氧化劑體系聚合的聚吲哚紅外光譜圖
2.1.2 紫外-可見光譜
由圖2 可知,除H2O2-Fe2+體系外,其他氧化劑體系聚合產(chǎn)物均在398 nm 處出現(xiàn)峰(對應(yīng)聚吲哚吡咯環(huán)上π-π*電子躍遷),酸的成功摻雜使聚吲哚的質(zhì)子化程度增強(qiáng),促使N 上正電荷移入共軛π 鍵中產(chǎn)生π-π*電子躍遷[10]。因為H2O2-Fe2+體系在氧化還原過程中會產(chǎn)生大量OH-,影響反應(yīng)體系的pH,不利于PSS 的質(zhì)子化,從而影響PSS 與吲哚的復(fù)合效果,在此處未出現(xiàn)峰。
圖2 不同氧化劑體系聚合的聚吲哚紫外-可見光譜圖
2.1.3 X 射線衍射
圖3 不同氧化劑體系聚合的聚吲哚XRD 譜圖
2.1.4 導(dǎo)電性
由圖4 可知,不同氧化劑體系制得的聚吲哚導(dǎo)電性從大到小為體系、H2O2-Fe2+體系、體系、Fe3+體系。不同氧化劑體系氧化效果不同[12],在相同反應(yīng)時間下,F(xiàn)e3+體系聚合程度最低,生成的復(fù)合材料分子質(zhì)量最小。在氧化劑中添加少量還原劑可降低反應(yīng)的聚合活化能,體系中的聚吲哚能在PSS 模板鏈上良好生長,導(dǎo)電性較好,而H2O2-Fe2+體系在反應(yīng)過程中會產(chǎn)生OH-,影響吲哚與PSS的復(fù)合,導(dǎo)電性比體系弱。
圖4 氧化劑體系對導(dǎo)電性的影響
2.2.1 水分散性
由圖5 可看出,當(dāng)m(PSS)∶m(PIn)小于2 時,復(fù)合材料在水中分散不穩(wěn)定,圖5a、圖5b 出現(xiàn)分層,隨著PSS 用量增加,復(fù)合材料在水中的分散性變好,當(dāng)m(PSS)∶m(PIn)大于2 時,復(fù)合材料水溶性良好,在水中分散穩(wěn)定且不出現(xiàn)分層。PIn 溶解性較差,為使復(fù)合物有合適的加工性,以兩親性PSS 為分散劑對PIn 進(jìn)行處理,PSS 量過少就不足以將疏水的PIn 主鏈均勻分散于水溶液中[13],復(fù)合材料出現(xiàn)分層。
圖5 不同PIn、PSS質(zhì)量比的樣品圖
2.2.2 紫外-可見光譜
由圖6 可看出,398 nm 處的吸收峰對應(yīng)聚吲哚吡咯環(huán)上π-π*電子躍遷,圖6a、圖6b 以外的樣品均在398 nm 處出現(xiàn)吸收峰,說明氧化還原摻雜及酸摻雜成功,聚吲哚的質(zhì)子化程度增強(qiáng),促使N上的正電荷移動,離域進(jìn)入共軛π 鍵中,產(chǎn)生π-π*電子躍遷。
圖6 不同PSS 用量的聚吲哚紫外-可見光譜圖
2.2.3 粒徑
由表2 可知,隨著PSS 用量增加,平均粒徑先顯著減小再趨于穩(wěn)定,與文獻(xiàn)[14]相符。說明加入PSS能改善復(fù)合材料的水分散性,吲哚可以更均勻地在PSS 模板鏈上生長,PSS 量太少不能讓所有吲哚在其模板鏈上聚合生長而自聚;隨著PSS 用量增加,吲哚能在PSS 模板鏈上較為均勻地生長,平均粒徑減??;隨著PSS 用量進(jìn)一步增加,其本身粒徑較大,影響復(fù)合材料的粒徑,使平均粒徑略微增加。
表2 PSS 用量對聚吲哚粒徑的影響
2.2.4 掃描電鏡
由圖7 可以看出,未添加PSS 的PIn 粉末表面呈密集顆粒狀,添加PSS 后表面變?yōu)檩^松散的圓形網(wǎng)絡(luò)狀[15]。因為未添加PSS 之前,聚吲哚在水中分散性較差,添加PSS 后,聚吲哚可隨PSS 模板鏈較規(guī)則地生長,有利于導(dǎo)電性的提高。
圖7 PIn(a)與PIn:PSS(b)的掃描電鏡圖
2.2.5 導(dǎo)電性
由圖8 可以看出,隨著PSS 用量增加,復(fù)合物導(dǎo)電性先增強(qiáng)后減弱,原因是PSS 用量增加有利于酸的摻雜,載流子濃度變大;但PSS 用量過高則會降低吲哚在PSS 模板鏈上聚合的分子質(zhì)量,使所有獨立的大分子鏈間結(jié)構(gòu)分布不均勻,縮短電子通道,且PSS 本身并不導(dǎo)電。
圖8 m(PSS)∶m(PIn)對導(dǎo)電性的影響
2.3.1 掃描電鏡
由圖9 可知,隨著pH 增大,PIn:PSS 的表面形態(tài)由較疏散的圓形結(jié)構(gòu)變?yōu)檩^密集的圓形結(jié)構(gòu)。pH 大于7 時,OH-滲透到PSS 和PIn 鏈中,影響PIn 短鏈與PSS 之間的靜電吸引,PIn:PSS 復(fù)合體系相分離,最終PSS 長鏈包裹住PIn 鏈,其形態(tài)由連續(xù)、均勻分散的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)變?yōu)榉沁B續(xù)的團(tuán)簇結(jié)構(gòu)[16],因此聚吲哚的表面形態(tài)較密集。pH 小于7 時,PIn 短鏈容易與長鏈連接形成親水的PIn:PSS 復(fù)合材料,氫離子的質(zhì)子化作用促進(jìn)形成均相水溶液,所以酸性越強(qiáng)越有利于吲哚在復(fù)合體系中的分散,有利于聚合的進(jìn)行,聚吲哚的表面越松散[17]。
圖9 不同pH 下制得的PIn:PSS 掃描電鏡圖
2.3.2 粒徑
由表3 可知,隨著pH 增加,PIn:PSS 粒徑變大,因為OH-增加導(dǎo)致PIn:PSS 復(fù)合體系相分離,OH-滲透到聚吲哚與PSS 長鏈間,破壞二者的靜電吸引,最終PSS 長鏈包裹住PIn 鏈,其形態(tài)由連續(xù)、均勻分散的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)變?yōu)榉沁B續(xù)的團(tuán)簇結(jié)構(gòu)。
表3 pH 對聚吲哚粒徑的影響
2.3.3 導(dǎo)電性
由表4 可以看出,PIn:PSS 的導(dǎo)電性隨pH 升高而降低,因為pH 會影響均相水溶液的形成,改變復(fù)合體系的分散性,影響吲哚在PSS 模板鏈上的均勻聚合,并體現(xiàn)在導(dǎo)電性上。
表4 pH 對PIn:PSS 導(dǎo)電性的影響
2.3.4 拉曼光譜
D/G 峰面積比值(ID/IG)代表無序程度,數(shù)值大無序程度較高。由圖10 可知,隨著pH 增大,ID/IG變大[16][pH 1.68(1.14)、pH 4.00(1.24)、pH 6.86(1.32)、pH 9.18(1.46)]。因為pH 增加影響均相水溶液的形成和復(fù)合體系的水分散性,吲哚較難在PSS 模板鏈上有規(guī)律地生長,大量的吲哚單體自聚,增加無序程度和晶格的缺陷程度。
圖10 不同pH 下制得的PIn:PSS 拉曼光譜圖
在以APS/Fe2+為氧化體系,PIn:PSS 摻雜質(zhì)量比為1∶4,pH 為1.68 條件下制備的PIn:PSS 二元復(fù)合材料性能較優(yōu)良。