劉桂良,何宗倍,藺浩然,張瑞謙,陳招科,王繼平
(1.中國核動力研究設(shè)計院,反應(yīng)堆燃料及材料國家重點實驗室,成都 610213;2.西安交通大學材料科學與工程學院,金屬材料強度國家重點實驗室,西安 710049;3.中南大學,輕質(zhì)高強結(jié)構(gòu)材料重點實驗室,長沙 410083)
碳化硅纖維增強碳化硅(SiCf/SiC)復(fù)合材料是新一代纖維增強陶瓷基復(fù)合材料,具有高強度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)異性能,是核聚變領(lǐng)域極具潛力的候選材料之一[1-5]。與純SiC陶瓷相比,SiCf/SiC復(fù)合材料的韌性和塑性明顯提高,斷裂形式為非脆性斷裂,其中SiC纖維和界面層的存在為塑韌性的提高起到了關(guān)鍵作用[6-9]。SiCf/SiC復(fù)合材料中界面層的制備方法包括化學氣相滲透(CVI)工藝[10]、溶膠-凝膠(Sol-Gel)工藝、原位生長工藝和先驅(qū)體裂解工藝等。與其他制備方法相比,CVI工藝能夠控制界面層的成分、厚度和結(jié)構(gòu),其制備溫度和壓力較低,對纖維的損傷較小,所制備的界面層能顯著提升復(fù)合材料的力學性能[11-12]。CHATEAU等[13]研究發(fā)現(xiàn):熱解碳(PyC)界面層具有典型的層狀結(jié)構(gòu),能夠有效提高SiCf/SiC復(fù)合材料的塑性和韌性,但PyC界面層較差的高溫抗氧化性導致復(fù)合材料難以在高溫環(huán)境下服役。SiC界面層具有優(yōu)異的抗氧化性能[14],因此可在PyC界面層上引入SiC相獲得PyC-SiC共沉積界面層,改善PyC界面層的抗氧化性能。ALMANSOUR等[15]通過CVI工藝制備出含不同類型和不同體積纖維的SiCf/SiC復(fù)合材料,并研究了纖維類型、界面類型、纖維體積等對SiCf/SiC復(fù)合材料力學性能的影響。SAUDER等[16]研究了纖維類型與SiCf/SiC復(fù)合材料界面剪切強度和整體力學性能之間的關(guān)系。Mini復(fù)合材料是以纖維束為預(yù)制件,并在此基礎(chǔ)上沉積中間相和基體而獲得的纖維束復(fù)合材料。Mini復(fù)合材料是構(gòu)成真實復(fù)合材料的基本單元,其幾何特征與實際復(fù)合材料相近,且制備工藝也與實際復(fù)合材料類似,是一種可以很好地代表實際復(fù)合材料的模型復(fù)合材料。Mini復(fù)合材料結(jié)構(gòu)簡單,在優(yōu)化制備工藝、提高復(fù)合材料綜合性能等方面具有快速而有效的特點。目前,國內(nèi)外有關(guān)PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料的相關(guān)報道較少。作者以國產(chǎn)第三代SiC纖維為增強材料,采用CVI工藝制備出不同界面層厚度的PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料,通過拉伸試驗研究了界面層厚度對Mini復(fù)合材料拉伸性能和斷裂機制的影響,并與1 100 nm厚PyC界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料的拉伸性能進行對比。
選用國產(chǎn)某第三代SiC纖維作為增強體,記為SiCf。將SiCf纏繞成纖維束,放入CVI爐中,在1 100 ℃沉積溫度和(200±50)Pa沉積壓力下同時通入C3H6-Ar和甲基三氯硅烷(MTS)-H2-Ar反應(yīng)源氣體,使氣體在高溫下反應(yīng)生成PyC和SiC并沉積在SiCf纖維束表面,通過控制沉積時間(20,40,70 min)獲得不同厚度PyC-SiC共沉積界面層;再通過CVI工藝在其上沉積SiC,反應(yīng)源氣體為MTS-H2-Ar,沉積時間為20 h,獲得了3種厚度PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料,并將20,40,70 min沉積時間下獲得的Mini復(fù)合材料試樣記作B1,B2,B3試樣,試樣尺寸為φ0.67 mm×120 mm。將SiCf纖維束放入CVI爐中,在1 100 ℃沉積溫度和(200±50)Pa沉積壓力下通入前驅(qū)體丙烯(C3H6)和稀釋氣體Ar,沉積3 h后獲得厚度為1 100 nm的PyC界面;再沉積SiC(反應(yīng)源氣體MTS-H2-Ar,沉積時間20 h),獲得致密的Mini復(fù)合材料。將該材料作為對比試樣并標記為B0試樣,試樣尺寸為φ0.58 mm×120 mm。
按照GB/T 3354—2014,采用INSTRON 3369型電子萬能材料拉伸試驗機對復(fù)合材料進行拉伸試驗,拉伸速度為1.0 mm·min-1,拉伸標距為50 mm,拉伸試驗裝置如圖1所示。
圖1 Mini復(fù)合材料拉伸試驗裝置示意Fig.1 Schematic of tensile test device for Mini composites
采用Novtma Nano SEM230型場發(fā)射掃描電鏡(SEM)對Mini復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)、拉伸斷口形貌進行觀察。根據(jù)不同試樣界面層厚度與沉積時間計算出Mini復(fù)合材料在不同時間段的沉積速率,計算公式為
v1=l1/t1
(1)
v2=(l2-l1)/(t2-t1)
(2)
v3=(l3-l2)/(t3-t2)
(3)
式中:t1,t2,t3分別為20,40,70 min;l1,l2,l3分別為t1,t2,t3沉積時間下界面層厚度,即B1,B2,B3試樣的界面層厚度;v1,v2,v3分別為0~20 min,20~40 min,40~70 min時間段的平均沉積速率。
根據(jù)SEM微觀形貌,測得B0,B1,B2,B3試樣界面層的平均厚度分別為1 100,500,1 100,2 100 nm。由圖2可以看出:B0,B1,B2,B3試樣的界面層厚度均勻,所有試樣的界面層均為單層界面,未出現(xiàn)亞層結(jié)構(gòu),且界面特征明顯;B1,B2,B3試樣的PyC-SiC共沉積界面層表面相比于B0試樣的PyC界面層更加光滑。
圖2 不同Mini復(fù)合材料試樣界面層的微觀形貌Fig.2 Micromorphology of interface layer of different Mini composite samples: (a) B0 sample, at low magnification; (b) B0 sample, at high magnification; (c) B1 sample, at low magnification; (d) B1 sample, at high magnification; (e) B2 sample, at low magnification; (f) B2 sample, at high magnification; (g) B3 sample, at low magnification and (h) B3 sample, at high magnification
由圖3可知,隨著沉積時間的延長,沉積速率增大,但增大幅度相對穩(wěn)定,說明界面層在沉積過程中均勻增厚。通過表面控制機制,即氣-固轉(zhuǎn)化晶體生長機制[17-19]能夠很好地解釋這一過程:反應(yīng)源氣體通過反應(yīng)生成的原子或分子接觸纖維表面時,會被吸附在纖維上或反射回反應(yīng)源氣體中,吸附于纖維上的原子或分子之間發(fā)生表面反應(yīng)形成成晶粒子,成晶粒子以二維形式擴散至晶格中。氣-固轉(zhuǎn)化晶體生長過程基本遵循Langmuir單分子層吸附規(guī)律[17-19],即氣體分子在纖維表面吸附是一個逐步成層的過程,最初反應(yīng)生成的氣體分子在纖維表面形成無序三維晶核且數(shù)量不斷增加,使得頂部形成平整平臺,一定時間后在纖維表面形成一層光滑界面層,此后在剛剛形成的界面上重復(fù)上一個過程,界面層均勻增厚;同時界面層的形成不會導致纖維束內(nèi)形成閉孔,這也是所其在每根纖維表面均分布得非常均勻的主要原因。
圖3 Mini復(fù)合材料共沉積界面層的沉積速率Fig.3 Deposition rates of codeposited interface layer of Mini composites
由圖4可知:1 100 nm厚PyC-SiC共沉積界面Mini復(fù)合材料(B2試樣)的拉伸強度達到626.0 MPa,斷裂應(yīng)變?yōu)?.45%,其拉伸強度遠大于1 100 nm厚PyC界面Mini復(fù)合材料(B0試樣)的,并且隨著共沉積界面層厚度的增加,Mini復(fù)合材料的拉伸強度先升高后降低。當界面層厚度較小時,界面結(jié)合強度較高,界面不易脫黏,導致拉伸過程中局部發(fā)生應(yīng)力集中及能量集中,裂紋容易萌生與擴展,而且斷裂時纖維所承受的應(yīng)力較小,無法發(fā)揮增強效果,因此拉伸強度較低;當界面層厚度過大時,界面結(jié)合很弱,裂紋易沿著界面擴展,裂紋擴展路徑較短,界面脫黏、摩擦、滑移所吸收的斷裂能較少,對拉伸強度不利;當界面層厚度適中時,界面結(jié)合強度適中,纖維可發(fā)揮其增強增韌作用,此時Mini復(fù)合材料的拉伸強度最大[20-21]。
圖4 不同Mini復(fù)合材料試樣的平均拉伸強度及斷裂應(yīng)變Fig.4 Average tensile strength and fracture strain of different Mini composite samples
由圖5可以看出,B2試樣的拉伸真應(yīng)力-應(yīng)變曲線可大致分為線性變形階段、非線性變形階段及斷裂階段3部分,表現(xiàn)出明顯的脆性斷裂特征。當載荷較低時,復(fù)合材料處于彈性變形階段;隨著載荷的增大,由于基體的抗拉強度較低,裂紋先在基體中萌生并不斷擴展至界面處,在界面處發(fā)生偏轉(zhuǎn),在徑向拉力和編織方向剪切力作用下,界面發(fā)生脫黏,復(fù)合材料產(chǎn)生不可逆變形,此時復(fù)合材料處于非線性變形階段;最后,SiC基體被破壞,SiCf因承受載荷而斷裂拔出,導致復(fù)合材料失效[22]。
圖5 B2試樣的拉伸真應(yīng)力-真應(yīng)變曲線Fig.5 Tensile true stress-true strain curve of B2 sample
由圖6可以看出:各試樣拉伸斷口均呈現(xiàn)明顯階梯狀,斷口處有明顯的纖維拔出現(xiàn)象以及纖維拔出后留下的孔洞,纖維拔出長度較長且其表面存在殘留的黏附物,可明顯觀察出SiC纖維、界面層和基體的區(qū)別;斷口周圍存在明顯的裂紋。對比發(fā)現(xiàn):僅B0試樣界面層與基體發(fā)生脫黏拔出現(xiàn)象,說明B0試樣基體與界面層的結(jié)合強度最低;隨著沉積時間的延長,即界面層厚度的增加,PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料斷口纖維上殘留的黏附物越來越少,B3試樣纖維上幾乎沒有黏附物且界面與基體形成一個整體,斷口平整,說明隨著PyC-SiC共沉積界面厚度的增加,界面與纖維間的結(jié)合強度呈下降趨勢。
圖6 不同Mini復(fù)合材料試樣拉伸斷口形貌 Fig.6 Tensile fracture morphology of different Mini composite samples: (a) B0 sample, at low magnification; (b) B0 sample, at high magnification; (c) B1 sample, at low magnification; (d) B1 sample, at high magnification; (e) B2 sample, at low magnification; (f) B2 sample, at high magnification; (g) B3 sample, at low magnification and (h) B3 sample, at high magnification
根據(jù)PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料斷口微觀形貌歸納出該材料的拉伸斷裂機制(如圖7所示):在基體中產(chǎn)生的裂紋進入共沉積界面時發(fā)生偏轉(zhuǎn)和分叉,共沉積界面結(jié)構(gòu)均勻,裂紋在界面層內(nèi)的擴展方向不會發(fā)生改變,最終裂紋擴展至纖維,使斷口呈現(xiàn)斜向的斷裂面。
圖7 PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料的斷裂機制示意Fig.7 Fracture mechanism diagram of PyC-SiC codeposition interface SiCf/SiC Mini composites
(1) 在SiC纖維束上沉積20,40,70 min時得到的PyC-SiC共沉積界面層的平均厚度分別為500,1 100,2 100 nm,界面層厚度均勻,為單層界面,未出現(xiàn)界面亞層。
(2) 隨著共沉積界面層厚度的增加,Mini復(fù)合材料的拉伸強度先升高后降低,當共沉積界面層厚度為1 100 nm時,Mini復(fù)合材料的界面結(jié)合強度適中,拉伸強度最大,且遠大于相同厚度PyC界面層的,說明一定范圍內(nèi)提高界面層的厚度可有效地增強增韌共沉積界面Mini復(fù)合材料。
(3) PyC-SiC共沉積界面SiCf/SiC Mini復(fù)合材料斷裂機制為在基體中產(chǎn)生的裂紋進入界面時發(fā)生偏轉(zhuǎn)和分叉,裂紋在界面層內(nèi)擴展方向不變,最終擴展至纖維而發(fā)生脆性斷裂。