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      薄帶連鑄取向硅鋼的熱軋孿生行為

      2022-03-08 07:32:42宋紅宇劉海濤王國棟
      關(guān)鍵詞:薄帶熱軋板硅鋼

      宋紅宇, 劉海濤, 王國棟

      (東北大學(xué) 軋制技術(shù)及連軋自動化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 遼寧 沈陽 110819)

      由于具有單一的Goss織構(gòu)({110}〈001〉擇優(yōu)取向),取向硅鋼沿軋向磁化時具有磁感高、鐵損低的特點(diǎn),主要用于制造變壓器鐵芯[1-2].雙輥薄帶連鑄(twin-roll strip casting)技術(shù)具有亞快速凝固的特性,因而在取向硅鋼抑制劑控制上具有獨(dú)特優(yōu)勢,與傳統(tǒng)生產(chǎn)流程相比還具有顯著的流程短、能耗低的特點(diǎn),符合金屬材料工業(yè)的綠色化發(fā)展趨勢[3].但是,由于僅發(fā)生少量的δ/γ相變,取向硅鋼在薄帶連鑄時容易形成粗大的凝固組織和強(qiáng)λ纖維織構(gòu)(〈100〉//ND),而薄帶連鑄近終形生產(chǎn)的特點(diǎn)增大了組織和織構(gòu)的調(diào)控難度.研究表明,在鋼液過熱度較高的條件下,高溫退火后常常形成不完善的二次再結(jié)晶組織,嚴(yán)重惡化磁性能.這是因?yàn)楸нB鑄取向硅鋼中粗大的λ晶粒容易從凝固組織“遺傳”至初次再結(jié)晶基體,惡化了Goss晶粒的異常長大環(huán)境,因此必須采用兩步冷軋法才能獲得完善的二次再結(jié)晶組織[4-5].然而,二次冷軋的壓下率偏低會導(dǎo)致初次再結(jié)晶織構(gòu)中{111}〈112〉組分較弱,不利于高磁感取向硅鋼的制備[1-2,6];因此,需要采取新的方法,在薄帶連鑄流程下解決粗大λ晶?!斑z傳”導(dǎo)致磁性能惡化這一問題.

      Park等和Strezov等[7-8]指出,通過降低熔池內(nèi)鋼液的過熱度促使δ鐵素體隨機(jī)形核,可以獲得細(xì)小且織構(gòu)漫散的等軸晶凝固組織;然而,即使過熱度低至15 ℃,F(xiàn)e-3%Si硅鋼鑄帶坯的平均晶粒尺寸也在230 μm左右[9],仍然十分粗大.另一方面,受限于較低的熱軋壓下率(≤30%),薄帶連鑄流程下利用傳統(tǒng)的高于1 100 ℃熱軋及?;膊荒苡行Ъ?xì)化凝固組織.因此,需要轉(zhuǎn)變思路,采取新的方法在冷軋前破壞粗大的凝固組織.鎂合金等層錯能較低的金屬材料在一定條件下可產(chǎn)生形變孿晶,退火時再結(jié)晶晶粒沿孿晶界形核而達(dá)到細(xì)化組織的目的[10].需要指出,除層錯能外,變形溫度、應(yīng)變速率、晶粒尺寸、化學(xué)成分等因素均對金屬材料的孿生行為有重要影響.可以設(shè)想,如果使取向硅鋼在熱軋過程中產(chǎn)生形變孿晶,有望在?;瘯r利用再結(jié)晶晶粒沿孿晶界形核而細(xì)化組織,借此解決粗大λ晶?!斑z傳”導(dǎo)致磁性能惡化的問題,也適于高磁感取向硅鋼的制備和實(shí)際生產(chǎn)的開展.然而,早期主要是通過低溫(-125~0 ℃)拉伸實(shí)驗(yàn)來揭示取向硅鋼形變孿晶與裂紋萌生之間的關(guān)系[11-13],尚無針對取向硅鋼熱軋孿生行為及其對組織、織構(gòu)影響的研究.

      本文基于薄帶連鑄技術(shù)制備了具有不同凝固組織的取向硅鋼鑄帶坯,針對取向硅鋼的熱軋孿生行為及其對組織、織構(gòu)演化的影響開展了研究,解決了薄帶連鑄流程下粗大λ晶?!斑z傳”這一問題,也有助于深化現(xiàn)有薄帶連鑄取向硅鋼組織、織構(gòu)的調(diào)控機(jī)理.

      1 實(shí)驗(yàn)材料和方法

      采用中頻感應(yīng)爐冶煉取向硅鋼鋼水,隨后利用雙輥薄帶連鑄機(jī)獲得1.95 mm厚取向硅鋼鑄帶,其化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù),%)為:C 0.004 2,Si 2.94,Mn 0.069,S 0.025,余量為Fe及雜質(zhì),薄帶連鑄時熔池內(nèi)鋼液過熱度控制在較高水平.從鑄帶上切取兩塊試樣,分別在650 ℃和1 150 ℃經(jīng)兩道次軋至1.2 mm,總熱軋壓下率約為38%.為研究?;^程中的組織演化,從1.2 mm厚650 ℃熱軋板上切取試樣在850 ℃下保溫不同時間(15,60和300 s);另從1.2 mm厚650 ℃和1 150 ℃熱軋板上切取試樣在1 050 ℃ 下保溫300 s,完成?;嘶?為研究壓下率對熱軋組織的影響,從鑄帶上切取一塊試樣,在650 ℃ 下經(jīng)單道次軋至1.65 mm,壓下率約為15%.

      從鑄帶、熱軋板及?;迩腥〗鹣嘣嚇?,經(jīng)磨制、機(jī)械拋光及4%(體積分?jǐn)?shù))硝酸酒精溶液腐蝕后,利用Leica光學(xué)顯微鏡觀察試樣縱截面微觀組織.采用Bruker D8 Discover型X射線衍射儀測量樣品的{111},{200},{220}三個不完整極圖,利用級數(shù)展開法計(jì)算織構(gòu)并用取向分布函數(shù)(orientation distribution function, ODF)表示.將試樣磨制及電解拋光后,利用配備有電子背散射衍射(electron backscatter diffraction, EBSD)的蔡司Ultra 55型場發(fā)射掃描電子顯微鏡研究試樣的微觀組織.

      2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

      2.1 熱軋溫度對組織及織構(gòu)的影響

      圖1a示出薄帶連鑄取向硅鋼的凝固組織及織構(gòu).取向硅鋼凝固組織由粗大柱狀的鐵素體晶粒組成,平均晶粒尺寸達(dá)350 μm,宏觀織構(gòu)為強(qiáng)λ纖維織構(gòu)({100}〈0vw〉),這與薄帶連鑄過程中鋼液過熱度較高有關(guān):鋼液的高過熱度提高了固/液界面前沿的溫度梯度,從而促進(jìn)〈100〉取向晶粒的生長,最終形成粗大的凝固組織及強(qiáng)λ纖維織構(gòu)[7-9].圖1b和圖1c示出薄帶連鑄取向硅鋼的熱軋組織及織構(gòu).軋制溫度為1 150 ℃時熱軋組織主要由傾斜的變形晶粒組成,晶粒內(nèi)部有少量變形亞結(jié)構(gòu),宏觀織構(gòu)為較強(qiáng)的λ纖維織構(gòu)及不完全的α纖維織構(gòu)(從{001}〈110〉到{223}〈110〉).與此不同,當(dāng)軋制溫度降為650 ℃時,變形晶粒內(nèi)產(chǎn)生大量寬度為1~4 μm的條帶狀組織,貫穿整個變形晶粒,部分區(qū)域內(nèi)的條帶狀組織相互交叉.此外,與1 150 ℃熱軋板相比,650 ℃熱軋板的宏觀織構(gòu)中α纖維織構(gòu)的強(qiáng)度更高,還出現(xiàn)了位于γ纖維織構(gòu)(〈111〉//ND)上的{111}〈110〉組分,說明650 ℃熱軋時初始λ取向繞〈110〉//RD軸旋轉(zhuǎn)程度更大.

      圖1 鑄帶及1.2 mm熱軋板組織及織構(gòu)

      2.2 形變孿晶組織表征

      圖2示出650 ℃熱軋板條帶狀組織的EBSD分析結(jié)果.

      圖2 1.2 mm厚650 ℃熱軋板EBSD分析結(jié)果

      如圖2a~圖2c所示,熱軋板基體及條帶狀組織的局部{111}和{112}極圖以及典型的60°〈111〉晶界表明,圖1c條帶狀組織為{112}〈111〉變形孿晶,這與前期的研究結(jié)果顯著不同.由于具有較高的層錯能,通常認(rèn)為Fe-3%Si硅鋼在較高溫度(650 ℃)軋制時難以產(chǎn)生形變孿晶.圖2d所示的局部取向差表明,孿晶界具有比變形基體更高的局部應(yīng)變硬化.這是因?yàn)樵诰哂蠦CC(body centered cubic)結(jié)構(gòu)的Fe-3%Si硅鋼中,主要滑移系統(tǒng)為{110}〈111〉,{112}〈111〉及{123}〈111〉[14-15],其中的兩個滑移系統(tǒng)均與唯一的{112}〈111〉孿生系統(tǒng)不共平面,使得變形時位錯容易在孿晶界附近塞積,提高了孿晶界附近的儲存能.

      由Schmid定律可知,變形晶粒的取向顯著影響金屬材料的孿生行為.研究指出,在對定向凝固的Fe-6.5%Si硅鋼進(jìn)行拉伸或壓縮變形時孿生行為有很強(qiáng)的取向依賴性,即拉伸時通常在〈100〉晶向平行于拉伸方向的晶粒內(nèi)產(chǎn)生{112}〈111〉形變孿晶,而壓縮時則易在〈101〉~〈111〉晶向平行于壓縮方向的晶粒內(nèi)產(chǎn)生孿晶[15-17].為了研究晶粒取向?qū)\生行為的影響,利用EBSD觀察了650 ℃熱軋板縱截面形貌,并利用Channel 5軟件提取了260個含有孿晶的變形晶粒取向并計(jì)算了ODF圖,如圖3a~圖3d所示.可見,與Fe-6.5%Si硅鋼的結(jié)果顯著不同,在本工作中幾乎所有變形晶粒內(nèi)均產(chǎn)生大量的形變孿晶,而且計(jì)算所得的ODF與熱軋織構(gòu)(圖1c)非常相似,說明在650 ℃熱軋條件下取向硅鋼孿生變形的取向依賴性較弱.

      圖3 1.65 mm厚650 ℃熱軋板EBSD分析結(jié)果

      一般認(rèn)為,具有BCC結(jié)構(gòu)的取向硅鋼層錯能較高,不易發(fā)生孿生變形,通常在極低溫度(-125~0 ℃)或高應(yīng)變速率(~102s-1)條件下才能誘發(fā)孿生變形[12,18-19].然而,除層錯能、變形溫度及應(yīng)變速率外,晶粒尺寸也顯著影響金屬材料的變形方式(位錯滑移或?qū)\生)[20].研究表明,位錯滑移和孿生的臨界剪切應(yīng)力均與晶粒尺寸呈Hall-Petch關(guān)系,然而孿生變形的H-P斜率(kT)通常遠(yuǎn)大于(約10倍)位錯滑移的H-P斜率(kS),這導(dǎo)致孿生變形的臨界剪切應(yīng)力隨晶粒尺寸的增大而快速降低[20].有研究證實(shí),晶粒尺寸為250 μm的70/30黃銅在加工過程中會形成大量形變孿晶,而晶粒尺寸為30 μm時則不產(chǎn)生孿晶[21].本工作中,鑄帶坯的鐵素體晶粒平均尺寸達(dá)350 μm,如此粗大的晶粒有利于形變孿晶的產(chǎn)生,較大的道次壓下率及軋輥的急冷作用也可能促進(jìn)孿晶的產(chǎn)生,而熱軋過程中的復(fù)雜應(yīng)力狀態(tài)及熱軋板表面的剪切力作用可能降低了孿生行為的取向依賴性.

      2.3 形變孿晶對常化組織及織構(gòu)的影響

      為了研究形變孿晶對?;M織及織構(gòu)的影響,將熱軋?jiān)嚇臃謩e在850 ℃和1 050 ℃進(jìn)行?;嘶饘?shí)驗(yàn)如圖4、圖5所示.圖4a中的箭頭所示,當(dāng)退火15 s時,僅4個新晶粒沿孿晶界優(yōu)先形核,表明孿晶界為再結(jié)晶形核提供了有利條件.隨著退火時間延長,新晶粒沿孿晶界不斷形核,逐漸吞并周圍的變形基體(圖4b和圖4c).需要指出的是,大部分再結(jié)晶晶粒呈“餅狀”并沿孿晶界伸長,這主要與局部應(yīng)變沿孿晶界的特殊分布有關(guān),孿晶界間有限的空間也限制了再結(jié)晶晶粒沿橫向的長大.EBSD分析表明,α變形晶粒內(nèi)形核的再結(jié)晶晶粒取向較漫散,λ變形晶粒內(nèi)易形成具有立方({100}〈001〉)及Goss取向的再結(jié)晶晶粒,而γ變形晶粒內(nèi)易形成α取向、γ取向及Goss取向的再結(jié)晶晶粒.需要指出,孿晶界/孿晶界交叉點(diǎn)以及孿晶界/晶界交叉點(diǎn)同樣具有較高的儲存能,也是再結(jié)晶晶粒的優(yōu)先形核位置.

      圖4 1.2 mm厚650 ℃熱軋板經(jīng)850 ℃?;奈⒂^組織

      圖5 1.2 mm厚1 150 ℃熱軋板及650 ℃熱軋板經(jīng)1 050 ℃?;奈⒂^組織和織構(gòu)

      圖5示出形變孿晶對?;M織及織構(gòu)的影響.可見,當(dāng)軋制溫度為1 150 ℃時,常化板組織及織構(gòu)與相應(yīng)的熱軋組織及織構(gòu)(圖1b)非常相似,說明由于1 150 ℃熱軋板的變形儲存能較低,大部分變形晶粒在?;嘶饡r僅發(fā)生了回復(fù),導(dǎo)致僅發(fā)生微小的組織及織構(gòu)變化.與此顯著不同,當(dāng)軋制溫度為650 ℃時,由于熱軋時形成高密度的形變孿晶且新的再結(jié)晶晶??裳貙\晶界形核,常化組織主要由細(xì)小、取向漫散的再結(jié)晶晶粒組成,織構(gòu)也較為漫散,如圖5b所示.

      由上述結(jié)果可知,在薄帶連鑄條件下采用較低溫度(650 ℃)熱軋可在變形晶粒內(nèi)引入高密度的形變孿晶,為新的再結(jié)晶晶粒提供優(yōu)先形核位置;由此通過常化退火即可破壞粗大的凝固組織,并顯著弱化有害的λ纖維織構(gòu).可以推測,在保證后續(xù)冷軋壓下率的條件下,基于該方法有望消除粗大λ晶粒從凝固組織到初次再結(jié)晶組織的有害遺傳,有利于薄帶連鑄取向硅鋼實(shí)際生產(chǎn)的進(jìn)行,在鋼液高過熱度條件下仍有望保證高溫退火后形成完善的二次再結(jié)晶組織.

      3 結(jié) 論

      1) 取向硅鋼中粗大的晶粒尺寸是導(dǎo)致在650 ℃熱軋時產(chǎn)生變形孿晶的主要原因.孿晶界/孿晶界以及孿晶界/晶界的交叉位置具有更高的儲存能,因此可以在退火過程中成為初次再結(jié)晶晶粒的優(yōu)先形核位置.受沿孿晶界應(yīng)變分布及晶界間距離的限制,沿孿晶界形核的再結(jié)晶晶粒通常呈“餅狀”.

      2) 變形晶粒的取向?qū)ρ貙\晶界形核的再結(jié)晶晶粒取向有重要影響,α變形晶粒內(nèi)沿孿晶界形核的再結(jié)晶晶粒通常為隨機(jī)取向,λ變形晶粒內(nèi)沿孿晶界形核的再結(jié)晶晶粒通常為立方或Goss取向.與此不同,γ變形晶粒內(nèi)沿孿晶界形核的再結(jié)晶晶粒通常為α,γ和Goss取向.

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