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      三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌波分復(fù)用通信系統(tǒng)的同步質(zhì)量研究

      2022-03-16 02:02:50許葛亮郭洋洋龍亞軒張文標(biāo)李舒慶
      長春師范大學(xué)學(xué)報 2022年2期
      關(guān)鍵詞:偏振光激光器時延

      許葛亮,徐 健,郭洋洋,龍亞軒,張文標(biāo),程 靜,李舒慶

      (巢湖學(xué)院電子工程學(xué)院,安徽 合肥 238000)

      0 引言

      激光混沌信號是一種介于有序與無序之間的高度非線性信號,并且它對系統(tǒng)的初始條件以及外界微擾極度敏感,具有非周期性以及很強(qiáng)的隨機(jī)性,這使得其在光通信信息安全領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,如混沌信號載波、高速物理隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、高速混沌密鑰分發(fā)等[1-3]。歷經(jīng)近20年的研究和探索,半導(dǎo)體激光器數(shù)字混沌保密通信技術(shù)在網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方面發(fā)展趨勢如下:單信道→兩信道→多信道多鏈路→密集波分復(fù)用數(shù)字混沌保密通信網(wǎng)絡(luò)。并且混沌保密多信道偏振復(fù)用系統(tǒng)越來越高度集成化。垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)作為一種理想光源,較邊緣發(fā)射激光器具有體積小、閾值電流低、調(diào)制帶寬大、圓形光束輸出等優(yōu)點(diǎn)。且由于VCSEL具有勻稱的圓形激光腔結(jié)構(gòu),其內(nèi)部增益介質(zhì)存在很弱的各向異性,使得VCSEL能輸出兩個互相正交的線性偏振光,即線性x偏振光(x-PL)和線性y偏振光(y-PL)。若VCSEL受外部光注入或泵浦電流注入時,易激射出高維混沌態(tài)的x偏振光和y偏振光[4-16]。在數(shù)字混沌保密通信系統(tǒng)中,為了能讓數(shù)字混沌信號有序無誤高質(zhì)量地從發(fā)送端傳輸?shù)浇邮斩?,須滿足發(fā)送信號和接收信號有著高質(zhì)量的混沌同步。混沌信號同步主要包括廣義混沌同步和完全混沌同步[17-19]。實現(xiàn)完全混沌同步的基礎(chǔ)是需要發(fā)射系統(tǒng)和接收系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)組成上完全對稱,并且發(fā)射系統(tǒng)參數(shù)和接收系統(tǒng)參數(shù)要完全匹配。因為混沌信號敏感于系統(tǒng)初始條件和外部干擾,同時激光器參數(shù)也極易受外部干擾而發(fā)生漂移,導(dǎo)致發(fā)射系統(tǒng)參數(shù)與接收系統(tǒng)參數(shù)失配,從而影響發(fā)射信號和接收信號的同步質(zhì)量,這樣可能會導(dǎo)致在接收端信號解密出現(xiàn)錯誤。因此穩(wěn)定控制發(fā)射光混沌信號與接收光混沌完全混沌同步是實現(xiàn)無差錯傳輸?shù)闹匾WC。為此,針對三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌通信系統(tǒng),基于新的線性電光效應(yīng)[20],本文提出發(fā)送光混沌信號與接收光混沌信號完全混沌同步的控制方案。三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌通信系統(tǒng)較文獻(xiàn)[21]所提出的兩節(jié)點(diǎn)通信系統(tǒng)更復(fù)雜。

      1 理論和模型

      三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌通信系統(tǒng)的組成以及詳細(xì)的光路如圖1所示。驅(qū)動VCSEL(D-VCSEL)發(fā)出的光首先通過光纖隔離器FIS1(FIS1的作用是防止來自光纖偏振分束器(FPBS1)的光反饋回D-VCSEL),再被FPBS1分離出x-PL和y-PL。x-PL被1×3光纖分束器(FBS1)分成3束能量相同的x-PL,這3束x-PL分別射入周期性極化鈮酸鋰晶體1(PPLN1),PPLN2和PPLN3。同理y-PL被1×3 FBS2均分成的3束光分別通過法拉第旋轉(zhuǎn)器(FR)和半波片(HWP)射入PPLN1、PPLN2和PPLN3晶體中(這里FR和HWP的作用是將y-PL的偏振方向轉(zhuǎn)換至晶體的z軸方向)。注入到晶體中的x-PL和y-PL分別作為晶體o光和e光的初始輸入。在外加電場E1、E2和E3作用下,PPLN1、PPLN2和PPLN3晶體中的x-PL和y-PL將受到電光調(diào)制。從PPLN1晶體輸出的光通過可變衰減器(VA1)注入到D-VCSEL。同理,從PPLN2和PPLN3晶體輸出的光分別通過VA2和VA3,再注入到響應(yīng)VCSEL(R-VCSEL1)和R-VCSEL2。VA1、VA2和VA3均用來控制光的強(qiáng)度。這里,從PPLN1、PPLN2和PPLN3輸出的光傳輸至D-VCSEL、R-VCSEL1和R-VCSEL2的時間分別用反饋時延τ1、注入時延τ2和τ3表示。

      圖1 三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌通信系統(tǒng)示意圖

      在圖1中,D-VCSEL為驅(qū)動垂直腔表面發(fā)射激光器;R-VCSEL為響應(yīng)垂直腔表面發(fā)射激光器;E1,E2,E3為橫向電場;FPBS為光纖偏振分束器;μD,μR1,μR2為歸一化注入電流;FIS為光纖隔離器;FR為法拉第旋轉(zhuǎn)器;HWP為半波片;FBS為光纖分束器;PPLN為周期性極化鈮酸鋰晶體;VA為可變衰減器;x-PL為x偏振光;y-PL為y偏振光;τ1,τ2,τ3為延遲時間。

      由于M-VCSEL受到來自PPLN1晶體的延時光注入,其速率方程可推導(dǎo)為

      (1)

      (2)

      (3)

      同理,R-VCSEL1的動力學(xué)方程可表示為

      (4)

      (5)

      (6)

      對于R-VCSEL2,有

      (7)

      (8)

      (9)

      在PPLN1晶體中,o光和e光的初始振幅與EDx,EDy滿足如下關(guān)系:

      (10)

      同理,在PPLN2和PPLN3晶體中,o光和e光的初始振幅可表示為

      (11)

      (12)

      在晶體中x-PL和y-PL受線性電光調(diào)制的耦合波方程為

      Eo,e(L,t-t0)=ρx,y(L,t-t0)exp(iβ0L)exp[iφx,y(L,t-t0)].

      (13)

      經(jīng)線性電光調(diào)制后分別從PPLN1、PPLN2和PPLN3晶體輸出的x-PL和y-PL的復(fù)振幅表達(dá)式為

      (14)

      (15)

      (16)

      2 研究結(jié)果與討論

      (17)

      (18)

      (19)

      表1 系統(tǒng)主要參數(shù)

      (a) (b)圖2 相關(guān)系數(shù),隨τ2和τ3的演變

      在圖2中,τ1=2 ns,μD=μR1=μR2=1.55,kf=kinj1=kinj2=1.13 ns-1,E1=E2=E3=0.583 kV/mm。

      (a) b)圖3 相關(guān)系數(shù),在參數(shù)τ2和τ3空間內(nèi)的演變

      在圖3中,τ1=2 ns,μD=μR1=μR2=1.55,kf=kinj1=kinj2=1.13 ns-1,E1=E2=E3=0.583 kV/mm。

      (a) (b)

      (c) (d)

      (e) (f)圖4 相關(guān)系數(shù)在注入強(qiáng)度(kf,kinj1,kinj2)和外加電場(E1,E2,E3)空間內(nèi)的演變規(guī)律

      在圖4中,τ1=2 ns,τ2=3 ns,τ3=5 ns;μD=μR1=μR2=1.55。

      圖5 光注入強(qiáng)度kf=1.73 ns-1時,相關(guān)系數(shù)隨外加電場E1的演變曲線

      圖6 光注入強(qiáng)度kf=2.45 ns-1時,相關(guān)系數(shù)隨外加電場E1的演變曲線

      圖7 光注入強(qiáng)度kf=1.55 ns-1時,相關(guān)系數(shù)隨外加電場E1的演變曲線

      (a) (b)

      (c) (d)

      (e) (f)圖8 相關(guān)系數(shù)在歸一化注入電流(μD,μR1,μR2)和外加電場(E1,E2,E3)空間內(nèi)的演變規(guī)律

      在圖8中,τ1=2 ns,τ2=3 ns,τ3=5 ns;kf=kinj1=kinj2=2 ns-1。

      (a) (b)

      (c)圖9 歸一化注入電流μD=3.36,相關(guān)系數(shù)隨外加電場E1的演變曲線

      3 結(jié)論

      本文研究了三節(jié)點(diǎn)VCSELs混沌波分復(fù)用通信系統(tǒng)的同步質(zhì)量隨系統(tǒng)參數(shù)的演變規(guī)律。由于引入周期性極化鈮酸鋰晶體,較大地提升了系統(tǒng)的維度,選擇合適的外加電場值可減小完全混沌同步對某些系統(tǒng)參數(shù)的依賴性。研究表明,在外加電場等于0.583 kV/mm時,注入時延τ2在2~10 ns范圍內(nèi)變化不會影響D-VCSEL和R-VCSEL1間的完全混沌同步;注入時延τ3在2~20 ns區(qū)間內(nèi)取任何值,D-VCSEL和R-VCSEL2都能實現(xiàn)完全混沌同步,且R-VCSEL1與R-VCSEL2也是完全混沌同步的。光注入強(qiáng)度大于3.3 ns-1時,系統(tǒng)同步質(zhì)量急劇惡化。若對外加電場進(jìn)行合適的取值,在光注入強(qiáng)度小于3.3 ns-1時系統(tǒng)亦可達(dá)到完全混沌同步,且歸一化注入電流在1~10范圍內(nèi)變化時,系統(tǒng)也均處于完全混沌同步狀態(tài)。因此,合適的外加電場能消除歸一化注入電流、光反饋強(qiáng)度和注入時延在較小范圍的漂移對系統(tǒng)完全混沌同步的影響。并且完全混沌同步隨外加電場的變化而表現(xiàn)出準(zhǔn)周期性的演變規(guī)律。上述研究對密集波分復(fù)用混沌通信系統(tǒng)中的完全混沌同步的穩(wěn)定獲取與控制方面有著重要的應(yīng)用和參考價值。

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