陳保安, 張靜媛, 祝志祥, 韓 鈺, 潘學(xué)東, 張 磊, 陳素紅
(1. 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司 先進(jìn)輸電技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 北京 102209;2. 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司 電工新材料研究所, 北京 102209;3. 國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院, 山東 濟(jì)南 250003)
開發(fā)高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率鋁合金導(dǎo)線代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鋼芯鋁絞線,能夠大大地降低輸電線路的電能損耗,從而有效地節(jié)約能源[1-3]。6×××系鋁合金可以通過變形和熱處理來改善合金的力學(xué)性能和導(dǎo)電性能,廣泛應(yīng)用于高強(qiáng)度的全鋁合金導(dǎo)線材料[4-7]。其中,6201合金和6101合金作為該體系具有代表性的合金,在鋁合金導(dǎo)線領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。二者相比,6201合金導(dǎo)線的強(qiáng)度高于6101合金,但導(dǎo)電率低[8]。通常,對于該系列鋁合金導(dǎo)線,往往采用熱變形獲得軋桿,再通過固溶+拔絲+人工時效的工藝來實(shí)現(xiàn)合金導(dǎo)線綜合性能的優(yōu)化[5-6]。研究表明[9-12],在可時效強(qiáng)化的Al-Mg-Si 合金中,Mg、Si含量以及Mg/Si比對合金的工藝、組織和性能具有顯著的影響,根本原因是由于合金主要強(qiáng)化相β″相的成分組成會隨著Mg/Si比的變化而不同。然而,在實(shí)際導(dǎo)線生產(chǎn)過程中,對不同體系鋁合金導(dǎo)線的合金成分規(guī)定卻非常寬泛,6101鋁合金中Mg含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)為0.35%~0.80%,Si含量為0.3%~0.7%;而對于6201合金,Mg含量為0.6%~0.9%;Si含量為0.5%~0.9%[8]。顯而易見,如此寬泛的成分范圍規(guī)定對實(shí)際選材和生產(chǎn)帶來很大困擾。因此,非常有必要深入了解架空導(dǎo)線用高強(qiáng)Al-Mg-Si合金成分對性能的影響規(guī)律。本文設(shè)計(jì)了5種不同Mg、Si含量和Mg/Si比的合金,圍繞5種Al-Mg-Si合金微觀組織、力學(xué)性能和導(dǎo)電性能的差異進(jìn)行討論,研究高強(qiáng)鋁合金中合金成分與性能之間的變化關(guān)系。同時,本文還進(jìn)一步在高強(qiáng)鋁合金中添加稀土元素Ce,討論了稀土元素微合金化對高強(qiáng)鋁合金微觀組織和性能的影響。
制備了5種不同成分的Al-Mg-Si合金,分別編號為1號~5號,具體成分見表1。首先通過熔煉獲得鋁合金鑄錠,采用99.7%工業(yè)純鋁、Al-20Si中間合金和99.9%的鎂錠為原材料,在坩堝電阻爐中進(jìn)行熔煉,熔煉溫度為鋁錠750 ℃,采用六氯乙烷進(jìn)行除氣精煉,最后在720 ℃澆鑄得到20 mm×20 mm×300 mm的鑄錠。在560 ℃下保溫6 h對鑄錠進(jìn)行均勻化處理;然后在420 ℃下保溫1 h,通過6道次軋制成直徑φ9.5 mm的圓桿;圓桿經(jīng)過固溶處理(530 ℃×1 h,水冷)之后,經(jīng)過11道次拉拔,再獲得φ3.8 mm的鋁合金單絲,最后進(jìn)行175 ℃的等溫時效處理0.5、1、2、4、6和8 h。
表1 Al-Mg-Si試驗(yàn)合金的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù),%)
采用FEI VERIOS 460掃描電鏡(SEM)對合金的顯微組織進(jìn)行觀察,通過標(biāo)準(zhǔn)的金相試樣制備流程制備金相試樣,拋光后采用Keller試劑對金相試樣進(jìn)行腐蝕,通過背散射技術(shù)(EBSD)觀察和表征合金的晶粒/晶界特征,采用JEOL JEM 2100F透射電鏡(TEM)對納米析出相進(jìn)行觀察,透射試樣采用電解雙噴方法制備,電解雙噴液為體積分?jǐn)?shù)5%的高氯酸甲醇溶液,溫度為-25 ℃,電壓為30 V,并在透射下采用選取電子衍射模式(SAED)和高分辨模式(HRTEM)表征納米析出相的結(jié)構(gòu)。
不同成分Al-Mg-Si合金的時效力學(xué)性能曲線如圖1所示。從圖1(a)可知,時效后合金的抗拉強(qiáng)度均低于初始態(tài),而且隨著時效時間的增加呈現(xiàn)降低趨勢。通過抗拉強(qiáng)度對比可以發(fā)現(xiàn),Rm4>Rm2>Rm1,這說明Mg、Si含量增加,合金抗拉強(qiáng)度也隨之增加。另一方面,3號合金與2號合金相比,二者雖然Mg、Si總量相同(1.2%),但是3號合金在不同時效時間下的抗拉強(qiáng)度均要高于2號合金。時效4 h時,3號合金的抗拉強(qiáng)度比2號合金高了約20 MPa,這意味著Mg/Si原子比對合金力學(xué)性能的影響非常明顯。然而4號與3號合金的抗拉強(qiáng)度非常接近,但均高于2號和1號合金。由此可見,在高強(qiáng)鋁合金中,增加Si原子含量更容易提高合金的強(qiáng)度。進(jìn)一步對比發(fā)現(xiàn),在175 ℃時效4 h,5號 合金的抗拉強(qiáng)度高達(dá)325 MPa,相比之下,4號合金的抗拉強(qiáng)度僅為304 MPa。不僅如此,5號合金的伸長率也要高于其它合金,如圖1(b)所示。圖1(c)為不同合金的導(dǎo)電率隨時效時間的變化曲線,隨著時效時間的增加,不同合金導(dǎo)電率均呈現(xiàn)增加趨勢。通過對比可以發(fā)現(xiàn),在合金初始態(tài)以及時效初期,3號和4號合金的導(dǎo)電率比1號和2號合金低了約1%IACS,這是由于固溶原子含量增加導(dǎo)致導(dǎo)電率下降。而當(dāng)時效時間增加,3號和4號合金的導(dǎo)電率增長速率要略高于2號合金,在時效時間為4和8 h時,3號和4號合金的導(dǎo)電率超過了2號合金,但整體上仍低于1號合金。由以上分析可得,合金的力學(xué)性能和導(dǎo)電率強(qiáng)烈依賴于Mg、Si原子總量和Mg/Si原子比。由以上分析可知,175 ℃時效4 h工藝下,合金同時具有良好的力學(xué)性能和導(dǎo)電率。
圖1 5種鋁合金的抗拉強(qiáng)度(a)、175 ℃時效4 h時伸長率(b)和導(dǎo)電率(c)Fig.1 Tensile strength(a), elongation aged at 175 ℃ for 4 h(b) and conductivity(c) of the five aluminum alloys
圖2 5種合金經(jīng)175 ℃時效4 h后的SEM形貌Fig.2 SEM morphologies of the five aluminum alloys after aging at 175 ℃ for 4 h(a) No.1; (b) No.2; (c) No.3; (d) No.4; (e) No.5
圖3 5種合金經(jīng)175 ℃時效4 h后粗大顆粒的尺寸和體積分?jǐn)?shù)Fig.3 Size and volume fraction of coarse particle in the five aluminum alloys after aging at 175 ℃ for 4 h
5種合金的TEM明場像觀察結(jié)果如圖4所示。從圖4可以發(fā)現(xiàn),絕大部分晶粒呈現(xiàn)細(xì)長的板條狀形貌,寬度在0.2~0.8 μm之間,同時在板條晶粒附近也可以發(fā)現(xiàn)局部的等軸狀晶粒(見圖4(e))。由于拉拔過程中劇烈的塑性變形,位錯密度急劇增加,在晶粒內(nèi)部形成位錯亞結(jié)構(gòu)或者亞晶界。進(jìn)一步通過EBSD對3號合金縱向截面進(jìn)行觀察,掃描步長為0.15 μm,如圖5所示。圖5(a,b)和圖5(d,e)分別為鋁合金初始狀態(tài)和時效(175 ℃×4 h)后的IPF圖和IQ圖。其中IQ圖中標(biāo)注了晶界特征的分布情況,紅線表示晶粒取向差小于2°的晶界,綠線表示2°~15°的晶界,藍(lán)線表示大于15°的晶界。與TEM觀察結(jié)果一致,晶粒具有細(xì)長板條狀和等軸狀兩種形貌。晶粒取向差分布統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明,合金初始態(tài)微觀組織主要由小角度晶界構(gòu)成,晶粒取向差小于5°的晶界所占比例高達(dá)60%以上(見圖4(c))。從圖4(b,e)可以看出,粗大晶粒內(nèi)部存在大量的小角度晶界,這是由于塑性變形使得晶粒內(nèi)部形成剪切帶或者亞晶界。合金175 ℃時效4 h之后,雖然發(fā)生了部分的回復(fù)和再結(jié)晶,但微觀組織仍然以小于15°的小角晶界為主(見圖4(f))。
圖4 5種鋁合金經(jīng)175 ℃時效4 h后的TEM形貌Fig.4 TEM morphologies of the five aluminum alloys after aging at 175 ℃ for 4 h(a) No.1; (b) No.2; (c) No.3; (d) No.4; (e) No.5
圖5 3號合金初始狀態(tài)(a~c)和175 ℃×4 h時效后(d~f)的EBSD分析結(jié)果(a,d)IPF圖;(b,e)IQ圖;(c,f)晶界取向差分布Fig.5 EBSD analysis result of the alloy No.3 at initial state(a-c) and after aging at 175 ℃ for 4 h(d-f)(a,d) IPF images; (b,e) IQ images; (c,f) distribution of grain boundaries misorietation
圖6 175 ℃時效4 h的5種合金中納米析出相的TEM形貌Fig.6 TEM morphologies for nanoprecipitation of the five alloys aged at 175 ℃ for 4 h (a) No.1; (b) No.2; (c) No.3; (d) No.4; (e) No.5
圖7 針狀β″沉淀相截面(a~c)和(001)Al晶面不同取向的β″相(d)的高分辨形貌和電子衍射斑點(diǎn)Fig.7 HRTEM images and electron diffraction patterns for cross section of needle-shaped β″ precipitation(a-c) and different β″ phase with different orientation on the (001)Al plane(d)
表2 5種Al-Mg-Si合金經(jīng)175 ℃時效4 h后的析出相β″微觀特征統(tǒng)計(jì)結(jié)果
Al-Mg-Si合金中不同亞穩(wěn)相在形貌、成分、結(jié)構(gòu)以及與基體界面的共格程度不同,與位錯之間的相互作用也不同。然而,大量的理論和試驗(yàn)證實(shí),β″相是6××× 系合金中主要強(qiáng)化相。這里分別討論5種合金中不同微觀組織特征對屈服強(qiáng)度的貢獻(xiàn)。除了析出相對屈服強(qiáng)度的貢獻(xiàn)σP,還有晶界強(qiáng)化σHP、固溶強(qiáng)化σSS和位錯強(qiáng)化機(jī)制σDis對強(qiáng)度的貢獻(xiàn),合金的屈服強(qiáng)度σy可表示為:
σy=σi+σHP+σDis+σSS+σP
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
式中:Cj為第j個元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(wt%),Kj是與溶質(zhì)原子相關(guān)的常數(shù),KMg=29 MPa·(wt%)-2/3,KSi=66.3 MPa·(wt%)-2/3。位錯密度對強(qiáng)度的貢獻(xiàn)σDis可以用泰勒公式來計(jì)算[27]:
(6)
式中:常數(shù)α=0.24,ρDis為位錯密度(1/m2)。由于現(xiàn)有TEM分析很難準(zhǔn)確得到位錯密度,使得無法估算合金的屈服強(qiáng)度。這里,利用表2中175 ℃×4 h下析出相特征參數(shù)代入公式(2~4),計(jì)算得到1號~5號合金的時效析出相對屈服強(qiáng)度貢獻(xiàn)分別為130.6、91.7、161.4、182.4和185.4 MPa。通過對比發(fā)現(xiàn),雖然β″相是6×××系鋁合金的主要強(qiáng)化相,但對強(qiáng)度的貢獻(xiàn)并不能完全反映合金強(qiáng)度的演變規(guī)律。實(shí)際上,由于合金在冷拔過程中位錯密度急劇升高,變形強(qiáng)化對合金的強(qiáng)度貢獻(xiàn)占主導(dǎo)地位。因此,時效后合金的強(qiáng)度均低于未時效初始態(tài)合金(見圖1)。隨著Mg、Si含量的增加,且控制Mg/Si原子比,使得Mg/Si原子比更加接近β″相的名義化學(xué)成分,更利于β″相的析出。析出相體積分?jǐn)?shù)越多,對回復(fù)和再結(jié)晶阻礙作用也越強(qiáng)烈,可能是導(dǎo)致3號和4號合金強(qiáng)度高于2號合金的主要原因之一。
Liu等[28]建立Al-Mg-Si合金多尺度第二相顆粒與延性之間的解析模型,認(rèn)為時效析出相提高強(qiáng)度的同時降低合金的延性。而與時效納米析出相相比,晶界上粗大連續(xù)相對延性的影響更加嚴(yán)重。本試驗(yàn)中納米析出相尺寸體積分?jǐn)?shù)低于1%,因此,晶界粗大連續(xù)相對延性起主導(dǎo)作用,Komori[29]提出了粗大顆粒體積分?jǐn)?shù)與延性的關(guān)系:
(7)
式中:fc為粗大顆粒的體積分?jǐn)?shù)。由公式(7)可知,粗大顆粒體積分?jǐn)?shù)越大,合金延性越差。從圖2(f) 可以看出,隨著Mg、Si含量的增加,粗大顆粒體積分?jǐn)?shù)呈現(xiàn)增加趨勢,勢必導(dǎo)致合金延性降低(見圖1(b))。而添加稀土元素Ce之后,與4號合金相比,5號合金粗大顆粒平均尺寸略有降低,但體積分?jǐn)?shù)變化不明顯。文獻(xiàn)[1,30-31]報道,Al-Mg-Si合金中添加稀土元素La和Ce,能夠改變AlFeSi相的成分,從而優(yōu)化粗大顆粒的形貌和尺寸,有利于合金伸長率的提高。
依據(jù)Matheissen定律,合金的電阻率與微觀組織的關(guān)系可表示為:
ρa(bǔ)lloy=ρAl+Δρsol+Δρpre+Δρvac+ΔρDis+ΔρGB
(8)
式中:ρAl、Δρsol、Δρpre、Δρvac、ΔρDis和ΔρGB依次代表純Al、固溶原子、析出相、空位、位錯和晶界對電阻率的影響。175 ℃×4 h時效處理后,空位濃度可以忽略。同時,位錯和晶界對電阻的影響又非常小,所以這里只考慮固溶原子與析出相對電阻率的影響。固溶原子對電子的散射作用遠(yuǎn)強(qiáng)于第二相,是降低電阻率的主要因素[32]。因此,4號和3號合金的導(dǎo)電率要低于1號合金。通常,時效析出第二相的同時,大大降低了基體的固溶原子濃度,有助于提高合金的導(dǎo)電率。然而,當(dāng)析出相粗化長大到一定程度時,也會增加其對電子的散射作用,導(dǎo)致導(dǎo)電率降低[33]。本試驗(yàn)中時效時間較短,隨著時效時間的增加,合金的導(dǎo)電率也隨之增加,說明固溶原子析出導(dǎo)致導(dǎo)電率升高的有利因素遠(yuǎn)高于析出相對電子散射作用的不利因素。由2.2節(jié)分析可得,3號合金中析出相密度高于2號合金,意味著時效過程中消耗了更多的固溶原子,因此3號合金的導(dǎo)電率也要優(yōu)于2號合金。此外,由于稀土元素Ce的添加,并沒有明顯增加合金析出相密度,導(dǎo)電率改善的原因則可能是稀土元素的凈化作用,Ce元素能與Fe、Si元素形成化合物,導(dǎo)致固溶原子析出,這也有利于導(dǎo)電率的提高[34]。
1) 隨著Mg、Si含量的增加,Al-Mg-Si合金的力學(xué)性能增加,導(dǎo)電性能下降;在Mg、Si原子總量相同時,降低Mg/Si原子比有助于Al-Mg-Si合金力學(xué)性能和導(dǎo)電率的同時提高。
2) 隨著Mg、Si含量的增加,Al-Mg-Si合金中的時效析出相尺寸和密度也隨之增加;降低Mg/Si比有利于促進(jìn)Al-Mg-Si合金的時效析出行為,3號合金時效析出相的數(shù)量密度和體積分?jǐn)?shù)比4號合金更高;添加稀土元素Ce前后,時效析出相特征變化不明顯,說明Ce對合金中第二相的時效析出行為影響較小。
3) Al-Mg-Si合金的力學(xué)性能取決于位錯亞結(jié)構(gòu)和時效析出相的共同作用,而導(dǎo)電性能則主要取決于固溶原子的含量,3號、4號和5號合金的綜合性能要優(yōu)于1號、2號合金。