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      厚膜片式電阻器抗硫化能力提升方案驗證研究

      2022-05-14 10:14:20翁章釗戴宗倍蔡宗棋梁俊豪羅道軍王小強(qiáng)周帥羅軍梁永紅
      關(guān)鍵詞:電阻器膜片漿料

      翁章釗,戴宗倍,蔡宗棋,梁俊豪,羅道軍,王小強(qiáng),周帥,羅軍,梁永紅

      ( 工業(yè)和信息化部電子第五研究所,廣東 廣州 511370)

      0 引言

      伴隨著全球持續(xù)升溫,氣候急劇變遷,空氣中含硫物質(zhì)以各種形式存在,暴露在高溫、高濕和高污染環(huán)境中的電子組件極易出現(xiàn)硫化現(xiàn)象,近幾年電子產(chǎn)品硫化失效的案例不斷地增多。在高溫、高濕及高硫濃度的污染環(huán)境下,分散到空氣中的硫化合物會吸附在電子產(chǎn)品的金屬表面上,從而導(dǎo)致金屬逐漸地硫化。因為一些金屬硫化物特別穩(wěn)定,當(dāng)其與H2S接觸時,易與硫發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。銀、銅、錫在電子產(chǎn)品中被廣泛地應(yīng)用,若長期接觸硫化物,則易造成金屬光澤消失而產(chǎn)生黑色硫化物。依硫化敏感性排序為Ag>Cu>Sn。這些電極硫化后,可能會由于硫化導(dǎo)致電阻值異常等現(xiàn)象(如圖1所示),進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品應(yīng)用時出現(xiàn)故障。

      圖1 電極硫化后可能引起的后果

      在大氣中,多數(shù)金屬表面會生成硫化物;在貴金屬中,Ag最容易發(fā)生硫化生成具有高電阻值的硫化銀(Ag2S)(電阻率在10~106Ω · m之間),而氧化銀的電阻率僅為1×10-4Ω · m,因此硫化問題成為銀電極材料主要的失效原因[1]。厚膜片式電阻器自應(yīng)用之日起就伴隨著硫化失效問題,而在高硫濃度的場所發(fā)生硫化失效的問題尤為嚴(yán)重[2]。隨著電子設(shè)備的大批量廣泛應(yīng)用,片式電阻應(yīng)用量也大幅度地增加,因片式電阻器內(nèi)部銀電極材料被腐蝕而導(dǎo)致的整機(jī)裝備失效的案例不斷地出現(xiàn)。

      1 抗硫化質(zhì)量提升方案

      本文通過分析硫化失效案例及市場抗硫化電阻器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)[3],結(jié)合公開的文獻(xiàn)資料[4-5],制定了如下所述的電阻器抗硫化質(zhì)量提升方案。

      1.1 質(zhì)量一致性提升方案

      針對厚膜片式固定電阻器的生產(chǎn)工藝涉及硫化失效的關(guān)鍵工序進(jìn)行優(yōu)化,在電極膜形成、二次玻璃膜形成和電鍍等工序中進(jìn)行工藝改進(jìn),如加厚電極膜膜層厚度、加厚二次玻璃膜膜層厚度和改善電鍍層狀態(tài),以延長片式厚膜固定電阻器的抗硫化時間,從而降低硫化失效風(fēng)險。

      1.2 增加電極保護(hù)層方案

      通用型片式膜固定電阻器產(chǎn)品的電極結(jié)構(gòu)主要分為3層結(jié)構(gòu),第一層為導(dǎo)電銀層,在片式膜固定電阻器中的主要作用是連通電阻器內(nèi)部電極和外部電路。電阻器中間電極是通過電沉積的方式沉積到金屬銀層上,主要起到保護(hù)銀層的作用,據(jù)某研制單位不完全統(tǒng)計,電阻器硫化失效案例中大約有50%的失效案例均為保護(hù)鎳層受到機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致?lián)p傷,失去了保護(hù)作用,使得電阻器內(nèi)電極與外部環(huán)境直接接觸,導(dǎo)致內(nèi)部電極受到硫化物腐蝕失效。電阻器最外層為焊接錫鉛層,主要是助力形成焊接接頭。

      根據(jù)上述電阻器結(jié)構(gòu)分析和電阻器硫化失效案例分析結(jié)果,提升片式膜固定電阻器的抗硫化性能的主要改進(jìn)工藝在于片式膜固定電阻器的電極結(jié)構(gòu)部分。因此,本文中電阻器產(chǎn)品增加電極保護(hù)層方案如下:印刷表電極—印刷背電極—850 ℃燒成—印刷電阻體—850 ℃燒成—印刷一次保護(hù)玻璃—600 ℃燒成—激光調(diào)阻—印刷二次保護(hù)玻璃—印刷標(biāo)志—600 ℃燒成—印刷阻擋層—基片正面濺射NiCr—清洗阻擋層—一次裂片—端面濺射—二次裂片—電鍍鎳層—電鍍錫鉛層。結(jié)構(gòu)更改后(增加電極保護(hù)層)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。

      圖2 增加電極保護(hù)層的電阻器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

      1.3 采用高鈀內(nèi)電極銀漿料方案

      通用型片式膜固定電阻器系列產(chǎn)品內(nèi)電極通常采用含鈀量為1.5%的銀漿,為了提高內(nèi)電極的抗硫化性能,業(yè)內(nèi)公認(rèn)可以通過提高片式膜固定電阻器內(nèi)電極銀漿料的金屬鈀含量,以相應(yīng)地減少環(huán)境中的硫化物對金屬銀的腐蝕,進(jìn)而提升片式膜固定電阻器的抗硫化性能。

      在確定高鈀內(nèi)電極銀漿料方案的鈀含量選擇之前,驗證了具有不同內(nèi)電極組分的電阻器抗硫化性能,包括銀鈀合金漿料、金薄膜和常規(guī)內(nèi)電極組分的產(chǎn)品。其中,銀鈀合金的鈀含量分別為1%、2%、3.5%和12%。在抗硫化試驗中,上述不同組分內(nèi)電極的電阻器樣品每組16只,試驗時間為20~285 h,試驗結(jié)果如圖3所示??梢?,在內(nèi)電極為銀鈀合金漿料的電阻器中,隨著鈀含量增大,其抗硫化能力逐步地提升(部分低鈀含量及市面普通電阻器產(chǎn)品的斷路失效樣品未能計算阻值變化率)。這可能是隨著Pd含量的升高,合金熔點也逐漸地增高,Pd含量從10%增加到19%時,銀的遷移率下降了約100倍[6](價格亦急劇地增加)。而Au作為內(nèi)電極的薄膜電阻器抗硫化能力及抗硫化一致性水平均優(yōu)于12%鈀含量電極電阻器產(chǎn)品,其較高的經(jīng)濟(jì)成本使其僅適用于薄膜工藝,不適于厚膜工藝的技術(shù)范圍。

      圖3 具有不同內(nèi)電極組分的電阻器產(chǎn)品(平均)抗硫化能力對比

      因此,在高鈀內(nèi)電極銀漿料方案中,本文最終選用高鈀(≥12%)含量的合金漿料作為電極漿料,由于其電阻器產(chǎn)品的抗硫化能力顯著地增強(qiáng),兼具良好的工藝實現(xiàn)性及經(jīng)濟(jì)性。

      基于上述3種方案,本文電阻器產(chǎn)品抗硫化質(zhì)量提升實驗方案及樣品規(guī)格如表1所示。

      表1 實驗樣品信息

      2 硫化加速考核方法

      3種方案改進(jìn)電阻器產(chǎn)品采用回流焊焊接,測量初始阻值,經(jīng)過溫度沖擊10次(-65~150 ℃、極限溫度下保持1 h)、振動試驗和電阻回流焊(235 ℃)后,放入硫化實驗箱中(ASTM B 809—95(2008)濕硫蒸汽法)[7-8],在70 ℃環(huán)境中施加額定電壓,進(jìn)行硫化加速試驗,試驗時間分別持續(xù)250 h和1 500 h。

      3 試驗結(jié)果與討論

      對硫化加速試驗250 h后的3組電阻器樣品進(jìn)行阻值測量,3組樣品250 h阻值偏差均在1%以內(nèi),電阻器表面掃描電鏡及能譜檢測均未能觀測到明顯的硫化銀。對這3組樣品硫化加速250 h后進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析,通過掃描電鏡觀察電阻器的硫化敏感部位(玻璃保護(hù)層與電鍍層交界處)截面情況,可靠性處理后的3組樣品經(jīng)硫化加速試驗(250 h)的端電極截面形貌如圖4所示。

      圖4 可靠性試驗處理后的3組樣品經(jīng)硫化加速試驗(250 h)的端電極截面形貌圖

      可以看到普通電阻器(質(zhì)量一致性提升方案)和高鈀內(nèi)電極的電阻器經(jīng)過焊接、溫度沖擊、振動和硫化加速試驗后,電鍍鎳層和二次包封玻璃搭接處均出現(xiàn)了較明顯的縫隙。而結(jié)構(gòu)改進(jìn)產(chǎn)品(增加保護(hù)層方案)在實驗后,鍍層與二次玻璃結(jié)合良好,并未出現(xiàn)縫隙。根據(jù)第一階段實驗,確認(rèn)硫化加速試驗250 h未對電阻器造成硫化失效,前期振動等應(yīng)力試驗可能會造成端面涂銀電阻器鎳層與二次玻璃結(jié)合不良。

      為了探究更長硫化時間的影響,經(jīng)1 500 h硫化加速試驗后,普通產(chǎn)品的表面形貌及能譜分析結(jié)果如圖5所示,普通產(chǎn)品在硫化試驗1 500 h后出現(xiàn)了明顯的疏松結(jié)構(gòu)物質(zhì),能譜分析顯示其為硫化銀。然而,產(chǎn)品阻值測量結(jié)果及X射線無損檢測均顯示該電阻器正常,未出現(xiàn)斷線等嚴(yán)重的硫化現(xiàn)象。

      圖5 普通產(chǎn)品在硫化試驗1 500 h后的形貌及成分分析表明端電極發(fā)生明顯的Ag硫化現(xiàn)象

      結(jié)構(gòu)改進(jìn)產(chǎn)品經(jīng)硫化加速試驗1 500 h后表面的形貌及能譜分析結(jié)果如圖6所示,可以觀測到電阻器表面出現(xiàn)了硫化現(xiàn)象,同時該電阻器阻值測量和X射線無損檢測亦正常,未出現(xiàn)斷線等嚴(yán)重的硫化現(xiàn)象。通過表面形貌觀察到增加保護(hù)層方案的電阻器樣品在玻璃保護(hù)層與界面處疏松結(jié)構(gòu)物質(zhì)(即硫化銀)的總量明顯地低于普通產(chǎn)品。

      圖6 結(jié)構(gòu)改進(jìn)產(chǎn)品的端電極在硫化試驗1 500 h后的形貌及成分

      高鈀電極產(chǎn)品1 500 h硫化加速試驗后表面的形貌及能譜分析結(jié)果如圖7所示。高鈀電極電阻器硫化 試驗1 500 h后未檢測出硫化點,未出現(xiàn)普通產(chǎn)品在端電極處出現(xiàn)的大量疏松結(jié)構(gòu)硫化銀物質(zhì),顯示出良好的抗硫化能力。

      圖7 高鈀電極產(chǎn)品的端電極在硫化 試驗1 500 h后形貌及成分

      通過3組試驗方案提升片式膜固定電阻器抗硫化性能進(jìn)行對比,推斷得出高鈀電極產(chǎn)品抗硫化效果>結(jié)構(gòu)改進(jìn)產(chǎn)品抗硫化效果>普通電阻器抗硫化效果的結(jié)論。根據(jù)上述實驗結(jié)論,采用高鈀電極作為電阻器的內(nèi)電極是3組提升電阻器抗硫化性能方案中最有效的。

      基于以上3組抗硫化改進(jìn)方案及不同組分內(nèi)電極的電阻器抗硫化效果對比,可根據(jù)不同的應(yīng)用場景抗硫化需求來制定合適的抗硫化能力質(zhì)量提升改進(jìn)方案(如圖8所示),具體的建議如下:

      圖8 厚膜片式電阻器抗硫化方案選擇

      1)針對普通清潔環(huán)境應(yīng)用,可通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝提高厚膜片式電阻器在絲網(wǎng)印刷工序、端面處理工序的質(zhì)量一致性,防止批生產(chǎn)過程中出現(xiàn)抗硫化異常薄弱的電阻器,保障電阻器抗硫化質(zhì)量,避免出現(xiàn)個別產(chǎn)品質(zhì)量問題導(dǎo)致的硫化失效;

      2)針對海洋、化工等特殊環(huán)境的應(yīng)用,可對厚膜片式電阻器電極部分采取保護(hù)措施,增加電極部分保護(hù)層,增強(qiáng)電阻器自身的防護(hù)性能,減緩?fù)饨绛h(huán)境對電阻器的持續(xù)腐蝕,保證電阻器的使用壽命及整機(jī)使用可靠性 ;

      3)針對航空、艦船等更高可靠性要求的厚膜片式電阻,可采用具有較高抗硫化能力的材料作為電阻器的內(nèi)電極材料,從根源上解決電極硫化導(dǎo)致電阻器失效的問題。

      4 結(jié)束語

      本文通過質(zhì)量一致性提升、增加電極保護(hù)層和采用高鈀內(nèi)電極等方法,提升厚膜片式電阻器的抗硫化能力。采用ASTM B 809標(biāo)準(zhǔn)對這3個質(zhì)量提升方案進(jìn)行抗硫化效果對比驗證研究,結(jié)果表明:高鈀內(nèi)電極抗硫化效果>結(jié)構(gòu)改進(jìn)抗硫化效果>質(zhì)量一致性提升抗硫化效果。基于本文的研究,建議電阻器產(chǎn)品相關(guān)上下游廠商可根據(jù)不同應(yīng)用場景的抗硫化需求,制定合適的抗硫化能力提升方案。

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