張 偉,蔣布輝,何 石,栗琪凱,孔令其
北京航空航天大學 機械工程及自動化學院,北京 100191
相較于常規(guī)直流電子束,脈沖電子束能更好地發(fā)揮“匙孔”效應(yīng),在同等功率焊接時穿透深度和焊縫深寬比增大30%~50%[1];采用脈沖電子束焊接薄板結(jié)構(gòu)時可以更精確地控制熱輸入,達到防止工件過熱、減小焊接變形的目的[2-3],特別是脈沖頻率超過20 kHz時,可以細化晶粒,改善焊縫性能[4-6]。
三級電子槍主要通過脈沖偏壓調(diào)節(jié)束流來實現(xiàn)脈沖電子束[4-8]。但是,受高壓隔離變壓器寄生電容、高壓整流濾波電容以及線路電感等限制,高頻脈沖電子束實現(xiàn)難度較大,國內(nèi)外脈沖電子束的研究頻率大都低于1 kHz。美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室Kautz等人[7]對脈沖束流電子束焊接進行了較為詳細的研究,焊接過程中脈沖束流頻率最高為600 Hz,并且隨著頻率的增加,束流波形由方波逐漸畸變成類似正弦波;Nair等[3]使用60 kV、500 mA電子束焊機對7 mm厚的T87和T6時效狀態(tài)AA2219鋁合金進行了連續(xù)束流和脈沖束流電子束焊接,其中脈沖束流頻率為66.6 Hz,占空比為50%;北京航空航天大學齊鉑金、徐國寧等[5-6,8]通過低壓電路MOSFET斬波產(chǎn)生脈沖偏壓,再通過高壓隔離變壓器升壓產(chǎn)生高壓側(cè)的脈沖偏壓,受高壓絕緣和濾波電容等的影響,在頻率較高時脈沖偏壓波形產(chǎn)生嚴重畸變,能夠?qū)崿F(xiàn)的最高脈沖頻率為1 kHz。在高頻脈沖電子束方面,齊鉑金、范霽康等[9-10]在高壓隔離變壓器后級的高壓電路中設(shè)置高壓MOSFET斬波電路,通過控制MOSFET的導通和關(guān)斷來產(chǎn)生高頻脈沖偏壓,進而獲得20 kHz高頻脈沖電子束。其中,MOSFET驅(qū)動信號采用0~20 kHz的脈沖信號調(diào)制1 MHz的基波信號,并通過高壓隔離變壓器傳遞到高壓端,然后再進行解調(diào),解調(diào)后的0~20 kHz脈沖信號直接驅(qū)動MOSFET進行斬波以實現(xiàn)脈沖偏壓。同樣,由于高壓隔離變壓器的寄生電容和電感、解調(diào)電路的濾波電容,以及解調(diào)后的MOSFET驅(qū)動信號驅(qū)動能力不足等因素,降低了脈沖偏壓和上升沿和下降沿的變化速率。
本文基于調(diào)制解調(diào)的工作原理,設(shè)計了專門的高壓隔離通訊電路,可以實現(xiàn)脈沖頻率、占空比等高頻脈沖偏壓參數(shù)[10]以及啟動、停止等命令數(shù)據(jù)從低壓端向高壓端的傳輸;為了提高脈沖偏壓上升沿和下降沿的變化速度,在高壓端設(shè)計了專門的高壓斬波電路,通過高壓端PWM產(chǎn)生電路及驅(qū)動電路,控制高壓斬波電路的MOSFET功率開關(guān)管實現(xiàn)高頻快速導通和關(guān)斷;同時,設(shè)計了專門的隔離供電電源,為高壓端的高壓斬波電路供電,確保MOSFET的驅(qū)動信號具有足夠的驅(qū)動能力。設(shè)計的高頻脈沖電子束偏壓電源的脈沖偏壓波形在20 kHz時具有陡峭的上升沿和下降沿。
高頻脈沖電子束偏壓電源主要由基值偏壓電源、脈沖偏壓電源、隔離通訊電路、隔離供電電路和高壓斬波電路組成,如圖1所示。
圖1 高頻脈沖電子束偏壓電源組成Fig.1 Composition of bias power supply for high frequency pulsed electron beam
基值偏壓電源由基值調(diào)壓電路、基值逆變電路、高壓隔離變壓器1和高壓整流濾波電路1組成,主要功能是產(chǎn)生基值偏壓直流電壓,調(diào)節(jié)范圍0~1 500 V;脈沖偏壓電源由脈沖調(diào)壓電路、脈沖逆變電路、高壓隔離變壓器2和高壓整流濾波電路2組成,主要功能是產(chǎn)生脈沖偏壓直流電壓,調(diào)節(jié)范圍0~500 V;隔離通信電路由直流電源1、通訊逆變電路、高壓隔離變壓器3和通訊解調(diào)電路組成,主要功能是通過調(diào)制解調(diào)電路將低壓端設(shè)置的脈沖偏壓頻率、占空比參數(shù)傳送至高壓端,并通過高壓斬波電路實現(xiàn)脈沖偏壓輸出;隔離供電電路由直流電源2、供電逆變電路、高壓隔離變壓器4和電源變換電路組成,主要功能是通過高壓隔離變壓器實現(xiàn)高壓端的高壓斬波電路供電。
高壓斬波電路由高壓斬波主電路、高壓PWM產(chǎn)生電路組成,其中高壓斬波主電路將脈沖偏壓電源的直流變換成脈沖偏壓輸出,高壓PWM產(chǎn)生電路通過串口接收低壓側(cè)發(fā)送的脈沖頻率、占空比參數(shù),然后通過單片機中的PWM模塊產(chǎn)生高壓斬波PWM波形,再通過驅(qū)動電路連接至高壓斬波主電路,從而實現(xiàn)脈沖偏壓輸出。脈沖偏壓輸出再與基值偏壓串聯(lián)輸出,連接至三級電子槍的陰極和柵極,實現(xiàn)對電子束的調(diào)節(jié),進而實現(xiàn)高頻脈沖電子束束流輸出。
基于上述幾部分電路既能實現(xiàn)普通直流偏壓電源的功能,又能實現(xiàn)高頻脈沖偏壓輸出,并且由于高壓斬波電路的PWM產(chǎn)生、供電和高壓斬波主電路均在高壓側(cè),直接對脈沖偏壓直流進行斬波,因而可以實現(xiàn)高頻脈沖偏壓輸出,并使得脈沖偏壓具有快速變化的上升沿和下降沿。
為了實現(xiàn)基值偏壓電源和脈沖偏壓電源輸出電壓的調(diào)節(jié),均在高壓隔離變壓器的低壓側(cè)設(shè)置了低壓調(diào)壓電路,其主電路拓撲如圖2所示。
圖2 低壓調(diào)壓電路Fig.2 Low voltage regulating circuit
圖2中,AC220 V交流電通過AC/DC后變換成穩(wěn)定的+48 V直流電,然后輸入由MOSFET功率開關(guān)管Q8、快恢復二極管VD13、電感L1和濾波電容C8組成的Buck電路進行降壓變換,變成0~48 V可調(diào)的直流電壓輸出。這樣,通過基值偏壓電源的高壓隔離變壓器1升壓后,在高壓側(cè)就可得到0~1 500 V可調(diào)的基值偏壓直流電壓;通過脈沖偏壓電源的高壓隔離變壓器2升壓后,在高壓側(cè)就可得到0~500 V可調(diào)的脈沖偏壓直流電壓。
在基值偏壓電源和脈沖偏壓電源中,低壓調(diào)壓電路輸出的直流電壓再連接至逆變電路進行變換。逆變電路的功能是將低壓調(diào)壓電路輸出的直流電壓再次變換成40 kHz的交流方波,然后經(jīng)高壓隔離變壓器升壓后傳輸至高壓側(cè)進行整流濾波,進而得到基值偏壓直流電壓和脈沖偏壓直流電壓?;的孀冸娐泛兔}沖逆變電路的主電路均采用全橋逆變電路拓撲,如圖3所示。
圖3 全橋逆變主電路Fig.3 Full bridge inverter main circuit
隔離通訊電路和隔離供電電路的輸出功率較低,因此通訊逆變電路和供電逆變電路均采用半橋逆變主電路,如圖4所示。
圖4 半橋逆變主電路Fig.4 Half bridge inverter main circuit
為了實現(xiàn)高頻脈沖偏壓輸出,在高壓側(cè)脈沖偏壓直流電壓輸出后設(shè)計了高壓斬波主電路,如圖5所示。
圖5 高壓斬波主電路Fig.5 High voltage chopper main circuit
在圖5中,脈沖偏壓電源的高壓隔離變壓器2的高壓側(cè)輸出連接至由VD7、VD8、VD9、VD10、R1、R2和C6組成的全橋整流濾波電路,變換成脈沖偏壓直流電壓輸出,再經(jīng)功率開關(guān)管Q7后變換成脈沖偏壓輸出。當高壓PWM控制波形為高時,Q7導通,脈沖偏壓輸出為高電壓;當高壓PWM控制波形為低時,Q7關(guān)斷,脈沖偏壓輸出為低電壓,其中快恢復二極管VD12為續(xù)流二極管。
低壓端的PWM發(fā)生電路均由SG3525A及其外圍電路構(gòu)成,如圖6所示。SG3525A是一款經(jīng)典的PWM控制芯片,能產(chǎn)生兩路相位差為180°的PWM波形,并經(jīng)芯片11、14引腳輸出;10腳為芯片的關(guān)斷引腳,當10腳為低電平時,PWM波形正常輸出,反之則PWM波形輸出關(guān)閉。PWM控制波形的輸出頻率和死區(qū)時間可以通過引腳5、6、7之間的電阻R5、R6和電容C11來設(shè)置。
圖6 低壓側(cè)PWM產(chǎn)生電路Fig.6 Low voltage side PWM generation circuit
基于串行通訊的工作原理設(shè)計了串行通訊調(diào)制解調(diào)電路,該電路主要由低壓端的信號調(diào)制電路和高壓端的信號解調(diào)及接收電路兩部分組成,如圖7所示。
圖7 通訊調(diào)制解調(diào)電路工作原理Fig.7 Working principle of communication modulation and demodu‐lation circuit
信號調(diào)制電路主要由觸摸屏、串行調(diào)制信號發(fā)生電路、SG3525A PWM發(fā)生電路、功率開關(guān)管驅(qū)動電路和通訊逆變主電路組成。首先,通過觸摸屏輸入高頻脈沖偏壓電子束的脈沖頻率、占空比參數(shù)及控制命令,然后這些參數(shù)通過單片機串行調(diào)制信號發(fā)生電路變換成含有脈沖頻率和占空比參數(shù)的一系列串行信號,波特率為1.2 kbps;該信號通過與非門反向后再連接至SG3525A PWM發(fā)生電路的10腳(見圖6中的SHUT信號)作為調(diào)制信號。在圖6中,當串行調(diào)制信號為高電平時,SG3525A輸出兩路頻率約60 kHz的PWM控制信號P1和P2,通過驅(qū)動電路后連接至通訊逆變電路,從而獲得高頻交流方波輸出;當串行調(diào)制信號為低電平時,SG3525A輸出關(guān)閉,通訊逆變電路無輸出。
調(diào)制后的高頻交流方波經(jīng)高壓隔離變壓器3后傳輸至高壓端的信號解調(diào)及接收電路進行信號解調(diào),如圖8所示。高頻交流方波經(jīng)二極管VD13、VD14、VD15和VD16整流后,再經(jīng)R7和C17進行濾波,基波高頻信號被濾除,解調(diào)成串行通訊信號,然后經(jīng)比較器進行整形和電壓變壓后輸入高壓側(cè)單片機進行串行信號接收,從而實現(xiàn)脈沖頻率、占空比參數(shù)及控制命令的高壓隔離傳輸。串行通訊的具體調(diào)制和解調(diào)波形如圖9所示。
圖8 信號解調(diào)電路Fig.8 Signal demodulation circuit
圖9 通訊調(diào)制解調(diào)工作原理波形Fig.9 Waveform diagram of communication modem working principle
高壓斬波PWM波形發(fā)生電路由PIC單片機及其外圍電路構(gòu)成,如圖10所示。解調(diào)后的串行通訊信號RX連接至單片機的串口接收端,實現(xiàn)脈沖參數(shù)和控制命令接收,再通過單片內(nèi)部的PWM模塊,產(chǎn)生相應(yīng)脈沖頻率和占空比參數(shù)的PWM波形信號,該信號再通過PWM驅(qū)動電路連接至圖5中功率開關(guān)管Q7的門極控制其導通和關(guān)斷,從而實現(xiàn)高頻脈沖偏壓輸出。
圖10 通訊接收及高壓斬波PWM電路Fig.10 Communication receiving and high voltage chopper PWM circuit
當串行通訊總線空閑時,串行調(diào)制信號為高電平,SG3525A輸出兩路高頻PWM控制信號P1和P2,控制通訊逆變電路在隔離變壓器3的一次側(cè)與二次側(cè)均得到連續(xù)的高頻交流方波輸出,解調(diào)后的串行通訊信號也為高電平,如圖11a所示;當需要傳遞高頻脈沖參數(shù)時,串行調(diào)制信號出現(xiàn)高低電平,對SG3525A輸出的高頻PWM控制信號P1和P2進行調(diào)制,使得隔離變壓器3的一次側(cè)與二次側(cè)均得到間斷的高頻交流方波輸出,解調(diào)后還原成串行通訊信號,如圖11b所示。
圖11 串行通訊調(diào)制解調(diào)波形Fig.11 Modulation and demodulation waveform of serial communication
脈沖頻率為20 kHz、占空比分別為20%和50%的高頻脈沖偏壓的輸出波形如圖12所示。由圖可知,脈沖偏壓在20 kHz時具有陡峭的上升沿和下降沿,尤其是脈沖偏壓上升沿≤1 μs,為實現(xiàn)快速變化的高頻脈沖電子束束流提供了條件。
圖12 高頻脈沖偏壓輸出波形Fig.12 Bias Output waveform of high frequency pulse
(1)提出了基值偏壓電源、脈沖偏壓電源和高壓斬波主電路串聯(lián)的高壓脈沖偏壓電源主電路結(jié)構(gòu),通過高壓斬波電路的MOSFET功率開關(guān)管導通和關(guān)斷實現(xiàn)了高頻脈沖偏壓輸出,產(chǎn)生的脈沖偏壓波形在20 kHz時具有陡峭的上升沿和下降沿,尤其是脈沖偏壓上升沿≤1 μs。
(2)基于調(diào)制解調(diào)工作原理,設(shè)計了高壓隔離通訊電源,實現(xiàn)了低壓端高頻脈沖頻率、占空比等參數(shù)及啟動、停止等命令向高壓端高壓斬波電路的可靠傳輸。
(3)設(shè)計了專門的高壓隔離供電電路,實現(xiàn)了高壓端高壓斬波電路的可靠供電,確保高壓斬波電路MOSFET功率開關(guān)管驅(qū)動信號有足夠的驅(qū)動能力。
文中提出的高頻脈沖電子束偏壓電源結(jié)構(gòu),可應(yīng)用于脈沖電子束焊接等先進制造領(lǐng)域,能精準控制熱輸入,細化晶粒,有效改善焊縫質(zhì)量。