偏壓
- 基體偏壓對(duì)非晶碳膜結(jié)構(gòu)和耐蝕性的影響
制備了一系列不同偏壓和沉積時(shí)間的摻Cr 類石墨碳膜。結(jié)果表明，基體偏壓越大，基體電流密度越大。在400 ℃下，當(dāng)基體偏壓為1 200 V 時(shí)，基體電流密度最大。隨后，較高的襯底偏置電壓導(dǎo)致D 峰和G 峰的強(qiáng)度比增大，表明能量的增加有助于薄膜的石墨化。Li 等[5]研究了電化學(xué)腐蝕前后a-C 膜成分、微觀結(jié)構(gòu)和耐蝕性，表明在PH2～3 的強(qiáng)酸環(huán)境條件下a-C 膜顯著提高了316L 不銹鋼的耐蝕性能，石墨靶功率為0.9 kW 沉積的a-C 膜具有最低的腐蝕電流
燃?xì)鉁u輪試驗(yàn)與研究 2023年2期2024-01-10
- 人工海水環(huán)境中不同偏壓制備的(TiNbMoZrW)C涂層的摩擦腐蝕性能研究
8]通過(guò)調(diào)節(jié)基底偏壓，使用直流磁控濺射技術(shù)制備了CrNbSiTiZr 及其碳化物涂層，2 種涂層在3.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))NaCl 溶液中均具有優(yōu)于304 LSS 基底的耐腐蝕性，其中-50 V 沉積的涂層對(duì)基底的保護(hù)效率高達(dá)86.3%。Oses 等[9]提出，多主元素碳化物涂層具有較高的硬度和韌性并兼具潤(rùn)滑耐磨和耐腐蝕性的優(yōu)點(diǎn)，其作為苛刻工作環(huán)境中的防護(hù)涂層具有較大前景。綜上，通過(guò)調(diào)節(jié)基底偏壓、沉積溫度等能改變涂層的殘余應(yīng)力和缺陷數(shù)量，使涂層致密化，進(jìn)而提升
材料保護(hù) 2023年8期2023-08-21
- 自密實(shí)輕骨料鋼管混凝土柱力學(xué)性能有限元分析
凝土柱；承載力；偏壓中圖分類號(hào)：TU528.2 DOI：10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2023.03.0060 引言如今高層、超高層以及大跨度的建筑已經(jīng)比較普遍，但這類建筑往往需要有更加合理的材料和結(jié)構(gòu)才能滿足其實(shí)際的要求[1-3]。鋼管混凝土柱具有良好的承載能力，鋼管對(duì)混凝土的約束作用抑制了混凝土裂縫的延伸，提高了混凝土的耐久性和承載能力，混凝土加到鋼管中也使得鋼管的延性和穩(wěn)定性增大[4-6]。普通混凝土雖然有良好的力學(xué)性能，但
廣西科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2023年3期2023-07-17
- 不同負(fù)偏壓下多弧離子鍍TiAlN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)與耐腐蝕性研究
面，氮?dú)灞群突w偏壓是2個(gè)重要因素，不同的制備工藝對(duì)TiAlN薄膜性能的影響較大[6-8]。目前，大多數(shù)研究集中在磁控濺射沉積法和氮?dú)灞葘?duì)TiAlN薄膜各項(xiàng)性能的影響[9-14]，而針對(duì)多弧離子鍍下不同偏壓對(duì)薄膜耐腐蝕性能影響的研究較少。薄膜的耐腐蝕性也是影響TiAlN薄膜綜合性能及應(yīng)用的一個(gè)重要因素。本工作采用電弧離子鍍工藝，在M2高速鋼表面沉積TiA1N薄膜，研究了不同負(fù)偏壓對(duì)TiAlN薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)及耐腐蝕性能的影響。1 試 驗(yàn)1.1 薄膜
材料保護(hù) 2022年10期2022-12-07
- 偏壓參數(shù)對(duì)多弧離子鍍CrN 薄膜力學(xué)性能的影響
的應(yīng)用范圍。由于偏壓對(duì)離子遷移率和離子轟擊效應(yīng)的影響較大，因此偏壓對(duì)薄膜表面形貌和力學(xué)性能至關(guān)重要[8]。薄膜制備方法具有特殊性，薄膜通常存在較高的殘余應(yīng)力，殘余應(yīng)力的存在可能導(dǎo)致薄膜性能發(fā)生改變，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致薄膜開(kāi)裂、剝落、甚至失效，極大地影響薄膜器件的性能和使用壽命[9]。本文利用研發(fā)的多弧離子鍍?cè)O(shè)備，在不同偏壓參數(shù)下制備CrN 薄膜，研究了偏壓參數(shù)對(duì)薄膜表面形貌、化學(xué)成分、相結(jié)構(gòu)、硬度、膜基結(jié)合力以及殘余應(yīng)力的影響。1 試驗(yàn)方法1.1 設(shè)備多弧離子鍍
熱噴涂技術(shù) 2022年1期2022-08-06
- 基體偏壓對(duì)多弧離子鍍制備CrAlN薄膜組織和性能的影響
膜，發(fā)現(xiàn)隨著基體偏壓增大，CrAlN中氮含量增加，物相組成不變，力學(xué)性能發(fā)生變化。在多弧離子鍍技術(shù)制備硬質(zhì)薄膜的眾多工藝參數(shù)中，偏壓作為一個(gè)極其重要的參數(shù)，影響薄膜的組織和性能。本文采用多弧離子鍍技術(shù)，使用CrAl合金靶材在H13模具鋼表面以不同基體偏壓制備CrAlN薄膜，研究CrAlN薄膜的組織和性能受到的影響。1 實(shí)驗(yàn)1.1 試樣的制備使用線切割機(jī)將H13鋼加工成20 mm × 10 mm × 8 mm的金屬塊。在TSU-650型多功能鍍膜機(jī)上制備薄膜
電鍍與涂飾 2022年13期2022-08-02
- 建筑箱形疊合柱結(jié)構(gòu)偏壓受力性能有限元分析
要檢測(cè)此類結(jié)構(gòu)的偏壓受力性能是否滿足應(yīng)用需求[8]。戎賢等[5]進(jìn)行HRB600E鋼筋混凝土偏心受壓柱受力性能試驗(yàn)研究，分析不同配筋率、偏心距對(duì)構(gòu)件側(cè)向撓度、縱向鋼筋應(yīng)變和受壓邊緣混凝土應(yīng)變的影響，可相應(yīng)提升鋼筋混凝土柱的受壓承載力?？聲攒姷萚6]計(jì)算鋼管高強(qiáng)混凝土組合柱受剪承載力，分析鋼管截面尺寸等參數(shù)對(duì)組合柱受剪性能的影響,探討受剪強(qiáng)度計(jì)算方法，有效提升鋼管高強(qiáng)混凝土組合柱受剪承載能力。陳宗平等[7]提出方鋼管螺旋筋復(fù)合約束混凝土柱偏壓性能試驗(yàn)及承載力
山東交通學(xué)院學(xué)報(bào) 2022年3期2022-08-02
- 崩塌工況下隧道淺埋偏壓洞口段明洞暗做施工技術(shù)研究
塌工況下隧道淺埋偏壓洞口段明洞暗做施工技術(shù)進(jìn)行研究，結(jié)合實(shí)例項(xiàng)目從施工工藝原理、工藝流程及操作要點(diǎn)進(jìn)行分析，并提出相關(guān)質(zhì)量控制要點(diǎn)及安全環(huán)保措施，為我國(guó)隧道工程施工安全提供借鑒。關(guān)鍵詞 隧道工程;洞口;偏壓;明洞暗做;施工技術(shù)中圖分類號(hào) U231.3 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼 A 文章編號(hào) 2096-8949（2022）12-0141-03收稿日期：2022-03-17作者簡(jiǎn)介：鄭彬（1986—），男，本科，高級(jí)工程師，研究方向：公路、橋梁、隧道的施工、養(yǎng)護(hù)技術(shù)管理
交通科技與管理 2022年12期2022-06-21
- 高頻脈沖電子束偏壓電源設(shè)計(jì)
子槍主要通過(guò)脈沖偏壓調(diào)節(jié)束流來(lái)實(shí)現(xiàn)脈沖電子束［4-8］。但是，受高壓隔離變壓器寄生電容、高壓整流濾波電容以及線路電感等限制，高頻脈沖電子束實(shí)現(xiàn)難度較大，國(guó)內(nèi)外脈沖電子束的研究頻率大都低于1 kHz。美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Kautz等人［7］對(duì)脈沖束流電子束焊接進(jìn)行了較為詳細(xì)的研究，焊接過(guò)程中脈沖束流頻率最高為600 Hz，并且隨著頻率的增加，束流波形由方波逐漸畸變成類似正弦波；Nair等［3］使用60 kV、500 mA電子束焊機(jī)對(duì)7 mm厚的T87
電焊機(jī) 2022年5期2022-06-01
- 地形偏壓對(duì)公路隧道偏壓程度影響模型試驗(yàn)研究
的難題，例如隧道偏壓問(wèn)題就常出現(xiàn)于傍山或沿河的隧道工程中[1-3]。隧道偏壓會(huì)在隧道施工、圍巖和襯砌受力等方面都會(huì)產(chǎn)生不利影響，嚴(yán)重時(shí)會(huì)影響隧道穩(wěn)定甚至造成隧道塌方[4-7]，因此對(duì)公路偏壓隧道的研究具有重大意義。目前，對(duì)公路隧道偏壓程度的判定方面主要參考鐵路隧道設(shè)計(jì)規(guī)范[8]，缺乏明確的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。由于公路隧道與鐵路隧道在斷面形式、尺寸等都有所不同，以鐵路隧道設(shè)計(jì)規(guī)范來(lái)判定公路隧道偏壓程度誤差會(huì)較大，一些學(xué)者也對(duì)公路隧道偏壓程度等問(wèn)題進(jìn)行了研究。張成良等[
科學(xué)技術(shù)與工程 2022年7期2022-04-29
- 偏壓方式對(duì)金剛石薄膜生長(zhǎng)的影響研究
在襯底上的沉積。偏壓輔助沉積法作為薄膜制備過(guò)程中最常用的方法，可以顯著提高反應(yīng)粒子的活性，增強(qiáng)粒子對(duì)襯底的轟擊效應(yīng)，增加表面的形核密度，改善薄膜的形貌，提高薄膜的品質(zhì)[4]。目前，最常用的兩種偏壓輔助法是直流偏壓法和脈沖偏壓法。胡東平等[5]探究了脈沖偏壓特定參數(shù)對(duì)沉積在鉬板上的金剛石薄膜的晶粒尺寸和形狀的影響，發(fā)現(xiàn)施加脈沖偏壓后生長(zhǎng)的金剛石薄膜顆粒均勻細(xì)小且與基底結(jié)合力良好。Shen等[6]采用直流偏壓輔助熱絲法對(duì)單層金剛石晶粒的生長(zhǎng)形態(tài)做了探究，發(fā)現(xiàn)適
真空與低溫 2022年2期2022-03-30
- 石墨烯/h?BN異質(zhì)結(jié)中帶寬調(diào)制的反轉(zhuǎn)整流特性
界面類型無(wú)關(guān)。在偏壓范圍內(nèi)，石墨烯/h?BN 異質(zhì)結(jié)的最大整流比高達(dá)1.6×1013。1 模型和計(jì)算方法研究的系統(tǒng)基于n?扶手椅型石墨烯納米帶(n?AGND)和n?扶手椅型硼氮納米帶(n?ABNNR)組成的異質(zhì)結(jié)，其中“n”表示雜化納米帶的寬度(為了研究更大的寬度，這里我們只選擇奇數(shù)n)。如圖1(a)?(c)所示，異質(zhì)結(jié)具有三種界面類型，即0°（對(duì)應(yīng)于n=5，7，9，11，13 和15，分別簡(jiǎn)稱為M10，M20，M30，M40，M50和M60），30°（對(duì)
- 20 kHz 脈沖偏壓控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)*
流調(diào)節(jié)是通過(guò)調(diào)節(jié)偏壓來(lái)實(shí)現(xiàn)，因此將偏壓設(shè)計(jì)成脈沖輸出模式，可以根據(jù)工作需求獲得脈沖束流。本文設(shè)計(jì)了20 kHz 脈沖偏壓控制系統(tǒng)，通過(guò)選擇高速DSP數(shù)字處理芯片、高速運(yùn)放對(duì)脈沖偏壓系統(tǒng)進(jìn)行硬件和軟件設(shè)計(jì)，通過(guò)時(shí)序控制電路，調(diào)節(jié)其PWM 波形，實(shí)現(xiàn)對(duì)偏壓電源脈沖頻率、幅值、占空比的調(diào)節(jié)。1 脈沖偏壓控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)1.1 脈沖偏壓設(shè)計(jì)原理脈沖偏壓設(shè)計(jì)原理圖如圖1 所示。圖中Ipg為峰值束流給定，Ibg為基值束流給定，T1為脈沖束流周期，t1為峰值束流作用時(shí)間，t
電子技術(shù)應(yīng)用 2021年9期2021-10-01
- 淺埋偏壓隧道動(dòng)力響應(yīng)與加固技術(shù)研究*
復(fù)雜，需修建淺埋偏壓隧道。由于淺埋偏壓隧道進(jìn)口段埋深淺，且存在偏壓，其變形規(guī)律不同于常見(jiàn)淺埋隧道，因此，需對(duì)變形規(guī)律進(jìn)行深入研究[1]。目前，多位學(xué)者對(duì)隧道邊坡支護(hù)進(jìn)行研究，并取得一定成果，如唐純勇[2]采用ANSYS軟件對(duì)淺埋偏壓隧道進(jìn)行數(shù)值模擬分析，系統(tǒng)研究了坡度、埋深、圍巖彈性模量、泊松比、黏聚力和內(nèi)摩擦角對(duì)隧道的影響；戴文革[3]基于太原至靜游段向陽(yáng)村淺埋偏壓軟巖隧道，分析了不同支護(hù)結(jié)構(gòu)開(kāi)挖過(guò)程中圍巖變形特性、塑性區(qū)分布等，總結(jié)了隧道和支護(hù)結(jié)構(gòu)力學(xué)
施工技術(shù)(中英文) 2021年9期2021-06-29
- 不同開(kāi)挖順序?qū)Υ?span id="j5i0abt0b" class="hl">偏壓小凈距隧道安全性影響
遇到越來(lái)越多的大偏壓小凈距隧道.在我國(guó)西南部山區(qū)，修公路時(shí)往往會(huì)遇到自然坡度30°～60°的嚴(yán)重偏壓地形，與常規(guī)小凈距隧道相比，大偏壓小凈距隧道施工引起的圍巖擾動(dòng)更大，極易引起圍巖發(fā)生失穩(wěn)破壞，施工風(fēng)險(xiǎn)更高.對(duì)于大偏壓小凈距隧道，由于兩側(cè)圍巖埋深相差較大，存在嚴(yán)重的偏壓效應(yīng)，不同的深淺埋施工順序?qū)λ淼朗┕r(shí)圍巖穩(wěn)定性影響較大[1-7].因此，確定不同施工順序?qū)Υ?span id="j5i0abt0b" class="hl">偏壓小凈距隧道施工安全性的影響至關(guān)重要.本文依托某大偏壓小凈距隧道工程，基于有限元強(qiáng)度折減法，研
- 偏壓角度變化對(duì)小凈距隧道圍巖穩(wěn)定性影響研究
，施工時(shí)可能遇到偏壓地形，給施工帶來(lái)了極大難度[1-3]。與常規(guī)隧道相比，地形偏壓對(duì)小凈距隧道施工安全影響較大，其圍巖穩(wěn)定性較難控制[4-7]。不同地形偏壓條件下隧道施工對(duì)周邊圍巖的擾動(dòng)程度差異較大，因此確定不同地形偏壓條件對(duì)隧道開(kāi)挖圍巖穩(wěn)定性與破壞模式的影響，才能保證隧道施工與運(yùn)營(yíng)期間安全。本文依托某小凈距隧道工程，借助Abaqus有限元計(jì)算軟件建立三維隧道模型，研究隧道不同圍巖偏壓角度下隧道圍巖穩(wěn)定性變化規(guī)律。1 工程概況某小凈距隧道位于湖南省境內(nèi)，為
湖南交通科技 2021年1期2021-04-28
- 偏壓對(duì)四面體非晶碳膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
4]通過(guò)調(diào)節(jié)基底偏壓，沉積了兩層軟硬不同的ta-C 膜，軟膜吸收了硬膜中的應(yīng)力，降低了ta-C 膜的殘余應(yīng)力。針對(duì)“大顆?！?，Hu 等[15]研究表明，其密度隨著脈沖電源弧流線性增加。田修波[16]在電弧石墨靶表面增加勵(lì)磁線圈，形成軸向電磁場(chǎng)和機(jī)械磁場(chǎng)，進(jìn)而對(duì)靶表面陰極弧斑進(jìn)行控制，從而達(dá)到抑制大顆粒產(chǎn)生的目的。采用磁過(guò)濾陰極弧技術(shù)，在陰極電弧靶和基體之間安裝一個(gè)繞有勵(lì)磁線圈的過(guò)濾管，正離子被電子吸引到真空室中，“大顆?！眲t被過(guò)濾管屏蔽，可減少電弧“大顆粒
表面技術(shù) 2021年3期2021-04-07
- 基體偏壓對(duì)磁控濺射制備CrAlN納米多層薄膜微觀結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響
少，尤其關(guān)于基體偏壓對(duì)CrAlN納米多層薄膜性能影響的研究鮮有報(bào)道。為此，作者采用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)，在不同基體偏壓下制備了CrAlN納米多層薄膜，研究基體偏壓對(duì)CrAlN納米多層薄膜組織和性能的影響，為基體偏壓的選擇提供參考。1 試樣制備與試驗(yàn)方法采用Teer-650型磁控濺射儀制備CrAlN納米多層薄膜，選用2對(duì)純度均為99.99%的鉻、鋁靶材，靶材安裝位置如圖1所示。基體選用單晶硅片和M2高速鋼。將高速鋼(磨拋處理)和單晶硅片用超聲波清洗
機(jī)械工程材料 2021年3期2021-03-22
- 基于小分子半導(dǎo)體IEICO的高性能倍增型有機(jī)光電探測(cè)器
了可在正向和反向偏壓下工作的倍增型有機(jī)光電探測(cè)器[13]。相同條件下，與以聚(3,4-乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)為界面層的器件相比，PFN界面層器件的暗電流密度顯著降低，但是器件的EQEs也明顯下降。理想的倍增型有機(jī)光電探測(cè)器，希望界面層既能夠降低器件的暗電流密度又能夠提高器件的EQEs，從而提高器件的光電性能。PEDOT∶PSS 界面層通常作為倍增型有機(jī)光電探測(cè)器的空穴傳輸層，有助于外電路隧穿注入的空穴被相應(yīng)的電極收集[14]，但
發(fā)光學(xué)報(bào) 2021年2期2021-03-05
- 隧道進(jìn)口淺埋偏壓隧道施工技術(shù)
001)1 淺埋偏壓隧道形成原因一般來(lái)講，以下幾個(gè)因素是導(dǎo)致形成偏壓隧道的最直接原因。第一、施工質(zhì)量欠缺。大多數(shù)施工單位只為追求工程速率，所以往往并沒(méi)有對(duì)工程的質(zhì)量管理投入過(guò)多的精力和力度，這就會(huì)使隧道在工程結(jié)束后，可能突然的出現(xiàn)隧道的偏壓和安全事故。第二、施工技術(shù)不過(guò)硬。這是在各大工程建設(shè)單位都普遍存在的一個(gè)問(wèn)題，很多施工單位為了追求廉價(jià)的勞動(dòng)力，就會(huì)使用沒(méi)有上崗資格證的人員，由于施工者并不具備相關(guān)的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，所以最后也可能導(dǎo)致隧道的質(zhì)量不過(guò)關(guān)，進(jìn)而形成
黑龍江交通科技 2020年12期2020-01-12
- 雪崩光電二極管偏壓自動(dòng)溫度補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)
須對(duì)APD的工作偏壓進(jìn)行溫度補(bǔ)償。現(xiàn)有的補(bǔ)償方案中,大多需要A/D和D/A變換、微處理器控制,電路設(shè)計(jì)較復(fù)雜,實(shí)現(xiàn)成本較高[2-3]。本文提出了一種APD偏壓溫度補(bǔ)償電路,借助溫度傳感器和運(yùn)算放大器,實(shí)現(xiàn)APD偏壓的精確實(shí)時(shí)補(bǔ)償,無(wú)需復(fù)雜的控制電路,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),降低了成本。1 APD偏壓溫度補(bǔ)償原理和方法APD的電流增益用倍增因子M表示,通常定義為倍增的光電流IM與無(wú)倍增作用時(shí)的光電流I0之比。倍增因子與PN結(jié)所加的反向偏壓UB、PN結(jié)的材料有關(guān),經(jīng)驗(yàn)公式
制導(dǎo)與引信 2019年1期2019-11-12
- 南寧地鐵3 號(hào)線車站偏壓深基坑變形規(guī)律研究
兩側(cè)受力不均形成偏壓[5]。本文以青秀山站明挖站廳為研究背景，主要對(duì)兩側(cè)土體不對(duì)稱且一側(cè)鄰近建筑物的基坑在施工過(guò)程中的變形規(guī)律進(jìn)行研究分析。1 工程及地質(zhì)概況1.1 工程概況站廳基坑為地下三層(局部四層)，呈五邊形，南側(cè)長(zhǎng)度為41.8m，北側(cè)短邊為21.2m，東側(cè)為82.4m，西側(cè)短邊為68.0m，標(biāo)準(zhǔn)段基坑底部埋深約24.35m?；幽蟼?cè)和東側(cè)采用的鉆孔灌注樁為Φ1500@1700mm 和Φ1200@1500mm，樁長(zhǎng)35 m，基坑的北側(cè)和東側(cè)采用Φ12
四川水泥 2019年5期2019-07-12
- 石墨烯分子器件中輸運(yùn)性質(zhì)的研究
AP狀態(tài)下時(shí)正向偏壓和反向偏壓的自旋電流。接下來(lái)我們分析分子器件是否還具有自旋過(guò)濾和自旋NDR效應(yīng)，首先我們先看圖2(a)，當(dāng)W1器件在P狀態(tài)下施加正向偏壓時(shí)，我們?cè)趫D上可以看到對(duì)于自旋向下和自旋向上的電子均有自旋電流，其中自旋向下的電流隨著偏壓的逐漸增大在不斷的增大，而自旋向上的電流則會(huì)先隨著偏壓的增大而增大，當(dāng)偏壓Vb=0.4時(shí)電流達(dá)到最大值，如果達(dá)到最大值后繼續(xù)增大偏壓則電流就會(huì)開(kāi)始減小，當(dāng)Vb=0.75V時(shí)電流幾乎達(dá)到零的位置，當(dāng)我們施加反向偏壓時(shí)
福建質(zhì)量管理 2019年9期2019-04-29
- 不同偏壓下Cr/CrCN涂層在3.5%NaCl環(huán)境下的電化學(xué)及摩擦學(xué)行為
究還發(fā)現(xiàn)隨著基體偏壓的增加，涂層表面缺陷及粗糙度呈現(xiàn)出先遞減后遞增的變化規(guī)律[11]，涂層的內(nèi)應(yīng)力、硬度和結(jié)合力均呈現(xiàn)出先遞增后遞減的趨勢(shì)[12]。然而，目前關(guān)于CrCN涂層的研究主要集中于微觀結(jié)構(gòu)、機(jī)械性能和大氣環(huán)境下的摩擦學(xué)性能，有關(guān)基體偏壓對(duì)CrCN涂層在模擬海水環(huán)境下的電化學(xué)與摩擦學(xué)行為的研究還相對(duì)較少。因此，本文通過(guò)電弧技術(shù)在304L不銹鋼及Si片上制備Cr/CrCN涂層，并系統(tǒng)地研究偏壓與涂層結(jié)構(gòu)及性能的關(guān)系，揭示其在腐蝕介質(zhì)中的防腐耐磨機(jī)理。
中國(guó)鎢業(yè) 2019年4期2019-03-16
- 大跨扁平單洞四車道公路隧道淺埋偏壓進(jìn)洞技術(shù)
可避免的存在淺埋偏壓進(jìn)洞的難題。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外學(xué)者和隧道工程技術(shù)人員針對(duì)隧道偏壓進(jìn)洞技術(shù)進(jìn)行了研究[1-4]，單洞四車道公路隧道與常規(guī)的兩車道隧道相比在結(jié)構(gòu)受力、開(kāi)挖工法、施工工序及工藝等方面有著更高的要求，尤其是在淺埋偏壓情況下的進(jìn)洞，淺埋偏壓隧道洞口，多為軟弱圍巖，且一般為傾向洞外、洞側(cè)方向的邊坡，多造成掘進(jìn)困難，嚴(yán)重制約隧道施工的開(kāi)展，是隧道施工的關(guān)鍵環(huán)節(jié)[5]，更是工程中的重點(diǎn)和難點(diǎn)。文章以連霍高速(G30)新疆境內(nèi)小草湖至烏魯木齊段改擴(kuò)建工程為依
福建交通科技 2019年1期2019-03-15
- 基體偏壓對(duì)高功率脈沖磁控濺射AlCrN涂層結(jié)構(gòu)及其性能的影響*
S技術(shù)在不同基體偏壓下制備一系列的AlCrN涂層，利用SEM，XRD，EDS和大載荷劃痕儀、納米壓痕儀等分析測(cè)試方法來(lái)研究基體偏壓對(duì)涂層成分、結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響．1 試驗(yàn)部分1.1 試樣制備在硬質(zhì)合金(WC-6Co，含6 wt%的Co)和硅片(100)基體上采用HIPIMS技術(shù)沉積AlCrN涂層，基體需放入丙酮和酒精中經(jīng)超聲波分別清洗10 min后再吹干．在沉積工藝中，沉積Cr和CrN層用Cr電弧圓餅靶材(直徑100 mm，厚度20 mm，純度 99.9
材料研究與應(yīng)用 2019年4期2019-02-27
- 偏壓隧道偏壓應(yīng)力比特征分析
260 引言隧道偏壓是指由于地形、地質(zhì)、施工等原因造成的兩側(cè)圍巖壓力呈現(xiàn)明顯的不均勻性，即一側(cè)壓力大、一側(cè)壓力小，使得圍巖左右兩側(cè)受力不均勻的現(xiàn)象，其會(huì)導(dǎo)致初期支護(hù)和二次襯砌受到偏壓荷載的作用，給施工和支護(hù)造成困難[1-4]。近年來(lái)，針對(duì)偏壓隧道的設(shè)計(jì)、施工、維護(hù)方法及圍巖穩(wěn)定性的研究成為熱點(diǎn)[5-9]。目前，國(guó)內(nèi)外關(guān)于偏壓隧道的研究很多。程旭東等[10]利用ANSYS有限元程序計(jì)算和分析了在不同埋深、坡角、覆土厚度下，馬鞍形淺埋偏壓軟巖隧道開(kāi)挖中圍巖的應(yīng)
- 基于石墨烯電極的齊聚苯乙炔分子器件的整流特性?
整流特性,在正向偏壓的作用下,由電子受體到電子給體的電子隧穿能夠順利發(fā)生,而在反向偏壓作用下,電子隧穿難以發(fā)生,由此產(chǎn)生整流現(xiàn)象.除了D-σ-A分子模型整流器之外,研究較多的具有整流特性的分子還有噻吩分子[17,18]、二巰基聯(lián)苯分子[19?21]和齊聚苯乙炔(OPE)分子[22?25]等,其中OPE分子不僅具有良好的對(duì)稱結(jié)構(gòu)和良好的電子輸運(yùn)特性,并且已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)中成功制備[26,27].在實(shí)驗(yàn)研究中,人們較為廣泛地研究了官能團(tuán)對(duì)分子器件功能特性的影響.陳傳
物理學(xué)報(bào) 2018年11期2018-06-19
- 小束斑電子束脈沖轟擊偏壓電源的研制*
了一種新型的脈沖偏壓電源結(jié)構(gòu)，包括脈沖轟擊電源的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制電路，通過(guò)調(diào)節(jié)高壓隔離變壓器前級(jí)低壓電路方式生成脈沖偏壓，通過(guò)控制前級(jí)低壓電路實(shí)現(xiàn)偏壓脈沖頻率、幅值和占空比的調(diào)節(jié)，對(duì)應(yīng)實(shí)現(xiàn)脈沖束流頻率、幅值和占空比連續(xù)可調(diào)，此模式相對(duì)于常用的后級(jí)高壓控制簡(jiǎn)單可靠。采用基于該電源的小束斑脈沖轟擊設(shè)備對(duì)鎢合金進(jìn)行小束斑轟擊試驗(yàn)，初步探討了小束斑電子束脈沖對(duì)鎢合金組織性能的影響及變化規(guī)律。圖1 脈沖電子束轟擊電源示意圖Fig.1 Schematic diag
航空制造技術(shù) 2017年12期2017-05-16
- 硼氮摻雜碳納米管的電子輸運(yùn)性能
曲線和整流曲線，偏壓范圍從-1.0到1.0V，烷鏈的長(zhǎng)度用n個(gè)CH2來(lái)描述，(a)圖對(duì)應(yīng)n=3和5，(b)圖對(duì)應(yīng)n=7，9和11.我們發(fā)現(xiàn)5個(gè)器件的電流在正負(fù)偏壓下都是不對(duì)稱的，負(fù)偏壓下的電流明顯高于正偏壓，并且隨著烷鏈長(zhǎng)度的增加，電流的數(shù)值是逐漸減小的.電流的非對(duì)稱可以通過(guò)整流比R來(lái)描述，這里定義為負(fù)偏壓下的電流與正偏壓下電流的比值.比較而言,(CH2)7 模型具有最大的整流效率，在1V電壓下，具有最大整流比為204；其次是(CH2)9模型，最大整流比為
- 鋁含量及偏壓對(duì)磁控濺射氮鋁鉻薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
吳耀金*鋁含量及偏壓對(duì)磁控濺射氮鋁鉻薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響山西中北大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院丁雪峰吳耀金*本文采用反應(yīng)磁控濺射法在燒結(jié)NdFeB表面連續(xù)地沉積了一系列不同鋁含量的氮鋁鉻薄膜，使用掃描電鏡、納米壓痕儀分別表征了薄膜的形貌和硬度。所制備的薄膜鋁含量范圍在1～40at.%之間。研究結(jié)果表明：鋁含量改變了薄膜顯微結(jié)構(gòu)的致密性，以至于關(guān)系著薄膜硬度。而基底施加合適的負(fù)偏壓會(huì)使薄膜致密、硬度提高。實(shí)驗(yàn)中氮鋁鉻薄膜的獲得的最高硬度為24.8Gpa，此時(shí)施加的偏壓為1
河北農(nóng)機(jī) 2016年3期2016-09-19
- 偏壓對(duì)磁控濺射氮鋁鉻薄膜摩擦性能的影響
沈淵 張寶紅*偏壓對(duì)磁控濺射氮鋁鉻薄膜摩擦性能的影響山西中北大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)院沈淵張寶紅*本文采用了反應(yīng)磁控濺射法在燒結(jié)NdFeB表面連續(xù)地沉積了氮鋁鉻薄膜。使用掃描電鏡表征了薄膜的形貌。摩擦磨損性能在室溫下采用多功能摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)Rtec（MFT5000）來(lái)表征。研究結(jié)果表明基底施加合適的負(fù)偏壓會(huì)使薄膜致密、摩擦系數(shù)降低。磁控濺射；氮鋁鉻薄膜；摩擦性能引言為了進(jìn)一步優(yōu)化氮鋁鉻薄膜的性能，許多研究者在改變其化學(xué)成分方面做出的大量研究，并取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。
河北農(nóng)機(jī) 2016年2期2016-09-13
- 地形偏壓隧道判定方法及設(shè)計(jì)施工措施
勇摘要：針對(duì)地形偏壓隧道設(shè)計(jì)、施工中的技術(shù)難題，明確偏壓程度的影響因素和變化關(guān)系，采用解析方法及數(shù)值模擬計(jì)算等手段展開(kāi)研究。分析得出了埋深、地面坡度、開(kāi)挖跨度等因素對(duì)偏壓作用的影響規(guī)律，通過(guò)埋深和地面坡度可定性判定隧道偏壓程度，初步給出了偏壓地層加固的原則和方法，建議偏壓隧道施工方法以CD法為主，雙側(cè)壁法為補(bǔ)充。關(guān)鍵詞：公路隧道；地形偏壓；埋深；偏壓角度中圖分類號(hào)：U452.2文獻(xiàn)標(biāo)志碼：BAbstract： Aimed at the technical
筑路機(jī)械與施工機(jī)械化 2016年3期2016-03-22
- 結(jié)構(gòu)力學(xué)大小偏壓在結(jié)構(gòu)計(jì)算中的理解及運(yùn)用
摘要]鋼筋混凝土偏壓構(gòu)件是現(xiàn)代建筑應(yīng)用最為廣泛的基礎(chǔ)構(gòu)件，其承載力的計(jì)算在結(jié)構(gòu)計(jì)算中發(fā)揮著極大的作用?；诖吮疚暮?jiǎn)要的分析了受壓構(gòu)件的大小偏壓，重點(diǎn)探討了大小偏壓在結(jié)構(gòu)計(jì)算中的理解及運(yùn)用。[關(guān)鍵詞]大小偏壓；結(jié)構(gòu)計(jì)算；運(yùn)用 文章編號(hào)：2095-4085（2015）11-0051-02
居業(yè) 2015年16期2016-02-24
- 結(jié)構(gòu)力學(xué)大小偏壓在結(jié)構(gòu)計(jì)算中的理解及運(yùn)用
凝土受壓構(gòu)件大小偏壓的計(jì)算、設(shè)計(jì)、研究在結(jié)構(gòu)計(jì)算中扮演者重要的角色，下面將對(duì)此展開(kāi)研究。1 受壓構(gòu)件大小偏壓1.1 大小偏壓形成的原因及破壞特征偏心距以及受壓構(gòu)建的界面配筋狀況是決定受壓構(gòu)件破壞的的主要因素，主要表現(xiàn)為大偏壓破壞模式和小偏壓破壞模式兩種。一般在偏心距較小時(shí)就會(huì)造成截面受壓，在受壓構(gòu)件的一面產(chǎn)生很大的壓應(yīng)力，此時(shí)因?yàn)槭軌憾憩F(xiàn)的破壞模式為小偏壓模式。與小偏壓破壞模式不同，大偏壓形成的主要表現(xiàn)為受拉破壞模式，當(dāng)受拉區(qū)配有鋼筋時(shí)，受拉面的鋼筋就會(huì)
居業(yè) 2015年22期2015-12-24
- 鋁合金表面磁控濺射類石墨鍍層組織與性能研究
C鍍層，研究基體偏壓對(duì)鋁合金組織與性能的影響，為其應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。1 實(shí)驗(yàn)選用AlZn4.5Mg鋁合金，其主要成分為4.5%Zn，1.5%Mg，0.32%Si，余 量 Al，試 樣 規(guī) 格 為Φ40mm×5mm。采用UDP450非平衡磁控濺射鍍膜設(shè)備(如圖1所示)制備類石墨鍍層，設(shè)備真空室內(nèi)徑 d為425mm，實(shí)驗(yàn)中采用2個(gè)碳靶、2個(gè)鉻靶四靶配置。圖1 UDP450設(shè)備原理圖鍍前將試樣進(jìn)行預(yù)磨和拋光處理，然后用乙醇和丙酮超聲波清洗10min，經(jīng)冷風(fēng)吹干后放入
電鍍與精飾 2015年8期2015-12-05
- 基體負(fù)偏壓對(duì)類金剛石涂層結(jié)構(gòu)和性能的影響
1；離子沉積時(shí)負(fù)偏壓提供的轟擊能量E2；沉積到基體表面的離子在溫度的作用下形成涂層，此時(shí)溫度提供能量E3，故E＝E1＋E2＋E3。理想狀態(tài)下，當(dāng)碳離子具備足夠大的能量時(shí)，sp3鍵含量最高。但實(shí)際涂層制備過(guò)程中，E對(duì)sp3的形成機(jī)制受制于E1，E2和E3的變化。而三者又分別來(lái)源于電離源、基體偏壓和沉積溫度這三個(gè)工藝參數(shù)。由此可見(jiàn)，電離源、基體偏壓和沉積溫度對(duì)形成sp3鍵至關(guān)重要。同時(shí)它們還對(duì)DLC涂層的表面形貌、厚度、界面結(jié)合強(qiáng)度、硬度等產(chǎn)生重要影響。目前，
材料工程 2015年8期2015-11-30
- 負(fù)偏壓對(duì)磁控濺射鍍鎳薄膜組織結(jié)構(gòu)的影響
射工藝參數(shù)中的負(fù)偏壓對(duì)薄膜附著力，表面、截面形貌以及表面結(jié)構(gòu)影響較為顯著。本文主要討論了負(fù)偏壓對(duì)鉬合金表面磁控濺射鍍鎳薄膜附著力以及組織結(jié)構(gòu)的影響。1 實(shí)驗(yàn)基片是鉬合金圓片，直徑57.6 mm，厚2.4 mm。靶材為鎳靶，純度為99.99%。鍍膜設(shè)備為北京泰科諾公司生產(chǎn)的TSU-650 型多功能鍍膜機(jī)。鍍前先將基片置于濃雙氧水中氧化表面，再浸泡于硫酸和鉻粉的混合溶液中去除表面氧化物，經(jīng)過(guò)2 道去離子水沖洗后放入鹽酸中活化，再用2 道去離子水沖洗，最后烘干放
電鍍與涂飾 2015年8期2015-06-17
- 不同地質(zhì)條件淺埋偏壓小凈距隧道施工力學(xué)效應(yīng)探索
不同地質(zhì)條件淺埋偏壓小凈距隧道施工力學(xué)效應(yīng)探索柴喜林中鐵隧道集團(tuán)杭州公司隧道施工會(huì)破壞地質(zhì)巖層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，致使覆蓋層的圍巖穩(wěn)定性變差，引起隧道坍塌。所以為了避免隧道坍塌造成施工事故，施工中的力學(xué)效應(yīng)就變得極為講究。尤其是在不同地質(zhì)條件下，對(duì)于淺埋偏壓小凈距隧道的施工力學(xué)也頗為不同。本文圍繞了隧道偏影響因素和不同地質(zhì)條件下隧道施工的力學(xué)特性進(jìn)行了簡(jiǎn)要分析，希望對(duì)隧道施工的安全防護(hù)工作有所幫助。隧道偏壓；小凈距隧道；圍巖；淺埋；地質(zhì)條件小凈距隧道施工由于圍巖
科學(xué)中國(guó)人 2015年8期2015-06-09
- 偏壓對(duì)Ti-Si-N納米復(fù)合膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
110044)偏壓對(duì)Ti-Si-N納米復(fù)合膜結(jié)構(gòu)和性能的影響賀春林,王苓飛,高建君,朱躍長(zhǎng),解磊鵬,李 蕊,馬國(guó)峰,王建明(沈陽(yáng)大學(xué) 遼寧省先進(jìn)材料制備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧 沈陽(yáng) 110044)以高純Ti和Si為靶材,在不同偏壓下于Ar/N2氣氛中濺射沉積了Ti-Si-N納米復(fù)合膜,采用原子力顯微鏡、X射線衍射(XRD)和劃痕法研究了復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)、界面結(jié)合力和摩擦系數(shù)與偏壓的關(guān)系.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,濺射Ti-Si-N膜層結(jié)構(gòu)為nc-TiN/a-Si3N4/a
- 基片偏壓對(duì)磁控濺射制備TiB2涂層結(jié)構(gòu)及性能的影響
減小氣壓、加基片偏壓等。受設(shè)備條件的限制，溫度過(guò)高會(huì)使設(shè)備使用壽命降低或基片難以承受高溫;增大氣壓可使等離子體密度增加，但是磁控濺射氣壓通常在10－1帕到幾帕之間，而且對(duì)沉積速率影響較大。因此通過(guò)溫度和氣壓提高致密性的方法有限。目前通過(guò)在基片上施加適當(dāng)偏壓的方法提高涂層致密性的方法應(yīng)用最為廣泛［10］。本工作利用磁控濺射技術(shù)，通過(guò)改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2涂層，并利用XRD，SEM、納米壓痕儀，Vickers 壓痕和摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)對(duì)涂層的結(jié)構(gòu)及機(jī)
航空材料學(xué)報(bào) 2014年5期2014-11-18
- 堿金屬原子摻雜BDC60分子中整流特性第一性原理研究
子進(jìn)行串聯(lián),在高偏壓(2.2 V)下獲得了~100的整流比,但在低偏壓時(shí),其整流性能仍非常低.根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(ITRS),未來(lái)集成電路的工作電壓不能超過(guò)1 V.并且,從節(jié)省能耗的角度出發(fā),人們也希望獲得低偏壓下具有高整流比的分子整流器.最近人們發(fā)現(xiàn)二嵌段共軛低聚物(如噻吩-噻唑分子19和二苯基二嘧啶分子20)具有整流特性,但其整流比也非常小(BDC60分子具有啞鈴狀結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1),分子中間的苯環(huán)通過(guò)氮雜戊環(huán)與兩端的C60富勒烯相連接.21而C
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2014年1期2014-09-17
- 偏壓連拱隧道施工優(yōu)化研究
、III類。2 偏壓連拱隧道施工模擬2.1 圍巖物性指標(biāo)和支護(hù)結(jié)構(gòu)參數(shù)在對(duì)連拱偏壓隧道施工進(jìn)行模擬之前要明確以下圍巖物性以及支護(hù)結(jié)構(gòu)的參數(shù)，其具體數(shù)據(jù)如表1所示。2.2 施工工法模擬利用能夠同時(shí)對(duì)材料非線性和幾何非線性進(jìn)行模擬的快速拉格朗日有限差分FLAC程序?qū)θ龑?dǎo)洞工法和中央導(dǎo)洞與半斷面相結(jié)合工法進(jìn)行模擬。具體工法模擬如圖1、圖2所示。2.3 計(jì)算系列以t來(lái)表示隧道拱頂?shù)狡旅娲怪眱艟喔餐梁穸?，選擇具有典型性的淺埋地形偏壓覆土厚度，t取9m，依照具體的坡度
交通運(yùn)輸研究 2013年6期2013-06-10
- B/N摻雜對(duì)于石墨烯納米片電子輸運(yùn)的影響*
積分區(qū)間，也稱為偏壓窗.由于計(jì)算中費(fèi)米能處的能量設(shè)為零，[-Vb/2,+Vb/2]即為計(jì)算偏壓窗，fL(E-μL)和fR(E-μR)是左右電極的費(fèi)米分布函數(shù);T(E,Vb)為能量E，外加偏壓為Vb時(shí)體系的透射系數(shù)，可由下式求得在本文的計(jì)算中，體系的幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化、電子結(jié)構(gòu)以及I-V特性的計(jì)算等均利用基于非平衡態(tài)格林函數(shù)和密度泛函理論的第一原理方法(ATK軟件)[34,35].采用Quasi Newton算法優(yōu)化時(shí)，每個(gè)原子上的作用力小于0.05 eV/?A.
物理學(xué)報(bào) 2013年18期2013-04-21
- 偏壓對(duì)電弧鍍TiN薄膜結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能的影響
，許世鵬，薛 利偏壓對(duì)電弧鍍TiN薄膜結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能的影響佟莉娜1，黃美東1，孟凡宇2，劉野1，許世鵬1，薛 利1（1．天津師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院，天津300387；2．中國(guó)民航大學(xué)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)中心，天津300300）采用SA－6T電弧離子鍍?cè)O(shè)備在拋光后的W18Cr4V高速鋼表面沉積TiN薄膜，在其他參數(shù)不變的情況下，考察偏壓對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能的影響．通過(guò)掃描電鏡觀察了TiN薄膜的表面形貌，采用X射線衍射儀對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行物相分析，利用XP－2臺(tái)階儀測(cè)試了薄膜
- 不同埋深及偏壓角度條件下隧道力學(xué)特性*
口段經(jīng)常出現(xiàn)淺埋偏壓軟弱圍巖，結(jié)構(gòu)受力復(fù)雜，施工中稍有不慎將出現(xiàn)塌方等嚴(yán)重事故。因此，開(kāi)展淺埋偏壓隧道力學(xué)特性研究，確保類似隧道施工安全意義重大。盡管國(guó)內(nèi)外眾多學(xué)者已對(duì)淺埋偏壓隧道進(jìn)行了大量的研究，但對(duì)其規(guī)律進(jìn)行系統(tǒng)研究較少［1－6］。本文以山西大虎峪1號(hào)隧道為背景，運(yùn)用有限元程序MIDAS對(duì)其淺埋偏壓段進(jìn)行數(shù)值分析，總結(jié)出不同埋深及偏壓角度條件下，隧道洞室穩(wěn)定性及襯砌結(jié)構(gòu)受力變化規(guī)律。1 工程概況大虎峪1號(hào)隧道位于山西省絳縣冷口鄉(xiāng)大虎峪村。隧道聞喜端臨涑
鐵道科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2012年4期2012-08-08
- 地形偏壓條件下隧道初始應(yīng)力場(chǎng)及二次應(yīng)力場(chǎng)分布特征*
成果主要是針對(duì)無(wú)偏壓情況下而得出的，實(shí)際工程中，偏壓隧道是普遍存在的，特別是在洞口位置，由于荷載的不對(duì)稱性，使得其對(duì)隧道結(jié)構(gòu)體系(如裂縫的產(chǎn)生)、隧道外邊仰坡(如洞頂邊坡下滑)以及進(jìn)出洞施工安全產(chǎn)生很大的負(fù)面影響，甚至工程事故。因此，開(kāi)展偏壓隧道應(yīng)力場(chǎng)分布特征的研究具有重要的工程實(shí)際意義。為此，筆者基于前人的研究成果，針對(duì)地形偏壓條件下地層初始應(yīng)力場(chǎng)和隧道開(kāi)挖后的二次應(yīng)力場(chǎng)分布規(guī)律進(jìn)行研究，從而為偏壓隧道的合理設(shè)計(jì)、安全施工等提供借鑒。1 初始應(yīng)力場(chǎng)理論推
鐵道科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2012年4期2012-08-08
- 新型脈沖電子束焊接偏壓電源設(shè)計(jì)
極加熱電源和脈沖偏壓電源組成，如圖1所示，其中脈沖偏壓電源產(chǎn)生脈沖柵偏電壓，是實(shí)現(xiàn)脈沖束流的核心和關(guān)鍵.圖1 脈沖電子束焊接電源總圖脈沖偏壓電源的主要作用是控制和調(diào)節(jié)脈沖電子束流，它的原理是在陰極和柵極之間加脈沖柵極偏壓，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖柵極偏壓的參數(shù)調(diào)節(jié)脈沖電子束流的參數(shù).其中電子束流和柵偏電壓對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖 2 所示［3－5］.圖2 束流與柵偏電壓關(guān)系示意圖從圖2中可以看出，隨著柵偏電壓值增大，束流值減小，高的柵偏電壓值對(duì)應(yīng)小的電子束流值，低的柵偏電壓值對(duì)應(yīng)
北京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年10期2012-08-07
- 偏壓隧道病害特征及其控制措施＊
410076)偏壓隧道病害特征及其控制措施＊李 彬(長(zhǎng)沙理工大學(xué)校辦產(chǎn)業(yè)處，湖南長(zhǎng)沙 410076)通過(guò)案例收集和資料統(tǒng)計(jì)分析，研究了造成隧道偏壓的原因及偏壓對(duì)隧道襯砌結(jié)構(gòu)的危害，分析了應(yīng)考慮偏壓作用的臨界埋深的影響因素及其規(guī)律，揭示了偏壓控制措施的原理。結(jié)果表明:造成隧道偏壓的原因有地形、地質(zhì)和施工3個(gè)方面，而地形是主要因素，特別是在洞口淺埋地段;偏壓使得襯砌結(jié)構(gòu)和圍巖受力不對(duì)稱，更易發(fā)生剪切破壞和整體失穩(wěn);臨界偏壓埋深與隧道跨度、圍巖條件、地表坡度有
鐵道科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2011年6期2011-06-02