張 瑾,王麗偉,王 川,盧碧蕓,王 偉
(安徽省農(nóng)業(yè)科學院農(nóng)業(yè)工程研究所 安徽,合肥 230001)
近年來,由于填埋場回收率低、處理不得當?shù)仍颍斐闪松鷳B(tài)環(huán)境的污染,導致生活及農(nóng)藝中塑料使用量的增加被稱為“白色污染”。聚乳酸是近年來備受關(guān)注的一種環(huán)??山到獠牧希錂C械性能高、塑性好、易加工成型等特點,目前已被廣泛應用于醫(yī)療、包裝、3D打印等行業(yè)。本文采用KH550 為基材,以WSF 和PLA 為原料,使用熔融手段制作了PLA/WSF復合材料,進而研究WSF在基體中的含量對復合材料各個方面的影響。
美國NatureWorks 公司PLA,3001;青島拓海碘制品有限公司,無水乙醇(PEG);上海莼試生物技術(shù)有限公司KH550,CS-01;安徽省農(nóng)業(yè)科學試驗田,WSF,250μm。
粉碎機器:高速粉碎機搖擺式,無錫久平儀器有限公司;哈普流變儀:RM-200B 洛陽市譜瑞慷達耐熱測試設備有限公司;數(shù)顯式恒溫水浴鍋,常州市第一紡織設備有限公司;雙筒開煉機,東莞市眾誠精密儀器有限公司;微型計算機控制電子萬能級測試機,濟南恒思盛大儀器有限公司;簡支梁沖擊試驗機,承德市精密試驗機有限公司;熱壓機,青島永潤發(fā)機械科技有限公司;電子天平,F(xiàn)A1004,上海良平儀器儀表有限公司;壓片機,F(xiàn)W-4 弗爾德(上海)儀器設備有限公司;傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR),杭州譜鐳光電技術(shù)有限公司;掃描電子顯微鏡(SEM),北京歐波同光學技術(shù)有限公司。
在恒溫實驗室下把PLA 和WSF 用水浸泡,24 小時后再進行物理清洗,之后再放入烘箱內(nèi)進行干燥處理,12小時后,再用5%NaOH 配置KH550 偶聯(lián)劑噴灑在PAL 和WSF 表面,再次進行烘干,用粉碎機粉碎,挑選出200 到300g,在加入適量的醋酸進行中性處理,48小時后放入烘箱中進行處理,烘干時間為12 小時,溫度120℃。之后再把PAL 和WSF 分別制作5 個實驗樣品,其中一個為無添加物的純粹PAL/WSF 實驗樣品,其余的分別按照不同的比例進行制作(具體如表1),在熱壓機溫度為150℃,將混合產(chǎn)物破碎后放入預制好的模具中進行壓片,制成啞鈴狀。
表1 制作PAL//WSF復合材料組成比
采用FTIR法對WSF的溴化鉀壓片進行掃描分析,波數(shù)為8000~400cm,掃描次數(shù)為128 次;拉伸性能測試采用GB/T1447—2020;測試結(jié)果速率為4mm/s,抗沖擊速度為7mm/s,沖擊吸水速度為4mm/s;以上試驗均在室溫下進行,每次試驗均取均值7mm/s,吸水速度為4mm/s,在浸水前,先將試件干燥,然后將試件置于真空環(huán)境中進行SEM分析;切削試驗,以GB/T1462—2020為基準,在浸水環(huán)境中進行。
用PLA/WSF 合成的復合材料的斷裂伸長率和WSF含量的多少有關(guān),WSF 含量越多復合材料的斷裂伸長率越低,對于復合材料整體來說其作用還是很小的,主要是受到復合材料及其組成材料的脆性斷裂影響,由此可知WSF 對復合材料斷裂伸長率影響很小。其主要原因是:(1)聚乳酸基體本身也是脆性斷裂,斷裂伸長率非常低,尤其是3001 型聚乳酸基體在本次實驗中的應用較少。(2)WSF 與PLA 在哈克流變測試儀上共混,但在加熱時WSF會聚集在一起,容易產(chǎn)生應力集中和缺陷,使得機械性能較差。(3)WSF與PLA之間界面粘結(jié)不良的主要原因是PLA與WSF界面僅為機械粘結(jié),基體與WSF的界面無化學粘結(jié)。(4)WSF 本身的斷裂伸長率較低,可能會影響到材料的斷裂伸長率。
界面是決定復合材料斷面的重要因素,他是基體和WSF的連接點,其結(jié)構(gòu)十分復雜,能影響復合材料的強度和斷裂拉伸力。在PAL/WSF 復合材料斷裂的SEM 圖片中,WSF 分布在PLA 基體中,但是界面較為明顯,對復合材料的力學性能造成一定程度的影響。一般情況下短纖維會破壞基體,因為短纖維能使基體變形從而使長纖維脫離基體,使纖維在基體中斷裂。通過上述實驗可知WSF 與 PLA 之間是弱界面粘結(jié)性,WSF 經(jīng)過 KH550 的處理有效地改善了PAL和WSF之間的界面相容性。
WSF 在3170~3430cm波段上有較寬的羥基伸縮振動峰;經(jīng)KH550 偶聯(lián)劑改性處理后,WSF 由于KH550 氨丙基團與WSF 中的羥基反應產(chǎn)生氫鍵而使WSF 的羥基強度下降,而在WSF 的 FTIR 處無KH550 特征峰,表明KH550 和 WSF 在 2890cm和 2967cm處無氨基生成,從而導致PAL 在WSF 的作用下,羥基伸縮振動峰減弱;PAL在WSF的作用下,在Si-OH的作用下,KH550成功地接枝于WSF。
在WSF 含量為5%時,與未處理WSF 相比,偶聯(lián)劑KH550 改性后WSF 的吸水性能反而提高。這些能量來自WSF 的聚集現(xiàn)象,即WSF 與基質(zhì)的連接不夠緊密,使得水分子很容易進入材料內(nèi)部。與未處理的WSF相比,KH550 偶聯(lián)劑改性后WSF 的吸水率隨著WSF 加入量的增加而明顯下降,KH550 偶聯(lián)劑改性后WSF 的吸水率也明顯下降。以KH550 為偶聯(lián)劑改性WSF 可有效地改善WSF與PLA的界面相容性,使吸水性較強的WSF部分被疏水性較強的PLA包裹,使WSF與偶聯(lián)劑乙氧基水解后的Si-OH基團反應生成氫鍵,從而減少了WSF表面羥基與水形成氫鍵的機會,降低了復合材料的吸水率。
實驗結(jié)果表明,添加硅烷偶聯(lián)劑后對復合材料各方面屬性均有先升后降的趨勢,經(jīng)KH550改性后,表面羥基含量明顯降低,纖維表面極性下降,但WSF 與PLA 的界面相容性有所改善。