莊嘉

2019年8月，華為申請了“光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術”的發(fā)明專利，在2021年華為全球分析師大會上，明確表示正在研究光子計算

據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的“2022年十大科技趨勢”，“硅光芯片”赫然在列。若此語應驗，那么將催生信息時代的一項新技術革命，該項技術革命的基石就是硅基光電子技術。

硅基光電子技術堪稱“21世紀的劃時代技術”，將促進數(shù)據(jù)中心、量子通信、智能駕駛、消費電子等精細領域發(fā)生變革，有望解決網(wǎng)絡擁堵和延遲、數(shù)據(jù)極高速率傳輸、電子芯片物理極限等前沿問題。

“硅光芯片”被列入“2022年十大科技趨勢”的主要依據(jù)是：目前被廣泛應用的電子芯片已被人類發(fā)展到了物理極限，在數(shù)據(jù)傳輸和算力等方面遭遇瓶頸;硅光芯片被認為是最適合解決電子芯片物理極限問題的底層路徑，有望在數(shù)據(jù)傳輸和算力等方面突破“摩爾定律”。

實然，我們熟知被深度應用的電子芯片是受制于摩爾定律的。根據(jù)摩爾定律，當電子芯片的晶體管程達到3納米，便已接近物理極限，數(shù)據(jù)傳輸能力難以繼續(xù)翻倍。然而，“硅光芯片”卻能突破這些瓶頸，將信息算力提升到另一個高度！“硅光芯片”是指，在給磷化銦施加電壓時，光進入硅片的波導產(chǎn)生持續(xù)的激光束，從而驅動其他硅材質的芯片，進而集成到單一硅基芯片上，形成高集成度的“硅光芯片”。

北京郵電大學教授、博士生導師李培剛指出：“‘硅光芯片’是基于硅和硅基襯底材料，利用互補金屬氧化物半導體工藝進行光器件開發(fā)和集成，結合了集成電路技術超大規(guī)模、超高精度制造的特性以及光子技術超高速率、超低功耗的優(yōu)勢，與現(xiàn)有的半導體晶圓制造技術是相輔相成的?！被诖?，不同于電子芯片，用光子代替電子進行信息傳輸，并結合光子和電子優(yōu)勢的“硅光芯片”，具備光波導傳輸性好、功耗低、時延低、運算速度快等特質。一方面，在數(shù)據(jù)運輸上，光子解決了電子的物理極限問題;另一方面，在算力上，光子克服了線性運算的局限，應用矩陣乘法進一步提升了算力，延時遠遠低于電子芯片，且光子在傳播時不會發(fā)熱。

由此可見，“硅光芯片”的研發(fā)應用開辟了芯片發(fā)展的新賽道，將為超級計算、人工智能等新技術、新產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展提供有力支撐！從2018年開始，在“硅光芯片”的研發(fā)應用上，我國就步入了快車道。2018年8月，中國信科宣布我國首款商用“100G硅光收發(fā)芯片”正式投產(chǎn)。2019年9月，我國西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)的聯(lián)合微電子中心有限責任公司（以下簡稱“聯(lián)合公司”）實現(xiàn)了8英寸硅基光電子技術工藝平臺的通線，并正式向全球發(fā)布“180納米成套硅光PDK（工藝設計數(shù)據(jù)包）”，這標志著我國具備了硅基光電子領域全流程自主工藝制造能力。2021年12月，中國信息通信科技集團光纖通信技術和網(wǎng)絡國家重點實驗室聯(lián)合國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）、鵬城實驗室，在國內率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證，實現(xiàn)了我國“硅光芯片”技術向Tb/s級的首次跨越，并為我國下一代數(shù)據(jù)中心內的寬帶互聯(lián)提供了可靠的光芯片解決方案。目前，國際上400G光模塊已進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術標準正在推進中，而1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相角逐的熱點。

此外，在“十四五”規(guī)劃中，上海、湖北、重慶、蘇州等地的政府均將“硅光芯片”列入重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)清單中，明確提出發(fā)展“硅光芯片”與器件，重點突破硅光子、光通信器件等新一代光子器件的研發(fā)與應用，對光子器件模塊化技術、基于CMOS（互補金屬氧化物半導體）的硅光子工藝、芯片集成化技術、光電集成模塊封裝技術等方面的研究開展重點攻關。

實然，硅基光電子技術的應用不僅僅局限于“硅光芯片”，在很多領域均有其用武之地。在量子通信領域，日本、英國走在了世界前列。日本早在2019年就在處理器中引入光網(wǎng)絡技術，已經(jīng)開發(fā)出了超小型光電變換元件，并正開發(fā)高性能、低耗電的光電融合型信息處理器件。該器件將應用于異構計算系統(tǒng)，節(jié)能、高通量數(shù)據(jù)處理以及超低延遲檢測、模式匹配處理等領域。英國則啟動了硅光子學項目，聚焦光電子集成的電信設備，完成了光子回路的晶片鍵合或光子金屬層的低溫制造，從而進一步提升通信效能。

在數(shù)據(jù)中心領域，日本在《尖端研究開發(fā)資助計劃（FIRST）》中將“光電子融合系統(tǒng)基礎技術開發(fā)（PECST）”列入其中，意圖在2025年實現(xiàn)“片上數(shù)據(jù)中心”的目標。2019年8月，我國華為申請了“光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術”的發(fā)明專利，在2021年華為全球分析師大會上，明確表示正在研究光子計算。華為董事、戰(zhàn)略研究院院長徐文偉表示，“到2030年，全球算力需求將增加100倍，如何打造超級算力將是一個巨大的挑戰(zhàn)，未來光子計算面臨巨大的應用場景”。

在智能駕駛領域，我國聯(lián)合公司開發(fā)了國內領先的激光雷達光學相控陣天線。誠如該公司副總經(jīng)理、技術總監(jiān)郭進所言，“高集成度的硅光學相控陣技術是未來激光雷達在無人駕駛、無人機等領域全固態(tài)、小型化發(fā)展的必由之路。目前在核心發(fā)射芯片、系統(tǒng)及算法方面取得突破，有望在未來幾年開發(fā)芯片級激光雷達，并廣泛應用于自動駕駛與機器人領域”。

據(jù)英特爾的《硅基光電子技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》透露，“硅光模塊產(chǎn)業(yè)已進入快速發(fā)展期。2022年，硅基光電子技術在每秒峰值速度、能耗、成本方面將全面超越傳統(tǒng)光模塊，預測硅光模塊的市場增速為40%，2024年將達到39億美元，屆時有望占據(jù)整體市場規(guī)模的21%”。

據(jù)悉，目前包括英特爾、比利時IMEC、新加坡AMF、格芯半導體、光迅科技、華為、海信等在內的世界500強企業(yè)均在布局硅基光電子技術。歐盟更是早在2013年就啟動了針對硅基光電子技術的PLAT4M（針對制造的光字庫和技術）項目，意圖打造硅基光電子技術的整個產(chǎn)業(yè)鏈，聚集了以法國微電子和納米技術研究中心 CEA-Leti為領跑者的包括德國Aifotec等公司在內的15家歐盟企業(yè)、研究機構及潛在用戶。

毫無疑問，不同于依賴電子為傳輸媒介的技術，硅基光電子技術充分運用了光子與電子融合，并借助硅為誘發(fā)，刺激光子突破電子的局限，以實現(xiàn)光子代替電子的作用。理論上，硅基光電子技術發(fā)展主要可以分為三個階段：第一階段，硅基器件逐步取代分立元器件，即用硅把光通信底層器件做出來，達到工藝的標準化;第二階段，集成技術從耦合集成向單片集成演進，實現(xiàn)部分集成，再把這些器件像樂高積木一樣，通過不同器件的組合，集成不同的芯片;第三階段，光電一體技術融合，實現(xiàn)光電全集成化。把光和電都集成起來，實現(xiàn)更加復雜的功能。

中科院半導體研究所的王啟明院士表示：“目前，硅基光電子技術仍然處在第二階段?！彪m然硅基光電子技術即將被應用于規(guī)?；逃?，但不可否認的是，目前仍然存在技術難點需要攻破，比如設計工具非標準化、硅光耦合工藝要求較高以及晶圓自動測試及切割等技術性挑戰(zhàn)。

可以預見，在未來，硅基光電子技術將掀起又一次劃時代的技術革新，將人類社會從“電子的信息時代”引入“光子的信息時代”，從而突破信息傳輸速度“納秒門檻”，開啟人類探索微觀世界的嶄新視域！

編輯：黃靈? yeshzhwu@foxmail.com

“硅光芯片”被列入“2022年十大科技趨勢”