硅基
- 鋰離子電池硅基負(fù)極用黏結(jié)劑研究進(jìn)展
7-8]。但是，硅基電極的大規(guī)模推廣應(yīng)用尚存在一些困難，其中最大的阻礙是其在循環(huán)過程中300%的體積膨脹，會導(dǎo)致顆粒破碎并破壞電極結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)致容量快速衰減[9-11]。在過去的研究中，有很多方法用于限制循環(huán)期間硅基電極的體積膨脹，如減少硅的粒徑，硅表面涂層和制造硅基復(fù)合材料等[12-15]。此外，還發(fā)現(xiàn)聚合物黏合劑可以有效提高硅基電極的循環(huán)壽命和能量密度，這是由于聚合物黏結(jié)劑，通過與硅表面的-OH基團(tuán)的強(qiáng)化學(xué)相互作用（氫鍵和共價鍵），有助于在循環(huán)過程中保
汽車文摘 2023年8期2023-08-07
- 硅基納米探針用于眼部疾病的成像檢測與治療
儲彬彬，何 耀（蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院,蘇州市納米技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,蘇州 215123）1 IntroductionThe eyes are one of the most important sensory organs of human beings，which connect to cerebral sensory nervous system，providing above 80%of the knowledge in the br
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報 2022年12期2023-01-25
- 凝膠型硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用以及鋰離子電池
公開了一種凝膠型硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用以及鋰離子電池。所述硅基負(fù)極材料包括導(dǎo)電聚合物凝膠和粉體硅源，其中導(dǎo)電聚合物凝膠為三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，粉體硅源表面被導(dǎo)電聚合物凝膠包覆且分散在導(dǎo)電聚合物凝膠的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的骨架中。所述硅基負(fù)極材料制備方法包括導(dǎo)電聚合物在粉體硅源分散液中在超聲條件下進(jìn)行原位聚合的步驟。本發(fā)明所提供的硅基負(fù)極材料可以顯著改善硅基負(fù)極材料的循環(huán)穩(wěn)定性，應(yīng)用于鋰離子電池中可以提高鋰電池的能量密度。
能源化工 2022年3期2023-01-15
- 硅基聚氨酯復(fù)合材料在橋梁加固工程中的應(yīng)用
鋼筋銹蝕等。2 硅基聚氨酯復(fù)合材料性能特點(diǎn)硅基聚氨酯復(fù)合材料由硅基材料和聚氨酯通過共混、接枝、聚合等方法加工而成。硅基（聚二甲基硅氧烷）的材料優(yōu)點(diǎn)為低溫柔度高、低表面張力、與其他有機(jī)物相容性高等特性［3］；材料缺點(diǎn)為：與其他材料相容性高的同時，材料的附著性差；材料的拉伸強(qiáng)度、抗剪強(qiáng)度、彎拉強(qiáng)度低等［4］。正是由于硅基材料的相容性高這一特點(diǎn)，可以將硅基材料與其他聚合有機(jī)物共混制備高性能聚合改性材料。聚氨酯就是其中之一，聚氨酯(PU) 材料具有耐磨、抗撕裂、抗
合成材料老化與應(yīng)用 2022年4期2023-01-05
- 專利名稱：一種再生混凝土及其制備方法
；二苯基(三甲基硅基)膦；硫鋁酸鈣；天然骨料；再生骨料；水；減水劑。其制備方法為：步驟（1），先將膠凝材料、二苯基（三甲基硅基）膦、減水劑與水混合均勻，形成預(yù)混合物；步驟（2），在預(yù)混合物中加入天然骨料、再生骨料和硫鋁酸鈣、氧化鈣，攪拌均勻，獲得再生混凝土漿料；步驟（3），將再生混凝土漿料澆筑在鋼架骨架上，養(yǎng)護(hù)，獲得再生混凝土。其具有提高透水再生混凝土抗壓強(qiáng)度的優(yōu)點(diǎn)。
再生資源與循環(huán)經(jīng)濟(jì) 2022年1期2023-01-04
- 1 064 nm連續(xù)激光輻照對硅基PIN探測器光生載流子影響的實(shí)驗(yàn)研究
130022）硅基PIN光電探測器是一種高敏感度的電子器件，它具有靈敏度高、體積小、成本低等優(yōu)點(diǎn)［1-2］，廣泛應(yīng)用于光電探測領(lǐng)域。在工業(yè)上，硅基PIN探測器用于光電在線檢測。在民用領(lǐng)域，硅基PIN探測器作為無線光通信系統(tǒng)中的光接收器件，其主要作用是將攜帶信息的光信號還原成電信號。特別是激光輻照硅基PIN探測器輸出電流特性，國內(nèi)外學(xué)者都有研究。1990年，Steve E W等人［3］對脈寬為10 ns的激光輻照致使光電探測器電學(xué)性能下降和表面損傷形貌進(jìn)行
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年4期2022-11-15
- 1 064 nm連續(xù)激光輻照硅基APD探測器電學(xué)性能退化的研究
130022）硅基APD探測器是最常見的光電器件之一，它不僅有著體積小、量子效率高、工作頻譜范圍大、噪聲低、功耗低等特點(diǎn)，而且它還是一種具有內(nèi)部增益的光電器件，它是利用PN結(jié)勢壘區(qū)的高場強(qiáng)區(qū)域中載流子的雪崩倍增作用而得到的光敏二極管［1-4］。董淵等人［5］針對1 064 nm長脈沖激光輻照雪崩光電二極管（Si-APD）過程中所引起的溫升變化規(guī)律進(jìn)行了理論仿真與實(shí)驗(yàn)研究。模擬仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相一致，均表明長脈沖激光與Si-APD探測器相互作用引起的溫升
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年4期2022-11-15
- 1 064 nm連續(xù)激光輻照硅基PIN探測器輸出電流恢復(fù)時間的實(shí)驗(yàn)研究
外學(xué)者對激光輻照硅基PIN光電探測器的損傷機(jī)理進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)研究。1976年，Kruer M等人［5］利用1.06 μm脈沖激光輻照硅光電二極管實(shí)驗(yàn)研究，得到微觀損傷光響應(yīng)的退化閾值。2005年，Chen J K等人［6］研究超短脈沖激光對半導(dǎo)體器件的損傷進(jìn)行了數(shù)值模擬，并計(jì)算載流子的密度、晶格參數(shù)等，得到單光子吸收和俄歇復(fù)合是影響電子空穴載體的兩個關(guān)鍵因素。2009年，徐立君等人［7］對短路電流進(jìn)行比較，觀察實(shí)驗(yàn)過程中激光輻照光電探測器電流的變化。20
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年4期2022-11-15
- 云南大學(xué)材料與能源學(xué)院能源材料關(guān)鍵技術(shù)研究
業(yè)半導(dǎo)體ULSI硅基布線及互連薄膜材料、光伏產(chǎn)業(yè)太陽能硅基材料及器件、納米多孔硅制備及在重金屬環(huán)境治理方面的應(yīng)用開展相關(guān)研究工作。主要研究方向1 光伏產(chǎn)業(yè)：太陽能硅基材料及器件的研究利用納米金屬輔助刻蝕開展新型硅基太陽電池材料及器件相關(guān)研究工作，通過有效調(diào)控，制備不同結(jié)構(gòu)的硅基電池，實(shí)現(xiàn)硅片表面的高效減反效果和發(fā)光效率的提升。圖1 所制備的新型硅基太陽電池的I-V曲線2 光電子信息領(lǐng)域超大規(guī)模集成電路硅基布線及互連薄膜材料利用PVD、CVD、sputter
云南科技管理 2022年4期2022-09-14
- 基于熱效應(yīng)的長脈沖激光對硅基PIN恢復(fù)時間影響的研究
130022）硅基PIN光電探測器是一種高敏感度的電子器件，它具有靈敏度高、體積小、成本低等優(yōu)點(diǎn)［1-2］，廣泛應(yīng)用于光電探測領(lǐng)域。Edson José Rodrigues等人［3］采用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和數(shù)值模擬的方法，對橫向PIN光電二極管進(jìn)行了研究，證明溫度變化不影響光的吸收。較長的本征長度增加了光敏面積，提高了光電流，硅厚度的增加使吸收的波長更長。Jie Y、Feng等人［4］通過不同光敏區(qū)的硅PIN光電二極管的暗溫相關(guān)電流-電壓特性，研究了其導(dǎo)電機(jī)理，根
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2022年3期2022-08-25
- 硅基三維集成相控陣子陣微系統(tǒng)
集成封裝工藝實(shí)現(xiàn)硅基全集成T/R 組件。將不同材料的射頻芯片在硅基上進(jìn)行異構(gòu)集成,充分利用垂直方向空間,采用在硅基板內(nèi)多層布線的方法,使得微波信號從傳統(tǒng)的單一橫向傳播變?yōu)闄M向、縱向的三維立體式傳播,減小子陣的縱向尺寸,達(dá)到小型化的目標(biāo)。同時采用合理的硅基單元分層設(shè)計(jì)及圓片級集成封裝,解決子陣的電磁兼容以及氣密問題,確保良好微波電性能的實(shí)現(xiàn)。將硅基T/R 組件可靠焊接于散熱結(jié)構(gòu)上,實(shí)現(xiàn)組件與外部對流散熱。本文設(shè)計(jì)的相控陣微系統(tǒng)最小模塊單元為2×2相控陣子陣,
制導(dǎo)與引信 2022年2期2022-07-22
- 一種硅基防水涂料的性能分析和耐久性研究
膠防水涂料被稱作硅基防水涂料，它是單組分、無溶劑、彈性體、濕固化型的硅橡膠防水涂料，兼具防水涂料和防水修補(bǔ)涂料的作用；由于它是高固含量型的無溶劑型防水涂料，揮發(fā)性有機(jī)化合物也極低。本文測試了一種硅基防水涂料的基本物理力學(xué)性能和特殊性能，從微觀角度研究了這種硅基防水涂料的特性，并研究了這種硅基防水涂料的耐熱老化性和耐人工氣候老化性，結(jié)果證明這種以聚二甲基硅氧烷為主要成分的無溶劑型硅基防水涂料具有優(yōu)異的使用性能和耐久性能。1 原材料該樣品為白色粘稠的膏體，固化
工程質(zhì)量 2022年6期2022-07-15
- 一種小尺寸硅基LED驅(qū)動設(shè)計(jì)
002）0 引言硅基LED是將MicroLED 陣列和硅基背板通過特殊的工藝連接在一起，并能夠顯示圖像的顯示設(shè)備，由于受到硅基工藝的限制，物理尺寸一般在1"以下。其具有極高的發(fā)光亮度、分辨率和對比度，而且響應(yīng)時間極短。由于硅基LED 是全固態(tài)的顯示器，還具有工作溫度范圍寬、抗震性好等優(yōu)點(diǎn)。隨著可穿戴設(shè)備的快速發(fā)展，作為圖像源的硅基LED 受到人們越來越多的關(guān)注[1-3]。由于穿戴設(shè)備被人們戴在頭部，所以對重量、功耗、顯示效果、亮度能指標(biāo)有非常高的要求。硅基
機(jī)電工程技術(shù) 2022年5期2022-06-23
- 決戰(zhàn)4022
一個重要的日子，硅基帝國與碳基聯(lián)邦的決戰(zhàn)開始了。這場戰(zhàn)爭已經(jīng)持續(xù)了近兩千年，他們的目的是爭奪銀河系旋臂的大部分資源，其中包括大量的稀有金屬。因此，今天的這場決戰(zhàn)雙方都用上了自己所有的兵力。好戰(zhàn)而貪婪的硅基帝國更是用上了自己所有的飛船。身為地球太空軍一員的我，今天要駕駛一艘飛船前去參加決戰(zhàn)。我和戰(zhàn)友們先來到碳基聯(lián)邦的軍事基地報到。此次地球參戰(zhàn)的戰(zhàn)艦有大型戰(zhàn)艦140艘，中型戰(zhàn)艦113艘，而我駕駛的這種小型戰(zhàn)艦則達(dá)上萬艘。決戰(zhàn)來得非常迅速，在長達(dá)一萬多光年的戰(zhàn)線
快樂作文（5.6年級） 2022年9期2022-05-30
- 新型硅基光電子片上集成系統(tǒng)問世
腔光梳驅(qū)動的新型硅基光電子片上集成系統(tǒng)。王興軍表示，這個工作是集成光梳和硅光的完美結(jié)合，它打通了光梳從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的“最后一公里”，讓這項(xiàng)技術(shù)走向大規(guī)模應(yīng)用成為可能。同時，它也解決了硅光多路并行光源的世界性難題，使硅光有了自己的“大腦”。相關(guān)研究成果有望直接應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、5/6G通信、自動駕駛、光計(jì)算等領(lǐng)域，為下一代片上光電子信息系統(tǒng)提供全新的研究范式和發(fā)展方向。50792258-F948-476C-AD10-11612DD7CB50
科學(xué)導(dǎo)報 2022年29期2022-05-26
- 硅基光電異質(zhì)集成的發(fā)展與思考
5238081 硅基光電異質(zhì)集成是光電集成芯片的未來21 世紀(jì)是大數(shù)據(jù)、云計(jì)算時代。半個世紀(jì)以來，微電子技術(shù)大致遵循著“摩爾定律”快速發(fā)展，人們對信息傳輸和處理的要求越來越高。隨著信息技術(shù)的不斷拓寬和深入，芯片的制成工藝已減小到 10 nm 以下，但由此帶來的串?dāng)_、發(fā)熱和高功耗問題成為微電子技術(shù)難以解決的瓶頸。后摩爾時代的微電子芯片制程技術(shù)路線可分為繼續(xù)優(yōu)化互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝的“延續(xù)摩爾”（more Moore）路線、利用先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)
中國科學(xué)院院刊 2022年3期2022-05-09
- 硅基半導(dǎo)體自旋量子比特實(shí)現(xiàn)超快操控
究者合作，實(shí)現(xiàn)了硅基自旋量子比特的超快操控，其自旋翻轉(zhuǎn)速率超過540MHz（兆赫），這也是目前國際上已報道的最高值。研究成果日前在線發(fā)表在國際期刊《自然·通訊》上。研究人員通過建模分析，揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要貢獻(xiàn)來自該體系的強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)。研究結(jié)果表明硅基鍺空穴自旋量子比特是實(shí)現(xiàn)全電控量子比特操控與擴(kuò)展的重要候選體系，為實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體量子計(jì)算奠定了重要研究基礎(chǔ)。
科學(xué)導(dǎo)報 2022年4期2022-01-26
- 硅基聚氨酯復(fù)合材料在橋梁加固工程中的應(yīng)用
鋼筋銹蝕等。2 硅基聚氨酯復(fù)合材料性能特點(diǎn)硅基聚氨酯復(fù)合材料由硅基材料和聚氨酯通過共混、接枝、聚合等方法加工而成。硅基（聚二甲基硅氧烷）的材料優(yōu)點(diǎn)為低溫柔度高、低表面張力、與其他有機(jī)物相容性高等特性［3］；材料缺點(diǎn)為：與其他材料相容性高的同時，材料的附著性差；材料的拉伸強(qiáng)度、抗剪強(qiáng)度、彎拉強(qiáng)度低等［4］。正是由于硅基材料的相容性高這一特點(diǎn)，可以將硅基材料與其他聚合有機(jī)物共混制備高性能聚合改性材料。聚氨酯就是其中之一，聚氨酯(PU)材料具有耐磨、抗撕裂、抗曲
合成材料老化與應(yīng)用 2022年5期2022-01-01
- 新型可編程硅基光量子計(jì)算芯片研制成功
出一款新型可編程硅基光量子計(jì)算芯片，實(shí)現(xiàn)了多種圖論問題的量子算法求解，有望未來在大數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。據(jù)了解，研究人員基于所提出的多粒子量子漫步的光量子芯片結(jié)構(gòu)，采用硅基集成光學(xué)技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了可編程光量子計(jì)算芯片。芯片上集成了糾纏光子源、可配置光學(xué)網(wǎng)絡(luò)等，通過電學(xué)調(diào)控片上元件實(shí)現(xiàn)對光量子態(tài)的操控，從而實(shí)現(xiàn)量子信息的編碼和量子算法的映射，具有高集成度、高穩(wěn)定性、高精確度等優(yōu)勢。研發(fā)人員還通過對所研制光量子計(jì)算芯片的編程運(yùn)行，演示了頂點(diǎn)搜索、圖同構(gòu)等圖論
發(fā)明與創(chuàng)新 2021年9期2021-12-06
- 硅基光電子在通信中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)
長距離數(shù)據(jù)傳輸，硅基光電子還可以滿足微電子芯片內(nèi)／間的短距離大容量數(shù)據(jù)傳輸。通過與微電子集成電路進(jìn)行單片集成，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗的片上互連，突破目前的微電子處理器在數(shù)據(jù)互連上的瓶頸[17]。2 發(fā)展應(yīng)用硅基光電子技術(shù)通過探討微納米量級光子、電子及光電子器件在不同材料體系中的新穎工作原理，并使用與硅基集成電路工藝兼容的技術(shù)和方法，將它們異質(zhì)集成在同一硅襯底上，形成一個完整的具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。硅基光電子的發(fā)展始于20世紀(jì)80年代，Soref發(fā)
電信科學(xué) 2021年10期2021-11-11
- 國防科技大學(xué)研制新型光量子計(jì)算芯片
出一款新型可編程硅基光量子計(jì)算芯片，實(shí)現(xiàn)了多種圖論問題的量子算法求解，有望未來在大數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。國際權(quán)威期刊《Science Advances》已發(fā)表該成果。此次研發(fā)可編程運(yùn)行圖論問題量子算法的光量子芯片，提出可動態(tài)編程實(shí)現(xiàn)多粒子量子漫步的光量子芯片結(jié)構(gòu)?；谒峤Y(jié)構(gòu)，研發(fā)人員采用硅基集成光學(xué)技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了可編程光量子計(jì)算芯片。芯片上集成了糾纏光子源、可配置光學(xué)網(wǎng)絡(luò)等，通過電學(xué)調(diào)控片上元件實(shí)現(xiàn)對光量子態(tài)的操控，從而實(shí)現(xiàn)量子信息的編碼和量子算法的
科教新報 2021年9期2021-05-17
- 加快推進(jìn)硅基OLED顯示在虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域的應(yīng)用
元器件瓶頸之一。硅基OLED作為新型顯示器件，具有分辨率高、刷新率高、重量輕等突出特點(diǎn)，是公認(rèn)的下一代虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備的優(yōu)質(zhì)顯示器件。加快推進(jìn)硅基OLED顯示在虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域的應(yīng)用，有助于提升虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備的體驗(yàn)感，降低設(shè)備成本，從而提振虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。硅基OLED的發(fā)展現(xiàn)狀我國硅基OLED產(chǎn)業(yè)化尚處于初級階段。目前全球從事硅基OLED研發(fā)生產(chǎn)的廠商不多，其中美國eMagin公司和法國MicroOLED公司的產(chǎn)品主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，能成熟量產(chǎn)的Micro-OLE
中國計(jì)算機(jī)報 2020年26期2020-08-04
- 硅基添加物對鐵溝澆注料性能的影響
本文研究了環(huán)保型硅基添加物的加入量對澆注料性能的影響規(guī)律，對澆注料生產(chǎn)具有指導(dǎo)意義[1-9]。1 試驗(yàn)1.1 原料試驗(yàn)原料有：電熔棕剛Ⅰ（8～5 mm、5～3 mm、3～1 mm、1～0 mm）、 白剛Ⅰ、97 碳化硅（1～0mm 及細(xì)粉≤0.045 mm）、硅微粉（粒度分析 D50＜1.5 μm）、70高鋁水泥、活性Al2O3微粉（粒度分析D50＜2μm）、硅基添加物及六偏磷酸鈉。其主要原料化學(xué)組成見表1。1.2 試樣制備以棕剛Ⅰ、白剛Ⅰ為骨料，以白剛Ⅰ
工業(yè)爐 2020年3期2020-07-16
- 撬動可穿戴市場硅基OLED風(fēng)頭正盛
，國內(nèi)正迎來一波硅基OLED產(chǎn)線投資熱潮，投資規(guī)模已超過百億元，產(chǎn)線數(shù)量達(dá)到7條。作為可穿戴設(shè)備的更優(yōu)顯示方案，硅基OLED微型顯示行業(yè)正在經(jīng)歷一個成長和需求釋放的過程，未來在量產(chǎn)和應(yīng)用方面還有很長的道路要走?？纱┐髟O(shè)備的更優(yōu)顯示方案在5G網(wǎng)絡(luò)和萬物互聯(lián)的大趨勢下，下一代可穿戴設(shè)備的顯示屏幕，應(yīng)該是可以實(shí)現(xiàn)多人分享的屏幕，也可以是瞬間把你帶到你想去的任何地方的屏幕，還可以是改變?nèi)藗兘换シ绞降钠聊弧：戏室曆募夹g(shù)有限公司高級副總裁劉波在去年首屆世界顯示產(chǎn)業(yè)大會
中國電子報 2020年37期2020-06-29
- 硅基生物設(shè)想
1 分多鐘。2 硅基生物要面對的問題2.1 硅氧化合物的穩(wěn)定性硅氧化合物，特別是一些含硅氧的長鏈化合物，本身并不穩(wěn)定，硅烷及其衍生物熱穩(wěn)定性差且在高溫下容易縮合，簡單的理解就是它們生成需要高溫卻在高溫下穩(wěn)定性很差。常見的水以及氨基溶液都會破壞其結(jié)構(gòu)而無法成為生命的載體。比如硅基生命的遺傳物質(zhì)，在水環(huán)境中可能根本就無法穩(wěn)定存在。所以，硅基生命是抗拒水分的，而沒有水分的生命，很難相信如何進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)、能量交換、神經(jīng)信號的傳導(dǎo)。水對于生命的重要性幾乎和碳一樣重要
浙江化工 2019年12期2020-01-14
- 鑭/鈦共摻雜硅基材料的制備及對亞甲基藍(lán)的去除
優(yōu)點(diǎn)[5-6]。硅基材料有良好的生物相容性和可調(diào)的孔徑[7-8]，TiO2光催化材料無毒、耐腐蝕、高活性[9-10]，有強(qiáng)而穩(wěn)定的氧化能力。鑭作為第二豐富的稀土元素，有良好的助催化能力[11]。鑭/鈦共摻雜硅基材料(SM-La-Ti)兼具硅基材料良好的孔徑和鑭/鈦優(yōu)異的光催化能力。筆者采用溶膠-凝膠法[12-13]制備鑭/鈦共摻雜硅基材料，探討了該材料作為吸附劑時，接觸時間、pH和污染物濃度對其去除水溶液中亞甲基藍(lán)(MB)的影響，并探究了其作為光催化材料吸
供水技術(shù) 2019年2期2019-08-17
- 原子級精度的全碳電子器件面世
當(dāng)前，基于硅基半導(dǎo)體的微納電子技術(shù)正在逼近其物理尺寸極限，碳基器件被認(rèn)為是最有希望替代現(xiàn)有硅基技術(shù)器件的未來信息器件。如何制備具有原子級精度的全碳電子器件，是碳基芯片領(lǐng)域發(fā)展的瓶頸。近日，廈門大學(xué)洪文晶教授、謝素原教授與英國蘭卡斯特大學(xué)柯林·蘭伯特院士團(tuán)隊(duì)合作，在國際上首次制備了以單個富勒烯分子為核心單元、石墨烯為電極的全碳電子器件。這對于全碳電子學(xué)的發(fā)展具有重要意義，其制備的全碳電子器件，有望發(fā)展成為下一代碳基芯片技術(shù)的核心材料與器件。
學(xué)苑創(chuàng)造·C版 2019年8期2019-08-09
- 長脈沖輻照在線硅基APD的溫度研究
。長脈沖激光輻照硅基探測器會出現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換［1-5］、光熱轉(zhuǎn)換［6-8］、熱應(yīng)力［8-10］等現(xiàn)象，作用過程十分復(fù)雜。本文基于熱傳導(dǎo)方程，結(jié)合激光熱能與焦耳熱能建立了熱學(xué)模型，通過對仿真、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析，為峰值溫度、恢復(fù)時間的變化特性給出了合理的解釋，并驗(yàn)證了熱學(xué)模型的合理性。1 熱學(xué)模型本文研究的APD采用N+-P-π-P+的四層結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。光敏區(qū)（N+區(qū)）中的受體摻雜物濃度為5×1019/cm3，接合點(diǎn)深度為0.1μm，雪崩區(qū)（P區(qū)）摻
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2019年3期2019-07-15
- 合肥視涯技術(shù)有限公司高級副總裁劉波：硅基顯示是實(shí)現(xiàn)近眼顯示最好方式
論壇上表示，基于硅基的顯示技術(shù)將是實(shí)現(xiàn)近眼顯示最好的方式。5G時代需要全新的顯示技術(shù)劉波指出，顯示技術(shù)到目前為止雖然一直不斷發(fā)展、更新、迭代，但它也只是更替了兩代而已。第一代是CRT時代，第二代是平板時代。劉波認(rèn)為，下一代的屏幕配合5G網(wǎng)絡(luò)，配合萬物互聯(lián)，應(yīng)該是可以實(shí)現(xiàn)多人分享的屏幕，也應(yīng)該可以是在瞬間把你帶到你想去的任何地方的屏幕，更是改變未來人們交互方式的屏幕。他強(qiáng)調(diào)，近眼顯示是很好的方式。而要想實(shí)現(xiàn)這種近眼顯示，首先，PPI夠高，目前是數(shù)量的增長;其
中國電子報 2019年84期2019-01-19
- 鋰離子電池硅基負(fù)極的技術(shù)挑戰(zhàn)
廣泛的負(fù)極材料是硅基復(fù)合材料，具有高比容量、安全等優(yōu)點(diǎn)，但同時面臨眾多技術(shù)挑戰(zhàn)，尤其是充放電過程中巨大的體積膨脹和脫鋰/嵌鋰過程中形成不穩(wěn)定的SEI膜和較低的ICE，嚴(yán)重影響電池的電化學(xué)性能和使用壽命。因此，本文將圍繞此話題展開分析并作相應(yīng)展望。1 體積膨脹硅基材料在使用過程中存在近300%的體積膨脹，膨脹過程中會產(chǎn)生巨大應(yīng)力，嚴(yán)重導(dǎo)致電極粉化，使得電池容量迅速衰減。究其原因，主要是電池工作過程中形成的晶態(tài)的鋰硅合金相Li15Si4造成了硅的體積膨脹，導(dǎo)致
通信電源技術(shù) 2019年7期2019-01-15
- 鋰離子電池硅基負(fù)極新型黏結(jié)劑研究進(jìn)展
道聰?鋰離子電池硅基負(fù)極新型黏結(jié)劑研究進(jìn)展梁大宇，包婷婷，夏 昕，楊茂萍，李道聰（合肥國軒高科動力能源有限公司工程研究總院，安徽 合肥 230011）硅基材料由于具有超高的理論比容量，安全的嵌鋰工作電位和廉價易得等諸多優(yōu)點(diǎn)，是下一代高比能量電池體系最理想的負(fù)極材料。盡管硅基材料的研究已經(jīng)進(jìn)行很長時間，但是硅基材料嵌鋰時巨大的體積膨脹，循環(huán)性能較差等問題一直難以得到有效解決。開發(fā)高性能硅基負(fù)極黏結(jié)劑是解決硅基材料應(yīng)用問題的重要途徑之一，具有“剛?cè)岵?jì)”結(jié)構(gòu)特
儲能科學(xué)與技術(shù) 2018年6期2018-11-09
- 迄今世界最小電光調(diào)制器問世
成了透明氧化物—硅基MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)。微腔調(diào)制器可以把光場壓縮到很小的范圍，通過載流子富集形成很強(qiáng)的電光調(diào)制效應(yīng)，從而在很小的區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)很大的電光調(diào)制。新調(diào)制器相比主流硅基微環(huán)電光調(diào)制器在尺寸上縮小了10倍，僅為一個細(xì)菌大?。?微米×0.6微米），有源區(qū)更是縮小到了0.06立方微米（僅僅是波長立方尺寸的2%），在理論上可將電光轉(zhuǎn)換的能耗降低2～3個數(shù)量級。
科學(xué)導(dǎo)報 2018年7期2018-05-14
- 北京大學(xué)博士生導(dǎo)師王興軍教授蒞臨我校講學(xué)
并作了題為“高速硅基光電子集成技術(shù)”的學(xué)術(shù)報告.報告會由我院副院長李朋主持，我院部分師生聆聽了報告.報告會開始，李朋副院長對王興軍教授的學(xué)術(shù)背景及研究成果作了簡要介紹，并對他的到來表示熱烈歡迎.報告會上，王興軍教授首先介紹了他在北大的生活工作情況，隨后圍繞硅基光電子學(xué)中的兩大核心問題：硅基片上光放大和硅基光電集成技術(shù)兩方面進(jìn)行講述，并重點(diǎn)介紹了他帶領(lǐng)的研究組近5年在硅基稀土光波導(dǎo)放大器和光通信用高速硅基光電集成芯片方面的最新研究進(jìn)展.王教授的報告內(nèi)容豐富，
商丘師范學(xué)院學(xué)報 2018年6期2018-04-03
- Improving the Performance of Si-based Li-Ion Battery Anodes by Utilizing Phosphorene Encapsulation
磷烯包覆的高性能硅基鋰離子電池負(fù)極材料彭 勃1,2徐耀林2Fokko M. Mulder2,*(1中國人民大學(xué)物理系，北京100872；2Materials for Energy Conversion and Storage (MECS), Department of Chemical Engineering, Faculty of Applied Science, Delft University of Technology, Delft 2629 HZ
物理化學(xué)學(xué)報 2017年11期2018-01-12
- 石墨烯-硅基混合光子集成電路?
640)石墨烯-硅基混合光子集成電路?肖廷輝1)#于洋1)2)#李志遠(yuǎn)3)1)?1)(中國科學(xué)院物理研究所光物理實(shí)驗(yàn)室,北京 100190)2)(中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049)3)(華南理工大學(xué)物理與光電學(xué)院,廣州 510640)(2017年6月27日收到;2017年7月31日收到修改稿)硅基光子學(xué),石墨烯光子學(xué),集成光子學(xué)1 引 言自2004年首次在實(shí)驗(yàn)中通過機(jī)械剝離的方法制備成功后,石墨烯作為一種兼具高載流子遷移率、高機(jī)械強(qiáng)度以及高熱導(dǎo)率等優(yōu)越性
物理學(xué)報 2017年21期2017-11-10
- 硅基復(fù)合肥對烤煙鎘含量的影響
全性，試驗(yàn)研究了硅基復(fù)合肥對烤煙各部位鎘含量的影響。結(jié)果表明，硅基復(fù)合肥能顯著降低烤煙各部位的鎘含量，且以1.33 mg·kg-1用量效果最好，煙根、煙莖和煙葉鎘含量最高分別降低27.66%，31.75%，55.58%。關(guān)鍵詞：硅；烤煙；鎘含量中圖分類號：S572 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A DOI 編碼：10.3969/j.issn.1006-6500.2017.06.006Abstract： In order to improve the safety of fl
天津農(nóng)業(yè)科學(xué) 2017年6期2017-06-10
- 三甲基硅基肼的合成
便[10]。有機(jī)硅基是肼的重要保護(hù)基[11],既能在一些反應(yīng)中保護(hù)活潑氫,又能對肼起到穩(wěn)定作用,在適當(dāng)?shù)臅r候又可通過酸解快速脫去[12]。因此,硅基肼既是合成富氮材料的中間體,又是肼的重要的模型化合物[13-14],在多氮高能材料的研究中有重要意義。硅基肼的合成中常用到易燃易爆的無水肼[15-16],而且產(chǎn)物易氧化、易潮解,分離提純比較困難。國外對硅基肼類化合物的合成研究較多[17-23], Wannagat等[17]通過三苯基氯硅烷和無水肼反應(yīng),合成了單
含能材料 2017年6期2017-05-07
- 硅基CCD不均勻性測試
廣東中心 張雄娥硅基CCD不均勻性測試國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作廣東中心 張雄娥【摘要】本文從理論上分析了硅基CCD（電荷耦合器件）不均勻性的原因，并給出了一種硅基CCD不均勻性的測試方法，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該方法可行。實(shí)驗(yàn)中的硅基CCD光電響應(yīng)偏差率在±1%以內(nèi)?！娟P(guān)鍵詞】硅基；CCD；不均勻性；光電特性；測試0 引言CCD作為一種光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，在工業(yè)控制、工業(yè)檢測、計(jì)量檢測等精密測量領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著測量的精度要求不斷提高，CCD的非均勻性成了
電子世界 2016年11期2016-06-21
- 毫米波亞毫米波頻段硅基有源器件建模
免許可等特點(diǎn)，而硅基納米尺度技術(shù)為毫米波亞毫米波集成電路提供了良好的工藝平臺，因此，硅基毫米波亞毫米波集成電路與系統(tǒng)成為無線通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。該報告針對硅基毫米波亞毫米波集成電路的關(guān)鍵-硅基有源器件的模型，從硅基毫米波有源器件模型和模型庫方法、MOSFET小信號分析和模型方法和MOSFET大信號行為分析和模型方法三方面出發(fā)，對MOSFET的模型進(jìn)行了深入的研究。通過項(xiàng)目的實(shí)施，探明了毫米波段硅基有源器件表征方法，基于該方法發(fā)展出PSP基毫米波亞毫米波MO
科技資訊 2016年8期2016-05-14
- 一種鋰離子電池用高容量硅基負(fù)極材料的制備方法
離子電池用高容量硅基負(fù)極材料的制備方法本發(fā)明公開了一種鋰離子電池用高容量硅基負(fù)極材料的制備方法。本發(fā)明制備的鋰離子電池用硅基復(fù)合負(fù)極材料，采用了特定工藝制備的介孔碳和納米硅作為原料進(jìn)行復(fù)合而成，使得碳硅均勻地分布且結(jié)合更為緊密，因此該復(fù)合材料在用于鋰離子電池時，具有較高的導(dǎo)電性能和良好的循環(huán)穩(wěn)定性，使得鋰離子電池具有高比容量以及較長的使用壽命。CN，105489891
無機(jī)鹽工業(yè) 2016年6期2016-03-15
- 硅基微機(jī)械加工技術(shù)
驗(yàn)中學(xué) 于周順澤硅基微機(jī)械加工技術(shù)大慶市實(shí)驗(yàn)中學(xué) 于周順澤就微電子機(jī)械系統(tǒng)而言，硅基微機(jī)械加工技術(shù)是其重要的實(shí)現(xiàn)技術(shù)之一。這種技術(shù)的應(yīng)用是微電子機(jī)械系統(tǒng)形成良好性能的重要保障。本文從硅基微機(jī)械加工技術(shù)的種類入手，對這種加工技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)行分析和研究。硅基；微機(jī)械加工技術(shù)；應(yīng)用前言從以往機(jī)械加工經(jīng)驗(yàn)可知，隨著待加工機(jī)械材料尺寸的降低，其加工難度會發(fā)生相應(yīng)提升。因此，相對于普通的加工技術(shù)而言，硅基微機(jī)械加工技術(shù)的應(yīng)用難度更高。除此之外，硅基微機(jī)械加工技術(shù)的應(yīng)用也
電子世界 2016年23期2016-03-13
- 氮化鎵/硅功率電子元件晶圓溫度的精確測量
圓溫度的精確測量硅基氮化鎵（GaN/Si）元件的制作工藝中，金屬氧化物化學(xué)汽相沉積（MOCVD）過程的溫度測量難度較高。理論上，傳統(tǒng)紅外線高溫計(jì)可以滿足要求，硅基可以吸收整個沉積生長相關(guān)溫度范圍內(nèi)的全部紅外線。然而在工業(yè)應(yīng)用中，反饋控制和統(tǒng)計(jì)過程控制（SPC）精度都會受到一種人為因素的影響。來自馬格德堡（Otto-von-Guericke University of Magdeburg）的研究團(tuán)隊(duì)此前一直在尋求解決方案。研究發(fā)現(xiàn)，無論紅外線高溫計(jì)的性能多么
電子與封裝 2016年4期2016-03-09
- 硅基光電“芯”發(fā)展
大攔路虎。正方 硅基光電集成技術(shù)傳統(tǒng)電子計(jì)算機(jī)中，電子是信息傳輸?shù)妮d體，而在科幻小說中則早已出現(xiàn)了“光腦”的暢想。“光腦”就是光子計(jì)算機(jī)，利用光信號進(jìn)行數(shù)字運(yùn)算、邏輯操作、信息傳輸與存儲，運(yùn)算效率遠(yuǎn)超電子計(jì)算機(jī)。與電子相比，光子的傳輸速度要大得多，并且光信號之間不會相互干擾，可以做到千萬條光束同時穿越一個光學(xué)元件而不相互影響。此外，光傳輸、轉(zhuǎn)換過程中的能量消耗極少，這能有效避免高溫產(chǎn)生。然而現(xiàn)實(shí)總是殘酷的，科學(xué)家很快就發(fā)現(xiàn)制造納米級的光學(xué)透鏡是如此困難，想
中學(xué)科技 2015年8期2015-08-08
- 微波脈沖對硅基雙極型晶體管的損傷特性*
重大［2－3］。硅基雙極型晶體管是低噪聲放大器中應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件，研究微波脈沖對硅基雙極型晶體管的損傷特性具有重要的意義。文獻(xiàn)［4－6］利用半導(dǎo)體仿真軟件，通過分析硅基雙極型晶體管器件內(nèi)部電場強(qiáng)度、電流密度和溫度分布，研究了硅基雙極型晶體管器件在微波信號和階躍脈沖作用下的損傷效應(yīng)和機(jī)理;文獻(xiàn)［7－9］研究報道了硅基雙極型晶體管型低噪聲放大器微波損傷的實(shí)驗(yàn)研究，給出了微波脈沖參數(shù)以及不同管腳注入對晶體管損傷特性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)研究更加注重效應(yīng)數(shù)據(jù)和規(guī)律的
國防科技大學(xué)學(xué)報 2015年2期2015-04-04
- 北大周治平：硅基光電子學(xué)引發(fā)變革產(chǎn)業(yè)化亟需多方努力
興玲北大周治平：硅基光電子學(xué)引發(fā)變革產(chǎn)業(yè)化亟需多方努力本刊記者|刁興玲我國硅基光電子技術(shù)在器件設(shè)計(jì)方面并不落后，但在芯片系統(tǒng)集成能力方面仍然稍顯不足。“在硬件方面，我國的加工技術(shù)還不完善，有能力的加工單位較少；封裝技術(shù)也不如外國成熟；在系統(tǒng)協(xié)同方面，我國產(chǎn)學(xué)研多方還需進(jìn)一步加強(qiáng)合作?！敝苤纹浇淌谥赋?。未來計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品性能的提高將主要依賴于中央處理器芯片之間和芯片內(nèi)光信號的互連，光互連技術(shù)作為解決不斷增長的通信容量和密度的方案已經(jīng)成為業(yè)界共識。目前
通信世界 2015年25期2015-03-16
- 2-乙?；?6-三甲基硅基苯基三氟甲磺酸酯的合成*
酰基-6-三甲基硅基苯基三氟甲磺酸酯的合成*孫銀蕾1，2，劉波1(1.中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所，新疆烏魯木齊 830011;2.中國科學(xué)院大學(xué)，北京 100049)以2-三甲基硅基苯酚為原料，經(jīng)甲?；?、酯化、親核加成和氧化反應(yīng)首次合成了3-乙?；饺驳那绑w——2-乙?；?6-三甲基硅基苯基三氟甲磺酸酯，總收率35%，其結(jié)構(gòu)經(jīng)1H NMR和13C NMR確證。2-三甲基硅基苯酚;2-乙?；?6-三甲基硅基苯基三氟甲磺酸酯;3-乙酰基苯炔前體;密旋霉素;合
合成化學(xué) 2014年3期2014-06-23
- 中美聯(lián)合開發(fā)出新型硅基光子芯片
合開發(fā)出一種新型硅基光子芯片。該芯片能夠初步實(shí)現(xiàn)光的單向無反射傳輸，或可為人工結(jié)構(gòu)材料領(lǐng)域的發(fā)展開辟新的研究路徑。據(jù)悉，盡管通過光子而非電子攜帶信息的光通信技術(shù)目前應(yīng)用十分廣泛，且具有通信容量大、數(shù)據(jù)損耗低、保密性好等優(yōu)點(diǎn)，然而，電子計(jì)算機(jī)領(lǐng)域仍依賴于電子芯片，這在很大程度上限制了光通信的進(jìn)一步發(fā)展。此次，中美聯(lián)合研究小組在硅基波導(dǎo)上巧妙引入實(shí)部和虛部的匹配相位調(diào)制，成功開發(fā)出的這種新型硅基光子芯片，有望被用于實(shí)現(xiàn)硅基芯片集成的光學(xué)網(wǎng)絡(luò)分析儀。研究人員表示
河南科技 2012年21期2012-08-15
- 歐瑞康發(fā)布新型太陽電池生產(chǎn)線
一項(xiàng)創(chuàng)紀(jì)錄的新型硅基薄膜太陽電池，12.5%的轉(zhuǎn)換效率使得這款實(shí)驗(yàn)室硅基薄膜太陽電池較第二代ThinFabTM大規(guī)模生產(chǎn)組件轉(zhuǎn)換效率提高了16%，充分體現(xiàn)出歐瑞康太陽能硅基薄膜太陽電池技術(shù)的發(fā)展?jié)摿?。第二代ThinFabTM生產(chǎn)線除了能夠?qū)崿F(xiàn)較低的資本投入和最低的組件成本之外，升級后的ThinFabTM生產(chǎn)線可以向客戶保證10.8%的平均轉(zhuǎn)換效率(154 Wp)可提高8% ，而且與第一代相比，產(chǎn)能可提高17%。轉(zhuǎn)換效率為12.5%的創(chuàng)紀(jì)錄硅基薄膜太陽電池由
太陽能 2012年4期2012-02-14
- “硅基氧化鋁模板合成ZnO納米結(jié)構(gòu)及其場發(fā)射性能研究”項(xiàng)目通過天津市科委驗(yàn)收
市科技計(jì)劃項(xiàng)目“硅基氧化鋁模板合成ZnO納米結(jié)構(gòu)及其場發(fā)射性能研究”于2012年6月28日通過市科委組織的專家驗(yàn)收.本項(xiàng)目通過合理控制電解液溫度、氧化時間，在草酸、磷酸溶液中制備了硅基AAO模板，滿足了光電器件的制備要求.通過使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的磷酸溶液實(shí)現(xiàn)了對AAO模板的精確刻蝕；通過光刻結(jié)合二次陽極氧化技術(shù)，在硅基上制備了圖案化AAO模板，為硅基AAO模板走向應(yīng)用打下了重要基礎(chǔ)；通過采用溶膠、凝膠法、CVD技術(shù)和電化學(xué)沉積技術(shù)，在硅基AAO模板內(nèi)成功合
天津工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2012年6期2012-02-14
- 成步文：放眼未來 不懈探索
成技術(shù)的研究。在硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料外延設(shè)備、材料生長動力學(xué)、硅基光電子學(xué)器件等方面取得了重要研究成果。如：主持研制出國內(nèi)最先進(jìn)的硅基異質(zhì)材料外延專用超高真空化學(xué)汽相淀積（UHV/CVD）系統(tǒng)；首次觀察到自組裝Ge量子點(diǎn)生長中的形態(tài)反常演化和多層Ge量子點(diǎn)的斜對準(zhǔn)耦合現(xiàn)象；國內(nèi)首次外延生長出高質(zhì)量的硅基厚Ge材料和硅基GeSn合金材料，國內(nèi)首次研制出Si基Ge長波長高速光電探測器、SACM結(jié)構(gòu)Ge/Si APD、硅基Ge/Si異質(zhì)結(jié)室溫工作LED器件和全波段響
科學(xué)中國人 2011年14期2011-11-06
- 世界最大硅基薄膜光伏電站將在內(nèi)蒙古動工
世界最大硅基薄膜光伏電站將在內(nèi)蒙古動工目前世界上最大的硅基薄膜光伏電站項(xiàng)目——國家“金太陽”太陽能示范電站項(xiàng)目將在內(nèi)蒙古自治區(qū)動工。據(jù)悉，這一5MW的光伏電站由中國節(jié)能環(huán)保集團(tuán)公司投資， 將采用 5.7m2雙結(jié)硅基薄膜太陽能電池技術(shù)。新奧集團(tuán)旗下的新奧太陽能源公司宣布中標(biāo)該項(xiàng)目，為其提供雙結(jié)硅基薄膜組件、配件產(chǎn)品及其他相關(guān)集成服務(wù)。據(jù)介紹，原有薄膜太陽能電池產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的轉(zhuǎn)化率僅維持在 6%， 新奧則將其提高到 9.2%。 這是目前世界上硅基薄膜
浙江電力 2010年6期2010-02-12