馬云柱 趙迎超 陳福媛
(西安電子工程研究所 西安 710100)
在雷達(dá)系統(tǒng)中,發(fā)射機(jī)是系統(tǒng)的核心設(shè)備之一,大功率和高效率一直是發(fā)射機(jī)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料MMIC功率器件由于具有更高的擊穿電場,更高的熱導(dǎo)率和更大的功率密度,為研制大功率、高效率的固態(tài)發(fā)射機(jī)提供了有力的支持,使得在高頻段實(shí)現(xiàn)固態(tài)發(fā)射機(jī)替代電真空發(fā)射機(jī)成為可能。
文章論述了一種Ku頻段2kW氮化鎵固態(tài)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)。闡述了500W發(fā)射組件和平面波導(dǎo)魔T合成器的設(shè)計(jì),分析了波導(dǎo)合成器的功率容量和相位一致性對發(fā)射機(jī)合成效率的影響,最終實(shí)現(xiàn)發(fā)射機(jī)輸出功率大于2kW,效率大于22%。該發(fā)射機(jī)已經(jīng)成功應(yīng)用于某項(xiàng)目替代電真空發(fā)射機(jī),實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的升級換代。
如圖1所示,2kW發(fā)射機(jī)主要由一分四同軸功分器,4個(gè)500W發(fā)射組件、四路波導(dǎo)合成器、DC/DC電源變換模塊組成。輸入射頻信號經(jīng)過一分四同軸功分器后分別推動(dòng)4個(gè)500W發(fā)射組件,在保證了4個(gè)發(fā)射組件的相位一致性后,通過四路波導(dǎo)合成器輸出,DC/DC電源模塊為4個(gè)500W發(fā)射組件提供需要的各種電壓。
圖1 Ku頻段2kW發(fā)射機(jī)原理框圖
500W發(fā)射組件的原理框圖如圖2所示,以150W功放模塊為基本單元,采用E-T和H-T組合的四路波導(dǎo)合成輸出,在輸出端設(shè)置輸出和反射檢測電路,總控制模塊實(shí)現(xiàn)故障檢測和通信,風(fēng)冷系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)發(fā)射組件的散熱,提高產(chǎn)品工作的穩(wěn)定性和可靠性。
圖2 500W發(fā)射組件原理框圖
500W發(fā)射組件的實(shí)物如圖3所示。外形尺寸為310mm×215mm×205mm。
圖3 500W發(fā)射組件實(shí)物照片
在脈沖寬度100μs,占空比20%條件下,在室溫環(huán)境下對4個(gè)發(fā)射組件的輸出功率進(jìn)行了測試。測試數(shù)據(jù)表明,在工作頻帶內(nèi),4個(gè)發(fā)射組件的峰值輸出功率均大于530W,最大功率起伏小于0.5dB。
2.2.1 平面波導(dǎo)魔T四路合成器設(shè)計(jì)與仿真
波導(dǎo)合成器由于功率容量高、損耗小,是大功率合成首選的方案。波導(dǎo)魔 T的兩個(gè)輸入端口之間具有高的隔離度,有效減少了其輸入端口之間的干擾。但是傳統(tǒng)的魔 T體積大,調(diào)配元件復(fù)雜,裝配難度大,本文采用平面型魔T一定程度上解決了傳統(tǒng)魔T的尺寸較大的問題,減小了裝配難度,而且可以實(shí)現(xiàn)低插損、高隔離度。模型和仿真結(jié)果如圖4和圖5所示。
圖4 平面波導(dǎo)魔T四路合成器仿真模型
圖5 平面波導(dǎo)魔T四路合成器仿真結(jié)果
仿真結(jié)果表明在設(shè)定的頻率范圍內(nèi),平面波導(dǎo)魔T四路合成器電壓駐波比小于1.15,插入損耗小于0.15dB。滿足功率合成的工程需求。
2.2.2 功率容量計(jì)算
矩形波導(dǎo)功率容量的計(jì)算公式為
(1)
其中:、、的單位為cm;為波導(dǎo)的輸入駐波系數(shù)。
若波導(dǎo)系統(tǒng)中為空氣或真空,(波阻抗)為3767Ω,(空氣的擊穿強(qiáng)度)為30kV/cm,帶入后得
(2)
將=158cm,=079cm,帶入公式(2),=55kW(=1),功率容量滿足工程設(shè)計(jì)需求。
如圖6所示,仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析,在總口魔處在4個(gè)功分口同時(shí)饋入500W等相功率后,功分器內(nèi)部電場最強(qiáng)值為:113×10V/m,低于空氣擊穿場強(qiáng)29×10V/m。
圖6 從4個(gè)分口饋入500W等幅等相功率時(shí)電壓分布情況
在成功實(shí)現(xiàn)500W發(fā)射組件和四路平面波導(dǎo)魔合成網(wǎng)絡(luò)后,四路發(fā)射組件之間的相位一致性就成為影響發(fā)射機(jī)最終合成效率的關(guān)鍵,由于四路功率合成的情況也可以由兩路的情況推導(dǎo)而出,所以下面以兩路功率合成來分析幅相不平衡度對合成效率的影響。合成效率計(jì)算公式為式(3)。
(3)
其中,=為幅度不平衡度;Δ=|-|為相位不平衡度。
不考慮幅度對合成效率的影響(=1),表2 列出了相位不平衡度和合成效率的關(guān)系。
表1 4個(gè)發(fā)射組件常溫下輸出峰值功率測試數(shù)據(jù)
表2 相位不平衡度和合成效率的關(guān)系
由表2可以看出,相位不平衡是影響合成效率的關(guān)鍵因素之一,4個(gè)500W發(fā)射組件的相位一致性如表3所示。
表3 選用的4個(gè)發(fā)射組件相位測試(以4#為基準(zhǔn))
可見4個(gè)發(fā)射組件的相位一致性較差,為了提高合成效率,通過在合成器功分端口加波導(dǎo)墊片調(diào)節(jié)4個(gè)發(fā)射組件的相位。調(diào)整后的相位測試如表4所示。
由表4可以看出,調(diào)整后4個(gè)發(fā)射支路同頻點(diǎn)相位起伏小于13°,大大改善了4個(gè)發(fā)射組件之間的相位一致性。
表4 調(diào)整后的4個(gè)發(fā)射組件相位一致性測試
經(jīng)過充分的理論分析和仿真計(jì)算,依據(jù)圖1原理框圖設(shè)計(jì)的2kW氮化鎵固態(tài)發(fā)射機(jī)的實(shí)物測試照片如圖7所示。
圖7 發(fā)射機(jī)實(shí)物測試照片
在脈沖寬度100μs,占空比20%條件下,對發(fā)射機(jī)在室溫環(huán)境下的主要性能進(jìn)行了測試,輸出功率測試結(jié)果和發(fā)射機(jī)效率計(jì)算數(shù)據(jù)如表5所示。
可見,在常溫條件下,發(fā)射機(jī)帶內(nèi)輸出峰值功率大于2kW,效率大于22%,輸出功率起伏小于0.45dB,根據(jù)表1和表5的測試結(jié)果,經(jīng)計(jì)算發(fā)射機(jī)的合成效率大于93%,主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
表5 發(fā)射機(jī)輸出功率測試數(shù)據(jù)
本文介紹了一種Ku波段2kW氮化鎵固態(tài)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì),采用多種形式的功率合成方式,在Ku頻段實(shí)現(xiàn)了峰值輸出功率大于2kW,效率大于22%。并成功應(yīng)用于某項(xiàng)目替代電真空發(fā)射機(jī),提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的升級換代。