馬宇川

從外觀上看，這款DDR5 5200內(nèi)存與之前的，AORUS DDR5 6200高端產(chǎn)品完全相同。雖然沒有設(shè)計RGB燈效，但配備了厚重、扎實的內(nèi)存散熱片。其內(nèi)存散熱片由銅鋁復(fù)合材料打造，并在表面覆蓋納米碳涂層，這樣設(shè)計不僅讓散熱片具備銅的導(dǎo)熱與鋁的散熱優(yōu)勢，還能利用納米碳的高熱輻射性，改善金屬表面的熱輻射效率，獲得更好的散熱效果。內(nèi)部做工方面，這款內(nèi)存采用了高規(guī)格的10層PCB設(shè)計，讓內(nèi)存工作穩(wěn)定，超頻能力也更強(qiáng)。

借助對XMP 3.0技術(shù)的完美支持，AORUSDDR5 5200 16GBx2內(nèi)存套裝提供了一套DDR55200 XMP配置，工作在1.25V內(nèi)存電壓下，延遲設(shè)置為DDR5 5200@40-40-40-80。用戶只需要在主板BIOS中打開內(nèi)存的XMP功能，就能將內(nèi)存頻率一鍵提升到DDR5 5200使用。從軟件偵測來看，AORUS DDR5 5200內(nèi)存選用了來自美光的DDR5內(nèi)存顆粒。而根據(jù)各大板卡廠商的實驗室測試來看，美光顆粒在小幅提升內(nèi)存電壓后，其內(nèi)存頻率還有一定的提升空間。因此在性能測試開始之前，我們還對該內(nèi)存進(jìn)行了超頻測試。

在多次嘗試后，我們發(fā)現(xiàn)如果把內(nèi)存的VDD電壓提升到1.35V，內(nèi)存VDDQ電壓提升到1.4V，同時將延遲增加到42-42-42-84后，內(nèi)存的工作頻率就能超頻到DDR5 5600，并穩(wěn)定地通過半小時AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測試。這意味著，AORUS DDR55200在DDR5 5600下也是可以正常使用的。同時，在電壓、頻率雙雙提升后，這款內(nèi)存的工作溫度也不算太高，在運行半小時AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測試后，內(nèi)存散熱片表面的最高溫度在56.9℃左右。所以在接下來的測試中，我們還會把內(nèi)存超頻到DDR5 5600后與默認(rèn)的DDR5 5200配置，以及普通的DDR54800內(nèi)存進(jìn)行對比測試。

首先在默認(rèn)規(guī)格下，AORUS DDR5 5200-16GBx2內(nèi)存套裝的測試結(jié)果就非常不錯，其內(nèi)存性能明顯超過普通的DDR5 4800內(nèi)存。如AIDA64內(nèi)存讀取帶寬達(dá)到82453MB/s，領(lǐng)先DDR5 4800達(dá)7.2%，內(nèi)存寫入帶寬也領(lǐng)先DDR5 4800約6.3%。而更好的內(nèi)存性能好也讓用戶能獲得更好的處理器與游戲性能，在默認(rèn)的DDR5 5200下，其《魯大師》處理器性能就能突破一百萬分大關(guān)，3DMark TimeSpy總分突破20000分，《最終幻想XⅣ：曉月的終焉》的游戲幀速也能達(dá)到230fps。

當(dāng)內(nèi)存超頻到DDR5 5600后，它的內(nèi)存性能還能獲得繼續(xù)提升。其內(nèi)存讀取帶寬達(dá)到88024MB/s，較DDR5 5200下的內(nèi)存讀取帶寬提升了約6. 8%。內(nèi)存延遲則從DDR5 5200下的80.7ns縮短到73.8ns。在反映內(nèi)存整體性能的SiSoftware Sandra內(nèi)存測試中也有類似的結(jié)果。超頻后，其內(nèi)存帶寬獲得了約3.7%的性能提升，內(nèi)存延遲則小幅從26.4ns降低到25.9ns。在《魯大師》內(nèi)存測試中，超頻后的成績較DDR5 5200獲得了5.3%的增幅。同樣，內(nèi)存性能的提升也帶動了處理器性能的進(jìn)一步提升-7-ZIP處理器壓縮與解壓縮性能達(dá)到-135GIPS以上，《魯大師》處理器性能增加了3380分。

從以上測試來看，AORUS DDR5 5200-16GBx2內(nèi)存套裝是一款表現(xiàn)不錯的主流DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不僅擁有優(yōu)于普通DDR5 4800內(nèi)存的性能，更能穩(wěn)定超頻到DDR5 5600使用，更值得一提的是，目前這款內(nèi)存套裝的售價僅在2499元左右，只比其他DDR5 4800 -16GBx2套裝貴了約一兩百元，顯然AORUS DDR5 5200 16GBx2內(nèi)存套裝是更具性價比的產(chǎn)品，非常值得準(zhǔn)備組建高性價比12代酷睿電腦的用戶選用。