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      曲靖非相干散射雷達(dá)電離層E-F 谷區(qū)電子密度日間變化特征初步分析

      2022-08-07 09:13:04丁宗華代連東楊嵩苗建蘇吳健
      電波科學(xué)學(xué)報 2022年3期
      關(guān)鍵詞:磁暴電子密度頂角

      丁宗華 代連東 楊嵩 苗建蘇 吳健

      (1. 中國電波傳播研究所 電波環(huán)境特性及?;夹g(shù)重點(diǎn)實驗室,青島 266107;2. 昆明電磁波環(huán)境國家野外科學(xué)觀測研究站,曲靖 655500)

      引 言

      根據(jù)Chapman 理論,在電離層E 層與F 層之間存在電子密度谷區(qū)(即E-F 谷區(qū)),由于探測手段與數(shù)據(jù)的不足,目前對電離層E-F 谷區(qū)的認(rèn)識十分有限.垂直探測儀雖然是最常規(guī)、最廣泛使用的電離層探測設(shè)備,但無法給出E-F 谷區(qū)詳細(xì)信息(包括谷區(qū)位置、谷寬、谷深等)[1]. 目前E-F 谷區(qū)的主要探測方法是探空火箭和非相干散射雷達(dá),探空火箭是E-F 谷區(qū)就位探測的唯一手段,但探測時間與數(shù)據(jù)量不足.史建魁等[2]介紹了我國海南地區(qū)E-F 谷區(qū)電子密度的首次探空火箭觀測結(jié)果,發(fā)現(xiàn)谷區(qū)位于90~150 km,谷寬約42 km,谷深約50%,這與國際上其他地區(qū)的探測相比都偏大,但谷區(qū)外的電子密度與垂直探測儀探測結(jié)果相符合.

      非相干散射雷達(dá)是目前最強(qiáng)大的地基電離層探測設(shè)備. CHAU 等[3]介紹了低緯地區(qū)Jicamarca (11.9°S,283.1°E)非相干散射雷達(dá)的E-F 谷區(qū)電子密度探測結(jié)果,發(fā)現(xiàn)與探空火箭探測結(jié)果一致. MAHAJAN 等[4-5]分析了低緯地區(qū)Arecibo (18.3°N, 66.7°W)非相干散射雷達(dá)的E-F 谷區(qū)電子密度隨地方時與太陽天頂角的變化特征,發(fā)現(xiàn)白天的谷區(qū)結(jié)構(gòu)不明顯且變化很小,但是夜間的谷區(qū)結(jié)構(gòu)很顯著且變化很大. ZHANG等[6]介紹了中緯地區(qū)(34.8°N, 136.1°E)MU 雷達(dá)(中、高層大氣雷達(dá))對電離層90 ~160 km 電子密度的初步探測結(jié)果. CHEN 等[7]對比了中緯地區(qū)Millstone Hill (42.6°N, 288.5°E) 垂直探測儀與非相干散射雷達(dá)的電離層電子密度數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)垂直探測儀反演的EF 谷區(qū)電子密度(利用Titheridge 模型)與非相干散射雷達(dá)相比存在較大差異.

      在子午工程支持下,中國電波傳播研究所于2012 年初在云南曲靖(25.6°N, 103.8°E)建成了我國首套非相干散射雷達(dá). 丁宗華等介紹了該雷達(dá)的技術(shù)性能指標(biāo)與數(shù)據(jù)處理方法[8]及初步探測結(jié)果,包括電離層電子密度變化[9-10]、電子溫度變化[11]、電子密度日落增強(qiáng)[12]與空間碎片分布特征[13]等,但尚未報道該雷達(dá)對電離層E-F 谷區(qū)電子密度的探測結(jié)果.本文利用曲靖非相干散射雷達(dá)日間探測的120~200 km(覆蓋E 層上部、E-F 谷區(qū)、F1層)電子密度數(shù)據(jù),對曲靖地區(qū)E-F 谷區(qū)電子密度變化特征進(jìn)行了初步分析.

      1 數(shù)據(jù)處理方法

      根據(jù)雷達(dá)方程[14],電離層非相干散射回波功率與電子密度成正比. 120 km 以下低電離層電子密度與F2層相比很小,散射回波弱,信噪比低,探測精度較差;同時,120 km 以下經(jīng)常會受到相干回波(電離層偶發(fā)E 層、E 區(qū)不規(guī)則體、流星) 干擾,信噪比進(jìn)一步降低[6].

      非相干散射回波功率與電離層電子密度的關(guān)系為式中:Pr為回波功率;C為非相干散射雷達(dá)系統(tǒng)常數(shù);Ne為電子密度;R為雷達(dá)到電離層散射體的距離;Tr為電子與離子溫度比; α為德拜因子(電離層等離子體德拜長度與雷達(dá)波長之比的平方). 曲靖非相干散射雷達(dá)的波長為60 cm,德拜長度一般為數(shù)cm,因此德拜因子一般小于0.01,該數(shù)值非常小可以忽略. 對于低電離層,由于碰撞頻率較高,溫度的遲豫時間很短(在90 km 和150 km 處分別為0.000 1 s 和1 s)[6],可認(rèn)為電子與離子近似熱平衡(特別是夜間).Evans[15]對比分析了非相干散射雷達(dá)、探空火箭和衛(wèi)星觀測的電離層電子與離子溫度數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)在130 km以下的電子與離子處于熱平衡,但是在160 km 的電子與離子溫度比約1.1~1.2,本文假設(shè)120~200 km的電子與離子溫度比為1,這可能會導(dǎo)致約10%的誤差[6]. 利用本地垂直探測儀探測的F2層臨界頻率可以標(biāo)校雷達(dá)系統(tǒng)常數(shù),從而估算電離層電子密度剖面.

      2 初步結(jié)果

      2.1 基本變化特征

      圖2 為曲靖地區(qū)不同季節(jié)白天(約9:00—16:00)120~200 km 的電子密度剖面,其中紅色實線為平均值,距離分辨率為4.5 km,時間分辨率為2 min. 可以看出,120~200 km 電子密度剖面在不同月份具有不同的形態(tài)結(jié)構(gòu),冬(2015-01-15)、春(2015-04-05)與秋季(2014-11-02)120~150 km 的電子密度隨著高度增加迅速降低,在約140 km 達(dá)到最小值(谷底),然后緩慢單調(diào)增加,形成顯著的谷區(qū)結(jié)構(gòu),200 km 的電子密度低于120 km. 夏季(2014-07-11)120~150 km 的電子密度隨著高度增加緩慢變化,谷區(qū)更寬,谷底高度約130 km,從150 km 開始快速單調(diào)增加,200 km 的電子密度遠(yuǎn)大于120 km,夏季120 ~200 km 總電子密度含量大于其他季節(jié).

      圖1 2014-03-30T9:25LT 曲靖非相干散射雷達(dá)探測的回波功率和電子密度剖面Fig. 1 The echo power and electron density profile of Qujing incoherent scatter radar at 9:25LT on 2014-03-30

      圖2 曲靖地區(qū)不同季節(jié)的日間電子密度剖面Fig. 2 The daytime electron density profiles in different seasons in Qujing

      圖3 為2017-04-30 探測的120~200 km 電子密度剖面隨地方時的變化. 可見不同時刻的電子密度剖面形態(tài)不一樣,并且相對正午時刻具有一定的對稱性. 在日出時的E-F 谷區(qū)較深較寬(谷底約144 km,谷深約0.92);9:00—13:00 期間電子密度增加,谷區(qū)較窄并緩慢變化(谷底約140 km,谷深約0.73),谷底位置在140~144 km 變化;15:00 開始谷區(qū)再一次加深.

      圖3 2017-04-30 不同地方時的電子密度剖面對比Fig. 3 The comparison of the daytime electron density profiles in different local time on 2017-04-30

      圖4 為2015-05-30 探測的149~198 km 6 個不同高度處電子密度隨不同地方時的變化. 可見不同高度處的電子密度相對正午12:00 具有對稱性,隨著高度增加,對稱性降低. 在日出時電子密度迅速增加,約9:00 即達(dá)到最大值,隨后緩慢變化;在15:00 開始快速降低,在19:00 達(dá)到極小值;在19:00—20:00 出現(xiàn)短暫的增加;在21:00 再次開始下降,并維持在夜間的較低值.

      圖4 2015-05-30 不同高度電子密度變化Fig. 4 The variations of the electron density in different altitudes with local time on 2015-03-30

      2.2 太陽耀斑期間的E-F 谷區(qū)電子密度變化

      眾所周知,低電離層主要受光化學(xué)過程控制,耀斑期間太陽X 射線與極紫外等電磁輻射顯著增加,必然對電離層光化學(xué)過程產(chǎn)生影響. 2014-12-17 發(fā)生了一次X 級耀斑,曲靖11:20 時刻軟X 射線輻射流量 迅速 增 加,11:46 達(dá) 到 最大 約 8×10-5W/m2,為M8.7 級耀斑水平,于12:15 結(jié)束,持續(xù)約55 min. 圖5為2014-12-17 曲靖地區(qū)不同高度的電子密度變化.可見曲靖9:30—13:00 期間124~129 km電子密度變化趨勢相似,在耀斑爆發(fā)后迅速增加,在11:30 達(dá)到最大值,隨后下降;134~149 km 的電子密度增加不明顯.

      圖5 2014-12-17 耀斑期間不同高度電子密度變化Fig. 5 The variations of the electron density in different altitudes with local time in the solar flare event on 2014-12-17

      圖6 為2014-12-15—18 電離層垂直探測的fmin(起測頻率)與foE(E 層尋常波臨界頻率)變化,fmin一定程度上反映了D 層電子密度的變化,foE 與E 層最大電子密度有關(guān). 耀斑期間,電離層D 層在太陽軟 X射線輻射電離作用下,電子密度迅速增加,導(dǎo)致入射到D 層的無線電波吸收衰減增加,起測頻率越高吸收越嚴(yán)重. 從圖6 可見12-17 T 11:00—12:00fmin快速增加,12:00 達(dá)到最大值約6.0 MHz,對應(yīng)的電子密度約4.46×1010/m3,12:00—14:00 快速降低,15:00 以后降低到約1.4 MHz,表明fmin與太陽軟 X 射線輻射流量增加有關(guān).foE 相對正午12:00 具有明顯的對稱性,表明foE 主要受太陽輻射光化學(xué)過程控制,但是2014-12-17T11:00 以后無觀測數(shù)據(jù),因此利用foE 無法分析此次耀斑效應(yīng).

      圖6 2014-12-15—18 耀斑期間電離層fmin 與foE 變化Fig. 6 The variations of the fmin and foE with local time in the solar flare event during 2014-12-15—18

      由于電離層不同高度的中性成分不同,不同成分吸收太陽電磁輻射的程度不同,導(dǎo)致不同高度的電子密度變化特征不同. 比如低電離層(D 層和E 層底部)以分子離子為主,對太陽 1~8 ? 軟 X 射線輻射強(qiáng)度的變化很敏感;隨著高度增加,分子離子與原子離子并存,太陽極紫外輻射電離也變得重要,因此圖5 中124~129 km 電子密度增加可能是由于太陽X 射線或極紫外輻射增強(qiáng)有關(guān).

      2.3 磁暴期間的E-F 谷區(qū)電子密度變化

      磁暴是引起電離層劇烈擾動的主要因素,磁暴發(fā)生后數(shù)十小時至數(shù)天內(nèi),電離層會出現(xiàn)不同程度的擾動. 以往研究表明,磁暴期間電離層F2層會出現(xiàn)顯著變化,而F1層暴時變化可能不顯著[16]. 2015-04-11 與2015-04-16 接連爆發(fā)了中等磁暴,圖7 為2015-04-01—21 的地磁環(huán)電流指數(shù)(disturbance storm time,DST)分布,黑色虛線分別對應(yīng)04-17 與04-19T0:00UT,可見04-01—04-09 內(nèi)Dst 指數(shù)在-20~20 nT 變化,14 日22:00 已 達(dá) 到-36 nT,15 日23:00 降 低 到-43 nT,16 日23:00 達(dá)到-78 nT(中強(qiáng)磁暴級別),隨后逐漸增加,18 日13:00 增加到-8 nT,隨后緩慢降低,19 日0:00 達(dá)到-30 nT,隨后緩慢增加.

      圖7 2015-04-01—21 DST 指數(shù)變化Fig. 7 The DST variations during 2015-04-01—21

      圖8 為2015-04 磁暴事件期間曲靖地區(qū)電離層139~196 km 電子密度觀測結(jié)果. 為了比較,圖8 也給出了04-03(Dst 平均值為-8 nT,可認(rèn)為磁靜日)的觀測結(jié)果. 可以看出:在磁靜日電子密度隨著高度增加而增大,139 km 的電子密度為極小值,隨著高度增加電子密度逐漸增加,說明電子密度谷區(qū)可能位于139 km 附近;不同高度的電子密度隨著地方時緩慢變化. 在磁暴日的04-19 午后,177~196 km 的電子密度出現(xiàn)顯著增加,高度越高,電子密度增加的幅度越大,即F1層出現(xiàn)了正暴效應(yīng);04-17 午后177~196 km出現(xiàn)疑似增強(qiáng)但不明顯,139~158 km 的電子密度變化不明顯. 以上現(xiàn)象也反映出04-19 的谷區(qū)結(jié)構(gòu)相對于04-03 發(fā)生了變化.

      圖8 2015-04 磁暴期間不同高度電子密度變化Fig. 8 The variations of electron density in the different altitudes during the geomagnetic storm event in 2015-04

      圖9 為此次磁暴事件期間的電離層垂直探測foE,foF1(F1層尋常波臨界頻率)與foF2(F2層尋常波臨界頻率) 的變化,foF1與F1層最大電子密度有關(guān),foF2與F2層最大電子密度有關(guān). 從圖9 可見,磁暴期間foE 相對正午12:00 具有明顯的對稱性,而且相對于磁靜日無明顯增加,說明磁暴期間E 層電子密度變化不明顯.foF1觀測數(shù)據(jù)缺失嚴(yán)重,無法分析磁暴期間foF1的相對變化,但初步顯示04-17 相對于04-03 無明顯增加.foF2在04-17T14:00—21:00 相對04-03 出現(xiàn)增加,最大增幅為2.9 MHz(16:00),對應(yīng)的電子密度相對增加36%,04-19T16:00—21:00 相對04-03 出現(xiàn)增加,最大增幅為2.2 MHz(18:00),對應(yīng)的電子密度相對增加32%.

      圖9 2015-04 磁暴期間電離層foE,foF1 與foF2 的變化Fig. 9 Temporal variations of the foE, foF1 and foF2 in the geomagnetic storm event in 2015-04

      F1層是原子離子與分子離子的過渡區(qū),原子離子與分子離子之間的競爭是控制F1區(qū)暴時電子密度變化的主要機(jī)制,另外與中性成分(O,O2,N2)的季節(jié)變化也有關(guān). F1層日間電子密度變化主要受太陽極紫外輻射下中性成分的光化學(xué)過程控制,F(xiàn)1層氧原子離子( O+)密度可表示為

      式 中:q(O+)為 氧 原 子 離 子 產(chǎn) 生 率; β為 損 失 率;H=kTn/(mg)為原子氧標(biāo)高. 可見氧離子密度隨高度增加而增加,而分子離子密度隨高度增加不明顯,因此在F1層上部甚至F2層氧原子離子占主導(dǎo)地位,而在F1層下部以分子離子占主導(dǎo),氧原子離子密度的變化也決定了F1層暴時效應(yīng)的正負(fù).

      BURESOVA 等[17]利用歐洲電離層垂直探測數(shù)據(jù)分析了日間160~190 km 電子密度的暴時效應(yīng),發(fā)現(xiàn)無論F2層是正暴還是負(fù)暴,F(xiàn)1層暴時電子密度總是減小,即負(fù)暴效應(yīng). F1層暴時效應(yīng)存在季節(jié)差異,夏季不明顯,冬季明顯,秋季強(qiáng)于春季. MIKHAILOV[16]利用Millstone Hill 與EISCAT 非相干散射雷達(dá)數(shù)據(jù)分析了160~200 km 電子密度的磁暴效應(yīng),發(fā)現(xiàn)電子密度以負(fù)暴效應(yīng)為主,但也會出現(xiàn)正暴. 在四個季節(jié)都會出現(xiàn)負(fù)暴,其幅度比正暴更大,隨著高度增加幅度變化越大. 出現(xiàn)負(fù)暴與氧原子離子密度減小與分子離子密度增加有關(guān). 出現(xiàn)正暴的機(jī)制有多種,比如氧原子密度增加、220 km 以下熱層大氣收縮導(dǎo)致密度減小等. 如果F1層正暴與氧原子密度增加有關(guān),那么不同高度的正暴效應(yīng)不同,高度越高,正暴效應(yīng)越強(qiáng),同時在暴時赤道向熱層風(fēng)導(dǎo)致的垂直等離子體漂移作用下,F(xiàn)2層出現(xiàn)強(qiáng)烈的正暴效應(yīng). 相反,如果與熱層大氣收縮有關(guān),那么隨著高度增加,正暴效應(yīng)減弱.

      2015-04-19 曲靖地區(qū)139~158 km 的電子密度變化不明顯,與垂直探測foF1的變化基本一致;177~196 km 的電子密度在午后出現(xiàn)顯著增加,高度越高,增幅越大;垂直探測foF2的變化顯示午后16:00—21:00 的F2層電子密度出現(xiàn)增強(qiáng),這些與MIKHAILOV 觀測研究結(jié)果基本一致. 因此猜測2015-04-19 177~196 km(F1層上部)電子密度增加可能與氧原子等中性成分增加有關(guān).

      3 分析與討論

      ZHANG 等[6]利用中緯地區(qū)MU 雷達(dá)數(shù)據(jù)分析了90~160 km 電子密度變化特征,發(fā)現(xiàn)1 月與3 月相似,7 月與9 月相似,但1 月和3 月與7 月和9 月的差別很大,1 月日間的E-F 谷區(qū)谷底位于125~155 km,但9 月E-F 谷區(qū)結(jié)構(gòu)不明顯. 上文結(jié)果表明曲靖地區(qū)120~200 km 電子密度具有兩種形態(tài):一種具有顯著的谷區(qū)結(jié)構(gòu)(谷底位于134~144 km),另一種谷區(qū)不明顯,這與MU 雷達(dá)觀測結(jié)果基本一致,但相對其他地區(qū)而言,谷底更高.

      蘇元智等[18]利用武昌白天的垂直探測電離圖反演的E-F 谷區(qū)電子密度數(shù)據(jù)分析了武昌地區(qū)白天的谷區(qū)特征,發(fā)現(xiàn)大部分時間里都存在谷區(qū)結(jié)構(gòu),谷深很淺,大部分谷深約0.2;谷寬平均約30 km,隨季節(jié)變化,冬季較寬,夏季較窄;谷寬隨太陽天頂角增加而增大. 圖2 中曲靖地區(qū)的谷深約0.7,遠(yuǎn)大于武昌,表明曲靖地區(qū)的深谷較多;圖3 中曲靖地區(qū)的谷寬在正午較小,在日出更大,即隨著太陽天頂角增大而增大,這與武昌的觀測結(jié)果一致.

      SHI 等[2]首次使用探空火箭數(shù)據(jù)分析了海南地區(qū)日出時的電離層E-F 谷區(qū)結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)E-F 谷位于123.5 km,寬度約42 km,深度約50%,這個結(jié)果與其他站觀測結(jié)果相比,谷區(qū)更寬更深. 曲靖地區(qū)位于中低緯過渡區(qū),谷寬與谷深相對更小,上文結(jié)果表明曲靖地區(qū)E-F 谷位于約140 km,谷寬約30 km,這相對于我國低緯海南地區(qū)而言,谷區(qū)位置更高,寬度更窄.

      MAHAJAN 等人[4-5]利用低緯地區(qū)Arecibo 非相干散射雷達(dá)數(shù)據(jù)分析了E-F 谷區(qū)的谷寬與谷深變化特征,并給出了谷寬谷深的經(jīng)驗?zāi)P? 研究發(fā)現(xiàn)夜間谷區(qū)相對于日間變的更寬更深,日間實測的谷寬相對于模型值更窄. 圖10 為利用MAHAJAN 模型仿真的谷區(qū)參數(shù)隨太陽天頂角的變化. 可知,當(dāng)太陽天頂角從0°變化到60°時,谷區(qū)深度從0 變化到0.1,谷區(qū)寬度由7 km 增加到13 km. 當(dāng)天頂角增加并接近90°時(比如日出、日落),谷區(qū)寬度和深度進(jìn)一步增大,谷深可達(dá)0.25,谷寬可達(dá)23 km.

      圖10 谷區(qū)參數(shù)隨太陽天頂角的變化Fig. 10 Variations of the E-F valley depth and width with the solar zenith angle

      根據(jù)TITHERIDGE 模型[19],正午時E-F 谷區(qū)寬度約10~15 km,谷區(qū)深度約4%~7%;當(dāng)天頂角增加到70°時,谷寬約10~25 km,谷深約7%~10%;當(dāng)天頂角增加到84°時,E-F 谷區(qū)結(jié)構(gòu)將消失. E-F 谷區(qū)寬度和深度與太陽天頂角的關(guān)系近似滿足(sec χ)0.6. 圖3中日出時的谷區(qū)寬度與深度更大,隨著天頂角減小,谷區(qū)變窄,谷深變淺,這與MAHAJAN 和TITHERIDGE模型基本一致.

      一般認(rèn)為,影響電離層E-F 谷區(qū)結(jié)構(gòu)的因素包括以下幾個方面:1) 太陽天頂角. TITHERIDGE[19]指出E-F 谷區(qū)寬度和深度會隨著太陽天頂角的增加而變大,這已被探空火箭實驗[18]觀測證實. 2)地磁緯度. TITHERIDGE[19]指出低緯地區(qū)的E-F 谷區(qū)寬度和深度更大. 曲靖地區(qū)的地磁緯度為14.3°N,位于赤道北駝峰邊緣地區(qū),屬于中低緯過渡區(qū),與典型的低緯或中緯不同. MAEDA[20]通過分析中緯地區(qū)探空火箭數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)日間E-F 谷區(qū)平均高度約115 km,說明低緯地區(qū)的谷區(qū)高度低于中緯地區(qū). 3)地方時.MAHAJAN 等[5]發(fā)現(xiàn)E-F 谷區(qū)的寬度和深度在日出日落時更大,當(dāng)太陽天頂角80°時,谷區(qū)平均高度約122 km.

      4 小 結(jié)

      通過分析曲靖非相干散射雷達(dá)數(shù)據(jù),文中首次初步給出了曲靖地區(qū)電離層E-F 谷區(qū)電子密度剖面的變化特征,包括:1)曲靖地區(qū)日間120~200 km 電子密度剖面具有兩種形態(tài),隨著季節(jié)與地方時變化.一種是存在明顯的谷區(qū)結(jié)構(gòu),谷底高度約134~144 km;另一種是谷區(qū)很寬,谷底位于約130 km,120~150 km電子密度隨高度緩慢變化,160 km 以上電子密度快速單調(diào)增加,這與MU 雷達(dá)觀測結(jié)構(gòu)基本一致. 2)耀斑期間,129 km 以下的電子密度會出現(xiàn)顯著的增強(qiáng),134 km 以上增強(qiáng)現(xiàn)象不明顯,可能與太陽X 射線與極紫外輻射增強(qiáng)有關(guān),D 層電子密度出現(xiàn)突然增加,可能與X 射線爆發(fā)有關(guān). 3)中等磁暴期間,177~196 km 的電子密度與foF2均出現(xiàn)了正暴效應(yīng),可能與氧原子含量增加有關(guān),這與國外非相干散射雷達(dá)觀測基本一致.

      下一步將利用更多數(shù)據(jù)深入分析曲靖地區(qū)電離層E-F 谷區(qū)的變化特征,探討其機(jī)制,并嘗試建立經(jīng)驗?zāi)P?

      致 謝本文使用了子午工程曲靖非相干散射雷達(dá)的觀測數(shù)據(jù),在此表示感謝.

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