倪春曉,蘇 筱,王 岑,孟 瑾,趙國(guó)清
(山東航天電子技術(shù)研究所,煙臺(tái) 264003)
固態(tài)功率控制器(solid-state power controller,SSPC)[1]是集繼電器的轉(zhuǎn)換功能和斷路器的電路保護(hù)功能于一體的功率開(kāi)關(guān)器件,是航天器配電系統(tǒng)中控制負(fù)載通斷的核心部件[2-3]。SSPC的主要功能是通過(guò)內(nèi)部控制電路對(duì)功率MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷控制,實(shí)現(xiàn)對(duì)配電系統(tǒng)電源到負(fù)載的開(kāi)通和關(guān)斷控制。具有無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)電弧、無(wú)噪聲、響應(yīng)快、電磁干擾小、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及便于計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程控制等優(yōu)點(diǎn)[4-5]。
傳統(tǒng)的航天器供配電系統(tǒng)中,出于可靠性的考慮,通常選用繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)用電設(shè)備的配電控制。由于繼電器不具備過(guò)流保護(hù)功能,往往需要進(jìn)行冗余設(shè)計(jì),重量和體積還需要成倍增加,相對(duì)減少了航天器有效載荷所占的空間和重量份額,導(dǎo)致關(guān)鍵載荷無(wú)法安裝應(yīng)用[6]。SSPC作為新型配電系統(tǒng)的核心部件廣泛應(yīng)用到航天、航空等領(lǐng)域的電子產(chǎn)品中,可以有效的減少航天器供配電系統(tǒng)的重量和體積,提高系統(tǒng)可靠性。
固態(tài)功率控制技術(shù)發(fā)展至今,通常具備以下3個(gè)特點(diǎn):
1)使用無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)的固態(tài)半導(dǎo)體器件如晶閘管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等作為開(kāi)關(guān)元件;
2)通過(guò)內(nèi)部的自動(dòng)控制,對(duì)配電線路及用電負(fù)載實(shí)施快速保護(hù);
3)具有外部控制接口(開(kāi)關(guān)控制)及自身狀態(tài)輸出接口(開(kāi)/關(guān)狀態(tài)、負(fù)載輕/重、輸出電流、輸出電壓、開(kāi)關(guān)溫度等)。
從上述3個(gè)特點(diǎn)可以看出,固態(tài)功率控制器以固態(tài)開(kāi)關(guān)為基礎(chǔ),其內(nèi)部的反饋控制保護(hù)功能與測(cè)控接口這兩個(gè)特點(diǎn)使其與繼電器、斷路器等產(chǎn)品相比,技術(shù)更復(fù)雜,功能更強(qiáng)大,更適合于構(gòu)建智能的配電管理系統(tǒng),為實(shí)現(xiàn)航天器電源系統(tǒng)的自主運(yùn)行提供更全面的保障[7]。
按照負(fù)載電源的不同,固態(tài)功率控制器分為直流固態(tài)功率控制器和交流固態(tài)功率控制器。直流固態(tài)功率控制器根據(jù)配電電壓的不同又可分為28V直流固態(tài)功率控制器、42V直流固態(tài)功率控制器和100V直流固態(tài)功率控制器等;交流固態(tài)功率控制器根據(jù)交流電源類型的不同又可分為單相交流固態(tài)功率控制器和三相交流固態(tài)功率控制器。
按照輸出電路組數(shù)的不同,固態(tài)功率控制器分為單路輸出固態(tài)功率控制器和多路輸出固態(tài)功率控制器[8]。多路輸出固態(tài)功率控制器根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合不同又可分為雙路輸出固態(tài)功率控制器、四路輸出固態(tài)功率控制器和八路輸出固態(tài)功率控制器等。
按照保護(hù)對(duì)象的不同,固態(tài)功率控制器分為基于I2t反時(shí)限保護(hù)特性的固態(tài)功率控制器和基于恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)特性的固態(tài)功率控制器。
固態(tài)功率控制器作為配電開(kāi)關(guān)使用時(shí),一個(gè)重要作用就是保護(hù)供電電源、供電線路和負(fù)載的安全。根據(jù)保護(hù)對(duì)象側(cè)重點(diǎn)的不同,固態(tài)功率控制器產(chǎn)品主要分為基于I2t反時(shí)限保護(hù)特性的產(chǎn)品和基于恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)特性的產(chǎn)品兩大類。
上述兩類產(chǎn)品的技術(shù)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜程度不同,在航天器中的應(yīng)用范圍也不盡相同。其中,基于I2t反時(shí)限保護(hù)特性的產(chǎn)品,技術(shù)相對(duì)較為復(fù)雜,一般用在大功率配電線路的保護(hù)中,無(wú)論是正常工作模式還是過(guò)流保護(hù)模式,其固態(tài)開(kāi)關(guān)始終工作在飽和狀態(tài),不會(huì)由于承受大功率而損壞,因此這種產(chǎn)品主要是將供電線路以及負(fù)載作為保護(hù)對(duì)象;基于恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)特性的產(chǎn)品,設(shè)計(jì)原理比較簡(jiǎn)單,保護(hù)過(guò)程中的觸發(fā)關(guān)斷時(shí)間是以固態(tài)開(kāi)關(guān)的結(jié)溫上限作為限制,因此這種產(chǎn)品主要將過(guò)載發(fā)生時(shí)的固態(tài)開(kāi)關(guān)作為保護(hù)對(duì)象。
1.2.1I2t反時(shí)限保護(hù)特性產(chǎn)品工作原理
基于I2t反時(shí)限保護(hù)特性的產(chǎn)品,當(dāng)供電線路上發(fā)生過(guò)載或短路故障時(shí),供電線路上存在大小為I2R的熱功率累積,當(dāng)熱量無(wú)法通過(guò)環(huán)境散出,供電線路溫度就會(huì)不斷上升,且溫度上升的速率與線路的比熱容以及線徑的大小呈線性關(guān)系。每一條特定的供電線路都有一個(gè)熱能吸收極限值Qm,可以用I2t=Qm來(lái)表示,這個(gè)常數(shù)與線路允許上升的溫度以及線徑有關(guān)。此種保護(hù)方式就是基于I2t為常數(shù)來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)曲線的,固態(tài)開(kāi)關(guān)保護(hù)動(dòng)作的時(shí)間取決于流過(guò)開(kāi)關(guān)的過(guò)載電流大小,如果電流較大,則保護(hù)時(shí)間越短;反之則保護(hù)時(shí)間延長(zhǎng)?;贗2t的過(guò)流保護(hù)曲線原理如圖1所示。
圖1 I2t過(guò)流保護(hù)曲線Fig.1 The curve of overcurrent protection
采用I2t反時(shí)限保護(hù)特性的SSPC產(chǎn)品內(nèi)部一般由固態(tài)開(kāi)關(guān)、電流采樣電路、 過(guò)流/短路保護(hù)電路、輔助供電電路以及遙測(cè)遙控接口電路等組成[9]。典型電路原理框圖如圖2所示。
圖2 I2t反時(shí)限保護(hù)特性產(chǎn)品的原理框圖Fig.2 The principle block diagram of I2t inverse time protection product
1.2.2 恒流限流延時(shí)關(guān)斷特性產(chǎn)品工作原理
基于恒流限流延時(shí)關(guān)斷特性的產(chǎn)品,當(dāng)供電線路發(fā)生過(guò)載或短路故障且故障維持時(shí)間超過(guò)設(shè)計(jì)規(guī)定時(shí)間后,開(kāi)關(guān)可自動(dòng)觸發(fā)關(guān)斷。在開(kāi)關(guān)關(guān)斷前,供電線路上的電流被限制在設(shè)計(jì)規(guī)定的安全電流值。針對(duì)上述原理制成的固態(tài)功率控制產(chǎn)品(latching current limiter,LCL),LCL產(chǎn)品工作在保護(hù)模式時(shí),固態(tài)開(kāi)關(guān)MOSFET在控制電路的控制下,其工作狀態(tài)會(huì)由飽和區(qū)迅速進(jìn)入線性區(qū),MOSFET會(huì)瞬間承受大的功率,此時(shí)要保證設(shè)計(jì)的限流值不超過(guò)MOSFET的額定最大值,并且觸發(fā)關(guān)斷時(shí)間內(nèi),MOSFET的結(jié)溫不超過(guò)器件手冊(cè)上的極限溫度。恒流限流延時(shí)關(guān)斷特性曲線如圖3所示。
圖3 恒流限流延時(shí)關(guān)斷曲線Fig.3 The curve of constant current limiting delay shutdown
采用恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)特性的SSPC產(chǎn)品內(nèi)部一般由固態(tài)開(kāi)關(guān)、電流采樣電路、 限流延時(shí)電路、驅(qū)動(dòng)電路、控制電路等組成[10-12]。典型電路原理框圖如圖4所示。
圖4 恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)特性產(chǎn)品的原理框圖Fig.4 The principle block diagram of constant current limiting delay shutdown characteristic product
固態(tài)功率控制器的核心是采用MOSFET或IGBT實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性[13],近年來(lái),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造水平已取得長(zhǎng)足發(fā)展,尤其是功率半導(dǎo)體器件,在抗輻照指標(biāo)、導(dǎo)通電阻、功率極限等方面同國(guó)外產(chǎn)品的差距正在逐步縮小,高等級(jí)功率MOSFET國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)明顯,在航天器中開(kāi)始廣泛應(yīng)用。
目前,以平面條柵VDMOS工藝為代表的國(guó)產(chǎn)化抗輻射MOSFET產(chǎn)品,最大擊穿電壓可以達(dá)到400V,最大電流能力可以達(dá)到75A,且伴隨著半導(dǎo)體工藝水平的提高,其功率電壓范圍和輸出電流能力還在不斷提高,基本可以覆蓋所有航天器的供配電母線。
固態(tài)功率控制器的不斷發(fā)展,逐步形成了金屬密封結(jié)構(gòu)、板卡式結(jié)構(gòu)、模塊式封裝結(jié)構(gòu)和控制盒式結(jié)構(gòu)4類封裝,各類封裝結(jié)構(gòu)各有其優(yōu)缺點(diǎn),但在航天器小型化、輕量化趨勢(shì)的推動(dòng)下,將SSPC模塊進(jìn)行厚膜混合集成,甚至是開(kāi)展專用集成電路ASIC研制已經(jīng)被國(guó)內(nèi)外的業(yè)界人士達(dá)成共識(shí)。因此,開(kāi)展固態(tài)功率控制技術(shù)的小型化技術(shù)研究,對(duì)于提高產(chǎn)品散熱能力,提升產(chǎn)品可靠性具有重要意義。
目前,國(guó)內(nèi)航天器的功率控制系統(tǒng)雖已開(kāi)始普遍采用固態(tài)功率器件作為控制開(kāi)關(guān),但因缺少必要的保護(hù)措施,導(dǎo)致設(shè)備在過(guò)載情況下不能進(jìn)行有效防護(hù)。過(guò)載情況下,峰值電流持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)會(huì)引起母線供電電壓的較大跌落,從而影響母線上其他負(fù)載的正常工作。因此,開(kāi)展固態(tài)功率控制器過(guò)載保護(hù)技術(shù)的研究,尤其是縮短固態(tài)功率控制器的過(guò)載保護(hù)時(shí)間,對(duì)于保護(hù)航天器的安全具有重要意義。國(guó)外的SSPC產(chǎn)品,一般保護(hù)時(shí)間都小于10μs,有的甚至能達(dá)到小于1μs;國(guó)內(nèi)的SSPC產(chǎn)品,保護(hù)時(shí)間在微秒級(jí)到毫秒級(jí)之間,最小的保護(hù)時(shí)間可以達(dá)到小于100μs。
固態(tài)功率控制器作為航天器供配電系統(tǒng)的功率控制開(kāi)關(guān),主要作用就是保護(hù)供電電源和負(fù)載設(shè)備的安全,因此,如何提高產(chǎn)品的抗干擾能力,確保整個(gè)供電線路的穩(wěn)定工作,也是SSPC產(chǎn)品設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。尤其在負(fù)載狀況復(fù)雜(如容性負(fù)載、感性負(fù)載)的情況下,對(duì)SSPC產(chǎn)品反饋控制電路的設(shè)計(jì)要求更高??垢蓴_技術(shù)的研究,除了保護(hù)配電網(wǎng)絡(luò)和負(fù)載設(shè)備安全,具備過(guò)載保護(hù)功能外,還要對(duì)固態(tài)功率控制器自身進(jìn)行防護(hù),確保在各類復(fù)雜工況下不會(huì)產(chǎn)生誤動(dòng)作,因此,提高抗干擾能力,對(duì)于擴(kuò)展產(chǎn)品應(yīng)用范圍,保護(hù)系統(tǒng)安全具有重要意義。
通常情況下,固態(tài)功率開(kāi)關(guān)的承載電流能力直接決定了SSPC產(chǎn)品的輸出能力。為提高產(chǎn)品的輸出電流能力,可以將功率MOSFET進(jìn)行并聯(lián)應(yīng)用,但并聯(lián)應(yīng)用時(shí),如何考慮產(chǎn)品的均流控制,規(guī)避MOS管并聯(lián)使用時(shí)的寄生振蕩現(xiàn)象,也是SSPC產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。
防止并聯(lián)MOSFET發(fā)生寄生振蕩,一是選擇合適的MOS器件,可以選擇MOS管寄生電容CDS與CGS比值小,或是跨導(dǎo)gm比較小的MOSFET;二是通過(guò)增加外部電路的方式防止寄生振蕩現(xiàn)象的發(fā)生,可以在MOSFET的柵極插入一個(gè)柵極電阻或一個(gè)鐵氧體磁珠,也可以在MOSFET的柵極和源極之間添加一個(gè)瓷介電容。但要注意,增加電阻會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)速度,且增大開(kāi)關(guān)損耗;增加電容會(huì)導(dǎo)致MOSFET的開(kāi)關(guān)性能下降,因此,SSPC產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)需要綜合考慮。
固態(tài)功率控制器通常由功率電路、輔助供電電路、驅(qū)動(dòng)控制電路、電流電壓采集電路、保護(hù)電路和狀態(tài)檢測(cè)電路等組成[14]。
功率電路作為SSPC的開(kāi)關(guān)元件,可以采用晶閘管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。輔助供電電路主要為SSPC電路提供工作電源;驅(qū)動(dòng)控制電路主要負(fù)責(zé)SSPC的開(kāi)關(guān)控制和驅(qū)動(dòng)控制;電流電壓采集電路主要負(fù)責(zé)采集功率母線的電流電壓信號(hào),反饋給保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)SSPC的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);保護(hù)電路主要對(duì)電流電壓采集電路輸出的信號(hào)進(jìn)行判斷,在過(guò)載情況下觸發(fā)關(guān)斷信號(hào),保護(hù)系統(tǒng)安全;狀態(tài)檢測(cè)電路主要負(fù)責(zé)對(duì)SSPC的開(kāi)關(guān)狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè),有助于用戶對(duì)產(chǎn)品的工作狀態(tài)做出準(zhǔn)確判斷。
3.1.1 功率電路
航天器固態(tài)功率控制技術(shù)主要采用國(guó)產(chǎn)化抗輻照MOSFET,作為功率器件,設(shè)計(jì)時(shí)需要進(jìn)行合理的熱設(shè)計(jì),對(duì)于厚膜混合集成工藝的SSPC產(chǎn)品,功率芯片通常設(shè)計(jì)在高導(dǎo)熱率的覆銅基板上,以降低芯片的工作熱阻。目前,常用的高導(dǎo)熱基板主要有氧化鈹基板、氮化鋁基板和氮化硅基板等,其主要特點(diǎn)是具有良好的散熱效果和絕緣性能,而且可靠性高。
3.1.2 電流電壓采集電路
電流電壓采集電路可以采用分立器件搭建電流鏡電路實(shí)現(xiàn)采集功能,也可以采用單片電流采集芯片實(shí)現(xiàn)采集功能,兩種采集方式的工作原理不同,優(yōu)缺點(diǎn)也不盡相同。
采用分立器件搭建電流鏡拓?fù)涞碾娏麟妷翰杉娐?,如圖5所示,優(yōu)點(diǎn)是內(nèi)部元器件可以完全國(guó)產(chǎn)化,具有抗輻射指標(biāo),且采集精度可調(diào);缺點(diǎn)是零偏較大,線性度和三溫一致性差。
圖5 電流電壓采集電路Fig.5 Current and voltage acquisition circuit
采用單片電流采集芯片,優(yōu)點(diǎn)是零偏小,線性度高,三溫一致性好;缺點(diǎn)是無(wú)抗輻射指標(biāo),可靠性差。此外,無(wú)論何種電流電壓采集方式,均需要通過(guò)高精密功率電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)母線電流的電壓采集。高精密功率型電阻的主要特點(diǎn)是阻值低,精度高,溫度系數(shù)小,功率大,體積小和安裝牢固性好。
3.1.3 保護(hù)電路
保護(hù)電路包括I2t反時(shí)限保護(hù)電路和恒流限流延時(shí)關(guān)斷保護(hù)電路兩種,其中I2t反時(shí)限保護(hù)電路因其功率承載能力大,在航天器固態(tài)功率控制領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。圖6為反時(shí)限保護(hù)特性的典型電路,通過(guò)調(diào)整電路中電阻和電容的參數(shù)值,使過(guò)流保護(hù)電路的功能與反時(shí)限保護(hù)方程相互吻合,達(dá)到反時(shí)限保護(hù)的目的。
圖6 反時(shí)限保護(hù)電路Fig.6 Inverse time protection product
基于I2t反時(shí)限特性的保護(hù)方式在供電線路上發(fā)生過(guò)載時(shí),允許過(guò)載電流流過(guò)供電回路并存在一定的時(shí)間,這對(duì)供電電源的供電能力提出了一定的要求,尤其是在供電線路上存在短路故障時(shí),供電電源應(yīng)能夠在短暫大電流存在的條件下,維持供電電壓在正常的范圍內(nèi),避免故障向該母線上的其他負(fù)載擴(kuò)散。在發(fā)生過(guò)載及短路故障時(shí),盡管此時(shí)大的電流流過(guò)固態(tài)開(kāi)關(guān)自身,但I(xiàn)2t反時(shí)限保護(hù)特性并不改變固態(tài)開(kāi)關(guān)的飽和工作狀態(tài),因此,開(kāi)關(guān)此時(shí)的功耗并不會(huì)出現(xiàn)大幅上升而威脅SSPC的可靠性,此時(shí)開(kāi)關(guān)上的功耗僅由P=IV決定,I為過(guò)載電流,V為開(kāi)關(guān)兩端的壓降。
1)尺寸小、重量輕
采用厚膜混合集成工藝的固態(tài)功率控制器在產(chǎn)品小型化、輕量化設(shè)計(jì)方面優(yōu)勢(shì)明顯,封裝尺寸和重量與其他封裝結(jié)構(gòu)的SSPC相比均有大幅度縮減。
2)智能化程度高
SSPC產(chǎn)品與繼電器相比,既可以拓展出過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能;又可以拓展出狀態(tài)指示、電流遙測(cè)和遠(yuǎn)程通信功能,智能化程度高,更適合于構(gòu)建智能的自主管理配電系統(tǒng)。
3)技術(shù)領(lǐng)先、可靠性高
固態(tài)功率控制器是實(shí)現(xiàn)航天器在軌自主管理與故障隔離的唯一途徑,具有技術(shù)領(lǐng)先、可靠性高的特點(diǎn);此外,通過(guò)輻照加固的SSPC產(chǎn)品在滿足宇航應(yīng)用的同時(shí),還具有功耗低,熱阻小,散熱好等特點(diǎn)。
固態(tài)功率控制技術(shù)相較傳統(tǒng)的配電控制方式具有許多不可替代的優(yōu)勢(shì),正逐步取代傳統(tǒng)的繼電器和斷路器,成為實(shí)現(xiàn)航天器配電自動(dòng)化的關(guān)鍵技術(shù)。未來(lái)完全取代傳統(tǒng)的配電控制方式,固態(tài)功率控制技術(shù)還需要在大功率集成、系統(tǒng)可靠性和面向初級(jí)配電系統(tǒng)應(yīng)用等方面開(kāi)展大量工作。
近年來(lái),固態(tài)功率控制器已呈現(xiàn)出由一組輸出向多組輸出,由直流輸出向交流輸出,由小電流、小電壓向大電流、大電壓,由標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向無(wú)引線封裝方向發(fā)展的趨勢(shì)。將來(lái),固態(tài)功率控制器以其不可替代的技術(shù)優(yōu)勢(shì),還將向以下3個(gè)方向發(fā)展。
1)大功率化
在航空航天領(lǐng)域,一方面,隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的不斷提升,對(duì)航天器的額定功率和承載能力提出了更高的要求[15];另一方面,隨著電源管理技術(shù)的發(fā)展,航天器二次配電技術(shù)不斷向初級(jí)配電系統(tǒng)靠攏,這些都將促使固態(tài)功率控制技術(shù)向大功率方向發(fā)展。
2)小型化
在航天器減重降耗趨勢(shì)的推動(dòng)下,為了減小航天器供電控制系統(tǒng)的重量和體積,固態(tài)功率控制技術(shù)將不斷向小型化和高密度的方向發(fā)展。電路拓?fù)涞亩嗦芳?,以及系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的工藝保證,將大幅度縮小SSPC產(chǎn)品的重量和體積。
3)智能化
SSPC以其獨(dú)特的智能化控制優(yōu)勢(shì),在航天器自主管理系統(tǒng)應(yīng)用前景廣闊。未來(lái),固態(tài)功率控制技術(shù)還將向如何提升供電系統(tǒng)的智能化分配與管理,拓展?fàn)顟B(tài)監(jiān)測(cè)功能等方向發(fā)展。根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境,遠(yuǎn)程控制SSPC的電流輸出范圍和過(guò)載保護(hù)時(shí)間,將大幅提升系統(tǒng)的可靠性和智能化程度。
本文通過(guò)對(duì)固態(tài)功率控制器工作原理和主要關(guān)鍵技術(shù)的研究,闡述了固態(tài)功率控制器的系統(tǒng)架構(gòu)和電路特點(diǎn),介紹了航天器固態(tài)功率控制技術(shù)在高可靠、小尺寸和高智能化程度方面的優(yōu)勢(shì),并對(duì)其未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望。