一種微尺寸 LED 芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法和剝離方法

專利名稱：

專利申請?zhí)枺?022105724409

公布號：CN114914268A

申請日：2022.05.24 公開日：2022.08.16

申請人：湘能華磊光電股份有限公司

本發(fā)明提供了一種微尺寸LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底和間隔設(shè)置在襯底上的多個微尺寸芯片結(jié)構(gòu)；每個所述微尺寸芯片結(jié)構(gòu)均包括外延片結(jié)構(gòu)、支撐轉(zhuǎn)移層、P電極和N電極。本發(fā)明又提供了一種制備所述的微尺寸LED芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：步驟S1、制備外延片結(jié)構(gòu)；步驟S2、制備支撐轉(zhuǎn)移層；步驟S3、制備N電極和P電極。本發(fā)明還提供了一種剝離所述微尺寸LED芯片結(jié)構(gòu)的剝離方法，包括步驟W1、形成切割縫隙；步驟W2、定向腐蝕；步驟W3、襯底剝離。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)多個微尺寸芯片的批量轉(zhuǎn)移，大大地降低了剝離轉(zhuǎn)移時間和轉(zhuǎn)移成本，顯著地提高了生產(chǎn)效率。