襯底
- 斜切藍(lán)寶石襯底上GaN薄膜的位錯(cuò)降低機(jī)制*
于GaN 體單晶襯底的尺寸以及成本限制,目前絕大多數(shù)GaN 材料是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等襯底上異質(zhì)外延得到的.異質(zhì)襯底和GaN 材料之間的大晶格失配和熱失配使得GaN外延材料中的位錯(cuò)密度非常高,一般在108cm-2以上[5].高位錯(cuò)密度會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生不利影響,在電子器件中,位錯(cuò)加劇二維電子氣的散射,降低載流子遷移率,并且位錯(cuò)充當(dāng)漏電通道,會(huì)增加器件的漏電流;在光電器件中,位錯(cuò)充當(dāng)非輻射復(fù)合中心,會(huì)降低器件的發(fā)光效率[6-8].因此,目前有很多研究是針對(duì)如何降
物理學(xué)報(bào) 2023年19期2023-10-30
- 斜切角對(duì)β-Ga2O3(100)面襯底加工的影響研究
得高質(zhì)量器件,在襯底上進(jìn)行外延生長(zhǎng)是必要的選擇。使用斜切樣品制備襯底,其表面表現(xiàn)出很高的臺(tái)階流密度,可以改變外延層的生長(zhǎng)方式,有利于降低材料缺陷密度,從而改善外延質(zhì)量[5-7]。Ougazzaden等[8]在斜切藍(lán)寶石襯底上外延了GaN材料,獲得的樣品表面形貌良好,降低了位錯(cuò)面密度。然而,若斜切角過(guò)大,會(huì)造成切割時(shí)襯底材料浪費(fèi),生產(chǎn)成本大幅提高。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,襯底取向和斜切角的選擇已成為關(guān)鍵[9]。襯底加工是外延及器件制作的重要基礎(chǔ),襯底的表面質(zhì)量和
人工晶體學(xué)報(bào) 2023年9期2023-09-22
- 硅襯底氮化鎵大失配應(yīng)力調(diào)控方法研究
單晶是最理想的襯底材料，其可以在很大程度上降低位錯(cuò)密度，從而提高外延材料的晶體質(zhì)量，延長(zhǎng)GaN 基器件的工作壽命，提高發(fā)光效率。但是大尺寸GaN 單晶襯底制備困難、成品率低，還不能規(guī)?；a(chǎn)，由此造成了大尺寸GaN 單晶襯底材料價(jià)格昂貴且稀缺，因而利用同質(zhì)外延生長(zhǎng)GaN 薄膜更加難以實(shí)現(xiàn)。所以目前，GaN 的生長(zhǎng)主要采用異質(zhì)外延法，用于異質(zhì)外延的襯底有藍(lán)寶石襯底、碳化硅（SiC）襯底和Si 襯底。表2 為GaN 與常用襯底的各項(xiàng)參數(shù)。表2 GaN 與常用
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2023年3期2023-02-18
- 退火溫度和退火時(shí)間對(duì)不同襯底上Mg2Si薄膜結(jié)構(gòu)的影響
其部分性能。不同襯底與薄膜之間的晶格失配和熱失配可能不同,因此襯底類型對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)或性能可能存在較大影響。在一定的條件下,金屬M(fèi)g在硅內(nèi)發(fā)生擴(kuò)散反應(yīng)即可生成Mg2Si,因此制備Mg2Si薄膜最常用的襯底是Si,如Mahan等[9]采用分子束外延法在Si(100)和Si(111)襯底上制備了結(jié)晶良好的Mg2Si薄膜;Wang等[3]在Si(111)襯底上制備了Al摻雜Mg2Si薄膜,并測(cè)得其光學(xué)帶隙。為了研究Mg2Si晶體的擇優(yōu)晶相和電學(xué)性能,Kurokaw
量子電子學(xué)報(bào) 2022年4期2022-08-22
- 襯底材料對(duì)石墨烯薄膜生長(zhǎng)影響研究
緣介質(zhì)HfO2為襯底可直接應(yīng)用于制備石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GFET)半導(dǎo)體工藝中。因此,石墨烯薄膜原位生長(zhǎng)優(yōu)化對(duì)石墨烯器件的發(fā)展與應(yīng)用具有重要意義。當(dāng)前,石墨烯薄膜的制備方法主要包括機(jī)械剝離法、SiC 熱分解法、氧化還原法以及化學(xué)氣相淀積法(CVD)[8]。其中,等離子體化學(xué)氣相淀積(PECVD)作為一種特殊的化學(xué)氣相淀積技術(shù),利用了反應(yīng)氣體在射頻電場(chǎng)下的輝光放電,能夠大大降低沉積石墨烯薄膜時(shí)的溫度,是低溫?zé)o轉(zhuǎn)移生長(zhǎng)石墨烯薄膜的重要手段。在基于PECVD 技
電子元件與材料 2022年7期2022-08-20
- 襯底層對(duì)Fe65Co35 合金薄膜結(jié)構(gòu)與磁性的影響*
法制備了具有不同襯底層(Cu,Co 和Ni80Fe20)的Fe65Co35 雙層合金薄膜.研究了不同襯底材料以及NiFe 襯底層厚度對(duì)FeCo 合金薄膜結(jié)構(gòu)與磁性的影響.研究結(jié)果表明:襯底層的引入可以增加薄膜的面內(nèi)單軸各向異性,且薄膜的軟磁性能顯著提升,獲得良好軟磁性的原因歸結(jié)為晶粒的細(xì)化、層間的偶極相互作用以及表面粗糙度的降低,并且對(duì)于相同厚度的不同襯底層,NiFe 襯底層對(duì)FeCo 薄膜軟磁性能的提升最為明顯;通過(guò)改變NiFe 襯底層厚度,實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜
物理學(xué)報(bào) 2022年15期2022-08-12
- FMEA在藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)周期改善中的應(yīng)用研究
因素。縮短藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)周期，能夠?qū)?zhǔn)時(shí)交貨，提升顧客滿意度，樹立企業(yè)良好口碑，提高資金周轉(zhuǎn)率起到積極作用。然而藍(lán)寶石襯底制造系統(tǒng)具備大規(guī)模、多重入、混合加工等加工特性［1-3］，且其制造過(guò)程復(fù)雜，工序繁多，導(dǎo)致藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)周期管理非常困難。同時(shí)藍(lán)寶石襯底在生產(chǎn)過(guò)程受到返工，機(jī)器故障，工藝路線變更，人員作業(yè)疏忽等不確定因素的影響，導(dǎo)致生產(chǎn)周期發(fā)生波動(dòng)，甚至出現(xiàn)產(chǎn)品交貨時(shí)間不準(zhǔn)的情況。關(guān)于生產(chǎn)周期改善，已有的研究主要集中于在制品控制，瓶頸控制，生產(chǎn)周期預(yù)測(cè)
機(jī)械設(shè)計(jì)與制造 2022年5期2022-05-19
- 大尺寸碲鋅鎘基碲鎘汞材料分子束外延技術(shù)研究
近,因此,碲鋅鎘襯底是制備第三代碲鎘汞紅外焦平面陣列探測(cè)器不可或缺的襯底材料[1]。目前,碲鎘汞材料常用的生長(zhǎng)方法為外延生長(zhǎng),特別是分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE),因其在低溫下生長(zhǎng)(185℃左右)并且能夠?qū)崿F(xiàn)多層異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)并實(shí)現(xiàn)精確在線控制,所以MBE方法是生長(zhǎng)高性能、雙色及高溫工作碲鎘汞材料的首選外延方法[2-3]。當(dāng)前,第三代碲鎘汞紅外焦平面正朝著大面陣、高性能、雙多色集成的方向發(fā)展[4],國(guó)際上的第三代碲鎘汞紅外焦
激光與紅外 2022年3期2022-04-22
- LED用圖形化藍(lán)寶石襯底的光刻工藝優(yōu)化*
領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的襯底材料[4～6]。襯底曝光是圖形化藍(lán)寶石襯底的瓶頸工序，某企業(yè)正面臨曝光周期長(zhǎng)的技術(shù)難題。光刻設(shè)備運(yùn)行時(shí)，每次曝光的正方形區(qū)域稱為曝光場(chǎng)，藍(lán)寶石襯底表面由若干曝光場(chǎng)覆蓋，合理安排曝光場(chǎng)與襯底排列的組合關(guān)系，將直接影響襯底曝光的效率[7]。單片襯底曝光完成的時(shí)間由曝光場(chǎng)數(shù)量及每個(gè)曝光場(chǎng)曝光的時(shí)間決定。曝光的時(shí)間由光刻機(jī)機(jī)械性能決定，但其優(yōu)化難度大、周期長(zhǎng)且成本高。因此，對(duì)曝光場(chǎng)分布進(jìn)行優(yōu)化以減少曝光場(chǎng)數(shù)量，能達(dá)到縮短曝光周期的目的。目前，有
傳感器與微系統(tǒng) 2021年1期2021-12-30
- 高溫處理對(duì)Si圖形襯底上SiO2掩膜層的影響
泛的應(yīng)用。但Si襯底上異質(zhì)外延3C-SiC薄膜的質(zhì)量較低，阻礙了其在各應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。在SiC和Si襯底界面處或外延薄膜內(nèi)會(huì)產(chǎn)生大量的由應(yīng)力釋放引起的缺陷，如位錯(cuò)、層錯(cuò)、孿晶等[1-2]。圖形化襯底上側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)可以有效地解決這一問(wèn)題，這一技術(shù)在選擇性生長(zhǎng)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)。圖形化襯底可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝獲得，有微米級(jí)波浪形、“V”形，納米柱狀等[3-7]。圖形化襯底分為有掩膜圖形和無(wú)掩膜圖形兩類，掩膜材料有SiO2、Si3N4或金屬等[8-1
海峽科技與產(chǎn)業(yè) 2021年6期2021-12-21
- 藍(lán)寶石襯底片背面減薄磨削加工試驗(yàn)分析
發(fā)光二極管的主要襯底材料[1]。藍(lán)寶石在經(jīng)歷長(zhǎng)晶、掏晶棒、外圓加工、切片、雙端面研磨、外圓倒邊后,制成標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)寶石襯底片,然后采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積在襯底片上進(jìn)行外延層生長(zhǎng)[2-3]。最后對(duì)襯底片背面進(jìn)行減薄磨削、拋光、切割,制成發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片制造工藝流程如圖1所示。藍(lán)寶石襯底片材料導(dǎo)熱性較差,為防止發(fā)光二極管有源區(qū)過(guò)大的溫升對(duì)光輸出特性和使用壽命產(chǎn)生影響,在完成蒸鍍刻蝕等工序后,還需要對(duì)藍(lán)寶石襯底片的背面進(jìn)行減薄加工,從而達(dá)到改善芯
機(jī)械制造 2021年7期2021-08-23
- 基于改進(jìn)水熱法的Ga2 O3 納米棒制備及表征
,生長(zhǎng)方向平行于襯底而非垂直于襯底。Zhou 等[15]使用水熱法合成了Ga2O3納米材料的前驅(qū)體即GaOOH 納米材料,它的形狀呈單分散性納米粒子狀或者棒狀,并且結(jié)構(gòu)大小不統(tǒng)一,分布不均勻。由于傳統(tǒng)水熱法制備的Ga2O3納米材料不能滿足陣列器件的要求,本文提出一種改進(jìn)的水熱法,最終可得到均勻分布且直立生長(zhǎng)的Ga2O3納米材料。首先通過(guò)磁控濺射法在襯底上沉積一層籽晶層,然后在籽晶層上進(jìn)一步采用水熱法制備Ga2O3納米棒。實(shí)驗(yàn)表明,該方法得到的Ga2O3納米
電子元件與材料 2021年5期2021-06-04
- 襯底用單晶金剛石晶格隨溫度變化的研究
在金剛石外延中，襯底的狀態(tài)往往對(duì)外延層金剛石的質(zhì)量起著重要的影響，例如：襯底的表面粗糙度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致多晶[5]；襯底表面的缺陷會(huì)被外延層所繼承，形成外延層中的缺陷[6]；襯底表面的晶向和晶面，會(huì)影響外延層的生長(zhǎng)速度和生長(zhǎng)質(zhì)量[7]。另一方面，在單晶生長(zhǎng)過(guò)程中，應(yīng)力的影響非常關(guān)鍵。應(yīng)力過(guò)大，會(huì)在單晶中產(chǎn)生缺陷，或者導(dǎo)致多晶，甚至使晶體開裂[8-10]。本文以襯底在不同溫度下，其晶格變化為研究對(duì)象，通過(guò)XRD原位測(cè)試方法，研究單晶金剛石襯底晶格常數(shù)的變化，并結(jié)合
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年1期2021-02-23
- 藍(lán)寶石襯底基片平整加工專利分析
際上公認(rèn)的LED襯底材料，但其硬度高且脆性大機(jī)械加工困難，藍(lán)寶石晶體切割后需要經(jīng)過(guò)平整加工達(dá)到規(guī)定的平面度、粗糙度、晶格完整性等指標(biāo)后方可使用?；谒{(lán)寶石襯底片平整加工專利，本文從申請(qǐng)量、申請(qǐng)區(qū)域以及技術(shù)發(fā)展路線三方面展開分析。關(guān)鍵詞：藍(lán)寶石;襯底;基片;平整;研磨;拋光;技術(shù)路線中圖分類號(hào)：G306;0786文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1003-5168（2020）06-0120-041 引言固態(tài)照明是全世界公認(rèn)的一種最有效的節(jié)能途徑，而高亮度發(fā)光二極管（L
河南科技 2020年6期2020-10-21
- 基于MBE替代硅襯底的材料綜述
為在CdZnTe襯底上外延HgCdTe可以達(dá)到質(zhì)量最佳的材料,不過(guò)CdZnTe襯底較為昂貴,而且到目前為止其襯底尺寸依然不能擴(kuò)大。因此,人們?cè)诮鼛资曛醒芯砍隽巳舾煞N如Si、Ge、InSb、GaSb以及GaAs襯底等替代性襯底來(lái)取代CdZnTe襯底[1-3]。表1為部分薄膜材料的基本參數(shù),這些襯底都具有高晶體質(zhì)量、大面積、低成本以及取用方便等優(yōu)點(diǎn),使得它們?cè)贖gCdTe紅外焦平面器件的發(fā)展中占據(jù)著重要位置。然而,可以從圖1中看出,這些襯底與HgCdTe的晶
激光與紅外 2020年6期2020-07-07
- 襯底材料對(duì)熱蒸發(fā)法制備TiO2薄膜的影響*
的因素很多，其中襯底材料是一個(gè)重要的影響因素。文獻(xiàn)[4]研究了襯底材料對(duì)濺射法(高功率脈沖磁控濺射和直流磁控濺射)制備TiO2薄膜的粗糙度和晶體結(jié)構(gòu)的影響，原子力顯微圖像顯示薄膜的粗糙度隨襯底表面粗糙度增大而增大，X射線衍射圖顯示薄膜的晶態(tài)結(jié)構(gòu)與離子轟擊能量相關(guān)，當(dāng)襯底和薄膜間的電容較小時(shí)，離子對(duì)襯底的轟擊能量較大，TiO2薄膜呈純紅金石型結(jié)構(gòu)。文獻(xiàn)[5]研究了化學(xué)氣相沉積TiO2薄膜在玻璃和石英襯底上的微觀形貌，結(jié)果發(fā)現(xiàn)玻璃上TiO2薄膜為納米立方結(jié)構(gòu)，
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年1期2020-03-07
- 介質(zhì)襯底上生長(zhǎng)h-BN二維原子晶體的研究進(jìn)展
地鋪展在h-BN襯底上,有利于還原其極高的載流子遷移率[6]。此外,h-BN具有與 SiO2接近的介電常數(shù)和擊穿電場(chǎng),是石墨烯或其他二維原子晶體理想的柵介質(zhì)材料。實(shí)際上,與傳統(tǒng)的SiO2/Si襯底相比,基于h-BN襯底或柵介質(zhì)層的電子器件已展現(xiàn)出更高的載流子遷移率和更優(yōu)異的器件性能。例如,哥倫比亞大學(xué)的Wang與其合作者[7]依次將h-BN、石墨烯、h-BN機(jī)械剝離到SiO2/Si襯底上組成器件,室溫下測(cè)量得到石墨烯遷移率達(dá) 1.4×105cm2/(V·s
無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年12期2019-12-28
- 二硫化鉬納米棒的制備及其表征
在Si/SiO2襯底上獲得了單層MoS2薄膜和寬度為數(shù)百納米的納米棒，并對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征分析。1 試驗(yàn)1.1 試驗(yàn)過(guò)程氧化層厚度為300 nm的市售Si/SiO2基片，分別浸入丙酮、酒精、去離子水中，超聲清洗30 min，烘干，備用。0.5 mL 0.2 mg/mL的NaCl溶液滴入剛玉舟中烘干，再滴入1 mL 5 mg/mL的MoO3分散液，烘干備用。將一片典型尺寸為10/10 mm（L/W）的SiO2/Si基板拋光面朝下，倒扣在剛玉舟上。取
中國(guó)資源綜合利用 2019年6期2019-07-08
- Ag@Parylene-C納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)研究及其SERS性能表征
迎的SERS活性襯底材料之一。但是，在研究以銀納米顆粒為襯底的SERS應(yīng)用時(shí)發(fā)現(xiàn)，在納米材料的表面效應(yīng)等因素的影響下，顆粒的化學(xué)穩(wěn)定性較差，容易發(fā)生氧化和團(tuán)聚，給襯底的制備和保存帶來(lái)不便，且會(huì)影響銀納米顆粒的SERS活性。為了解決這一問(wèn)題，必須對(duì)銀納米顆粒進(jìn)行表面改性，其中常用且有效的方法就是在銀納米顆粒的表面均勻地包覆上一層無(wú)機(jī)材料形成核殼結(jié)構(gòu)[1-4]。目前，針對(duì)核殼型銀納米顆粒SERS襯底制備工藝的研究主要采用的是溶膠-凝膠法和反相微乳法等化學(xué)制備方
兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2019年6期2019-07-05
- 碲鋅鎘襯底晶向?qū)阪k汞薄膜表面形貌的影響
探測(cè)器不可或缺的襯底材料。（111）面是閃鋅礦結(jié)構(gòu)原子層密度最高的晶面，從微觀上看也是最平整的表面，一般情況下，液相外延生長(zhǎng)碲鎘汞薄膜都在〈111〉晶向上進(jìn)行，外延材料甚至可以得到原子級(jí)平整的光亮表面［1］。碲鋅鎘襯底和碲鎘汞外延材料之間的晶格匹配會(huì)對(duì)外延層的質(zhì)量產(chǎn)生直接影響［2］。表面形貌是衡量外延材料質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。碲鋅鎘晶向和（111）面的偏角應(yīng)被控制一定范圍內(nèi)，以保證外延以鄰位面方式生長(zhǎng)，晶向偏離越大，外延材料表面臺(tái)階越嚴(yán)重，甚至?xí)绊懕∧さ纳?/div>
激光與紅外 2018年11期2019-01-02
- 不同腐蝕時(shí)間對(duì)CZT(211)B襯底的影響分析
Te(211)B襯底常用于分子束外延HgCdTe材料。對(duì)于外延生長(zhǎng),其襯底的性能在一定程度上決定了HgCdTe外延材料的質(zhì)量[1]。碲鋅鎘(CdZnTe,CZT)材料和HgCdTe材料具有相同的閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu),通過(guò)調(diào)整鋅組分(Cd1-xZnxTe中x≈ 0.04),兩者之間能在晶格上實(shí)現(xiàn)完全匹配,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)同質(zhì)外延,外延生長(zhǎng)晶格失配?。黄浣麕挾却笥诩t外波段的光子能量,對(duì)紅外光完全透明,可實(shí)現(xiàn)背入射,為混合集成創(chuàng)造條件；它與HgCdTe材料化學(xué)相容、熱膨脹系數(shù)激光與紅外 2018年10期2018-10-26
- 低電容TVS用常壓外延工藝研究
此結(jié)構(gòu)需要在重?fù)?span id="j5i0abt0b" class="hl">襯底上生長(zhǎng)高阻外延層來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中襯底電阻率越低，雪崩二極管反向擊穿電壓越低，被保護(hù)電路兩端所能箝住的電壓越小，浪涌抑制能力也就越好；外延層電阻率越高，電容越低，高頻電路信號(hào)的衰減越小[1]。外延生長(zhǎng)是指在單晶襯底的表面上，利用二維結(jié)構(gòu)相似性成核的原理，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)特定電阻率和厚度單晶層的工藝。埋層外延是指在制有特定光刻圖形的襯底上進(jìn)行的外延，其外延溫度越高，圖形漂移量越小，但相應(yīng)襯底雜質(zhì)揮發(fā)越多。而理想的低電容TVS器件要求重電子與封裝 2018年9期2018-09-27
- 兩種襯底對(duì)La0.7Sr0.3MnO3薄膜的性能影響研究
在Si(100)襯底上外延生長(zhǎng)LSMO薄膜，研究了薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和電磁輸運(yùn)機(jī)制[7]。制備成本低廉、性能優(yōu)異的LSMO薄膜仍是一個(gè)重要的研究方向。本文采用脈沖激光濺射法分別在STO襯底和Si襯底上制備出LSMO薄膜，并研究了不同襯底對(duì)LSMO薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌以及電阻和金屬-絕緣電阻的影響。1 試驗(yàn)1.1 試驗(yàn)過(guò)程采用PLD450E球形脈沖激光濺射復(fù)合沉積系統(tǒng)，在SrTiO3(001)和Si(001)襯底上制備了高度(001)取向的La0.7Sr0.山東化工 2018年15期2018-09-20
- 柔性太陽(yáng)電池發(fā)展研究
備在金屬箔和塑料襯底上，形成柔性太陽(yáng)電池。柔性太陽(yáng)電池具有重量輕、可彎曲、便于攜帶和運(yùn)輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用在衛(wèi)星、飛艇、無(wú)人機(jī)、單兵裝備等國(guó)防軍工領(lǐng)域，以及光伏建筑一體化、可穿戴智能設(shè)備等民用領(lǐng)域，具有廣闊的市場(chǎng)前景[1]。目前，已經(jīng)商業(yè)化的薄膜太陽(yáng)電池有硅薄膜太陽(yáng)電池、碲化鎘太陽(yáng)電池和銅銦鎵硒太陽(yáng)電池，這三種商業(yè)化的薄膜太陽(yáng)電池均以玻璃為襯底。此外，需要特別指出的是，鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)電池是最近薄膜太陽(yáng)電池研究的熱點(diǎn)。短短9年時(shí)間，電池效率從2009年的3.8%中國(guó)工程科學(xué) 2018年3期2018-09-11
- 偏轉(zhuǎn)角(211)Si基CdTe復(fù)合襯底研究
早期CdZnTe襯底成本高、面積較小、與Si電路熱膨脹系數(shù)不匹配等原因,長(zhǎng)期以來(lái)研究者一直尋找合適的替代襯底。早期人們對(duì)InSb、Al2O3(藍(lán)寶石)、GaAs、Ge和Si基等替代襯底進(jìn)行了大量的研究,但隨著研究的開展,InSb、Al2O3等襯底的各種缺點(diǎn)就顯漏無(wú)遺。與其他襯底材料相比,Si襯底具有襯底面積大、材料成本低、Si讀出電路的自動(dòng)熱應(yīng)力匹配、較高的機(jī)械強(qiáng)度和平整度等優(yōu)點(diǎn),是最合適的替代襯底,是未來(lái)實(shí)現(xiàn)單片式IRFPA的唯一選擇[1-3]。Si基襯激光與紅外 2018年7期2018-08-08
- 動(dòng)態(tài)耐壓下SOI RESURF器件的二維電場(chǎng)解析模型
lator,絕緣襯底上的硅)材料因?yàn)榫哂懈咚?、低功耗、可靠性高、抗輻射等?yōu)點(diǎn),在低功耗電路、微機(jī)械傳感器、光電集成等方面都具有重要應(yīng)用[1-3]。而在實(shí)際電路運(yùn)用中,由于SOI器件具有較高的開關(guān)頻率,因此器件將承受快速變化的關(guān)斷耐壓,對(duì)此稱其為器件的動(dòng)態(tài)耐壓。根據(jù)半導(dǎo)體物理學(xué)知識(shí)可知:在動(dòng)態(tài)耐壓條件下,襯底深耗盡效應(yīng)將會(huì)出現(xiàn)從而導(dǎo)致耗盡區(qū)向襯底部分發(fā)展,改變器件的表面電場(chǎng)分布,對(duì)器件的耐壓特性造成影響[4-7]。然而在現(xiàn)有的文獻(xiàn)研究成果中,尚未就襯底耗盡區(qū)電子元件與材料 2018年6期2018-07-17
- 粗糙GaAs(001)表面對(duì)In0.15Ga0.85As薄膜生長(zhǎng)的影響
aAs薄膜生長(zhǎng)的襯底，其表面形貌在InGaAs薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程中扮演著重要作用[5]。目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)InGaAs/GaAs薄膜的研究主要集中于自組裝量子點(diǎn)的生長(zhǎng)[6-8]，而GaAs襯底表面形貌對(duì)InGaAs薄膜生長(zhǎng)的影響研究較少。V.P.LaBella[9]等人曾采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生長(zhǎng)和反射高能電子衍射儀(Reflection High Energy Electron Diffraction,RHEED)電子科技 2018年4期2018-04-08
- 烏東德大壩首個(gè)中孔鋼襯澆筑完成
站大壩4號(hào)中孔鋼襯底板倉(cāng)澆筑完成，這是烏東德首個(gè)澆筑完成的中孔鋼襯底板倉(cāng)，標(biāo)志著300米級(jí)烏東德拱壩建設(shè)進(jìn)入了一個(gè)新階段。據(jù)烏東德建設(shè)部大壩項(xiàng)目部透露，相比其他倉(cāng)，中孔鋼襯底板倉(cāng)澆筑難度相對(duì)較大。據(jù)了解，此次8號(hào)壩段4號(hào)中孔鋼襯底板倉(cāng)從11月8日凌晨3點(diǎn)開澆，共澆筑混凝土3349立方米，從高程876.3米澆筑至879.0米，歷時(shí)30小時(shí)42分。四川水力發(fā)電 2018年6期2018-03-26
- 氧化鋅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及其結(jié)晶性能研究
)以普通玻璃作為襯底材料，采用射頻磁控濺射方法制備了氧化鋅(ZnO)透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)X射線衍射(XRD)和X射線光電子能譜(XPS)測(cè)試，研究了襯底溫度對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)及其結(jié)晶性能的影響.結(jié)果表明：所制備的ZnO薄膜均為(002)晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的多晶薄膜，其微觀結(jié)構(gòu)和結(jié)晶性能與襯底溫度密切相關(guān).襯底溫度對(duì)ZnO薄膜的織構(gòu)系數(shù)TC(hkl)、平均晶粒尺寸、位錯(cuò)密度、晶格應(yīng)變和晶格常數(shù)都具有不同程度的影響，當(dāng)襯底溫度為800 K時(shí)，ZnO薄膜樣品的織構(gòu)系數(shù)T- 襯底對(duì)MoSe2的二次諧波強(qiáng)度的影響
334001)襯底對(duì)MoSe2的二次諧波強(qiáng)度的影響曾建華，何清，陶智明，桑志文，常山，何鵬浩(上饒師范學(xué)院 物理與電子信息學(xué)院，江西 上饒 334001)采用時(shí)域有限差分法研究了SiO2/Si襯底、Au/SiO2襯底、SiO2-SnO2/Ag/SiO2襯底上MoSe2的反射、透射、吸收和二次諧波增強(qiáng)因子隨厚度的依賴關(guān)系。計(jì)算了各種介質(zhì)-金屬襯底上MoSe2的電場(chǎng)分布曲線，結(jié)果表明塊體MoSe2的二次諧波的增強(qiáng)主要源于介質(zhì)-金屬襯底誘導(dǎo)的電場(chǎng)局域效應(yīng)，并由上饒師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2017年6期2017-12-22
- 襯底溫度對(duì)共濺射法制備BaSi2薄膜的影響
550025)襯底溫度對(duì)共濺射法制備BaSi2薄膜的影響楊子義1,2， 劉 濤1， 徐 虎2(1. 貴陽(yáng)學(xué)院 電子與通信工程學(xué)院， 貴州 貴陽(yáng) 550005；2. 貴州大學(xué) 新型光電子材料與技術(shù)研究所， 貴州 貴陽(yáng) 550025)研究襯底溫度對(duì)采用Ba靶和Si靶共濺射制備BaSi2薄膜的影響.采用X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對(duì)在不同襯底溫度條件下制備的薄膜的微觀結(jié)構(gòu)組分和表面形貌進(jìn)行表征與分析.結(jié)果表明,襯底溫度在500 ℃以下時(shí)Ba和Si共沉積在Si(- 納米級(jí)MOSFET襯底電流的偏置依賴性建模
米級(jí)MOSFET襯底電流的偏置依賴性建模王林，王軍，王丹丹（西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院，四川 綿陽(yáng) 621010）襯底電流是納米級(jí)MOSFET電學(xué)性質(zhì)分析的重要基礎(chǔ)，也是集成電路設(shè)計(jì)的先決條件。建立精確的襯底電流模型是分析MOSFET器件及電路可靠性和進(jìn)行電路設(shè)計(jì)所必需的。基于熱載流子效應(yīng)建立了一個(gè)常規(guī)結(jié)構(gòu)納米級(jí)MOSFET襯底電流的解析模型，并將模型的仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較，驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。同時(shí)對(duì)襯底電流與溝道長(zhǎng)度和偏置電壓的關(guān)系進(jìn)行了分析研究，結(jié)電子技術(shù)應(yīng)用 2016年10期2016-12-02
- 基于硅過(guò)渡層納米金剛石膜/GaN復(fù)合膜系的制備
的在GaN半導(dǎo)體襯底上直接生長(zhǎng)納米金剛石膜的方法。研究發(fā)現(xiàn)，直接將GaN襯底暴露于氫等離子體中5 min即發(fā)生分解，且隨著溫度從560 ℃升高至680 ℃，這種分解反應(yīng)愈加劇烈，很難在GaN襯底上直接形成結(jié)合力良好的納米金剛石膜。通過(guò)在GaN襯底上鍍制幾納米厚的硅過(guò)渡層，在富氫金剛石生長(zhǎng)環(huán)境下，抑制了GaN襯底的分解，同時(shí)在GaN襯底上沉積了約2 μm厚的納米金剛石膜。硅過(guò)渡層厚度是決定納米金剛石與GaN襯底結(jié)合力的主要因素。當(dāng)硅過(guò)渡層厚度為10 nm時(shí)，新型炭材料 2016年5期2016-11-22
- 襯底溫度對(duì)低溫制備銅銦鎵硒薄膜結(jié)晶性能的影響
之一。相對(duì)于玻璃襯底電池，以聚酰亞胺（PI）薄膜為襯底的柔性CIGSe薄膜太陽(yáng)能電池具有可卷曲、質(zhì)量比功率高、適于卷對(duì)卷大面積連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)，在空間飛行器動(dòng)力電源和地面光伏集成建筑、移動(dòng)折疊式太陽(yáng)能充電器等應(yīng)用中有著更為廣闊的前景。由于襯底材料特性和電池制備工藝的差異，通常認(rèn)為PI襯底CIGSe薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率低于玻璃襯底電池的。但在2013年，瑞士聯(lián)邦材料與技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（EMPA）報(bào)導(dǎo)了轉(zhuǎn)換效率為20.4%的PI襯底CIGSe薄膜太陽(yáng)能電池［1］，機(jī)械工程材料 2015年8期2015-12-11
- Si（111）襯底切偏角對(duì)GaN基LED外延膜的影響
6Si（111）襯底切偏角對(duì)GaN基LED外延膜的影響武 芹1，全知覺1*，王 立1，2，劉 文1，張建立1，江風(fēng)益1（1.南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心，江西南昌 330047；2.南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，江西南昌 330031）利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法在具有偏角（0°～0.9°）的Si（111）襯底上生長(zhǎng)了GaN薄膜。采用高分辨X射線衍射（HRXRD）對(duì)Si襯底的偏角進(jìn)行了精確的測(cè)量，利用HRXRD、原子力顯微鏡（AFM）發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年4期2015-10-28
- 用粉末靶在玻璃和PI襯底上制備AZO/Ag/AZO薄膜
末靶在玻璃和PI襯底上制備AZO/Ag/AZO薄膜劉思寧,周艷文*,沙天怡(遼寧科技大學(xué)材料與冶金學(xué)院,遼寧鞍山 114051)室溫下在玻璃和聚酰亞胺兩種不同襯底上,采用射頻磁控濺射法濺射摻鋁氧化鋅(AZO)粉末靶和固體Ag靶,制備了兩組AZO/Ag/AZO 3層透明導(dǎo)電薄膜,研究了AZO層厚度對(duì)不同襯底3層膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果表明:不同襯底的兩組AZO/Ag/AZO薄膜均為多晶膜。當(dāng)Ag層厚度不變時(shí),隨著AZO層厚度的增加,兩組薄膜電學(xué)性能變化不發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年11期2015-03-11
- 低溫鍺量子點(diǎn)緩沖層技術(shù)生長(zhǎng)硅鍺弛豫襯底研究
技術(shù)生長(zhǎng)硅鍺弛豫襯底研究周志文，葉劍鋒，李世國(guó)（深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 電子與通信學(xué)院，廣東 深圳 518172）為了提高生長(zhǎng)在硅襯底上的硅鍺弛豫襯底的質(zhì)量，提出了低溫鍺量子點(diǎn)緩沖層技術(shù)，分析了該技術(shù)在應(yīng)變弛豫的促進(jìn)，表面形貌的改善，位錯(cuò)密度的降低等方面的作用機(jī)理?；诘蜏劓N量子點(diǎn)緩沖層技術(shù)，利用超高真空化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，在硅襯底上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的硅鍺弛豫襯底。鍺組份為0.28，厚度不足380 nm的硅鍺弛豫襯底，應(yīng)變弛豫度達(dá)到99%，表面沒有Cross-ha- 反應(yīng)磁控濺射法制備Zn3 N2薄膜的工藝研究
原子脫離并沉積在襯底上，從而獲得所需的樣品［14－15］。而 Zn3N2陶瓷靶的制備工藝復(fù)雜，成本較高，且目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上沒有供應(yīng)。因此，本項(xiàng)研究工作嘗試采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)，使用鋅金屬靶（純度99.99%），以 Ar為工作氣體、N2為反應(yīng)氣體。當(dāng)被電離的Ar離子轟擊鋅靶材時(shí)，鋅離子會(huì)脫離靶材表面，并與電離的N離子在襯底表面生成Zn3N2薄膜。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)有研究人員嘗試應(yīng)用此方法制備了 Zn3N2薄膜［3－4，9］，但未見有完整、系統(tǒng)的研究成果發(fā)表。本研究通山東建筑大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年1期2015-01-09
- 反蛋白石結(jié)構(gòu)模板法制備有序ZnO納米結(jié)構(gòu)陣列
化的催化劑／籽晶襯底，然后，通過(guò)氣相沉積過(guò)程生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列。但是，氣相沉積往往需要較高的溫度，從而限制了在很多襯底上的應(yīng)用。此外，氣相沉積過(guò)程還可能會(huì)將殘留的催化劑引入到ZnO納米結(jié)構(gòu)中。與之相比，水熱法是一個(gè)低溫且不需要催化劑的過(guò)程［2，4，6］。結(jié)合水熱法與電子束刻蝕等各種圖案化技術(shù)，有序的ZnO納米棒陣列被成功制備［2，7-8］。在各種圖案化技術(shù)中，納米球自組裝技術(shù)是一種工藝簡(jiǎn)單、成本低廉的技術(shù)［9-11］。它利用自組裝單層膠體微球作為掩膜制備實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理 2014年11期2014-12-25
- 0.18 μm BCD工藝平臺(tái)LogicEE IP的數(shù)據(jù)保持力
力驗(yàn)證。（1）老襯底（55 nm SAB膜）；（2）新襯底延長(zhǎng)SAB膜生長(zhǎng)前的清洗時(shí)間（55 nm SAB膜）；（3）新襯底SAB膜的新生長(zhǎng)材料（55 nm SAB膜）；（4）新襯底標(biāo)準(zhǔn)工藝的SAB膜：55 nm；（5）新襯底加厚的SAB膜：80 nm；（6）新襯底加厚的SAB膜：100 nm。2.4 評(píng)估原則根據(jù)JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，非易失性存儲(chǔ)器IP核的數(shù)據(jù)保持力合格性的測(cè)量方法如下：第一步：先做CP測(cè)試，方法是針對(duì)新樣品先做CP1，然后在250 ℃、2電子與封裝 2014年12期2014-12-05
- 圖形化Si基Ge薄膜熱應(yīng)變的有限元分析
性能．目前在Si襯底上生長(zhǎng)Ge薄膜主要有3種工藝[1-3]:1) 組分漸變的SiGe緩沖層;2) 低溫Ge緩沖層;3) 圖形襯底技術(shù)．前2種方法雖然工藝簡(jiǎn)單,但生長(zhǎng)材料過(guò)渡層較厚,不利于后期某些集成器件的制作．有研究表明,圖形襯底技術(shù)在位錯(cuò)捕獲、應(yīng)變釋放等方面有著明顯的優(yōu)勢(shì)[4-6],可直接在Si襯底上制備出位錯(cuò)密度小的高質(zhì)量外延層．早在20世紀(jì)90年代,貝爾實(shí)驗(yàn)室[7]在邊長(zhǎng)70 μm的正方形Si圖形襯底上通過(guò)分子束外延(MBE)生長(zhǎng)得到近乎無(wú)位錯(cuò)的Si- 基于動(dòng)態(tài)襯底電阻的自襯底觸發(fā)ESD保護(hù)器件
環(huán)最遠(yuǎn)導(dǎo)致其寄生襯底電阻最大。當(dāng)ESD應(yīng)力施加到保護(hù)器件漏極時(shí)，中間叉指的寄生LNPN基極電壓能夠最快達(dá)到導(dǎo)通閾值，使得中間叉指將會(huì)早于其他叉指導(dǎo)通。一旦中間叉指NMOS被觸發(fā)，ESD應(yīng)力電壓將會(huì)被箝位到其保持電壓，則ESD電流只能通過(guò)中間叉指局部區(qū)域泄放，即出現(xiàn)不均勻?qū)ìF(xiàn)象[4－5]。最終在其他叉指尚未導(dǎo)通前保護(hù)器件就已被損毀，使得保護(hù)器件魯棒性大大降低。針對(duì)多叉指GGNMOS保護(hù)器件不均勻?qū)ìF(xiàn)象提出了許多解決的方法，包括使用柵耦合NMOS GCNM- 2014年藍(lán)寶石襯底供需可望達(dá)到平衡
不淡；加上藍(lán)寶石襯底于智能手機(jī)上的用途越來(lái)越多元化，包括相機(jī)的保護(hù)鏡頭與Home 鍵都開始導(dǎo)入藍(lán)寶石襯底材料。使得藍(lán)寶石襯底需求持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2014年藍(lán)寶石襯底行業(yè)的供需將可望達(dá)到平衡。特別是藍(lán)寶石襯底市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)逐漸走出谷底，兩寸藍(lán)寶石晶棒市場(chǎng)受惠于LED 與非LED市場(chǎng)需求之下，三月的價(jià)格開始出現(xiàn)了回升，價(jià)格落在USD4.2～4.5；四寸晶棒市場(chǎng)則明顯受惠于LED 市場(chǎng)需求之下，價(jià)格來(lái)到了USD16～18；六寸晶棒市場(chǎng)卻因?yàn)長(zhǎng)ED 需求廠商有限，加上電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年4期2014-03-26
- LED用藍(lán)寶石襯底拋光后濕法清洗研究
）LED用藍(lán)寶石襯底拋光后濕法清洗研究卓志國(guó)1，2，周.1，施建國(guó)3，馮.1（1.鹽城工學(xué)院，江蘇 鹽城.24051；2.常州大學(xué)，江蘇 常州.13164；3.安徽華菱汽車有限公司，安徽 馬鞍山.43061）摘.：LED被認(rèn)為是下一代主要照明工具，其以高質(zhì)量的襯底基片外延GaN層，目前主要用化學(xué)機(jī)械拋光后的藍(lán)寶石晶片作為襯底，但拋光后的襯底表面布滿雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致外延層缺陷，降低發(fā)光率甚至使器件失效。探討了在藍(lán)寶石襯底清洗過(guò)程中，HF、表面活性劑、氧化機(jī)械設(shè)計(jì)與制造 2014年1期2014-03-21
- 碲鎘汞焦平面器件背面減薄技術(shù)
鎘汞薄膜生長(zhǎng)在硅襯底上［3］，將問(wèn)題轉(zhuǎn)化為碲鎘汞材料制備過(guò)程;有的采用襯底減薄的辦法［4］，對(duì)減薄工藝提出了很高的要求;還有的采用其他技術(shù)途徑解決這一問(wèn)題［5－7］。本文采用對(duì)底部填充的碲鎘汞焦平面器件襯底減薄的方法，通過(guò)機(jī)械拋光和機(jī)械化學(xué)拋光進(jìn)行碲鋅鎘襯底背面減薄，最后采用專用腐蝕液A腐蝕的方法將碲鋅鎘襯底全部腐蝕去除，碲鎘汞全部露出;減薄后的MW1280×1024器件經(jīng)受高低溫循環(huán)沖擊的可靠性顯著提高，取得了良好的應(yīng)用效果。2 試驗(yàn)將互連后的碲鎘汞焦平激光與紅外 2014年6期2014-01-23
- 基于深亞微米工藝的柵接地NMOS靜電放電保護(hù)器件襯底電阻模型研究*
碰撞離化電流源、襯底電阻等幾部分構(gòu)成[3],其中的襯底電阻取常數(shù)值.然而由于電導(dǎo)率調(diào)制效應(yīng)的存在,襯底電阻在保護(hù)器件工作期間呈現(xiàn)出逐漸減小的趨勢(shì)[9].采用常值襯底電阻模型,將高估襯底電阻值,低估襯底電流,導(dǎo)致保護(hù)器件的雪崩擊穿特性仿真不準(zhǔn)確[10?12].Ramaswamy等[4]通過(guò)引入流控電壓源修正了常值襯底電阻模型,但由于其難以根據(jù)器件版圖尺寸實(shí)現(xiàn)可調(diào)性,該模型移植性較差.文獻(xiàn)[13]在流控電壓源模型的基礎(chǔ)上分析了部分版圖參數(shù)對(duì)保護(hù)特性的影響,但對(duì)物理學(xué)報(bào) 2013年4期2013-12-12
- LED藍(lán)寶石圖形化襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)
i、SiC等作為襯底材料，用于生長(zhǎng)GaN薄膜。藍(lán)寶石因具有的化學(xué)和物理性質(zhì)穩(wěn)定、光學(xué)特性好、成本合適等優(yōu)點(diǎn)[3-5]，被廣泛使用。但是由于GaN薄膜和藍(lán)寶石襯底之間存在較大的晶格失配和熱應(yīng)力失配，造成GaN外延層在生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生大量缺陷[6]。這些缺陷作為非輻射復(fù)合的中心，對(duì)載流子產(chǎn)生散射作用，限制發(fā)光效率的提升，而且會(huì)使LED器件產(chǎn)生較大的漏電流，降低器件的壽命。與此同時(shí)，GaN與空氣間存在全反射現(xiàn)象，又大大削弱了LED的外量子效率。圖形化襯底技術(shù)作為一電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年12期2012-09-16
- 國(guó)內(nèi)LED襯底材料的應(yīng)用現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
人性化發(fā)展，對(duì)其襯底材料提出了越來(lái)越高的要求。LED的制備過(guò)程分為上游、中游和下游三個(gè)階段，如圖2所示，其上游的材料制備階段主要包括晶體生長(zhǎng)、晶棒切割、減薄、拋光等，中游的晶圓加工階段主要包括電極、腐蝕、光刻、圖形、減薄、清洗、檢測(cè)等，下游的封裝階段主要包括劃片、粘片、燒結(jié)、壓焊、封裝、化切、分選、包裝等。由圖2可以看出，LED制備涉及的技術(shù)領(lǐng)域廣泛，技術(shù)工藝多樣化，上下游之間的差異巨大，具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，上游環(huán)節(jié)進(jìn)入壁壘大大高于下游環(huán)節(jié) (上游電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年7期2011-06-28
- 基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的模擬電路設(shè)計(jì)*
64000）基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的模擬電路設(shè)計(jì)*張長(zhǎng)青,朱 猛（信陽(yáng)農(nóng)業(yè)高等?？茖W(xué)校,河南 信陽(yáng) 464000）在進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的眾多技術(shù)中，襯底驅(qū)動(dòng)（BD）技術(shù)由于設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單和使用傳統(tǒng)MOS工藝實(shí)現(xiàn)的特點(diǎn)，而被很多的設(shè)計(jì)所采用。本文利用這一原理,在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝和±0.7 V電源電壓前提下設(shè)計(jì)低電壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)模塊,最后在TSMC0.25 μm CMOS工藝模型下，用Spice模擬器驗(yàn)證了模擬仿真結(jié)果。襯底驅(qū)動(dòng)MOS；電流鏡；跨導(dǎo)運(yùn)算放大器；電流網(wǎng)絡(luò)安全與數(shù)據(jù)管理 2011年24期2011-01-22
- 一種0.9V低電壓低本振功率CMOS有源混頻器＊
并采用MOS管的襯底效應(yīng)提高其噪聲性能與線性指標(biāo)。在2.4 GHz ISM頻段進(jìn)行驗(yàn)證,證實(shí)了其有效性和可行性。2 襯底效應(yīng)混頻器2.1 工作原理圖1所示為本文設(shè)計(jì)的利用襯底效應(yīng)的低工作電壓CMOS雙平衡混頻器的原理電路(沒畫出其偏置電路部分)。PMOS管M1 ～M4為開關(guān)對(duì),電阻作為輸出負(fù)載;晶體管 M1 ～M4 的柵極(G)到襯底(B)之間分別由電容C1 ～C4連接。開關(guān)對(duì)MOS管偏置于夾斷區(qū)附近,在本振(LO)信號(hào)的控制下, M 1(M4)和M2 (電訊技術(shù) 2010年1期2010-03-18
- 不同腐蝕時(shí)間對(duì)CZT(211)B襯底的影響分析