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      新產(chǎn)品新技術(shù)(184)

      2022-12-06 19:10:39龔永林
      印制電路信息 2022年10期
      關(guān)鍵詞:芳綸基材基板

      可生物降解和回收的印制電路板

      加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種可回收和可生物降解的印制電路板。這種樹脂基材中嵌入了純化的脂肪酶,當浸泡在一定溫度熱水中會激活脂肪酶,促使酶將聚合物鏈降解為單體。而基材在水中達到一定溫度之前確保不會降解。還開發(fā)出一種可生物降解的導(dǎo)電油墨,由聚酯粘合劑、導(dǎo)電填料(銀或炭黑顆粒)和酶混合物組成。把這種導(dǎo)電油墨打印到可生物降解的剛性或撓性基板上形成印制電路,應(yīng)用于電子設(shè)備中時酶處于休眠狀態(tài),完全安全的。當酶被激活行動,電路材料降解成其組成部分——銀顆粒與聚合物粘合劑完全分離,聚合物分解成可重復(fù)使用的單體,金屬物可輕松回收。

      (pcb007.com,2022/8/31)

      高頻電路形成用新型種晶層薄膜

      日本DIC與太陽公司合作開發(fā)高頻電路形成用新型種晶層薄膜(Seed-Layer)。其是在薄膜基材上涂有高分子密合層和金屬納米層,關(guān)鍵技術(shù)在于金屬納米粒子的官能基產(chǎn)生反應(yīng),促使高分子密著層與納米金屬層密切結(jié)合。之后如同mSAP(改進型半加成法)做出電路圖形,相較于mSAP,新開發(fā)品的導(dǎo)電底層是金屬納米種晶層,容易處理細間距電路,銅電路四邊的斷面平滑,可大幅抑制訊號傳送損失,未來可望成為5G時代不可或缺技術(shù)。

      (材料世界網(wǎng),2022/8/24)

      開發(fā)避免側(cè)蝕的蝕刻液

      針對蝕刻因子和側(cè)蝕限制了細微線路形成,有PERI(制版研究所)開發(fā)了無粉末蝕刻(powderless etching)的PERI蝕刻工藝,用于蝕刻銅基板制造印刷凸版。該工藝是在三氯化鐵蝕刻溶液中加入添加劑,形成一層保護側(cè)壁膜,這種蝕刻提供了沒有側(cè)蝕、幾乎垂直的側(cè)壁。只是該添加劑只用于三氯化鐵蝕刻液,如果在PCB制造的氯化銅蝕刻液做到無側(cè)蝕,細線路加工可能不需要半加成法了,可以簡化許多工序和節(jié)約成本。

      (PCB magazine,2022/8 p52)

      使用導(dǎo)電膏解決HDI板Z軸互連技術(shù)

      Insulectro公司介紹一種任意層互連HDI板Z軸互連技術(shù),其是先把各層的芯板(雙面芯板)制作好,再用半固化片壓合,需Z軸上下連通的孔盤印上導(dǎo)電膏(品名Ormet?),而不需連通的孔是有半固化片隔離的。該工藝優(yōu)點是只需一次壓合,減少了基材受熱壓次數(shù);導(dǎo)電膏連接減少了電鍍處理,也避免了小孔連接電鍍厚徑比問題;上下孔層壓時自成隔離,不需要背鉆孔處理。

      (pcb007.com,2022/8/11)

      芳綸取代玻璃纖維作為半導(dǎo)體基板材料

      日本Teijin Frontier提出以對位類(Para)芳綸(Aramid)纖維取代玻璃纖維,應(yīng)用于半導(dǎo)體基板材料。對位芳綸纖維除了可滿足輕量性、極薄性及可撓曲性外,具高彈性率、耐熱性、耐藥品性之特征的高強度纖維,更具備絕緣性與低介電率等電氣特性,可望借此擴大在電子領(lǐng)域的應(yīng)用。芳綸纖維的最大優(yōu)勢是輕量性與極薄可撓性,重量上壓倒性輕于玻璃纖維,可促使基板的輕量化,而極薄織布在可撓性上相當優(yōu)異,可為基板的薄型化做出貢獻。

      (材料世界網(wǎng),2022/8/17)

      高頻基板樹脂用聚芳酯(PAR)樹脂改質(zhì)

      聚芳酯(Polyarylate;PAR)樹脂系具有透明耐熱、彈力恢復(fù)性、耐候性、難燃性等各種特征的超級工程塑料。日本Unitika積極推動將PAR樹脂應(yīng)用于高頻基板成為樹脂改質(zhì)劑。例如低分子量型的PAR可作為環(huán)氧樹脂用硬化劑,可望提升樹脂的耐熱性與介電特性;高分子量型的PAR則可作為LCP(液晶聚合物)薄膜的添加劑,可望提升樹脂的耐熱性與介電特性,也有提升LCP薄膜表面的平滑性等效果。

      (材料世界網(wǎng),2022/8/18)

      用于電子材料之低介電中空二氧化硅

      目前樹脂業(yè)者積極推動低介電化材料研究,有用空氣本身低介電特性之中空形狀的填料,以改善相關(guān)問題。日本協(xié)和化學(xué)工業(yè)公司開發(fā)了一項電子材料用途之中空二氧化硅,該填料呈現(xiàn)橢圓狀,粒徑均一,約為1~1.9 μm,內(nèi)部為空洞狀,中空率可控制在50~60%。中空二氧化硅有助于輕量化、賦予斷熱性等,并具有低介電特性,Dk約為1.6~1.7,Df為0.001,可望取代銅箔基板所使用的熔融二氧化硅填料,適用于日趨普及化的5G通訊系統(tǒng)或與6G相關(guān)之電子材料。

      (材料世界網(wǎng),2022/8/25)

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