付廣艷,陳兆蘇,姜天琪,劉華成,任 雷
(沈陽(yáng)化工大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院,遼寧 沈陽(yáng) 110142)
鎂儲(chǔ)量豐富,其合金作為輕質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)材料,具有密度低、比強(qiáng)度和比剛度高、切削加工性好及電磁屏蔽性好等諸多優(yōu)點(diǎn)[1,2]。因此,鎂合金在電子產(chǎn)品、汽車工業(yè)、航天航空、國(guó)防軍工、生物醫(yī)用材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景[3,4]。但鎂合金的化學(xué)性質(zhì)活潑,耐腐蝕性能差,使其應(yīng)用范圍受限[5]。因此,提高鎂合金的耐腐蝕性能十分必要。
近年來(lái),環(huán)保型陽(yáng)極氧化工藝成為鎂合金表面處理技術(shù)的發(fā)展方向和研究熱點(diǎn)[4]。然而,目前的鎂合金環(huán)保型電解液體系多由無(wú)機(jī)鹽組成,陽(yáng)極氧化過(guò)程中易出現(xiàn)破壞性電火花,使得膜層粗糙度大,微孔孔徑大且分布不均,進(jìn)而限制了膜層的長(zhǎng)期耐腐蝕能力[6]。在電解液中添加Al2O3、TiO2等納米顆粒對(duì)鎂合金進(jìn)行微弧氧化,可以改變膜層的結(jié)構(gòu)與組成,提高膜層的致密度,改善膜層的耐腐蝕性[7-14]。因此,本工作以氫氧化鈉(NaOH)、硅酸鈉(Na2SiO3)、三聚磷酸鈉(STPP)、乙二胺四乙酸(EDTA)為電解液主要成分,研究MgO納米顆粒對(duì)鎂合金陽(yáng)極氧化膜性能的影響,以豐富鎂合金陽(yáng)極氧化工藝,提高鎂合金的耐腐蝕性能。
實(shí)驗(yàn)材料為Mg97Y2Zn1- 1.5Al鑄造鎂合金,其化學(xué)成分如表1所示,將其切成20 mm×15 mm×3 mm片狀試樣,表面逐級(jí)打磨拋光,丙酮除油,無(wú)水乙醇清洗,吹干待用。
表1 Mg97Y2Zn1 - 1.5Al鎂合金的化學(xué)成分
陽(yáng)極氧化采用MP3002D直流電源,以鎂合金試件為陽(yáng)極,不銹鋼板為陰極,利用磁力攪拌器對(duì)電解液進(jìn)行攪拌,在恒溫水浴條件下進(jìn)行反應(yīng)。基礎(chǔ)電解液組成:40 g/L NaOH、40 g/L Na2SiO3、0.12 mol/L 三聚磷酸鈉、0.03 mol/L EDTA。MgO納米顆粒的添加濃度為10 g/L。陽(yáng)極氧化參數(shù):時(shí)間30 min,溫度20 ℃,電流密度10 mA/cm2。氧化后的試件用蒸餾水沖洗,吹干。
用DM750光學(xué)顯微鏡和S3400掃描電鏡(自帶能譜儀)觀察氧化膜的表面形貌及并對(duì)氧化膜進(jìn)行成分分析。用D8型X射線衍射儀對(duì)MgO納米顆粒及陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行相分析。用FY2050型渦流測(cè)厚儀測(cè)試氧化膜厚度。按照HB5061-77對(duì)膜層進(jìn)行點(diǎn)滴實(shí)驗(yàn)測(cè)試其耐腐蝕性能。在室溫3.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))NaCl水溶液中進(jìn)行72 h的浸泡腐蝕實(shí)驗(yàn),借助梅特勒 - 托利多AG285型電子天平稱重,并繪制腐蝕動(dòng)力學(xué)曲線。
圖1是在電解液中添加MgO納米顆粒前后陽(yáng)極氧化膜的表面形貌,可見,在電解液中添加MgO納米顆粒后,鎂合金陽(yáng)極氧化膜相對(duì)致密,微孔數(shù)減少,較大孔洞中嵌有微小顆粒。對(duì)添加了MgO納米顆粒的陽(yáng)極氧化膜層及微小顆粒分別進(jìn)行EDS分析(圖2), 結(jié)果顯示微小顆粒位置處Mg、O元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)高于氧化膜層中2種元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù),進(jìn)而表明較大孔洞內(nèi)的顆粒是MgO納米顆粒。因?yàn)镸gO納米顆粒的表面能較大,能夠吸附電解液中的負(fù)離子形成膠體粒子,在電泳作用下向陽(yáng)極表面移動(dòng),被吸附在放電通道內(nèi),進(jìn)而填充孔洞[15]。其次,成膜過(guò)程中,較高的反應(yīng)速率使得熔融物無(wú)法將原有的孔洞完全填充就迅速冷卻凝固堆疊,進(jìn)而導(dǎo)致膜層內(nèi)部存在大量封閉的微孔,而MgO納米顆粒能夠降低電解液的導(dǎo)電性,進(jìn)而降低反應(yīng)速率,使得熔融物對(duì)孔洞的填充更加充分,降低孔隙率。因此,添加MgO納米顆粒后,膜層中微孔數(shù)減少,膜層相對(duì)致密。此外,陽(yáng)極氧化膜厚度測(cè)試表明,相同條件下,電解液中未添加MgO納米顆粒時(shí),氧化膜厚度約54 μm,添加MgO納米顆粒后,氧化膜厚度約62 μm。這是因?yàn)樵阪V合金陽(yáng)極氧化過(guò)程中,電解液中添加的MgO納米顆粒會(huì)填充膜層孔隙和缺陷,加速膜層孔隙和缺陷位置的生長(zhǎng),從而使膜厚增加[16]。
圖3是在電解液中添加MgO納米顆粒前后陽(yáng)極氧化樣品表面的XRD譜??梢姡娊庖褐刑砑覯gO納米顆粒后的陽(yáng)極氧化樣品表面Mg相衍射峰強(qiáng)度相對(duì)減弱,MgO相衍射峰強(qiáng)度相對(duì)增加。這表明,向電解液中添加MgO納米顆粒提高了膜層的致密度和厚度,并且MgO納米顆粒直接參與成膜,進(jìn)而提高了膜層中MgO的含量。
點(diǎn)滴實(shí)驗(yàn)表明,電解液中未添加MgO納米顆粒時(shí),點(diǎn)滴試液變色時(shí)間為132 s,添加MgO納米顆粒后,點(diǎn)滴試液變色時(shí)間為227 s,變色時(shí)間延長(zhǎng)95 s。這是因?yàn)樘砑覯gO納米顆粒使得膜層孔洞被填充,致密度提高,進(jìn)而抑制了點(diǎn)滴試液中H+的滲透,延長(zhǎng)了變色時(shí)間。
由添加MgO納米顆粒前后陽(yáng)極氧化樣品經(jīng)3.5%NaCl水溶液浸泡腐蝕72 h后的腐蝕失重曲線(圖4)及表面形貌(圖5)可見,在電解液中添加MgO納米顆粒后,試件的腐蝕失重速率相對(duì)下降,表面腐蝕程度相對(duì)降低。這是因?yàn)樵陔娊庖褐刑砑覯gO納米顆粒后,陽(yáng)極氧化膜中的微孔數(shù)減少, 較大孔洞被MgO納米顆粒填充,致密度升高,膜厚增加,腐蝕通道減少, 抑制了Cl-等腐蝕介質(zhì)的滲透, 進(jìn)而減緩陽(yáng)極氧化樣品的腐蝕;
另外,膜層中MgO含量的增加使得膜層在浸泡過(guò)程中產(chǎn)生更多的Mg(OH)2,進(jìn)而填充空洞[16],進(jìn)一步抑制了樣品的腐蝕。
(1)在以NaOH+Na2SiO3+STPP+EDTA為主要成分的電解液中添加MgO納米顆粒,對(duì)Mg97Y2Zn1- 1.5Al鑄造鎂合金進(jìn)行陽(yáng)極氧化,所制備的陽(yáng)極氧化膜微孔數(shù)減少,較大孔洞被MgO納米顆粒填充,膜層致密度升高,膜層中MgO含量升高。
(2)在電解液中添加MgO納米顆粒后陽(yáng)極氧化膜的厚度相對(duì)增加。
(3)在電解液中添加MgO納米顆粒能延長(zhǎng)陽(yáng)極氧化膜的點(diǎn)滴試液變色時(shí)間,降低樣品在3.5%NaCl水溶液中的腐蝕速率及腐蝕程度,提升膜層的耐腐蝕性能。